JP2007234230A - 平面表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】蛍光体の寿命に影響を及ぼすことなく、輝度を向上させ、表示品位の優れた平面表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】画像表示装置は、内面に蛍光体層Rが形成された第1基板11と、第1基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに蛍光体層を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、第1基板および第2基板の間に設けられたスペーサと、を有している。第1基板は、少なくとも蛍光体層が形成された箇所の表面が凹凸形状に形成され、その表面粗度がRa0.3μm乃至10μmとなっている。
【選択図】 図6
【解決手段】画像表示装置は、内面に蛍光体層Rが形成された第1基板11と、第1基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに蛍光体層を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、第1基板および第2基板の間に設けられたスペーサと、を有している。第1基板は、少なくとも蛍光体層が形成された箇所の表面が凹凸形状に形成され、その表面粗度がRa0.3μm乃至10μmとなっている。
【選択図】 図6
Description
本発明は、表示装置に係り、特に、電子放出素子を用いた平面表示装置およびその製造方法に関する。
近年、次世代の画像表示装置として、電子放出素子を多数並べ、蛍光面と対向配置させた平面表示装置の開発が進められている。電子放出素子には様々な種類があるがいずれも基本的には電界放出を用いている。これらの電子放出素子を用いた表示装置は、一般に、フィールド・エミッション・ディスプレイ(以下、FEDと称する)と呼ばれている。FEDの内、表面伝導型電子放出素子を用いた表示装置は、表面伝導型電子放出ディスプレイ(以下、SEDと称する)とも呼ばれているが、本願においてはSEDも含む総称としてFEDという用語を用いる。
FEDは、1〜2mm程度の狭いギャップを置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部同士を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。真空容器の内部は、真空度が10−4Pa程度以下の高真空に維持されている。また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、両基板間には複数のスペーサが設けられている。
前面基板の内面には赤、青、緑の蛍光体層を含む蛍光面が形成され、背面基板の内面には、蛍光体を励起して発光させる電子を放出する多数の電子放出素子が設けられている。また、多数の走査線および信号線がマトリックス状に形成され、各電子放出素子に接続されている。蛍光面にはアノード電圧が印加され、電子放出素子から出た電子ビームがアノード電圧により加速されて蛍光面に衝突することにより、蛍光体が発光し映像が表示される(例えば、特許文献1)。
前記のように構成されたFEDにおいて、実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、更に、蛍光体の上にメタルバックと呼ばれるアルミ薄膜を形成した蛍光面を用いることが必要となる。この場合、蛍光面に印加するアノード電圧は最低でも数kV、できれば10kV以上にすることが望まれる。
特開2001−243893号公報
前記のような表示装置の重要な機能として、輝度が挙げられる。輝度を向上させる手段として、蛍光体の新規開発や電子が蛍光体に当たる強度および分布の適正化が考えられる。しかし、いずれも実現することは困難であり、容易に輝度向上に結びついていかない。また、電子が強いエネルギーで蛍光体に衝突することは、蛍光体の寿命に大きな影響を及ぼす。
本発明は前記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、蛍光体の寿命に影響を及ぼすことなく、輝度を向上させ、表示品位の優れた平面表示装置およびその製造方法を提供することにある。
前記課題を解決するため、本発明の態様に係る平面表示装置は、内面に蛍光体層およびメタルバック層が形成された第1基板と、前記第1基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光体層を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、前記第1基板および第2基板の間に設けられたスペーサと、を備え、前記第1基板は、少なくとも前記蛍光体層が形成された箇所の表面が凹凸形状に形成され、その表面粗度がRa0.3μm乃至10μmとなっている。
