JPH02232373A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
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- JPH02232373A JPH02232373A JP1053991A JP5399189A JPH02232373A JP H02232373 A JPH02232373 A JP H02232373A JP 1053991 A JP1053991 A JP 1053991A JP 5399189 A JP5399189 A JP 5399189A JP H02232373 A JPH02232373 A JP H02232373A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
イオン伝導性薄膜は、固体電解質燃料電池（以下、ＳＯ
ＦＣという。）等の電池やセンサ、表示材料等に利用さ
れる。表面処理や半導体基板等のために製造される絶縁
性薄膜で，あっても、電極材料や超電導材料等として使
用される電子伝導性薄膜であっても、製膜中はイオン伝
導性を有する場合がある。
ＦＣという。）等の電池やセンサ、表示材料等に利用さ
れる。表面処理や半導体基板等のために製造される絶縁
性薄膜で，あっても、電極材料や超電導材料等として使
用される電子伝導性薄膜であっても、製膜中はイオン伝
導性を有する場合がある。
本発明は、少なくとも製膜中にイオン伝導性を有する薄
膜の製造方法に関する。
膜の製造方法に関する。
［従来の技術］
従来の薄膜製造方法として、ＳＯＦＣ用の安定化ジルコ
ニア薄膜等の製造のためにアイセンバーグらによって開
発された電気化学気相成長法が知られている（特開昭６
１−１５３２８０号公報参照）。この電気化学気相成長
法にしたがって多孔質基材上に例えばイットリア安定化
ジルコニア薄膜を製造する場合には、多孔質基材の一方
の面倒に酸素源ガスとして酸素（ｏ２）と水蒸気（Ｈ２
０）との混合ガスを導入する一方、他面側に四塩化ジル
コニウム（ Ｚ ｒ Ｃ ｆＩ４ ）と三塩化イットリ
ウム（ＹＣＩＩ３）との混合ガスを導入する。
ニア薄膜等の製造のためにアイセンバーグらによって開
発された電気化学気相成長法が知られている（特開昭６
１−１５３２８０号公報参照）。この電気化学気相成長
法にしたがって多孔質基材上に例えばイットリア安定化
ジルコニア薄膜を製造する場合には、多孔質基材の一方
の面倒に酸素源ガスとして酸素（ｏ２）と水蒸気（Ｈ２
０）との混合ガスを導入する一方、他面側に四塩化ジル
コニウム（ Ｚ ｒ Ｃ ｆＩ４ ）と三塩化イットリ
ウム（ＹＣＩＩ３）との混合ガスを導入する。
この薄膜製造方法では、酸素源ガス分子が基材中の小孔
部を通過して基材他面側のハロゲン化金属ガスと反応し
、基材表面に金属酸化物であるイットリア安定化ジルコ
ニアの薄膜が生成される（ＣＶＤ過程）。この生成膜が
成長すると、基材の小孔部が閉塞され、酸素源ガス分子
はもはや基材を通過し得なくなる。ところが、生成され
るイットリア安定化ジルコニア薄膜がイオン伝導性を有
するから、酸素源ガス分子はａｅ＊（０”）イオンの形
で生成膜中を移動し得る。この際、生成膜両側間の酸素
分圧差に起因する生成膜内での０２−イオンの濃度差が
イオン輸送の駆動力になっている。したがって、０２ー
イオンは生成膜中を拡散してハロゲン化金属ガス側に達
し、薄膜の成長を維持する（ＥＶＤ過程）。
部を通過して基材他面側のハロゲン化金属ガスと反応し
、基材表面に金属酸化物であるイットリア安定化ジルコ
ニアの薄膜が生成される（ＣＶＤ過程）。この生成膜が
成長すると、基材の小孔部が閉塞され、酸素源ガス分子
はもはや基材を通過し得なくなる。ところが、生成され
るイットリア安定化ジルコニア薄膜がイオン伝導性を有
するから、酸素源ガス分子はａｅ＊（０”）イオンの形
で生成膜中を移動し得る。この際、生成膜両側間の酸素
分圧差に起因する生成膜内での０２−イオンの濃度差が
イオン輸送の駆動力になっている。したがって、０２ー
イオンは生成膜中を拡散してハロゲン化金属ガス側に達
し、薄膜の成長を維持する（ＥＶＤ過程）。
［発明が解決しようとする課ＩＩ］
電気化学気相成長法は、以上に説明したＣ■Ｄ過程とＥ
ＶＤ過程との２過程からなるが、後者のＥＶＤ過程にお
けるイオン輸送力が０２−イオンの膜内濃度差に基づい
ていたので、ＥＶＤ過程での製膜が遅い欠点があった。
ＶＤ過程との２過程からなるが、後者のＥＶＤ過程にお
けるイオン輸送力が０２−イオンの膜内濃度差に基づい
