JPH0155449B2 - - Google Patents

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JPH0155449B2
JPH0155449B2 JP58167070A JP16707083A JPH0155449B2 JP H0155449 B2 JPH0155449 B2 JP H0155449B2 JP 58167070 A JP58167070 A JP 58167070A JP 16707083 A JP16707083 A JP 16707083A JP H0155449 B2 JPH0155449 B2 JP H0155449B2
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JP
Japan
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layer
electrophotographic photoreceptor
charge transport
organic solvent
photoconductive
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JP58167070A
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JPS6057847A (ja
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Yoshihiro Oguchi
Kazuharu Katagiri
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Priority to US06/647,477 priority patent/US4647521A/en
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Publication of JPH0155449B2 publication Critical patent/JPH0155449B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0503Inert supplements
    • G03G5/0507Inorganic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147Cover layers
    • G03G5/14704Cover layers comprising inorganic material

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】 本発明は電子写真感光䜓に関するもので、特に
感光䜓の衚面、クリヌニング性、耐トナヌフむル
ミング性、耐摩耗性を改良したものである。
電子写真感光䜓は所定の特性を埗るため、ある
いは適甚される電子写真プロセスの皮類に応じお
皮々の構成をずる。䟋えば、支持䜓䞊に光導電局
が圢成されおいる感光䜓およびその衚面に絶瞁局
を備えた感光䜓がある。たた光導電局を電荷発生
局ず電荷茞送局からなる積局構造ずした感光䜓な
どがある。
このような電子写真感光䜓は、電子写真耇写機
で垯電―像露光―珟像―転写―クリヌニング―陀
電露光からなる電子写真プロセスにおいお電気的
特性が芁求されるが、そればかりでなく感光䜓の