この発明の他の態様に係る平面表示装置の製造方法は、内面に蛍光体層およびメタルバック層が形成された第1基板と、前記第1基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光体層を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、前記第1基板および第2基板の間に設けられたスペーサと、を備えた平面表示装置の製造方法において、
前記第1基板内面に内、少なくとも蛍光層を形成する領域に凹凸を形成し、その表面粗度をRa0.3μm乃至10μmとし、前記第1基板の内面上に感光性の蛍光体層を形成し、前記第1基板の蛍光体層形成面の裏面側からマスクパターンを介して前記蛍光体層を露光し、前記露光された蛍光体層を現像することを特徴としている。
前記第1基板内面に内、少なくとも蛍光層を形成する領域に凹凸を形成し、その表面粗度をRa0.3μm乃至10μmとし、前記第1基板の内面上に感光性の蛍光体層を形成し、前記第1基板の蛍光体層形成面の裏面側からマスクパターンを介して前記蛍光体層を露光し、前記露光された蛍光体層を現像することを特徴としている。
上記構成によれば、特別な工程を導入することなく、また、蛍光体の寿命に影響を及ぼすことなく、輝度を向上させ、表示品位の優れた平面表示装置およびその製造方法を提供することができる。
以下、図面を参照しながら、この発明を適用したSEDの第1の実施形態について詳細に説明する。
図1および図2に示すように、SEDは、それぞれ矩形状のガラス板からなる前面基板11、および背面基板12を備え、これらの基板は1〜2mmのギャップを置いて対向配置されている。前面基板11および背面基板12は、矩形枠状の側壁13を介して周縁部同士が接合され、内部が10−4Pa程度以下の高真空に維持された偏平な矩形状の真空外囲器10を構成している。側壁13は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材23により、前面基板11の周縁部および背面基板12の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。
図1および図2に示すように、SEDは、それぞれ矩形状のガラス板からなる前面基板11、および背面基板12を備え、これらの基板は1〜2mmのギャップを置いて対向配置されている。前面基板11および背面基板12は、矩形枠状の側壁13を介して周縁部同士が接合され、内部が10−4Pa程度以下の高真空に維持された偏平な矩形状の真空外囲器10を構成している。側壁13は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材23により、前面基板11の周縁部および背面基板12の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。
第1基板として機能する前面基板11の内面の有効表示領域28には蛍光面15が形成されている。この蛍光面15は、赤、緑、青に発光する蛍光体層R、G、Bとマトリックス状の遮光層17とで構成されている。蛍光面15上には、例えば、アルミニウムを主成分としアノード電極として機能するメタルバック層20が形成されている。更に、メタルバック層20に重ねてゲッター膜22が形成されている。表示動作時、メタルバック層20には所定のアノード電圧が印加される。蛍光面の詳細な構造は後述する。
第2基板として機能する背面基板12の内面には、蛍光面15の蛍光体層R、G、Bを励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子18が設けられている。これらの電子放出素子18は、画素に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子18は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。背面基板12の内面上には、電子放出素子18を駆動する多数本の配線21がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器10の外部に引出されている。
背面基板12および前面基板11の間には、これらの基板に作用する大気圧を支持するため、複数の板状のスペーサ14が配置されている。これらのスペーサ14はそれぞれ背面基板12の長手方向に延びているとともに、幅方向に所定の間隔を置いて配設されている。なお、スペーサは、板状に限らず、柱状のスペーサとしてもよい。
FEDにおいて、画像を表示する場合、メタルバック層20を介して蛍光体層R、G、Bにアノード電圧を印加し、電子放出素子18から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光層へ衝突させる。これにより、対応する蛍光体層R、G、Bが励起されて発光し、カラー画像を表示する。
