KR20050088792A - 평판 디스플레이 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 평판 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 이 평판 디스플레이 장치는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 위에 형성되는 전자 방출부; 상기 제 1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되어 상기 제 1 기판과 함께 진공 용기를 형성하는 제 2 기판; 및 상기 제 2 기판 위에 형성되어 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광되어 임의의 이미지를 구현하는 이미지 구현부를 갖는 전자방출 소자에 있어서, 상기 이미지 구현부가 상기 제 2 기판 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되어 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광하는 형광막; 및 상기 형광막의 어느 일면에 밀착되어 형성되는 애노드 전극을 포함하고, 상기 애노드 전극에 요철이 형성되어 있거나 상기 제 2 기판에 요철이 형성된 것이다.
본 발명은 화학 물질을 사용하지 않고 기판에 요철을 형성하는 간단한 공정으로 형광막의 접착력이 향상된 평판 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. 또한, 화학 물질을 사용하지 않음에 따라, 화학 물질 사용에 따른 잔탄 생성이 없고 따라서 잔탄 생성에 따른 평판 디스플레이 장치의 품위 저하 문제가 없다.
Description
[산업상 이용 분야]
본 발명은 평판 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 형광체의 접착력이 향상되어 디스플레이 품위가 향상된 평판 디스플레이 장치에 관한 것이다.
[종래 기술]
일반적으로 평판 디스플레이 장치는 2매의 기판 상에 전자를 방출할 수 있는 캐소드부와 상기 전자에 의해 발광하는 애노드부를 각기 배치하여 임의의 화상을 구현할 수 있도록 구성된다.
이러한 평판 디스플레이 장치의 기본 구조에 따라 상기 평판 디스플레이 장치의 하나인 전자 방출 표시 장치(Electron Emission Display) 역시, 2매의 기판 중 하나의 기판인 캐소드 기판 상에 전자 방출원인 냉음극 전자원으로 배치하고, 다른 기판인 애노드 기판 상에는 전자빔의 타격에 의해 여기(勵起)되어 임의의 색을 구현하는 녹색, 청색 및 적색 형광막이 블랙 매트릭스에 의하여 정의된 패턴 사이에 배치되어 구성된다.
상기 형광막은 형광체, 감광성 고분자인 포토레지스트 수지, 광 가교제, 분산제 등과 같은 기타 첨가제를 포함하는 형광체 슬러리를 제조한 후, 이 슬러리를 블랙 매트릭스 패턴에 도포하고, 건조한 후, 마스크를 장착하고 고압 수은등을 이용하여 노광한 다음 순수를 이용하여 현상하여 형광막을 형성한다. 이때, 형광막의 접착력을 향상시키기 위하여, 아크릴아미드와 디아세톤아크릴아미드 공중합체와 디아조계 감광제를 사용하는 방법(국내 특허 공개 제 99-12416 호) 및 아크릴 에멀젼 등을 사용하는 방법(국내 특허 공개 제 98-23556 호) 등의 화학 첨가제를 사용하는 방법이 제시되었다. 그러나 이러한 화학 첨가제를 사용하는 방법은 소성 공정 이후에도 상기 유기 및 무기 물질이 형광막에 미량 잔류할 수 있어 잔탄의 원인이 되어 평판 디스플레이 장치의 품위를 감소시킬 수 있다.
