JPH04237994A - 薄膜ｅｌ素子の構造 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の構造Info
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- JPH04237994A JPH04237994A JP3019517A JP1951791A JPH04237994A JP H04237994 A JPH04237994 A JP H04237994A JP 3019517 A JP3019517 A JP 3019517A JP 1951791 A JP1951791 A JP 1951791A JP H04237994 A JPH04237994 A JP H04237994A
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- Japan
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- insulating layer
- layer
- thin film
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- dielectric breakdown
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は薄膜ＥＬ素子の構造に
係り、特に、印加電圧を低減させ、且つ、絶縁破壊強度
を大きくした薄膜ＥＬ素子の構造に関する。
係り、特に、印加電圧を低減させ、且つ、絶縁破壊強度
を大きくした薄膜ＥＬ素子の構造に関する。
【０００２】
【従来技術】従来の薄膜ＥＬ素子の構造としては、例え
ば、第２図に示すように構成したものが知られている。
ば、第２図に示すように構成したものが知られている。
【０００３】この第２図の薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板
１の上に透明電極２をスパッタ等で膜形成して電極パタ
ーンを構成し、次いで、第１の絶縁層３を形成している
。更に、この第１の絶縁層３の上にＺｎＳ：Ｍｎ（硫化
亜鉛）等からなる発光層４を蒸着またはスパッタ等で形
成した後、真空中熱処理を施し、第２の絶縁層５をスパ
ッタ等で形成する。そして、この第２の絶縁層５の上に
背面電極６を形成したものである。
１の上に透明電極２をスパッタ等で膜形成して電極パタ
ーンを構成し、次いで、第１の絶縁層３を形成している
。更に、この第１の絶縁層３の上にＺｎＳ：Ｍｎ（硫化
亜鉛）等からなる発光層４を蒸着またはスパッタ等で形
成した後、真空中熱処理を施し、第２の絶縁層５をスパ
ッタ等で形成する。そして、この第２の絶縁層５の上に
背面電極６を形成したものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】さて、２つの絶縁層３
，５には例えば、 Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５
，ＳｉＯ２，ＳｉＮ４などの常誘電体，若しくは、Ｂ
ａＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３などの強誘電
体が用いられるが、誘電率の低い常誘電体を用いた場合
には絶縁破壊強度は大となるが発光に要する印加電圧を
高くしなければならず、また、強誘電体を用いた場合に
は発光に要する印加電圧を低くすることができるが絶縁
破壊強度が小となるという問題があった。
，５には例えば、 Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５
，ＳｉＯ２，ＳｉＮ４などの常誘電体，若しくは、Ｂ
ａＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３などの強誘電
体が用いられるが、誘電率の低い常誘電体を用いた場合
には絶縁破壊強度は大となるが発光に要する印加電圧を
高くしなければならず、また、強誘電体を用いた場合に
は発光に要する印加電圧を低くすることができるが絶縁
破壊強度が小となるという問題があった。
【０００５】この発明は上記した点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、絶縁破壊強度が大
で、しかも発光に要する印加電圧を低減せしめた薄膜Ｅ
Ｌ素子の構造を提供することにある。
のであり、その目的とするところは、絶縁破壊強度が大
で、しかも発光に要する印加電圧を低減せしめた薄膜Ｅ
Ｌ素子の構造を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の薄膜ＥＬ素子
の構造は、ガラス基板の上に、透明電極と、第１の絶縁
層と、発光層と、第２の絶縁層と、背面電極とを順次積
層した薄膜ＥＬ素子において、前記第１の絶縁層と第２
の絶縁層とを夫々強誘電体の層とＳｉＡｌＯＮの層とで
構成したものである。
の構造は、ガラス基板の上に、透明電極と、第１の絶縁
層と、発光層と、第２の絶縁層と、背面電極とを順次積