次に、前面基板11の構成について詳細に説明する。図3および図4に示すように、蛍光面15は、赤、青、緑に発光する多数の矩形状の蛍光体層R、G、Bを有している。各蛍光体層は、SEDにおける1表示画素(蛍光体画素)を構成している。横長画面の場合でいうと長軸方向を第1方向X、短軸方向を第2方向Yとした場合、蛍光体層R、G、Bは、第1方向Xに所定のギャップをおいて繰り返し配列され、第2方向には同一色の蛍光体層が所定のギャップをおいて配列されている。蛍光体層R、G、Bは、周知のスクリーン印刷やフォトリソグラフィーにより形成される。遮光層17は、前面基板11の周縁部に沿って延びた矩形枠部17a、および矩形枠部の内側で蛍光体層R、G、Bの間をマトリックス状に延びたマトリックス部17bを有している。
図4ないし図6に示すように、前面基板11内面の内、少なくとも蛍光体層の形成領域は凹凸形状に形成され、その表面粗度がRa0.3μm乃至10μmとなっている。本実施形態では、前面基板11内面の周縁部を除く有効表示領域28全体に渡って多数の凹所30が形成されている。各蛍光体層が形成された領域には、少なくとも1つ以上、例えば、2つの凹所30が形成されている。蛍光体層R、G、Bの各々は、凹所30を含む前面基板11内面上に形成され、凹所に重なった部分は、凹所に沿って凹所中央部と対応する部分が凹んだ形状に形成されている。蛍光体層R、G、Bの層厚は、例えば、10μmに形成されている。
図7に示すように、この発明の第2の実施形態に係るSEDによれば、前面基板11内面の内、少なくとも蛍光体層R、G、Bの形成領域は凹凸形状に形成され、その表面粗度がRa0.3μm乃至10μmとなっている。本実施形態では、前面基板11内面の周縁部を除く有効表示領域全体に渡って多数の凸部32が形成されている。各蛍光体層R、G、Bが形成された領域には、少なくとも1つ以上、例えば、2つの凸部32が形成されている。蛍光体層R、G、Bの各々は、凸部32を含む前面基板11内面上に形成され、凸部に重なった部分は、凸部に沿ってこの凸部中央部と対応する部分がその周囲よりも盛り上がった形状に形成されている。蛍光体層R、G、Bの層厚は、例えば、10μmに形成されている。
第2の実施形態において、SEDの他の構成は前述した第1の実施形態と同一であり、第1の実施形態と同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
第2の実施形態において、SEDの他の構成は前述した第1の実施形態と同一であり、第1の実施形態と同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
以下、上記のように構成されたSEDの製造方法の実施例について説明する。
実施例1
まず、前面基板11としてガラス基板を用意する。ガラス基板の一方の表面をケミカルエッチングあるいはサンドブラストにより凹凸を形成し、表面粗度がRa:1μmのガラス基板とする。ガラス基板の凹凸が形成された内面に遮光層17を形成する。続いて、ガラス基板の内面上に、遮光層17に重ねて例えば、赤(R)の感光性蛍光体インキをスクリーン印刷で塗布した後、乾燥する。次いで、図8に示すように、前面基板11において、蛍光体層の形成面と反対の表面に、パターンマスク34をセットした後、この表面側からパターンマスク34を通して感光性蛍光体インキを露光する。その後、感光性蛍光体インキを現像することにより、蛍光体層Rを形成する。同様の工程により、蛍光体層Gおよび蛍光体層Bを順に形成する。
実施例1
まず、前面基板11としてガラス基板を用意する。ガラス基板の一方の表面をケミカルエッチングあるいはサンドブラストにより凹凸を形成し、表面粗度がRa:1μmのガラス基板とする。ガラス基板の凹凸が形成された内面に遮光層17を形成する。続いて、ガラス基板の内面上に、遮光層17に重ねて例えば、赤(R)の感光性蛍光体インキをスクリーン印刷で塗布した後、乾燥する。次いで、図8に示すように、前面基板11において、蛍光体層の形成面と反対の表面に、パターンマスク34をセットした後、この表面側からパターンマスク34を通して感光性蛍光体インキを露光する。その後、感光性蛍光体インキを現像することにより、蛍光体層Rを形成する。同様の工程により、蛍光体層Gおよび蛍光体層Bを順に形成する。
続いて、蛍光体層R、G、Bの上にメタルバック層を形成する。蛍光体層R、G、Bおよびメタルバック層が形成された前面基板11と、電子放出素子18が設けられた背面基板12とをスペーサ14を挟んで互いに封着することにより、SEDの外囲器を形成する。
実施例2
前面基板11としてガラス基板を用意する。ガラス基板の一方の表面をケミカルエッチングあるいはサンドブラストすることにより、ガラス基板表面にφ100μm、ピッチ(間隔)130μm、深さ50μmの複数の凹所を加工する。ガラス基板の凹所が形成された内面に遮光層17を形成する。続いて、ガラス基板の内面上に、遮光層17に重ねて例えば、赤(R)の感光性蛍光体インキをスクリーン印刷で塗布した後、乾燥する。次いで、図8に示すように、前面基板11において、蛍光体層の形成面と反対の表面に、パターンマスク34をセットした後、この表面側からパターンマスク34を通して感光性蛍光体インキ36を露光する。その後、感光性蛍光体インキ36を現像することにより、蛍光体層Rを形成する。同様の工程により、蛍光体層Gおよび蛍光体層Bを順に形成する。