또한, 형광막의 접착력을 향상시키기 위한 다른 방법으로 형광막을 도포하기 전에 하도액(precoating)을 도포하는 방법 또는 형광체 표면을 SiO2와 같은 물질로 표면 처리하는 방법이 제안되었으나, 이러한 방법도 모두 화학 물질을 더욱 사용함에 따라, 상술한 문제점을 완전하게 해결할 수 없다. 따라서 형광막의 접착력을 향상시키기 위한 시도는 계속 요구되고 있는 실정이다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 화학 첨가제를 사용하지 않고 형광막의 접착력이 강화된 평판 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 제 1 기판; 상기 제 1 기판 위에 형성되는 전자 방출부; 상기 제 1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되어 상기 제 1 기판과 함께 진공 용기를 형성하는 제 2 기판; 및 상기 제 2 기판 위에 형성되어 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광되어 임의의 이미지를 구현하는 이미지 구현부를 갖는 전자방출 소자에 있어서, 상기 이미지 구현부가 상기 제 2 기판 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되어 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광하는 형광막; 및 상기 형광막의 어느 일면에 밀착되어 형성되는 애노드 전극을 포함하고, 상기 애노드 전극에 요철이 형성되거나 또는 상기 제 2 기판에 요철이 형성된 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
이하 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명은 평판 디스플레이 장치에서 형광막의 접착력을 향상시키기 위하여, 형광막이 도포될 기재에 요철을 형성하여 결과적으로 형성된 형광막 표면이 불균일하게 요철을 갖도록 하는 것이다. 이와 같이 기재에 요철이 형성되어 있으면, 형광체 슬러리를 도포하고 소성하는 공정에서 물리적으로 형광체를 잘 붙잡을 수 있어서 형광막의 접착력을 향상시킬 수 있다. 따라서, 형광체 접착력 증강제와 같은 화학 물질을 사용하지 않아도 되므로 화학 물질 사용에 따른 잔탄 생성 등의 문제점이 없고, 또한 잔탄이 생성되지 않으므로 평판 디스플레이 장치의 품위를 향상시킬 수 있다.
이와 같이, 애노드 기판에 홈을 형성하는 방법에 대하여 미국 특허 제 5,637,958 호 및 5,608,286 호에 기술되어 있으나, 이 특허들에서 요철을 형성하는 목적은 빛의 산란을 감소시키기 위한 것으로서, 본원 발명의 목적과 상이하다. 또한, 이와 같이 목적이 상이함에 따라 상기 미국 특허들에서 요철을 형성하기 위해서는 빛의 산란이 감소되도록 일정한 형태의 프리즘 모양으로 기판을 식각해야 하는 어려움이 있으며, 그 홈을 따라 일정하게 형광체를 도포해야 하는 고도의 기술이 필요하다. 그러나 본 발명의 경우에는 단순히 요철만 형성시키면 되므로, 요철의 형성 모양이 큰 의미가 없으므로 간단한 공정으로 요철을 형성시킬 수 있다. 즉, 상기 미국 특허들로부터 본원 발명의 접착력 향상을 위하여 요철을 형성하기 위한 시도를 당해 분야에 종사하는 사람들도 용이하게 유추할 수 없으며, 또한 본원 발명과 같이 형광막의 접착력을 향상시키기 위하여 요철을 형성하는 연구는 실시된 적이 없다.
본 발명에서 요철을 갖는 형광막을 형성하는 방법은 먼저 기재에 요철을 형성한다. 이 요철 형성 공정은 애노드 전극이 형성되는 기판인 투명한 유리 기판에 실시할 수도 있고, 상기 유리 기판에 애노드 전극을 형성한 후에 실시할 수도 있다. 즉, 상기 기재로는 투명한 유리 기판 또는 이 유리 기판에 애노드 전극이 형성된 것을 사용할 수 있다. 바람직하게는 유리 기판에 요철 형성 공정을 실시하는 경우의 애노드 전극은 인듐 틴 옥사이드(ITO) 투명 전극인 것이 바람직하고, 애노드 전극에 요철 형성 공정을 실시하는 경우에는 애노드 전극이 박막 금속, 예를 들어 Al 박막 금속인 것이 바람직하다.
상기 요철을 형성하는 공정은 화학적 방법으로 습식 에칭하거나 또는 RIE(reactive ion etching)와 같은 건식 에칭 방법으로 형성할 수 있다. 습식 에칭 공정은 염산과 질산을 적당한 비율, 예를 들어 1 : 1의 비율로 혼합한 에칭 용액을 사용하여 실시하며, 습식 에칭 공정은 약 50℃ 정도의 온도에서 실시한다. 상기 건식 에칭 공정은 HBr 가스 등의 건식 에칭 공정에서 일반적으로 사용되는 가스를 사용하여 실시한다. 습식 에칭 또는 건식 에칭 중 어떠한 에칭 공정을 사용하더라, 에칭 공정은 1 내지 100초, 바람직하게는 100초 미만의 시간동안 실시하여야 본 발명의 바람직한 표면 거칠기인 0.0001㎛ < Ra < 0.3㎛를 얻을 수 있다. 에칭 공정을 100초를 초과하여 실시하는 경우에는 기재가 심하게 에칭되어, 특히 유리 기판에 애노드 전극이 형성된 것을 기재로 사용할 경우 애노느 전극이 모두 에칭될 우려가 있어 바람직하지 않다.
