JPH01313893A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH01313893A JPH01313893A JP63143878A JP14387888A JPH01313893A JP H01313893 A JPH01313893 A JP H01313893A JP 63143878 A JP63143878 A JP 63143878A JP 14387888 A JP14387888 A JP 14387888A JP H01313893 A JPH01313893 A JP H01313893A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 77
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 1-acetyl-5-bromo-2h-indol-3-one Chemical compound BrC1=CC=C2N(C(=O)C)CC(=O)C2=C1 KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
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-
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- Y10T428/31721—Of polyimide
-
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- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は薄膜ＥＬ素子に関し、特にその低コスト化に関
するものである。
するものである。
（ロ）従来の技術
従来、発光層の上下にそれぞれ絶縁層を有する、いわゆ
る二重絶縁構造の薄膜ＥＬ素子は、ガラスなどの透光性
基板上に、Ｉ ｎｔｏ ＊、 Ｓ ｎｏ ２などからな
る透明電極、５ｉｆｔ、５ｉｚＮ４．ＡＬＯ３゜Ｔａｘ
ｅｓ、ＹｔＯｚなどの無機材料からなる下部絶縁層、Ｚ
ｎＳなどの母体中に発光中心としてＭｎなどを添加した
発光層、下部絶縁層と同様の材料からなる上部絶縁層、
ＡＱなどの背面電極が順次積層された構造になっている
。
る二重絶縁構造の薄膜ＥＬ素子は、ガラスなどの透光性
基板上に、Ｉ ｎｔｏ ＊、 Ｓ ｎｏ ２などからな
る透明電極、５ｉｆｔ、５ｉｚＮ４．ＡＬＯ３゜Ｔａｘ
ｅｓ、ＹｔＯｚなどの無機材料からなる下部絶縁層、Ｚ
ｎＳなどの母体中に発光中心としてＭｎなどを添加した
発光層、下部絶縁層と同様の材料からなる上部絶縁層、
ＡＱなどの背面電極が順次積層された構造になっている
。
上部及び下部絶縁層となる材料としては、絶縁耐圧が高
く、誘電率が大きく、しかもピンホールなどの欠陥が少
ないなどの条件か必要であるが、１つの材料で全ての条
件を満足することはむずかしく、上部、下部絶縁層共に
２層あるいはそれ以上の積層膜とすることにより、必要
な条件を満足しているのが一般的である。
く、誘電率が大きく、しかもピンホールなどの欠陥が少
ないなどの条件か必要であるが、１つの材料で全ての条
件を満足することはむずかしく、上部、下部絶縁層共に
２層あるいはそれ以上の積層膜とすることにより、必要
な条件を満足しているのが一般的である。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかし、上記薄膜ＥＬ素子は、高輝度、長寿命、低消費
電力などの利点を持っているが、素子を構成する各層を
、蒸着やスパッタなどの真空を必要とする技術により作
成し、特に、絶縁層を形成するためによく用いられるス
パッタ法は、比較的、成膜速度が遅く、素子に必要な膜
厚を得るには時間がかかるためコストが高くなる原因の
１つとなっている。
電力などの利点を持っているが、素子を構成する各層を
、蒸着やスパッタなどの真空を必要とする技術により作
成し、特に、絶縁層を形成するためによく用いられるス
パッタ法は、比較的、成膜速度が遅く、素子に必要な膜
厚を得るには時間がかかるためコストが高くなる原因の
１つとなっている。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので
、上面に第１電極層を有する透光性基板と、この基板の
上方に順次配設された発光層および第２電極層と、上記
発光層と第１電極層との間、若しくは上記発光層と第２
電極層との間の少なくとも一方に配設された該絶縁層と
を備え、該絶縁層は、有機層部分と無機層部分の少なく
とも２層部分を相互に積層して構成されるとともに、少
なくとも１つの無機層部分を有機層部分と発光層との間
に介在せしめてなる薄膜ＥＬ素子である。
、上面に第１電極層を有する透光性基板と、この基板の
上方に順次配設された発光層および第２電極層と、上記
発光層と第１電極層との間、若しくは上記発光層と第２
