JPH03127489A - 薄膜エレクトロルミネッセンスパネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は薄膜エレクトロルミネッセンスパネル（以下薄
膜ＥＬパネルと略記する）に関するものである。

［従来の技術］ 蛍光体に電界を印加した時に生じる発光現象を利用した
薄膜ＥＬパネルは視認性に優れたフラットパネルデイス
プレィとして応用されつつある。

この薄膜ＥＬパネルの代表的な構造は、例えば、第２図
に示すとおり、透明ガラス基板ｌ上に透明電極２、絶縁
層８、発光層４、絶縁層８、背面電極７を積層したよう
なものである。透明電極２と背面電極７はウェットエツ
チングによりストライブ状に、パターニングされている
。

マルチカラー化、更に進んでフルカラー化を目標として
、ＣａＳ、５ｒＳＳＳｒＳｅの様なｎ　ａ　−Ｖｌ　ｂ
族化合物の母材にＣｅ、Ｅｕなとの希土類元素を発光中
心として添加したものを発光層として用いた薄膜ＥＬパ
ネルが注目されている。しかし、ＩＩ　ａ　−Ｖｌ　ｂ
族化合物は一般に、水に対して極めて活性であることが
知られており、このような材料系を用いた薄膜ＥＬパネ
ルの最外層電極をパターニングする際に、ウェットエツ
チングプロセスを用いると、水が発光層に損傷を与え発
光ムラやリークの原因となることがある。

一方、背面電極をドライエツチングによりパターニング
する試みもなされている。しかし、ドラーイエッチング
プロセスにおいても、フォトレジストの現像や洗浄にも
水を用いない完全なドライプロセスは一般的ではない。

又、ドライエツチングプロセスでは装置も高価となり、
薄膜ＥＬパネルの原価上昇となる。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、ＩＩ　ａ−ＶＴｂ族化合物を発光層に用いた
薄膜ＥＬパネルの背面電極のバターニング時における、
水による発光層の損傷を抑止することにより、信頼性に
優れた薄膜ＥＬパネルを安価に提供しようとするもので
ある。

［課題を解決するための手段］ 上記の課題を達成するために、本発明の薄膜ＥＬパネル
は、背面電極の下層に疎水性の絶縁層を形成したもので
ある。

すなわち、本発明の構成は、Ｕ　ａ　−ＶＩ　ｂ族化合
物を発光層として用いた薄膜エレクトロルミネッセンス
パネルにおいて、背面電極の下層に疎水性の絶縁層を有
する薄膜エレクトロルミネッセンスパネルである。

図面を参照して具体的に説明すると、ガラス裁板１の上
に順次透明電極２、第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁
層５、第３絶縁層６及び背面電極７を形成したものであ
る。

本発明における疎水性というのは、水に対する付着力が
小さく、接触角が大きい性質を言い、その程度は数値で
表わせば、 接触角θ≧９０゜ が適当である。

このような材料を具体的に例示すると、ラフロン（接触
角　１１０’　） 等が挙げられる。

第１絶縁層及び第２絶縁層としてはＳ　ｉ０２、Ｔａｚ
　Ｏ３、Ｙ２０３の酸化物、ＢＮ、ＡＩＮ。

５ｉｉＮ４等の窒化物及びそれらの複合膜、Ｃａ　Ｆ　
２　、Ｍ　ｇ　Ｆ　２等のフッ化物、あるいは５ｒＴｉ
Ｏｓ、ＰｂＴ　ｉ　０３等のペロブスカイト型強誘電体
材料等従来知られている絶縁性材料であれば用いられる
。

その他ガラス基板、電極、発光層も従来薄膜ＥＬパネル
に用いられている材料は全て用いることができる。

本発明の薄膜ＥＬパネルは、背面電極層の下層となる第
２絶縁層上に第３絶縁層として疎水性の薄膜を形成した
後に背面電極層の形成とバターニングを行うため、ウェ
ットエツチングにより背面電極層が除去された後に絶縁
層が露出しても、疎水性であるため、水が侵入しに＜＜
。

水による発光層の損傷を抑えることができる。

［実施例］ 次に本発明を実施例により具体的に説明する。

第１図は本発明による薄膜ＥＬパネルの一例を示す断面
図である。同図において、ガラス基板ｌとして例えばア
ルミノシリケートガラス基板を用い、このガラス基板ｌ
上にＡ１をドープしたＺｎＯ薄膜をスパッタリングによ
り約２００Ｉ程度の厚さに被着し、更にウェットエツチ
ングによりストライブ状の透明電極パターン２を形成す
る。

次に第１絶縁層３として膜厚的２０ｏｎＩｌのＡＩＮ薄
膜をスパッタリング法により形成し、続いて、エレクト
ロンビーム蒸着法により発光層４、すなわち、Ｃｅをド
ープした厚さ約１μｍのＳｒＳ薄膜を形成する。

次に、スパッタリング法により第２絶縁層５である膜厚
的２００ｎｍのＡＩＮ薄膜を形成する。

更に、第３絶縁層６として、膜厚的１１００ｎのテフロ
ン（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ
　、略称ＰＴＦＥ）薄膜、続いて背面電極７となる膜厚
的２００ｎｉのＡ１をドープしたＺｎＯ薄膜をそれぞれ
スパッタリング法により形成する。このＺｎＯ薄膜をウ
ェットエツチングすることによりＺｎＯ背面電極７をバ
ターニングにより形成して、薄膜ＥＬパネルが完成する
。

このように背面電極のバターニングにもウェットエツチ
ングを用いているが、エツチングによりＺｎＯ薄膜を取
り去った後には疎水性のテフロンが表面に現れるため、
膜中に水が侵入しない。このため、水に対して非常に活
性であるＳｒＳが損傷を受けることが無−く、作製した
薄膜ＥＬパネルはほぼ均一な発光を示した。

本実施例では、背面電極に透明電極と同じ材料を用いて
おり、又、テフロンも透明であることから、透明薄膜Ｅ
Ｌパネルの作製例となったが、背面電極にＡ１等の金属
を用いてウェットエツチングを行っても本発明の効果を
示すことができる。

［発明の効果］ 以上、説明したように、本発明によれば、背面電極の下
層に疎水性の絶縁層を設けであるため、背面電極を発光
層に対する損傷なしにつエツトエツチングでき、発光輝
度が均一な薄膜ＥＬパネルを再現よく作製できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明するための薄膜ＥＬパネル
の断面図、 第２図は従来の薄膜ＥＬパネルの断面図を示す。 ｌ・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁層、４・・・発光層、５・・・第２絶縁層、６・・
・第３絶縁層、７・・・背面電極、８・・・絶縁層。 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　IIａ−VIｂ族化合物を発光層として用いた薄膜エレク
   トロルミネッセンスパネルにおいて、背面電極の下層に
   疎水性の絶縁層を有することを特徴とする薄膜エレクト
   ロルミネッセンスパネル。