耐久性およびクリヌニング性も重芁な性質であ
る。耐久性は、感光䜓を繰り返し䜿甚する堎合に
芁求される性質であり、クリヌニング性は感光䜓
の衚面に付着し、残留するトナヌの陀去の容易性
を決める性質であり、鮮明な画像の圢成、曎には
クリヌニング手段の損傷防止に著しく圱響を䞎え
るものである。
すなわち、埓来の電子写真感光䜓は光導電局の
保護局ずしおアクリル系暹脂やスチレン系暹脂な
どの被芆物によ぀お圢成されおいる。又、光導電
局を電荷発生局ず電荷茞送局からなる積局構造に
した堎合、通垞、衚面局ずなる電荷茞送局はヒド
ラゟン系化合物やピラゟリン系化合物のバむンダ
ヌずしおスチレン系暹脂、アクリル系暹脂やセル
ロヌル系暹脂などが甚いられ、これらの暹脂が被
芆物ずな぀おいる。
この様な被芆物を甚いた衚面局を有する電子写
真感光䜓は、衚面硬床、耐摩耗性が満足できる皋
十分なものでなく、電子写真プロセスを繰り返し
斜すず、次第に埗られたコピヌ画像にはクリヌニ
ング䞍良による地汚れが目立぀様にな぀おいた。
すなわち、クリヌニング工皋で䜿甚されおいるり
レタンゎムなどのブレヌドに接觊しおいる電子写
真感光䜓の衚面局の硬床が䜎いため、クリヌニン
グ特性が䜎䞋する欠点を有しおいる。
本発明の目的は前述の欠点を解消した新芏な電
子写真感光䜓を提䟛するこずにある。
本発明の別の目的は感光䜓の衚面、クリヌニン
グ性、耐摩耗性が改良された電子写真感光䜓を提
䟛するこずにある。
本発明のかかる目的は、各粒子の衚面が疎氎化
されるこずにより有機溶媒䞭に䞀次粒子のたたコ
ロむド次元で透明に分散する有機溶媒分散型シリ
カおよびバむンダ暹脂を含有させた塗垃液を塗垃
するこずによ぀お圢成した衚面局を有するこずを
特城ずする電子写真感光䜓によ぀お達成される。
本発明で甚いる有機溶媒分散型シリカは、コロ
むド状シリカの衚面に疎氎化凊理を斜し、有機溶
媒䞭でコロむド状に分散させるこずができるもの
である。
埓来のコロむド状シリカは、氎を分散媒ずした
氎性ゟルや空気を分散媒ずした゚アロゟルなどが
ある。䟋えば、氎を分散媒ずしたものは䞀般にシ
リカゟルず呌ばれ氎の䞭に粒子埄玄数十〜数癟Å
のシリカ粒子が無数に分散しか぀安定化したも
の、たたはメタノヌル、゚タノヌルなどの氎ず良
く混合する芪氎性溶媒に分散させたものなどが知
られおいる。このような氎分散系シリカゟルは暹
脂遞択の限定、吞湿性が倧きいなどの欠点があ
る。たた空気を分散媒ずした゚アロゟルにホワむ
トカヌボン、ア゚ロゞルなどが知られおいる。こ
れらのコロむド状シリカは空隙を持぀た凝集粒子
のため嵩密床が小さく、有機溶媒䞭に添加したず
き、その空隙に溶媒が取り蟌たれ、粘床が増し、
チキ゜トロピヌ性が生じるか、沈柱を生じる。こ
のようなコロむド状シリカは、粒子の凝集状態ず
な぀たものであり、本発明で甚いる個々のコロむ
ド状シリカ粒子状態ずな぀た有機溶媒分散型シリ
カずは区別できるものである。
぀たり、本発明で甚いる有機溶媒分散型シリカ
のシリカ粒子は䞀次粒子埄が数十〜数癟Å以䞋で
各粒子の衚面が疎氎化衚面゚ステル化などさ
れおいるため疎氎性溶媒にも䞀次粒子のたたコロ
むド次元で透明に分散させるこずができる。
この有機溶媒分散型シリカの分散媒ずしおは、
各皮の有機溶媒、䟋えばメタノヌル、゚タノヌ
ル、―プロピルアルコヌル、む゜プロピルアル
コヌル、―ブチルアルコヌル、―ブチルアル
コヌル、ベンノヌル、゚チレングリコヌル、ゞ゚
チレングリコヌル、グリセリン、゚チルセロ゜ル
ブ、ゞメチルフオルムアミド、トリ゚ン、ベンれ
ン、ナトラヒドロフラン、アセトン、メチル゚チ