電極層との間の少なくとも一方に配設された該絶縁層と
を備え、該絶縁層は、有機層部分と無機層部分の少なく
とも２層部分を相互に積層して構成されるとともに、少
なくとも１つの無機層部分を有機層部分と発光層との間
に介在せしめてなる薄膜ＥＬ素子である。
すなわち、本発明は絶縁層の一部に真空を必要としない
回転塗布あるいは、ロールコータ−などで成膜できる有
機材料を使用することにより、絶縁膜の形成に必要な時
間を短縮してコストの低減化を図るものである。
回転塗布あるいは、ロールコータ−などで成膜できる有
機材料を使用することにより、絶縁膜の形成に必要な時
間を短縮してコストの低減化を図るものである。
（ホ）作用
上記構成により、絶縁層を無機絶縁膜とこれよりは成膜
速度の速い有機絶縁膜を組み合わせて構成するとともに
、有機絶縁膜を無機絶縁膜を介して発光層に接合したこ
とから、従来のＥＬ素子の特性を損なうことなく低コス
ト化が達成できる。
速度の速い有機絶縁膜を組み合わせて構成するとともに
、有機絶縁膜を無機絶縁膜を介して発光層に接合したこ
とから、従来のＥＬ素子の特性を損なうことなく低コス
ト化が達成できる。
（へ）実施例
以下図に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する。な
お、これによってこの発明は限定を受けるものではない
。
お、これによってこの発明は限定を受けるものではない
。
第１図において、薄膜ＥＬ素子は上面に透明電極２を有
するガラス基板ｌと、この基板の上方に順次配設された
発光層５および背面電極８と、発光層５と透明電極２と
の間に配設された下部絶縁層９と、発光層５と背面電極
８との間に配設された上部絶縁層ｌＯとを主として備え
、さらに、上部絶縁層ｌＯは、発光層５に隣接するＳｉ
３Ｎ４膜６とこの上に積層されたシアノエチルセルロー
ス膜７とからなり、下部絶縁層９は、透明電極２上に積
層された５ｉＯｚ膜３と、この膜上に積層され、発光層
５と隣接する５ｉｓＮ４膜４とからなる。
するガラス基板ｌと、この基板の上方に順次配設された
発光層５および背面電極８と、発光層５と透明電極２と
の間に配設された下部絶縁層９と、発光層５と背面電極
８との間に配設された上部絶縁層ｌＯとを主として備え
、さらに、上部絶縁層ｌＯは、発光層５に隣接するＳｉ
３Ｎ４膜６とこの上に積層されたシアノエチルセルロー
ス膜７とからなり、下部絶縁層９は、透明電極２上に積
層された５ｉＯｚ膜３と、この膜上に積層され、発光層
５と隣接する５ｉｓＮ４膜４とからなる。
以下製造方法について説明する。
ＥＬ素子は、ガラス基板１上に透明電極（ＩＴＯ膜）２
をスパッタ法により約２０００人の厚さに形成し、スト
ライプ状にエツチングする。その上に、５ｉＯｚとＳｉ
３Ｎ４からなる下部絶縁膜３．４をスパッタ法により、
２０００〜２５００人の厚さに形成する。
をスパッタ法により約２０００人の厚さに形成し、スト
ライプ状にエツチングする。その上に、５ｉＯｚとＳｉ
３Ｎ４からなる下部絶縁膜３．４をスパッタ法により、
２０００〜２５００人の厚さに形成する。
次にＺｎＳを母体とし、Ｍｎを発光中心とした発光層５
を電子ビーム蒸着により、下部絶縁層９上に約７０００
人の厚さに形成し、さらにその上に上部絶縁層ｌＯの１
部としてＳｉ、３Ｎ＋膜６を約２００〜１５００人の厚
さに形成する。次にシアノエチルセルロースをジメチル
ホルムアミドに溶かし、１−１０％溶液としたものを５
ｉ＝ＮＪｉ６上にスピンナーにより２０００〜５０００
ｒ、ｐ、ｍ、で回転塗布し、空気中で３０〜６０分間、
１００℃〜３００°Ｃの温度で乾燥させることによりシ
アノエチルセルロース膜７を形成し、上部絶縁層１０を
形成する。この時、膜厚は１０００〜ｚｏｏｏＡ、であ
った。さらに透明電極２と直交するようにＡＱの背面電
極８をストライブ状に形成し、素子が完成する。
を電子ビーム蒸着により、下部絶縁層９上に約７０００
人の厚さに形成し、さらにその上に上部絶縁層ｌＯの１
部としてＳｉ、３Ｎ＋膜６を約２００〜１５００人の厚
さに形成する。次にシアノエチルセルロースをジメチル
ホルムアミドに溶かし、１−１０％溶液としたものを５
ｉ＝ＮＪｉ６上にスピンナーにより２０００〜５０００
ｒ、ｐ、ｍ、で回転塗布し、空気中で３０〜６０分間、
１００℃〜３００°Ｃの温度で乾燥させることによりシ
アノエチルセルロース膜７を形成し、上部絶縁層１０を
形成する。この時、膜厚は１０００〜ｚｏｏｏＡ、であ
った。さらに透明電極２と直交するようにＡＱの背面電
極８をストライブ状に形成し、素子が完成する。
次に、このようにして得られた素子の輝度−電圧特性の
一例を第３図における曲線Ａに示す。従来の素子の輝度
−電圧特性を示す曲線Ｃと比較して同等の特性を得るこ
とができる。
一例を第３図における曲線Ａに示す。従来の素子の輝度
−電圧特性を示す曲線Ｃと比較して同等の特性を得るこ
とができる。
なお、第２図に示す様に、上部絶縁層すべてをシアノエ
チルセルロース膜１７で構成することも可能であるが、
この場合、輝度−電圧特性は第３図における曲線Ｂに示