ていたので、ＥＶＤ過程での製膜が遅い欠点があった。
薄膜の成長面側に０２−イオンが残した負電荷が滞留し
て、この表面電荷がもたらす電位障壁によって他の０２
−イオンの輸送が著しく阻害されるからである。反応駆
動力を向上させるためには生成膜両側間の酸素分圧差を
大きくすることが考えられるが、ハロゲン化金属ガス側
の酸素分圧を極端に低下させると、所望の組成とは異な
る表面刊成の薄膜が製造されてしまう。
て、この表面電荷がもたらす電位障壁によって他の０２
−イオンの輸送が著しく阻害されるからである。反応駆
動力を向上させるためには生成膜両側間の酸素分圧差を
大きくすることが考えられるが、ハロゲン化金属ガス側
の酸素分圧を極端に低下させると、所望の組成とは異な
る表面刊成の薄膜が製造されてしまう。
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであって、従
来の電気化学気相成長法において、ＥＶＤ過程での製膜
速度の向上をはかりながら所望の表面組成を得ることが
できる薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
来の電気化学気相成長法において、ＥＶＤ過程での製膜
速度の向上をはかりながら所望の表面組成を得ることが
できる薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明に係る薄膜作成方法は、生成中の薄膜の成長面側
に滞留する電荷を除去して薄膜の成長を促進することを
特徴とする。更に具体的には、生成中の薄膜の厚み方向
に内部電界をかけてイオン輸送を加速するとともに、薄
膜成長面の前方にプラズマを立てることを特徴とする。
に滞留する電荷を除去して薄膜の成長を促進することを
特徴とする。更に具体的には、生成中の薄膜の厚み方向
に内部電界をかけてイオン輸送を加速するとともに、薄
膜成長面の前方にプラズマを立てることを特徴とする。
［作 用］
薄膜の成長面側滞留電荷を除去すれば、この表面に電位
陣璧が生じることはない。したがって、生成中の薄膜内
のイオン輸送が阻害されることはなく、輸送されたイオ
ンと反応容器内のガスとの化学反応が促進される。これ
により、製膜速度が向上する。
陣璧が生じることはない。したがって、生成中の薄膜内
のイオン輸送が阻害されることはなく、輸送されたイオ
ンと反応容器内のガスとの化学反応が促進される。これ
により、製膜速度が向上する。
生成中の薄膜の厚み方向に内部電界をかけて薄膜内のイ
オンを加速するとともに薄膜成長面の前方にプラズマを
立てる場合には、プラズマが導電性を有するから、この
プラズマを通して効率良く滞留電荷が除去される。
オンを加速するとともに薄膜成長面の前方にプラズマを
立てる場合には、プラズマが導電性を有するから、この
プラズマを通して効率良く滞留電荷が除去される。
［実施例〕
第１図は、本発明の実施例に係る方法に使用される薄膜
製造装置の例であって、多孔質基材上にイオン伝導性薄
膜であるイットリア安定化ジルコニア薄膜を製造するた
めの低温プラズマを利用した装置を示す。ただし、本発
明に係る薄膜製造方法は、イットリア安定化ジルコニア
に限らず種々の薄膜の製造に適用することができる。
製造装置の例であって、多孔質基材上にイオン伝導性薄
膜であるイットリア安定化ジルコニア薄膜を製造するた
めの低温プラズマを利用した装置を示す。ただし、本発
明に係る薄膜製造方法は、イットリア安定化ジルコニア
に限らず種々の薄膜の製造に適用することができる。
反応容器１０に対して酸素源ガス容器ｌ２の先端部が気
密に挿入されている。反応容器１０内には、Ｚ ｒ Ｃ
ｊ！ ４ガスがアルゴン（Ａｒ）をキャリアガスとし
てガス導入口１Ｇ及び電気炉１８を通して導入されると
ともに、ＹＣρ３ガスがＡｒをキャリアガスとしてガス
導入口２２及び電気炉２４を通して導入される。Ａｒガ
スで希釈されたＺｒＣｇ４ガスは第１の電気炉１８で４
５０℃に、同様にＡｒガスで希釈されたＹＣＩ３ガスは
第２の電気炉２４で８００℃にそれぞれ加熱されたうえ
で反応容器ＩＯ内に導入される。酸素源ガス容器１２内
には０２とＨ２０との混合ガスが、ガス導入口２８を介
して導入される。酸素源ガス容器ｌ２の先端部に例えば
アルミナからなる多孔質基材３０が配され、この基材の
反応容器側露出面上に例えば白金からなる多孔質電極３
２が形成されている。後に説明するように、本装置では
、反応容器１０内において多孔質電極３２上にイットリ
ア安定化ジルコニア薄膜４８が生成する。反応容器１０
の内部は第１の排気ポンブ３４によって例えば０．７Ｔ
ｏｒｒの圧力に保持される。一方、酸，素源ガス容器１