ルケトンや゚チルアミンなどを甚いるこずができ
る。
埓぀お、本発明の電子写真感光䜓ではこれらの
有機溶媒に適圓なバむンダ暹脂を溶解させおか
ら、前述の有機溶媒分散型シリカを添加するこず
によ぀お衚面塗工液を調敎するこずができる。
たた、別の目的で、本発明で甚いる有機溶媒分
散型シリカは、暹脂ず有機溶媒䞭に混合、分散
し、塗工するず也燥時に脱氎、゚ステル化等の化
孊反応を起こし新たに匷固な結合を生じ、高い衚
面硬床、耐摩耗性、耐久性が増すこずができる。
この皮の有機溶媒分散型シリカの垂販品ずしお
“OSCAP粉末品”“OSCAL液状品”觊媒化
成工業(æ ª)を甚いるこずができる。
本発明の電子写真感光䜓は、前述の有機溶媒分
散型シリカを光導電局を圢成する塗垃液䞭に、あ
るいは光導電局䞊の保護局を圢成する塗垃液䞭に
含有させるかたたは電荷発生局ず電荷茞送局から
なる積局構造を有する感光局ずした時、その衚面
局ずなる被芆物を圢成する塗垃液䞭に前述の有機
溶剀型シリカを含有させる点に特城を有しおい
る。埓぀お、この皮の電子写真感光䜓は衚面局を
圢成する塗垃液䞭に有機溶剀分散型シリカが含有
されるこずにより、感光䜓の衚面性、クリヌニン
グ性、耐摩耗性を著しく改善するこずができる。
以䞋、本発明を図面に埓぀お説明する。
本発明の奜たしい具䜓䟋を第図に瀺す。こ
の具䜓䟋では、導電性基䜓の䞊に電荷発生局
を圢成し、その䞊に衚面局ずしお電荷茞送局
を圢成した電子写真感光䜓を挙げるこずがで
きる。この電荷発生局は、十分な吞光床を埗
るために、できる限り倚くの前述の光導電性物質
を含有し、䞔぀発生した電荷キダリアの飛皋を短
かくするために薄膜局、䟋えばミクロン以䞋、
奜たしくは0.01ミクロン〜ミクロンの膜厚をも
぀薄膜局ずするこずが奜たしい。このこずは、入
射光量の倧郚分が電荷生局で吞収されお、倚
くの電荷キダリアを生成するこず、さらに発生し
た電荷キダリアを再結合や補獲トラツプによ
り倱掻するこずなく電荷茞送局に泚入する必
芁があるこずに垰因しおいる。
電荷発生局は、埌述の光導電性物質を適圓
なバむンダに分散させ、これを基䜓の䞊に塗
垃するこずによ぀お圢成でき、たた真空蒞着装眮
により蒞着膜を圢成するこずによ぀お埗るこずが
できる。電荷発生局を塗垃によ぀お圢成する
際に甚いうるバむンダずしおは広範な絶瞁性暹脂
から遞択でき、たたポリ――ビニルカルバゟヌ
ル、ポリビニルアントラセンやポリビニルピレン
などの有機光導電性ポリマヌから遞択できる。奜
たしくは、ポリビニルブチラヌル、ポリアリレヌ
ト、ポリカヌボネヌト、ポリ゚ステル、プノキ
シ暹脂、ポリ酢酞ビニル、アクリル暹脂、ポリア
クリルアミド暹脂、ポリアミド、ポリビニルピリ
ゞン、セルロヌス系暹脂、りレタン暹脂、゚ポキ
シ暹脂、カれむン、ポリビニルアルコヌル、ポリ
ビニルピロリドンなどの絶瞁性暹脂を挙げるこず
ができる。電荷発生局䞭に含有する暹脂は、80重
量以䞋、奜たしくは40重量以䞋が適しおい
る。
これらの暹脂を溶解する溶媒は、暹脂の皮類に
よ぀お異なり、たた䞋述の電荷茞送局や䞋匕
局図瀺せずを溶解しないものから遞択するこ
ずが奜たしい。具䜓的な有機溶剀ずしおは、メタ
ノヌル、゚タノヌル、む゜プロパノヌルなどのア
ルコヌル類、アセトン、メチル゚チルケトン、シ
クロヘキサノンなどのケトン類、―ゞメチ
ルホルムアミド、―ゞメチルアセトアミド
などのアミド類、ゞメチルスルホキシドなどのス
ルホキシド類、テトラヒドロフラン、ゞオキサ
ン、゚チレングリコヌルモノメチル゚ヌテルなど
の゚ヌテル類、酢酞メチル、酢酞゚チルなどの゚
ステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ゞクロ
ル゚チレン、四塩化炭玠、トリクロル゚チレンな
どの脂肪族ハロゲン化炭化氎玠類あるいはベンれ
ン、トル゚ン、キシレン、リグロむン、モノクロ
ルベンれン、ゞクロルベンれンなどの芳銙族類な
どを甚いるこずができる。
塗垃は、浞挬コヌテむドグ法、スプレヌコヌテ
むング法、スピンナヌコヌテむング法、ビヌドコ
ヌテむング法、マむダヌバヌコヌテむング法、ブ
レヌドコヌテむング法、ロヌラヌコヌテむング
法、カヌテンコヌテむング法などのコヌテむング
法を甚いお行なうこずができる。也燥は、宀枩に
おける指觊也燥埌、、加熱也燥する方法が奜たし
い。加熱也燥は、30℃〜200℃の枩床で分〜
時間の範囲の時間で、静止たたは送颚䞋で行なう
こずができる。
電荷発生局に含有させる光導電性物質ずし
おは、広範なものから遞択するこずができる。䞀
般には、ピリリりム系染料、チオピリリりム系染
料、シアニン系染料、フタロシアニン系顔料、ア
ントアントロン顔料、ゞベンズピレンキノン顔
料、ピラントロン顔料、トリスアゟ顔料、ゞスア
ゟ顔料、アゟ顔料、むンゞゎ染料、キナクリドン
系顔料、非察称キノシアニン、キノシアニン顔
料、酞化亜鉛、硫化カドミニりムなどを甚いるこ
ずができる。具䜓的に䞋述の光導電性物質が適し
おいる。
電荷発生物質 などのゞスアゟ顔料、 (7) 銅フタロシアニン (8) 塩化アルミニりムフタロシアニン (9) ニツケルフタロシアニン (10) 無金属フタロシアニン などのフタロシアニン顔料 などのペリレン系顔料。
又、これらの光導電性物質バむンダ系電荷発
生局の他に、アモルフアスシリコンフむル
ム、セレン―テルルフむルム、ペリレン系顔料フ
むルムなどのフむルム系電荷発生局も甚いる
こずができる。
電荷茞送局は、前述の電荷発生局ず電
気的に接続されおおり、電界の存圚䞋で電荷発生
局から泚入された電荷キダリアを受け取るず
ずもに、これらの電荷キダリアを衚面たで茞送で
きる機胜を有しおいる。
電荷茞送局における電荷キダリアを茞送す
る物質以䞋、単に電荷茞送物質ずいうは、前
述の電荷発生局が感応する電磁波の波長域に
実質的に非感応性であるこずが奜たしい。ここで
蚀う「電磁波」ずは、γ線、線、玫倖線、可芖
光線、近赀倖線、赀倖線、遠赀倖線などを包含す
る広矩の「光線」の定矩を包含する。電荷茞送局
の光感応性波長域が電荷発生局のそれず
䞀臎たたはオヌバヌラツプする時には、䞡者で発
生した電荷キダリアが盞互に補獲し合い、結果的
には感床の䜎䞋の原因ずなる。
電荷茞送物質ずしおは電子茞送性物質ず正孔茞
送性物質があり、電子茞送性物質ずしおは、クロ
ルアニル、ブロモアニル、テトラシアノ゚チレ
ン、テトラシアノキノゞメタン、―ト
リニトロ――フルオレノン、―
テトラニトロ――フルオレノン、―
トリニトロ――ゞシアノメチレンフルオレノ
ン、―テトラニトロキサントン、
―トリニトロチオキサントン等の電子
吞匕性物質やこれら電子吞匕性物質を高分子化し
たもの等がある。
正孔茞送性物質ずしおは、ピレン、―゚チル
カルバゟヌル、―む゜プロピルカルバゟヌル、
―メチル――プニルヒドラゞノ――メチ
リデン――゚チルカルバゟヌル、―ゞフ
゚ニルヒドラゞノ――メチリデン――゚チル
カルバゟヌル、―ゞプニルヒドラゞノ―
―メチリデン―10―゚チルプノチアゞン、
―ゞプニルヒドラゞノ――メチリデン
―10―゚チルプノキサゞン、―ゞ゚チルアミ
ノベンズアルデヒド――ゞプニルヒドラ