すように立ち上がりが悪くなり、消費電力の上昇を招く
おそれがある。
チルセルロース膜１７で構成することも可能であるが、
この場合、輝度−電圧特性は第３図における曲線Ｂに示
すように立ち上がりが悪くなり、消費電力の上昇を招く
おそれがある。
このように本実施例では、無機材料の５ｉ３Ｎ４膜６，
４をそれぞれ発光層５の直上、直下に配設するとともに
、上部のＳｉ３Ｎ４膜６上に有機材料のシアノエチルセ
ルロース膜７をスピンナー法による回転塗布にて配設し
たので、従来のＥＬ素子の特性を損なうことなく低コス
ト化を実施できる。
４をそれぞれ発光層５の直上、直下に配設するとともに
、上部のＳｉ３Ｎ４膜６上に有機材料のシアノエチルセ
ルロース膜７をスピンナー法による回転塗布にて配設し
たので、従来のＥＬ素子の特性を損なうことなく低コス
ト化を実施できる。
なお本実施例では、薄膜ＥＬ素子の上部絶縁層に有機絶
縁膜を適用する場合について述べたが、下部絶縁層、あ
るいは、上部絶縁層又は下部絶縁層のどちらか一方を除
いたＭＩＳ構造の薄膜ＥＬ素子に適用した場合も同様で
ある。
縁膜を適用する場合について述べたが、下部絶縁層、あ
るいは、上部絶縁層又は下部絶縁層のどちらか一方を除
いたＭＩＳ構造の薄膜ＥＬ素子に適用した場合も同様で
ある。
また、有機絶縁膜もシアノエチルセルロース膜に限定さ
れるものではなく、その他のポリイミド系、エポキシ系
などの有機絶縁膜の使用も可能である。
れるものではなく、その他のポリイミド系、エポキシ系
などの有機絶縁膜の使用も可能である。
（ト）発明の効果
以上のようにこの発明によれば、発光層の上部、若しく
は下部の少なくとも一方に絶縁層を設けた薄膜ＥＬ素子
において、回転塗布あるいはロールコータ−などで成膜
できる有機層部分を絶縁層の一部に使用して、絶縁層を
、少なくとも無機層部分と、有機層部分の材料の異なる
２つの層部分から構成し、かつ有機層部分と発光層との
間に少なくとも１つの無機層部分を配設したので、無機
層部分からのみなる絶縁層を有する従来の素子特性を維
持しながら、素子形成に必要な時間を短縮できるととも
に、コストの低減化を図ることができる効果がある。
は下部の少なくとも一方に絶縁層を設けた薄膜ＥＬ素子
において、回転塗布あるいはロールコータ−などで成膜
できる有機層部分を絶縁層の一部に使用して、絶縁層を
、少なくとも無機層部分と、有機層部分の材料の異なる
２つの層部分から構成し、かつ有機層部分と発光層との
間に少なくとも１つの無機層部分を配設したので、無機
層部分からのみなる絶縁層を有する従来の素子特性を維
持しながら、素子形成に必要な時間を短縮できるととも
に、コストの低減化を図ることができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す構成説明図、第２図は
上記実施例との比較例を示す構成説明図、第３図は薄膜
ＥＬ素子の輝度−電圧特性を示す特性図である。 １・・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・・Ｉ
ＴＯ電極、３・・・・・・ＳｉＯ＝Ｍ、 ４
・・・・・・Ｓｉ、Ｎ＜膜、５・・・・・・ＺｎＳ：Ｍ
ｎ発光層、６・・・・・・Ｓｉ、Ｎ４膜、７・・・・・
・シアノエチルセルロース膜、８・・・・・・ＡＱ電極
、 ９・・・・・・下部絶縁層、１０・・・・
・・上部絶縁層。 ＠ １ 刃 ＊２ Ｎ 第 ３図 電 尺
上記実施例との比較例を示す構成説明図、第３図は薄膜
ＥＬ素子の輝度−電圧特性を示す特性図である。 １・・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・・Ｉ
ＴＯ電極、３・・・・・・ＳｉＯ＝Ｍ、 ４
・・・・・・Ｓｉ、Ｎ＜膜、５・・・・・・ＺｎＳ：Ｍ
ｎ発光層、６・・・・・・Ｓｉ、Ｎ４膜、７・・・・・
・シアノエチルセルロース膜、８・・・・・・ＡＱ電極
、 ９・・・・・・下部絶縁層、１０・・・・
・・上部絶縁層。 ＠ １ 刃 ＊２ Ｎ 第 ３図 電 尺
Claims (1)
- １． 上面に第１電極層を有する透光性基板と、この基
板の上方に順次配設された発光層および第２電極層と、
上記発光層と第１電極層との間、若しくは上記発光層と
第２電極層との間の少なくとも一方に配設された絶縁層
とを備え、該絶縁層は、有機層部分と無機層部分の少な
くとも２層部分を相互に積層して構成されるとともに、
少なくとも１つの無機層部分を有機層部分と発光層との
間に介在せしめてなる薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143878A JPH0750632B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 薄膜ｅｌ素子 |