２の内部は第２の排気ボンブ３６によって例えば１．５
Ｔｏｒｒの圧力に保持される。
密に挿入されている。反応容器１０内には、Ｚ ｒ Ｃ
ｊ！ ４ガスがアルゴン（Ａｒ）をキャリアガスとし
てガス導入口１Ｇ及び電気炉１８を通して導入されると
ともに、ＹＣρ３ガスがＡｒをキャリアガスとしてガス
導入口２２及び電気炉２４を通して導入される。Ａｒガ
スで希釈されたＺｒＣｇ４ガスは第１の電気炉１８で４
５０℃に、同様にＡｒガスで希釈されたＹＣＩ３ガスは
第２の電気炉２４で８００℃にそれぞれ加熱されたうえ
で反応容器ＩＯ内に導入される。酸素源ガス容器１２内
には０２とＨ２０との混合ガスが、ガス導入口２８を介
して導入される。酸素源ガス容器ｌ２の先端部に例えば
アルミナからなる多孔質基材３０が配され、この基材の
反応容器側露出面上に例えば白金からなる多孔質電極３
２が形成されている。後に説明するように、本装置では
、反応容器１０内において多孔質電極３２上にイットリ
ア安定化ジルコニア薄膜４８が生成する。反応容器１０
の内部は第１の排気ポンブ３４によって例えば０．７Ｔ
ｏｒｒの圧力に保持される。一方、酸，素源ガス容器１
２の内部は第２の排気ボンブ３６によって例えば１．５
Ｔｏｒｒの圧力に保持される。
反応容器１０の内部において多孔質電極３２の前方には
これと対になる電極３８が設けられ、これら平行電極３
２．３８間に、直流電源４０によって６０Ｖの電圧が印
加される。ただし、直流電源４０は、多孔質電極３２側
の電位が低くなる向きに接続される。反応容器１０内に
は、更にこれらの平行電極３２．３８の配役方向に交差
してプラズマ発生用電極４２．４４が対向させられる。
これと対になる電極３８が設けられ、これら平行電極３
２．３８間に、直流電源４０によって６０Ｖの電圧が印
加される。ただし、直流電源４０は、多孔質電極３２側
の電位が低くなる向きに接続される。反応容器１０内に
は、更にこれらの平行電極３２．３８の配役方向に交差
してプラズマ発生用電極４２．４４が対向させられる。
このプラズマ発生用電極４２．４４間には、高周波電源
４６により１３．５６ＭＨｚ，５０Ｗの高周波電力が投
入される。反応容器１０全体は不図示の加熱装置によっ
て加熱され、多孔質基材３０と多孔質電極３２とが１０
５０℃の反応温度に保持される。
４６により１３．５６ＭＨｚ，５０Ｗの高周波電力が投
入される。反応容器１０全体は不図示の加熱装置によっ
て加熱され、多孔質基材３０と多孔質電極３２とが１０
５０℃の反応温度に保持される。
ＣＶＤ過程は、従来と同様に進行する。すなわち、酸素
源ガス容器１２内のガス分子（０２，Ｈ２０）は、多孔
質基材３０と多孔質電極３２との小孔部を通過して反応
容器１０内に達する。反応容器１０内に達した酸素源ガ
ス分子はノ１ロゲン化金属ガスすなわちＺ ｒ Ｃ Ｒ
４ガス及びＹＣΩ３ガスと反応し、多孔質電極３２の
反応容器側表面にイットリア安定化ジルコニアからなる
薄膜４８が生成される。この生成膜が成長すると、多孔
質電極３２の小孔部が薄膜４８で閉塞されてＣＶＤ過程
が終了する。
源ガス容器１２内のガス分子（０２，Ｈ２０）は、多孔
質基材３０と多孔質電極３２との小孔部を通過して反応
容器１０内に達する。反応容器１０内に達した酸素源ガ
ス分子はノ１ロゲン化金属ガスすなわちＺ ｒ Ｃ Ｒ
４ガス及びＹＣΩ３ガスと反応し、多孔質電極３２の
反応容器側表面にイットリア安定化ジルコニアからなる
薄膜４８が生成される。この生成膜が成長すると、多孔
質電極３２の小孔部が薄膜４８で閉塞されてＣＶＤ過程
が終了する。
ところが、本発明の実施例に係る薄膜製造方法の場合に
は、多孔質電極３２とこれに対向する電極３８との間に
印加される直流電圧によって、イオン伝導性を有するイ
ットリア安定化ジルコニア薄膜４Ｂの内部に０２−イオ
ンを加速する向きの電界が生じる。また、反応容器ＩＯ
内には、高周波電源４６から投入された電力によりて、
生成中の薄膜４８の前方において電極４２．４４間に低
温プラズマが発生する。このプラズマは薄膜４８と電極
３８との間の空間に導電性をもたらす。したかって、多
孔質電極３２で還元を受けることによって０２−イオン
になった酸素源ガス容器ｌ２内の酸素源ガス分子は、薄
膜４８の両側間の酸素分圧差に基づいて駆動されるばか
りでなく、内部電界によって加速されて生成中の薄膜４
８中をドリフトして、この薄膜４８の表面に達する。薄
膜４８２− 、 の表面に達したＯ イオノは、Ｚ ｒ Ｃ Ｉｌｌ ４
ガス及びＹＣｆＩ３ガスと反応して更にイットリア安定
化ジルコニアを生成する。しかも、この結果として薄膜