상기 요철 공정은 사용되는 기재 전체에 동일하게 전면적에 톱니 모양과 같이 특정한 모양으로 일정하게 반복 형성시킬 수 있으며, 전면적에 불규칙한 모양으로 요철을 형성할 수 있다. 또한, 전면적을 일정 영역별로 나누어 그 영역별로 서로 다른 모양의 요철을 형성할 수 있다.
상기 요철 형성 공정에 따라 제조되는 기재의 표면 거칠기(surface roughness)를 조절할 수 있으며, 제조된 기재의 표면 거칠기가 0.0001㎛ < Ra < 0.3㎛가 되도록 실시하는 것이 바람직하고, 0.01 ㎛ 내지 0.1㎛ 가 되도록 실시하는 것이 보다 바람직하다. 상기 기재의 표면 거칠기가 0.001㎛ 미만이 되면 요철의 효과를 보기 어렵고, 0.3㎛ 보다 크면 오히려 형광막의 접착력이 감소되며 또한 0.3㎛보다 크게 요철 형성 공정을 실시하는 경우, 기재가 심하게 에칭되어, 특히 유리 기판에 애노드 전극이 형성된 것을 기재로 사용할 경우 애노느 전극이 모두 에칭될 우려가 있어 바람직하지 않다.
상기 요철이 형성된 기재에 블랙 매트릭스를 형성한다. 이어서, 블랙 매트릭스 위에 형광체 슬러리를 도포하고 소성하여 형광막을 형성한다. 형성된 형광막은 사용된 기재가 요철이 형성된 것이므로, 형광막의 표면도 균일하지 않은 울퉁불퉁한 형상을 띠게 된다. 전면적에 불균규칙한 모양으로 요철이 형성된 기재(100)를 사용한 경우 형광체(102)가 도포되어 형광막이 형성된 모습의 단면을 도 2에 나타내었다. 또한, 전면적을 영역별로 나누어 그 영역별로 서로 다른 모양의 요철이 형성된 모습을 도 3에 정면도로 나타내었다.
본 발명의 평판 디스플레이 장치는 제 1 기판, 상기 제 1 기판 위에 형성되는 전자 방출부, 상기 제 1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되어 상기 제 1 기판과 함께 진공 용기를 형성하는 제 2 기판 및 상기 제 2 기판 위에 형성되어 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광되어 임의의 이미지를 구현하는 이미지 구현부를 포함한다. 상기 이미지 구현부가 상기 제 2 기판 위의 임의의 패턴을 가지고 형성되어 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광하는 형광막 및 상기 형광막의 어느 일면에 밀착되어 형성되는 애노드 전극을 포함한다. 이때, 상기 애노드 전극에 요철이 형성되어 있거나 또는 상기 제 2 기판에 요철이 형성되어 있다.
상기 녹색 형광체, 청색 형광체 및 적색 형광체는 평판 디스플레이 장치에서 각각 적절한 색상으로 발광될 수 있는 형광체는 어떠한 것도 사용가능하며, 그 예로 녹색 형광체로는 ZnS:Cu,Al, 청색 형광체로는 ZnS:Ag,Cl, 적색 형광체로는 Y2O3:Eu 형광체 또는 SrTiO3:Pr,Al를 들 수 있다.
본 발명의 평판 디스플레이 장치를 도 1에 나타낸 전자 방출 표시 장치 단면도를 참조하여 설명하면, 다음과 같다. 물론 본 발명의 평판 디스플레이 장치가 도 1에 나타낸 전자 방출 표시 장치에 한정되는 것은 아니다.
도시된 바와 같이, 상기 전자 방출 표시 장치는 임의의 크기를 갖는 제 1 기판(또는 캐소드 기판)(2)과 제 2 기판(또는 애노드 기판)(4)을 내부 공간부가 형성되도록 소정의 간격을 두고 실질적으로 평행하게 배치하고 이들을 서로 결합시켜 장치의 외관인 진공 용기(6)를 형성하고 있다.