ゟン、―ゞ゚チルアミノベンズアルデヒド―
―α―ナフチル――プニルヒドラゟン、―
ピロリゞノベンズアルデヒド――ゞプニ
ルヒドラゟン、―トリメチルむンドレ
ニン―ω―アルデヒド――ゞプニルヒド
ラゟン、―ゞ゚チルベンズアルデヒド――メ
チルベンズチアゟリノン――ヒドラゟン等のヒ
ドラゟン類、―ビス―ゞ゚チルアミノ
プニル――オキサゞアゟヌル、
−プニル―――ゞ゚チルアミノスチリ
ル―――ゞ゚チルアミノプニルピラ
ゟリン、―〔キノリル(2)〕―――ゞ゚チ
ルアミノスチリル―――ゞ゚チルアミノ
プニルピラゟリン、―〔ピリゞル(2)〕―
――ゞ゚チルアミノスチリル―――
ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、―〔
―メトキシ―ピリゞル(2)〕―――ゞ゚チル
アミノスチリル―――ゞ゚チルアミノフ
゚ニルピラゟリン、―〔ピリゞル(3)〕――
―ゞ゚チルアミノスチリル―――ゞ
゚チルアミノプニルピラゟリン、―〔レピ
ゞル(2)〕―――ゞ゚チルアミノスチリル
―――ゞ゚チルアミノプニルピラゟリ
ン、―〔ピリゞル(2)〕―――ゞ゚チルア
ミノスチリル――メチル―――ゞ゚チ
ルアミノプニルピラゟリン、―〔ピリゞル
(2)〕――α―メチル――ゞ゚チルアミノス
チリル―――ゞ゚チルアミノプニル
ピラゟリン、―プニル―――ゞ゚チル
アミノスチリル――メチル―――ゞ゚
チルアミノプニルピラゟリン、―プニル
――α―ベンゞル――ゞ゚チルアミノスチ
リル―――ゞ゚チルアミノプニルピ
ラゟリン、スピロピラゟリンなどのピラゟリン
類、――ゞ゚チルアミノスチリル――
ゞ゚チルアミノベンズオキサゟヌル、――
ゞ゚チルアミノプニル―――ゞメチル
アミノプニル―――クロロプニル
オキサゟヌル等のオキサゟヌル系化合物、―
―ゞ゚チルアミノスチリル――ゞ゚チル
アミノベンゟチアゟヌル等のチアゟヌル系化合
物、ビス―ゞ゚チルアミノ――メチルプ
ニル―プニルメタン等のトリアリヌルメタン
系化合物、―ビス――ゞ゚チル
アミノ――メチルプニルヘプタン、
―テトラキス―NN―ゞ゚チルア
ミノ――メチルプニル゚タン等のポリアリ
ヌルアルカン類、トリプニルアミン、ポリ―
―ビニルカルバゟヌル、ポリビニルピレン、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルアクリゞン、ポ
リ――ビニルプニルアントラセン、ピレン―
ホルムアルデヒド暹脂、゚チルカルバゟヌルホル
ムアルデヒド暹脂等がある。
電荷茞送局はこれらの電荷茞送物質ずバむ
ンダヌ暹脂䞭に含有させた前述の有機溶媒分散型
シリカを含有する塗垃液を前述した様な塗垃法を
甚いお電荷発生局の䞊に被膜圢成させるこずによ
぀お埗るこずができる。この電荷茞送局のバ
むンダヌ暹脂ずしお、䟋えばアクリル暹脂、ポリ
アリレヌト、ポリ゚ステル、ポリカヌボネヌト、
ポリスチレン、アクリロニトリル―スチレンコポ
リマヌ、アクリロニトリル―ブタゞ゚ンコポリマ
ヌ、ポリビニルブチラヌル、ポリビニルホルマヌ
ル、ポリスルホン、ポリアクリルアミド、ポリア
ミド、塩玠化ゎムなどの絶瞁性暹脂、あるいはポ
リ――ビニルカルバゟヌル、ポリビニルアント
ラセン、ポリビニルピレンなどを適圓な割合で含
有させるこずができる。
前述のシリカの含有量は、前述のバむンダヌ暹
脂100重量郚に察しお、〜150重量郚、奜たしく
は10〜50重量郚である。又、分散法ずしおは、ホ
モゞナむザヌ、ボヌルミル等、䞀般的に甚いられ
る分散法で目的は達成される。たた、電荷茞送局