前面基板11としてガラス基板を用意する。ガラス基板の一方の表面をケミカルエッチングあるいはサンドブラストすることにより、ガラス基板表面にφ100μm、ピッチ(間隔)130μm、深さ50μmの複数の凹所を加工する。ガラス基板の凹所が形成された内面に遮光層17を形成する。続いて、ガラス基板の内面上に、遮光層17に重ねて例えば、赤(R)の感光性蛍光体インキをスクリーン印刷で塗布した後、乾燥する。次いで、図8に示すように、前面基板11において、蛍光体層の形成面と反対の表面に、パターンマスク34をセットした後、この表面側からパターンマスク34を通して感光性蛍光体インキ36を露光する。その後、感光性蛍光体インキ36を現像することにより、蛍光体層Rを形成する。同様の工程により、蛍光体層Gおよび蛍光体層Bを順に形成する。
続いて、蛍光体層R、G、Bの上にメタルバック層を形成する。蛍光体層R、G、Bおよびメタルバック層が形成された前面基板11と、電子放出素子18が設けられた背面基板12とをスペーサ14を挟んで互いに封着することにより、SEDの外囲器を形成する。
実施例3
前面基板11としてガラス基板を用意する。ガラス基板の一方の表面を水ガラスをスプレイーあるいは点滴し、ガラス基板表面にφ100μm、ピッチ(間隔)130μm、高さ50μmの複数の凸部を形成する。ガラス基板の凸部が形成された内面に遮光層17を形成する。続いて、ガラス基板の内面上に、遮光層17に重ねて例えば、赤(R)の感光性蛍光体インキをスクリーン印刷で塗布した後、乾燥する。次いで、図8に示すように、前面基板11において、蛍光体層の形成面と反対の表面に、パターンマスク34をセットした後、この表面側からパターンマスク34を通して感光性蛍光体インキを露光する。その後、感光性蛍光体インキを現像することにより、蛍光体層Rを形成する。同様の工程により、蛍光体層Gおよび蛍光体層Bを順に形成する。
前面基板11としてガラス基板を用意する。ガラス基板の一方の表面を水ガラスをスプレイーあるいは点滴し、ガラス基板表面にφ100μm、ピッチ(間隔)130μm、高さ50μmの複数の凸部を形成する。ガラス基板の凸部が形成された内面に遮光層17を形成する。続いて、ガラス基板の内面上に、遮光層17に重ねて例えば、赤(R)の感光性蛍光体インキをスクリーン印刷で塗布した後、乾燥する。次いで、図8に示すように、前面基板11において、蛍光体層の形成面と反対の表面に、パターンマスク34をセットした後、この表面側からパターンマスク34を通して感光性蛍光体インキを露光する。その後、感光性蛍光体インキを現像することにより、蛍光体層Rを形成する。同様の工程により、蛍光体層Gおよび蛍光体層Bを順に形成する。
続いて、蛍光体層R、G、Bの上にメタルバック層を形成する。蛍光体層R、G、Bおよびメタルバック層が形成された前面基板11と、電子放出素子18が設けられた背面基板12とをスペーサ14を挟んで互いに封着することにより、SEDの外囲器を形成する。
比較例として、以下の3種類の前面基板を用いてSEDを形成した。
比較例1
通常加工のガラス基板上に蛍光面を形成し、前面基板を構成した。
比較例2
ガラス基板の表面粗度をRa:0.1μmに加工し、この表面上に蛍光面を形成し、前面基板を構成した。
比較例3
ガラス基板の表面粗度をRa:20μmに加工し、この表面上に蛍光面を形成し、前面基板を構成した。
比較例1
通常加工のガラス基板上に蛍光面を形成し、前面基板を構成した。
比較例2
ガラス基板の表面粗度をRa:0.1μmに加工し、この表面上に蛍光面を形成し、前面基板を構成した。
比較例3
ガラス基板の表面粗度をRa:20μmに加工し、この表面上に蛍光面を形成し、前面基板を構成した。
比較例1のように、通常加工のガラス基板を用いたSED、すなわち、蛍光体形成面に凹凸加工が施されていないガラス基板を用いてSEDの輝度を基準(100%)とした場合、本実施例1、2、3によるSEDは、それぞれ125%、148%、133%の相対輝度が得られ、輝度が向上していることが解った。
逆に、比較例2のように、ガラス基板の蛍光体形成面の表面粗度がRa:0.1μmと低い場合、相対輝度が低下し、また、比較例2のように、ガラス基板の蛍光体形成面の表面粗度がRa:20μmと高過ぎると、相対輝度が低下するとともに、メタルバック層の平滑性が低下することが解った。
このことから、前面基板の蛍光体形成面の表面粗度をRa0.3μm〜10μmとすることにより、輝度の向上を図ることが可能となる。すなわち、蛍光体形成面に重ねて蛍光体層を形成することにより、蛍光体層は蛍光体形成面の凹凸に沿って部分的に凹んだ、あるいは突出した形状となり、その表面積を広くすることができる。従って、蛍光体層の発光面積が増大し、蛍光体の寿命を劣化させることなく輝度を上げることができる。