| US07/363,069 US5055360A (en) | 1988-06-10 | 1989-06-08 | Thin film electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143878A JPH0750632B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01313893A true JPH01313893A (ja) | 1989-12-19 |
| JPH0750632B2 JPH0750632B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=15349114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63143878A Expired - Fee Related JPH0750632B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5055360A (ja) |
| JP (1) | JPH0750632B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04215292A (ja) * | 1990-09-01 | 1992-08-06 | Fuji Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示パネルおよびその製造方法 |
| US5490035A (en) * | 1993-05-28 | 1996-02-06 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Cyanoresin, cyanoresin/cellulose triacetate blends for thin film, dielectric capacitors |
| US5858561A (en) * | 1995-03-02 | 1999-01-12 | The Ohio State University | Bipolar electroluminescent device |
| WO1997026673A1 (en) * | 1996-01-16 | 1997-07-24 | Durel Corporation | Roll coated el panel |
| JP3472432B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2003-12-02 | シャープ株式会社 | 表示装置用反射防止膜及びその製造方法、並びにｅｌ素子 |
| JP4252665B2 (ja) * | 1999-04-08 | 2009-04-08 | アイファイヤー アイピー コーポレイション | Ｅｌ素子 |
| TW556357B (en) | 1999-06-28 | 2003-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
| JP2002151270A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｅｌランプ |
| KR100581634B1 (ko) * | 2004-03-04 | 2006-05-22 | 한국과학기술연구원 | 고분자 나노 절연막을 함유한 고효율 고분자 전기발광 소자 |
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| JPS62278793A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-03 | 沖電気工業株式会社 | Ｅｌデイスプレイパネル |
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-
1988
- 1988-06-10 JP JP63143878A patent/JPH0750632B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1989
- 1989-06-08 US US07/363,069 patent/US5055360A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62147296U (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-17 | ||
| JPS62278793A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-03 | 沖電気工業株式会社 | Ｅｌデイスプレイパネル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750632B2 (ja) | 1995-05-31 |
| US5055360A (en) | 1991-10-08 |
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