４８の表面に残された負電荷は、薄膜４８とこれに対向
する電極３８との間に立っているプラズマを通して電極
３８に流入する。したがって、ＣＶＤ過程に引続いてＥ
ＶＤ過程が効率良く進行する。
は、多孔質電極３２とこれに対向する電極３８との間に
印加される直流電圧によって、イオン伝導性を有するイ
ットリア安定化ジルコニア薄膜４Ｂの内部に０２−イオ
ンを加速する向きの電界が生じる。また、反応容器ＩＯ
内には、高周波電源４６から投入された電力によりて、
生成中の薄膜４８の前方において電極４２．４４間に低
温プラズマが発生する。このプラズマは薄膜４８と電極
３８との間の空間に導電性をもたらす。したかって、多
孔質電極３２で還元を受けることによって０２−イオン
になった酸素源ガス容器ｌ２内の酸素源ガス分子は、薄
膜４８の両側間の酸素分圧差に基づいて駆動されるばか
りでなく、内部電界によって加速されて生成中の薄膜４
８中をドリフトして、この薄膜４８の表面に達する。薄
膜４８２− 、 の表面に達したＯ イオノは、Ｚ ｒ Ｃ Ｉｌｌ ４
ガス及びＹＣｆＩ３ガスと反応して更にイットリア安定
化ジルコニアを生成する。しかも、この結果として薄膜
４８の表面に残された負電荷は、薄膜４８とこれに対向
する電極３８との間に立っているプラズマを通して電極
３８に流入する。したがって、ＣＶＤ過程に引続いてＥ
ＶＤ過程が効率良く進行する。
さて、直流電源４０による電極３２．３８への電圧印加
と高周波電源４６によるプラズマ生成とを行う上記方法
では、厚さ５μｍのイットリア安定化ジルコニア薄膜を
３０分で得ることができた。
と高周波電源４６によるプラズマ生成とを行う上記方法
では、厚さ５μｍのイットリア安定化ジルコニア薄膜を
３０分で得ることができた。
以上に説明した製膜方法によれば、生成中の薄膜４８の
内部電界がこの薄膜中でのイオン輸送の駆動力になって
いるので、直流電源４０の出力電圧を変更するだけで製
膜速度を調整することができる。しかも、本発明に係る
薄膜の製造方法は、製膜中にイオン伝導性を有する薄膜
でありさえすれば適用可能であって、製膜後に薄膜を処
理してイオン伝導性を消失させる場合等にも適用可能で
ある。ただし、ＡｒガスをキャリアガスとしてＺｒＣｆ
ｌ ガスとＹＣｇ３ガスとの混合ガスを反応容器１０
内に導入しても良い。
内部電界がこの薄膜中でのイオン輸送の駆動力になって
いるので、直流電源４０の出力電圧を変更するだけで製
膜速度を調整することができる。しかも、本発明に係る
薄膜の製造方法は、製膜中にイオン伝導性を有する薄膜
でありさえすれば適用可能であって、製膜後に薄膜を処
理してイオン伝導性を消失させる場合等にも適用可能で
ある。ただし、ＡｒガスをキャリアガスとしてＺｒＣｆ
ｌ ガスとＹＣｇ３ガスとの混合ガスを反応容器１０
内に導入しても良い。
高周波電源４Ｇを直流電源４０に対して直列に接続すれ
ば、電極３２．３８でプラズマ発生用電極を兼ねること
ができる。プラズマを立てることに代えてイオンビーム
や電子ビーム等の荷電粒子を照射して薄膜表面の滞留電
荷を除去しても良い。
ば、電極３２．３８でプラズマ発生用電極を兼ねること
ができる。プラズマを立てることに代えてイオンビーム
や電子ビーム等の荷電粒子を照射して薄膜表面の滞留電
荷を除去しても良い。
さて、直流電源４０による電極３２．３８間への電圧印
加と高周波電源４６によるプラズマ生成とを行なわない
場合すなわち従来の方法では、厚さ約５μｍのイットリ
ア安定化ジルコニア薄膜を得るのに４時間を要した。す
なわち、本発明に係る上記薄膜製造方法によれば、従来
の方法と比較して製膜速度を８倍向上させることができ
る。ただし、他の条件は本発明の実施例に係る方法と同
一である。プラズマを立てることなく電極３２．３８間
に６０Ｖの直流電圧を印加しても、これらの電極３２．
３８間に電流は観測されず、製膜速度の向上も認められ
なかった。
加と高周波電源４６によるプラズマ生成とを行なわない
場合すなわち従来の方法では、厚さ約５μｍのイットリ
ア安定化ジルコニア薄膜を得るのに４時間を要した。す
なわち、本発明に係る上記薄膜製造方法によれば、従来
の方法と比較して製膜速度を８倍向上させることができ
る。ただし、他の条件は本発明の実施例に係る方法と同
一である。プラズマを立てることなく電極３２．３８間
に６０Ｖの直流電圧を印加しても、これらの電極３２．
３８間に電流は観測されず、製膜速度の向上も認められ
なかった。
［発明の効果］
以上に説明したように、本発明に係る薄膜の製造方法は
、生成中の薄膜の厚み方向にイオンを輸送し、薄膜の一
方の表面まで輸送されたイオンと反応容器内のガスとを