また、製造時、前面基板の蛍光体形成面と反対側の面からパターンマスクを通して感光性蛍光体インキを露光することにより、蛍光体形成面の凹凸に沿った形状の蛍光体層を形成することができる。従って、大幅な工程追加を行うことなく、輝度の向上したSEDを製造することが可能となる。
本発明は前記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、前記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
例えば、本発明において、各構成要素の寸法、材質等は上述した実施形態に限定されることなく、必要に応じて適宜選択可能である。この発明は、電子源として表面伝導型電子放出素子を用いたものに限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた表示装置、および内部が真空に維持された他の平面表示装置にも適用可能である。
11…前面基板、 12…背面基板、 15…蛍光面、 17…遮光層、
18…電子放出素子、 20…メタルバック層、 R、G、B…蛍光体層、
30…凹所、 32…凸部
18…電子放出素子、 20…メタルバック層、 R、G、B…蛍光体層、
30…凹所、 32…凸部
Claims (7)
- 内面に蛍光体層およびメタルバック層が形成された第1基板と、前記第1基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光体層を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、前記第1基板および第2基板の間に設けられたスペーサと、を備え、
前記第1基板は、少なくとも前記蛍光体層が形成された箇所の表面が凹凸形状に形成され、その表面粗度がRa0.3μm乃至10μmである平面表示装置。 - 内面に蛍光体層およびメタルバック層が形成された第1基板と、前記第1基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光体層を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、前記第1基板および第2基板の間に設けられたスペーサと、を備え、
前記第1基板の内面に複数の凹部が形成され、1つの蛍光体画素に対して凹部が少なくとも1つ以上存在している平面表示装置。 - 前記蛍光体層は、前記第1基板の凹部に沿って、前記第1基板の凹形状中央部分が凹んだ形状に形成されている請求項2に記載の平面表示装置。
- 内面に蛍光体層およびメタルバック層が形成された第1基板と、前記第1基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光体層を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、前記第1基板および第2基板の間に設けられたスペーサと、を備え、
前記第1基板の内面に複数の凸部が形成され、1つの蛍光体画素に対して凸部が少なくとも1つ以上存在している平面表示装置。 - 前記蛍光体層は、第1基板の凸形状に沿って、第1基板の凸形状中央部分がその周囲よりも盛り上がった形状となって形成されている請求項4の平面表示装置。
- 内面に蛍光体層およびメタルバック層が形成された第1基板と、前記第1基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光体層を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、前記第1基板および第2基板の間に設けられたスペーサと、を備えた平面表示装置の製造方法において、
前記第1基板内面に内、少なくとも蛍光層を形成する領域に凹凸を形成し、その表面粗度をRa0.3μm乃至10μmとし、
前記第1基板の内面上に感光性の蛍光体層を形成し、
前記第1基板の蛍光体層形成面の裏面側からマスクパターンを介して前記蛍光体層を露光し、
前記露光された蛍光体層を現像することを特徴とする平面表示装置の製造方法。 - 内面に蛍光体層およびメタルバック層が形成された第1基板と、前記第1基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光体層を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、前記第1基板および第2基板の間に設けられたスペーサと、を備えた平面表示装置の製造方法において、
前記第1基板内面に内、少なくとも蛍光層を形成する領域に凹或いは凸部を少なくとも1画素中1つ以上形成し、
前記第1基板の内面上に感光性の蛍光体層を形成し、
前記第1基板の蛍光体層形成面の裏面側からマスクパターンを介して前記蛍光体層を露光し、
前記露光された蛍光体層を現像することを特徴とする平面表示装置の製造方法。
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