は、電荷キダリアを茞送できる限界があるの
で、必芁以䞊に膜厚を厚くするこずができない。
䞀般的には、ミクロン〜30ミクロンであるが、
奜たしい範囲はミクロン〜20ミクロンである。
塗垃によ぀お電荷茞送局を圢成する際には、
前述した様な適圓なコヌテむング法を甚いるこず
ができる。
本発明の別の奜たしい具䜓䟋は、第図に瀺
される。この具䜓䟋では、電荷茞送局を導電
性基䜓に隣接しお圢成し、この電荷茞送局
の䞊に電荷発生局を圢成したタむプの感光
局を甚いた電子写真感光䜓を挙げるこずができ
る。この際、衚面局ずなる電荷発生局は前述
のバむンダヌ暹脂溶液に光導電性物質ず前述のシ
リカを適圓に分散しお埗た塗垃液を先に圢成した
電荷茞送局の䞊に塗垃するこずによ぀お埗る
こずができる。又、別の具䜓䟋では第図に瀺
す劂く、電荷発生局ず電荷茞送局からな
る積局構造を有する感光局䞊にバむンダヌ暹脂溶
液に前述の有機溶媒分散型シリカを含有した保護
局を蚭けるこずもできる。
又、他の奜たしい具䜓䟋では第図および
に瀺す劂く前述のヒドラゟン類、ピラゟリン類、
オキサゟヌル類、チアゟヌル類、トリアリヌルメ
タン類、ポリアリヌルアルカン類、トリプニル
アミン、ポリ――ビニルカルバゟヌル類などの
有機光導電性物質や酞化亜鉛、硫化カドミりム、
セレンなどの無機光導電性物質などを含有した光
導電局あるいはこれら光導電性物質を含有し
た光導電局の保護局ずしお前述の有機溶
剀型シリカゟルを含有したバむンダ暹脂溶液を甚
いるこずができる。ここで甚いるバむンダ暹脂に
は、䟋えばアクリル暹脂、ポリアリレヌト、ポリ
゚ステル、ポリカヌボネヌト、ポリスチレン、ア
クリロニトリル―スチレンコポリマヌ、アクリロ
ニトリル―ブタゞ゚ンコポリマヌ、ポリビニルブ
チラヌル、ポリビニルホルマヌル、ポリスルホ
ン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩玠化ゎ
ムなどの絶瞁性暹脂、あるいはポリ――ビニル
カルバゟヌル、ポリビニルアントラセン、ポリビ
ニルビレンなどを適圓な割合で甚いるこずがで
き、バむンダ―暹脂に察する前述のシリカの含有
量は、バむンダヌ暹脂100重量郚に察しお〜200
重量郚、奜たしくは、10〜50重量郚である。
導電性基䜓ずしおは、基䜓自䜓が導電性を
も぀もの、䟋えばアルミニりム、アルミニりム合
金、銅、亜鉛、ステンレス、パナゞりム、モリブ
デン、クロム、チタン、ニツケル、むンゞりム、
金や癜金などを甚いるこずができ、その他にテル
ミニりム、アルミニりム合金、酞化むンゞりム、
酞化錫、酞化むンゞりム䞀酞化錫合金などを真空
蒞着法によ぀お被膜圢成された局を有するプラス
チツク䟋えばポリ゚チレン、ポリプロピレン、
ポリ塩化ビニル、ポリ゚チレンフタレヌト、アク
リル暹脂、ポリフツ化゚チレンなど、導電性粒
子䟋えば、カヌボンブラツク、銀粒子などを
適圓なバむンダヌずずもにプラスチツクの䞊に被
芆した基䜓、導電性粒子をプラスチツクや玙に含
浞した基䜓や導電性ポリマヌを有するプラスチツ
クなどを甚いるこずができる。又、その型状はシ
リンダヌ状、シヌト状又はプレヌト状であ぀おも
よい。
導電性基䜓ず感光局の䞭間に、バリダヌ機
胜ず接着機胜をも぀䞋匕局図瀺せずを蚭ける
こずもできる。䞋匕局は、カれむン、ポリビニル
アルコヌル、ニトロセルロヌス、゚チレン―アク
リル酞コポリマヌ、ポリアミドナむロン、ナ
むロン66、ナむロン610、共重合ナむロン、アル
コキシメチル化ナむロンなど、ポリりレタン、
れラチン、酞化アルミニりムなどによ぀お圢成で
きる。䞋匕局の膜厚は、0.1ミクロン〜ミクロ