反応させて所望の薄膜を製造する電気化学気相成長法に
おいて、表面滞留電荷を除去して薄膜中のイオン輸送を
促進するものであるから、本発明によれば、電気化学気
相成長法のＥＶＤ過程での製膜速度向上をはかりながら
所望の表面組成の緻密な薄膜を得ることができる。
、生成中の薄膜の厚み方向にイオンを輸送し、薄膜の一
方の表面まで輸送されたイオンと反応容器内のガスとを
反応させて所望の薄膜を製造する電気化学気相成長法に
おいて、表面滞留電荷を除去して薄膜中のイオン輸送を
促進するものであるから、本発明によれば、電気化学気
相成長法のＥＶＤ過程での製膜速度向上をはかりながら
所望の表面組成の緻密な薄膜を得ることができる。
しかも、生成中の薄膜の厚み方向に内部電界をかけてイ
オン輸送を加速するとともに薄膜表面の前方にプラズマ
を立て、このプラズマを通して滞留電荷を除去する場合
には、生成中の薄膜の内部電界がイオン輸送の駆動力に
なっているので、製膜速度を飛躍的に増大させることが
できるばかりでなく、製膜速度の調整が容易である。
オン輸送を加速するとともに薄膜表面の前方にプラズマ
を立て、このプラズマを通して滞留電荷を除去する場合
には、生成中の薄膜の内部電界がイオン輸送の駆動力に
なっているので、製膜速度を飛躍的に増大させることが
できるばかりでなく、製膜速度の調整が容易である。
第１図は、本発明の実施例に係る製造方法の実施に供す
ることができる薄膜製造装置の１例を示す構成図である
。 符号の説明 １０・・・反応容器、１２・・・酸素源ガス容器、１ト
・・ＺｒＣｆｌ ガス導入口、１８・・・電気炉、２２
・・・ＹＣｇ３ガス導入口、２４・・・電気炉、２８・
・・酸素水蒸気混合ガス導入口、３０・・・多孔質基材
、３２・・・多孔質電極、３４，３［ｉ・・・排気ボン
ブ、３８・・・対向電極、４０・・・直流電源、４２．
４４・・・プラズマ発生用電極、４６・・・高周波電源
、４８・・・イットリア安定化ジルコニア薄膜。
ることができる薄膜製造装置の１例を示す構成図である
。 符号の説明 １０・・・反応容器、１２・・・酸素源ガス容器、１ト
・・ＺｒＣｆｌ ガス導入口、１８・・・電気炉、２２
・・・ＹＣｇ３ガス導入口、２４・・・電気炉、２８・
・・酸素水蒸気混合ガス導入口、３０・・・多孔質基材
、３２・・・多孔質電極、３４，３［ｉ・・・排気ボン
ブ、３８・・・対向電極、４０・・・直流電源、４２．
４４・・・プラズマ発生用電極、４６・・・高周波電源
、４８・・・イットリア安定化ジルコニア薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、生成中の薄膜の厚み方向にイオンを輸送し、前記薄
膜の一方の表面まで輸送されたイオンと反応容器内のガ
スとを反応させて所望の薄膜を製造する方法において、
前記表面に滞留する電荷を除去することを特徴とする薄
膜の製造方法。 ２、生成中の薄膜の厚み方向に内部電界をかけて前記イ
オンの輸送を加速するとともに前記表面の前方にプラズ
マを立て、このプラズマを通して前記滞留電荷を除去す
ることを特徴とする請求項１記載の薄膜の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1053991A JPH0663099B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 薄膜の製造方法 |
| DE69027564T DE69027564T2 (de) | 1989-03-06 | 1990-03-05 | Verfahren zur herstellung eines dünnen filmes |
| US07/582,228 US5110619A (en) | 1989-03-06 | 1990-03-05 | Method for production of films |
| EP90903951A EP0417306B1 (en) | 1989-03-06 | 1990-03-05 | Method of producing thin film |
| PCT/JP1990/000281 WO1990010728A1 (en) | 1989-03-06 | 1990-03-05 | Method of producing thin film |