상기 진공 용기 내로 제 1 기판(2) 상에는 전자를 방출할 수 있는 전자 방출부의 구성이, 상기 제 2 기판(4) 상에는 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광됨으로써 소정의 이미지를 구현할 수 있는 발광부의 구성이 형성된다. 이 발광부의 구성은 일례로 다음과 같이 이루어질 수 있다.
먼저 상기 전자 방출부의 구성으로는 상기 제 1 기판(2) 상에 형성되는 캐소드 전극(8), 이 캐소드 전극(8) 위에 형성되는 절연층(10), 이 절연층(10) 위에 형성되는 게이트 전극(12) 및 상기 절연층(10)과 게이트 전극(12)에 관통 형성된 홀(10a), (12a) 내로 배치되면서 상기 캐소드 전극(8) 위에 형성되는 전자 방출원(14)을 들 수 있다.
상기에서 캐소드 전극(8)은 소정의 패턴 가령, 스트라이프 형상을 취하여 상기 제 1 기판(2)의 일 방향을 따라 형성되며, 상기 절연층(10)은 상기 캐소드 전극(8)을 덮으면서 상기 제 1 기판(2)상에 전체적으로 배치된다.
또한, 상기 절연층(10) 위에는, 상기 절연층(10)에 형성된 구멍(10a)과 관통되는 구멍(12a)을 갖는 게이트 전극(12)이 복수로 형성되는 바, 이 게이트 전극(12)은 상기 캐소드 전극(8)과 직교하는 방향으로 임의의 간격을 두고 스트라이프 형상을 유지하여 형성된다.
여기에 상기 전자 방출원(14)이 상기 구멍(10a),(12a) 내로 상기 캐소드 전극(8) 위에 형성되는 바, 이 때, 이 전자 방출원(14)의 재질은 탄소계 물질, 즉, 탄소 나노튜브, C60(Fulleren), 다이아몬드, DLC(diamond like carbon), 그라파이트 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 선택될 수 있는데, 본 실시예에서는 탄소 나노튜브가 적용되고 있다.
물론, 상기 전자 방출원의 재질이나 형상은 상기한 예로 한정되는 것은 아니고, 다른 한편으로 몰리브덴과 같은 금속 재질로 원추형의 형상을 이루면서 형성될 수 있다. 즉, 본 발명에 있어 상기 전자 방출원(14)의 재질이나 형상은 특정한 경우로 구애받지 않는다.
이에 상기와 같이 구성되는 전자 방출부는, 상기 진공 용기(6)의 외부로부터 상기 캐소드 전극(8) 및 게이트 전극(12)에 인가되는 전압에 의해 상기 캐소드 전극(8)과 게이트 전극(12) 사이에 형성되는 전계 분포에 따라 상기 전자 방출원(14)으로부터 전자를 방출하게 된다.
한편, 본 발명에 있어, 상기 전자 방출부의 구성이 상기한 예로 한정되는 것은 아니다. 가령, 본 발명은 캐소드 기판인 제 1 기판 위로 게이트 전극이 먼저 형성되고, 이 게이트 전극 위로 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극이 형성된 다음, 이 캐소드 전극에 전자 방출원이 전기적으로 연결된 전자 방출부의 구성으로도 적용 가능하다.
이러한 전자 방출부의 구성에 비해, 상기 발광부의 구성은, 상기 제 2 기판(4)의 일면(상기 제1 기판과 마주하는 면)에 형성되는 애노드 전극(16)과, 이 애노드 전극(16) 일면에 형성되는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 형광막(18)을 포함하여 이루어진다. 또한 상기 형광막(18) 사이에 블랙 매트릭스가(24)가 형성되어 있다.