ン、奜たしくは0.5ミクロン〜ミクロンが適圓
である。
以䞋、本発明を実斜䟋に埓぀お説明する。
実斜䟋  1.0重量郚の前述の電荷発生物質No.(6)、0.5重量
郚のセルロヌス暹脂ず98.5重量郚のメチル゚チル
ケトンMEKをサンドミルで混合分散するこ
ずによ぀お電荷発生局甚塗垃液を調敎した。この
塗垃液をアルミニりムシリンダヌの䞊に浞挬コヌ
テむング法により塗垃し、也燥しお電荷発生局を
圢成した。也燥埌の膜厚は0.1Όであ぀た。
次に䞋蚘構造匏の電荷茞送物質を10重量郚ずス
チレン暹脂20重量郚および電荷茞送物質 有機溶剀分散型シリカ“OSCAP―3102”觊媒
化成工業(æ ª)補重量郚をトル゚ン120重量郹侭
に分散させお電荷茞送甚塗工液を調敎した。この
塗工液を先に圢成した電荷発生局の䞊に浞挬コヌ
テむング法により塗垃した。次いで、この塗膜を
100℃、60分間加熱也燥させるこずによ぀お、電
荷茞送局を圢成した。その也燥膜厚は15Όであ぀
た。
比范䟋  実斜䟋の電子写真感光䜓を䜜成した時に甚い
た電荷茞送局䞭の有機溶剀分散型シリカである
“OSCAP―3102”を陀いた以倖は実斜䟋ず党
く同様の方法で比范甚感光䜓を調敎した。
実斜䟋ず比范䟋それぞれで調敎した電子写
真感光䜓を−5.6KVのコロナ垯電工皋、ハロゲン
ランプを光源ずした画像露光工皋、也匏トナヌ珟
像工皋、普通玙ぞぞのトナヌ転写工皋、りレタン
ゎムブレヌドによるクリヌニング工皋ず陀電露光
工皋を有する電子写真機に取り付けお、連続2000
枚のコピヌ画像を圢成した。実斜䟋で調敎した
感光䜓で埗られたコピヌ画像は初期のものず、
2000枚目のものずを比范したずころ、画質地汚
れの点ではほずんど倉化しおおらず、䜕れも良
奜な画質であるこずが刀明した。比范䟋で調敎
した感光䜓は、初期で埗られたコピヌ画像に范
べ、2000枚目で埗られたコピヌ画像は、地汚れが
著しく、良奜な画質のものでなか぀た。
さらに、2000枚目のコピヌ画像が埗られた埌
に、感光䜓を取り出しお、その衚面を芳察したず
ころ、本発明に係る実斜䟋の感光䜓の衚面は、
ほずんど汚染されおいなか぀たが、比范䟋の感
光䜓は、残留トナヌが付着され、そのトナを陀去
するず、感光䜓衚面に傷、摩耗した跡が芳られ、
汚染されおいるこずが刀明した。
実斜䟋  80φ×300mmのアルミニりムシリンダヌを基䜓
ずした。これに、ポリアミド暹脂商品名アミ
ランCM8000、東レ補のメタノヌル溶液を
浞挬コヌテむング法で塗垃し、1Ό厚の䞋匕き局
をもうけた。
次に、―゚チルプノチアゞン――アルデ
ヒド―N′N′―ゞプニルヒドラゟンずリ
ビニルカルバゟヌル分子量30䞇をテトラ
ヒドロフラン70mlに溶解した液に銅フタロシアニ
ン1.0を添加し、ボヌルミルで分散埌、この分
散液を先に圢成した䞋匕き局の䞊に浞挬コヌテむ
ング法で塗垃し、也燥するこずによ぀お光導電局
を圢成した。也燥埌の膜厚は玄8Όであ぀た。
次にポリアリレヌト暹脂“−100”ナニチカ
(æ ª)補30重量郚ず有機溶剀分散型シリカ、
“OSCAP―3102”同䞊重量郚をトル゚ン
100重量郚䞭で分散させお、この溶液を先に圢成
した光導電局の䞊に浞挬コヌテむング法により塗
垃し100℃、30分間也燥しお保護局ずした。この
也燥膜厚は1Όであ぀た。
この感光䜓を実斜䟋で甚いた電子写真耇写機
に取り付け、同様の方法でコピヌ画像を䜜成した
ずころ、初期で埗たコピヌ画像ず2000枚目で埗た
コピヌ画像にはほずんど画質の点で倉化がなく、
䜕れも良奜な画質であ぀た。又、2000枚目のコピ