| AT90903951T ATE139806T1 (de) | 1989-03-06 | 1990-03-05 | Verfahren zur herstellung eines dünnen filmes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1053991A JPH0663099B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02232373A true JPH02232373A (ja) | 1990-09-14 |
| JPH0663099B2 JPH0663099B2 (ja) | 1994-08-17 |
Family
ID=12958086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1053991A Expired - Fee Related JPH0663099B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5110619A (ja) |
| EP (1) | EP0417306B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0663099B2 (ja) |
| AT (1) | ATE139806T1 (ja) |
| DE (1) | DE69027564T2 (ja) |
| WO (1) | WO1990010728A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005285859A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Tdk Corp | 希土類磁石及びその製造方法 |
| WO2007032321A1 (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Tonen Chemical Corporation | 多孔性素材をプラズマ処理する方法及び装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6784033B1 (en) | 1984-02-15 | 2004-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device |
| US5780313A (en) | 1985-02-14 | 1998-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
| JPH0752718B2 (ja) | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
| US6786997B1 (en) | 1984-11-26 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| US5512102A (en) * | 1985-10-14 | 1996-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| US6230650B1 (en) | 1985-10-14 | 2001-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| US6673722B1 (en) | 1985-10-14 | 2004-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| US5283087A (en) * | 1988-02-05 | 1994-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
| US5330606A (en) * | 1990-12-14 | 1994-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma source for etching |
| US5292370A (en) * | 1992-08-14 | 1994-03-08 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Coupled microwave ECR and radio-frequency plasma source for plasma processing |
| KR970007116B1 (ko) * | 1993-08-31 | 1997-05-02 | 삼성전자 주식회사 | 반도체장치의 절연층 형성방법 및 그 형성장치 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3915119A (en) * | 1972-10-27 | 1975-10-28 | Us Energy | Apparatus for fabricating composite ceramic members |