상기에서 애노드 전극(16)은 인듐 틴 옥사이드(ITO)와 같은 투명한 재질로 이루어질 수도 있고 알루미늄(Al)과 같은 금속 박막으로 이루어질 수도 있다. 또한 상기 애노드 전극은 스트라이프 패턴을 유지하여 상기 제2 기판 상에 임의의 간격을 두고 복수로 형성될 수도 있으며 공통전극으로 단일로 형성될 수 있다. 또는 공통전극을 다수부로 구획하여 형성할 수도 있다. 상기 형광막(18) 및 블랙 매트릭스(24)는 상기 애노드 전극(16) 상에 전기 영동법, 스크린 인쇄, 스핀 코팅 등의 제조 방법을 통해서 형성된다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
투명한 유리 기판 위에 3000 의 두께로 ITO 애노드 전극을 형성하였다. 애노드 전극이 형성된 유리 기판을 50℃의 ITO 에칭액(etchant)을 사용하여 에칭을 30초간 실시하여 ITO 애노드 전극 표면에 불규칙한 요철을 형성하였다. 이어서, ZnS:Ag,Cl 녹색 형광체 슬러리를 상기 요철이 형성된 ITO 애노드 전극에 도포하고, 450℃에서 10분간 소성하여 발광부를 제조하였다.
(비교예 1)
에칭 공정을 실시하지 않은 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 발광부를 제조하였다.
상기 실시예 1 및 비교예 1에 따라 제조된 발광부의 접착력을 측정하기 위하여 접착력이 있는 테이프를 소성한 형광막 스크린 위에 접착시키고 일정한 힘을 가한 후 테이프를 떼어 내어 기판 위에 남아 있는 형광막 상태를 관찰하였다. 도 4에 실시예 1의 형광막 표면 사진을 나타내었으며, 도 5에 비교예 1의 형광막 표면 사진을 나타내었다. 도 4에서 볼 수 있듯이 실시예 1의 경우에는 접착 테이프 제거 후에 애노드 전극면에 형광체가 남아있는 반면, 도 5에 나타낸 것과 같이, 비교예 1의 경우에는 형광체가 거의 남아있지 않고 애노드 전극 표면이 드러나있음을 볼 수 있다.
또한, 도 6에 실시예 1의 애노드 전극의 표면 SEM 사진을 나타내었으며, 도 7은 비교예 1의 애노드 전극의 표면 SEM 사진을 나타내었다. 도 6에 나타낸 것과 같이, 실시예 1의 애노드 전극은 에칭 과정을 통해 표면에 불규칙한 요철이 생성됨을 볼 수 있으나, 도 6에 나타낸 것과 같이, 비교예 1의 애노드 전극은 요철이 거의 없음을 알 수 있다.
(실시예 2 내지 11)
에칭 공정 시간을 하기 표 1에 나타낸 것과 같이 변경시킨 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
(비교예 2)
에칭 공정을 실시하지 않은 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
(비교예 3 내지 6)
에칭 공정 시간을 하기 표 1에 나타낸 것과 같이 변경시킨 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
상기 실시예 1 내지 11 및 비교예 2 내지 6의 형광막 접착력 정도를 측정하기 위하여, 접착 테이프를 붙이기 전의 형광막의 무게와 접착 테이프를 붙이고 난 후의 형광막의 무게를 비교하여 기판 위에 남아있는 형광막의 무게를 처음 무게의 %비로 나타내었다. 그 결과를 하기 표 1에 표시하였다.
| 시간(초) | 무게(%) | 표면 거칠기(Ra)( ㎛) | ||||
| 비교예 2 | 0 | 22 | 0.0001 | |||
| 실시예 2 | 1 | 22 | 0.019 | |||
| 실시예 3 | 5 | 30 | 0.024 | |||
| 실시예 4 | 10 | 56 | 0.028 | |||
| 실시예 5 | 15 | 72 | 0.030 | |||
| 실시예 6 | 20 | 81 | 0.032 | |||
| 실시예 1 | 30 | 94 | 0.041 | |||
| 실시예 7 | 40 | 93 | 0.052 | |||
| 실시예 8 | 50 | 91 | 0.063 | |||
| 실시예 9 | 60 | 80 | 0.72 | |||
| 실시예 10 | 70 | 77 | 0.131 | |||
| 실시예 11 | 80 | 70 | 0.225 | |||
| 비교예 3 | 100 | 66 | - | |||
| 비교예 4 | 120 | 62 | - | |||
| 비교예 5 | 150 | 62 | - | |||
| 비교예 6 | 200 | - | ||||
* -: ITO가 모두 에칭되었음을 나타냄.