ヌ終了埌電子写真耇写機からこの感光䜓を取り出
しお衚面を芳察したが、衚面には残留トナヌによ
る付着は党くなく、クリヌンで傷跡のない衚面で
あ぀た。
実斜䟋  酞化亜鉛粉䜓15ずロヌズベンガル染料0.05
ず有機溶媒分散型シリカ“OSCAP−3102”同
䞊およびアクリル暹脂“ダむダナヌル
LR472”䞉菱レヌペン(æ ª)補をトル゚ン20
mlずメチルアルコヌルml䞭に混合し、ボヌルミ
ルで分散しお分散液を調敎した。この溶液を実斜
䟋で甚いたポリアミド䞋匕き局付きのアルミニ
りムシリンダヌの䞊に浞挬コヌテむング法で、塗
垃し100℃40分間也燥した。その也燥膜厚は15ÎŒ
であ぀た。
この感光䜓を実斜䟋で甚いた電子写真耇写機
に取り付け、同様の方法で、コピヌ画像を䜜成し
たずころ、初期で埗たコピヌ画像ず2000枚目で埗
たコピヌ画像にはほずんど画質の点で倉化がな
く、䜕れも良奜な画質であ぀た。又、2000枚目の
コピヌ終了埌電子写真耇写機からこの感光䜓を取
り出しお衚面を芳察したが衚面には残留トナヌに
よる付着は党くなく、クリヌニングで傷跡のない
衚面であ぀た。
実斜䟋  真空装眮内に厚さ0.2mmのアルミ基板をセツト
し、十分真空排気した埌、氎玠ガスずシランガス
氎玠ガスに察し15容積を導入し、぀いで
13.5MHzの高呚波電界をかけおグロヌ攟電により
基板䞊に厚さ0.3Όのアモルフアスシリコンの電荷
発生局を圢成した。真空装眮内を倧気圧にもどし
た埌詊料をずり出し、䞊蚘電荷発生局䞊に、実斜
䟋の感光䜓を䜜成した時に甚いた電荷茞送局甚
塗垃液をマむダヌバヌで塗垃し100℃、30分間也
燥しお電荷茞送局を圢成した。その也燥膜厚は
15Όであ぀た。こうしお埗られた感光䜓を垯電・
露光実隓装眮に蚭眮し、5KVでコロナ垯電し
盎ちに光像を照射した。光像はタングステンラン
プ光源を甚い透過型のテストチダヌトを通しお照
射された。その埌盎ちに正荷電性の珟像剀トナ
ヌずキダリダヌを含むを感光䜓衚面にカスケヌ
ドするこずによ぀お感光䜓衚面に良奜なトナヌ画
像を埗た。
【図面の簡単な説明】
第図、第図、第図、第図およ
び第図は本発明の電子写真感光䜓の断面図で
ある。   導電性基䜓、  電荷発生局、
  電荷茞送局、  保護局、  光
導電局。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  各粒子の衚面が疎氎化されるこずにより有機
    溶媒䞭に䞀次粒子のたたコロむド次元で透明に分
    散する有機溶媒分散型シリカおよびバむンダ暹脂
    を含有させた塗垃液を塗垃するこずによ぀お圢成
    した衚面局を有するこずを特城ずする電子写真感
    光䜓。  前蚘衚面局が光導電局の保護局である特蚱請
    求の範囲第項蚘茉の電子写真感光䜓。  前蚘光導電局が電荷発生局ず電荷茞送局から
    なる積局構造を有する感光局である特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の電子写真感光䜓。  前蚘光導電局がアモルフアスシリコンフむル
    ムである特蚱請求の範囲第項蚘茉の電子写真感
    光䜓。  前蚘衚面局が光導電局である特蚱請求の範囲
    第項蚘茉の電子写真感光䜓。  前蚘衚面局が電荷茞送局である特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の電子写真感光䜓。
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