| JPS53144891A (en) * | 1977-05-25 | 1978-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method and apparatus for production of inorganic compound |
| JPS5845177B2 (ja) * | 1979-03-09 | 1983-10-07 | 富士通株式会社 | 半導体表面絶縁膜の形成法 |
| JPS59199038A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁体薄膜の形成方法 |
| DE3750349T2 (de) * | 1986-05-09 | 1994-12-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Anordnung zur Herstellung von Dünnschichten. |
-
1989
- 1989-03-06 JP JP1053991A patent/JPH0663099B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-03-05 DE DE69027564T patent/DE69027564T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-05 AT AT90903951T patent/ATE139806T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-03-05 EP EP90903951A patent/EP0417306B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-05 US US07/582,228 patent/US5110619A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-05 WO PCT/JP1990/000281 patent/WO1990010728A1/ja active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005285859A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Tdk Corp | 希土類磁石及びその製造方法 |
| WO2007032321A1 (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Tonen Chemical Corporation | 多孔性素材をプラズマ処理する方法及び装置 |
| JP2007080588A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Tonen Chem Corp | 多孔性素材のプラズマ処理方法及び処理装置 |
| US8475724B2 (en) | 2005-09-12 | 2013-07-02 | Toray Battery Separator Film Co., Ltd | Method and apparatus for plasma-treating porous body |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69027564D1 (de) | 1996-08-01 |
| EP0417306B1 (en) | 1996-06-26 |
| ATE139806T1 (de) | 1996-07-15 |
| WO1990010728A1 (en) | 1990-09-20 |
| DE69027564T2 (de) | 1997-02-20 |
| JPH0663099B2 (ja) | 1994-08-17 |
| US5110619A (en) | 1992-05-05 |
| EP0417306A4 (en) | 1993-03-03 |
| EP0417306A1 (en) | 1991-03-20 |
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