상기 표 1에 나타낸 것과 같이, 에칭 공정을 실시하지 않은 비교예 2의 경우 표면 거칠기값이 0.0001㎛로 매우 낮고, 또한 100초를 초과하여 실시한 비교예 3 내지 5의 경우에는 ITO가 모두 에칭되었음을 알 수 있다. 이에 반하여, 에칭 공정을 1초 내지 80초간 실시한 실시예 1 내지 11의 경우에는 적절한 표면 거칠기를 갖음을 알 수 있다.
상술한 것과 같이, 본 발명은 화학 물질을 사용하지 않고 기판에 요철을 형성하는 간단한 공정으로 형광막의 접착력이 향상된 평판 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. 또한, 화학 물질을 사용하지 않음에 따라, 화학 물질 사용에 따른 잔탄 생성이 없고 따라서 잔탄 생성에 따른 평판 디스플레이 장치의 품위 저하 문제가 없다.
도 1은 평판 디스플레이 장치를 도시한 부분 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 요철이 형성된 기재에 형광막이 형성된 모습을 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 영역별로 다른 요철이 형성된 기재의 모습을 나타낸 정면도.
도 4는 본 발명의 실시예 1의 형광막 표면을 나타낸 사진.
도 5는 비교예 1의 형광막 표면을 나타낸 사진.
도 6은 본 발명의 실시예 1의 애노드 전극 표면을 나타낸 SEM 사진.
도 7은 비교예 1의 애노드 전극 표면을 나타낸 SEM 사진.
도 8은 본 발명의 실시예 2 및 비교예 2의 에칭 시간에 따른 형광막의 표면 거칠기를 나타낸 그래프.
Claims (12)
- 제 1 기판;상기 제 1 기판 위에 형성되는 전자 방출부;상기 제 1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되어 상기 제 1 기판과 함께 진공 용기를 형성하는 제 2 기판; 및상기 제 2 기판 위에 형성되어 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광되어 임의의 이미지를 구현하는 이미지 구현부를 갖는 평판 디스플레이 장치에 있어서,상기 이미지 구현부가상기 제 2 기판 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되어 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광하는 형광막; 및상기 형광막의 어느 일면에 밀착되어 형성되는 애노드 전극을 포함하고,상기 애노드 전극에 요철이 형성된 평판 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 요철이 형성된 애노드 전극은 0.0001㎛ < Ra < 0.3㎛의 표면 거칠기를 갖는 평판 디스플레이 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 요철이 형성된 애노드 전극은 0.01㎛ < Ra < 0.1㎛의 표면 거칠기를 갖는 평판 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 요철은 습식 에칭 또는 건식 에칭으로 형성된 것인 평판 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 애노드 전극은 투명 전극인 평판 디스플레이 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 애노드 전극은 인듐 틴 옥사이드 전극인 평판 디스플레이 장치.
- 제 1 기판;상기 제 1 기판 위에 형성되는 전자 방출부;상기 제 1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되어 상기 제 1 기판과 함께 진공 용기를 형성하는 제 2 기판; 및상기 제 2 기판 위에 형성되어 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광되어 임의의 이미지를 구현하는 이미지 구현부를 갖는 전자방출 소자에 있어서,상기 이미지 구현부가상기 제 2 기판 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되어 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광하는 형광막; 및상기 형광막의 어느 일면에 밀착되어 형성되는 애노드 전극을 포함하고,상기 제 2 기판에 요철이 형성된 평판 디스플레이 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 요철이 형성된 제 2 기판은 0.0001㎛ < Ra < 0.3㎛의 표면 거칠기를 갖는 평판 디스플레이 장치.
- 제 8 항에 있어서, 상기 요철이 형성된 제 2 기판은 0.01㎛ < Ra < 0.1㎛의 표면 거칠기를 갖는 평판 디스플레이 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 요철은 습식 에칭 또는 건식 에칭으로 형성된 것인 평판 디스플레이 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 애노드 전극은 박막 금속으로 형성된 것인 평판 디스플레이 장치.
- 제 11 항에 있어서, 상기 금속이 Al인 평판 디스플레이 장치.
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