層した薄膜ＥＬ素子において、前記第１の絶縁層と第２
の絶縁層とを夫々強誘電体の層とＳｉＡｌＯＮの層とで
構成したものである。
【０００７】
【作用】この発明によれば、第１の絶縁層及び第２の絶
縁層の膜厚の大部分（約９０％）は夫々強誘電体層で構
成されているから駆動電圧は効率よく発光層に加えられ
る。
縁層の膜厚の大部分（約９０％）は夫々強誘電体層で構
成されているから駆動電圧は効率よく発光層に加えられ
る。
【０００８】このため、駆動電圧を下げることが可能に
なる。
なる。
【０００９】また、 ＳｉＡｌＯＮは強誘電体の約５
乃至１０倍の絶縁破壊強度を有するから、膜厚の薄い常
誘電体層を設けることにより所望の絶縁破壊強度を得る
ことができるようになる。
乃至１０倍の絶縁破壊強度を有するから、膜厚の薄い常
誘電体層を設けることにより所望の絶縁破壊強度を得る
ことができるようになる。
【００１０】
【実施例】この発明に係る薄膜ＥＬ素子の構造の実施例
を第１図に基づいて説明する。
を第１図に基づいて説明する。
【００１１】なお、従来例と同一部分には同一符号を付
してその説明を省略する。
してその説明を省略する。
【００１２】図中、７は透明電極２上に形成したこの発
明による第１の絶縁層、８は発光層４上に成膜せしめた
第２の絶縁層である。
明による第１の絶縁層、８は発光層４上に成膜せしめた
第２の絶縁層である。
【００１３】そして、第１の絶縁層７は透明電極２上に
形成した膜厚３００ 乃至８００ オングストロームの
ＳｉＡｌＯＮ （誘電率ε：約８）の常誘電体層７ａ
と、この常誘電体層７ａ上に形成した膜厚４０００乃至
８０００オングストロームで、且つ、ＢａＴｉＯ３，Ｓ
ｒＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３等の強誘電体（ε：１００
以上）からなる強誘電体層７ｂとで構成している。
形成した膜厚３００ 乃至８００ オングストロームの
ＳｉＡｌＯＮ （誘電率ε：約８）の常誘電体層７ａ
と、この常誘電体層７ａ上に形成した膜厚４０００乃至
８０００オングストロームで、且つ、ＢａＴｉＯ３，Ｓ
ｒＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３等の強誘電体（ε：１００
以上）からなる強誘電体層７ｂとで構成している。
【００１４】同様に、第２の絶縁層８は発光層４上に形
成した膜厚３００ 乃至４００ オングストロームの
ＳｉＡｌＯＮ の常誘電体層８ａと、常誘電体層８ａ上
に形成した膜厚４０００乃至８０００オングストローム
で、且つ、ＢａＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３
等の強誘電体からなる強誘電体層８ｂとで構成している
。
成した膜厚３００ 乃至４００ オングストロームの
ＳｉＡｌＯＮ の常誘電体層８ａと、常誘電体層８ａ上
に形成した膜厚４０００乃至８０００オングストローム
で、且つ、ＢａＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３
等の強誘電体からなる強誘電体層８ｂとで構成している
。
【００１５】このように構成した薄膜ＥＬ素子において
、第１の絶縁層７，第２の絶縁層８の膜厚の大部分（こ
の実施例では約９０％）は夫々強誘電体層７ａ，８ａで
構成されているから駆動電圧９は効率よく発光層４に加
えられる。
、第１の絶縁層７，第２の絶縁層８の膜厚の大部分（こ
の実施例では約９０％）は夫々強誘電体層７ａ，８ａで
構成されているから駆動電圧９は効率よく発光層４に加
えられる。
【００１６】このため、薄膜ＥＬ素子の駆動電圧を下げ
ることが可能になる。
ることが可能になる。
【００１７】さて、強誘電体層７ａ，８ａの絶縁破壊強
度は１ＭＶ／ｃｍ，ＳｉＡｌＯＮの絶縁破壊強度は５乃
至１０ＭＶ／ｃｍであるから、常誘電体層７ｂ，８ｂの
膜厚を薄く形成するのみで所望の絶縁破壊強度を得るこ
とができる。
度は１ＭＶ／ｃｍ，ＳｉＡｌＯＮの絶縁破壊強度は５乃
至１０ＭＶ／ｃｍであるから、常誘電体層７ｂ，８ｂの
膜厚を薄く形成するのみで所望の絶縁破壊強度を得るこ
とができる。
【００１８】なお、第１の絶縁層７，第２の絶縁層８の
いずれかの層を強誘電体層と常誘電体層とで構成するよ
うにしてもよいし、また、強誘電体層と常誘電体層の成
膜の順序は必ずしも図示したように成膜する必要はない
。
いずれかの層を強誘電体層と常誘電体層とで構成するよ
うにしてもよいし、また、強誘電体層と常誘電体層の成
膜の順序は必ずしも図示したように成膜する必要はない
。
【００１９】
【発明の効果】この発明に係る薄膜ＥＬ素子の構造によ
れば、上述のように構成したので、発光に要する印加電
圧を低下させることが可能で、且つ、絶縁破壊強度も大
となる。
れば、上述のように構成したので、発光に要する印加電
圧を低下させることが可能で、且つ、絶縁破壊強度も大
となる。
【００２０】このため、素子の信頼性が向上する。
【００２１】また、駆動回路も安価になる。
【図１】この発明に係る薄膜ＥＬ素子の構造の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】従来の実施例の断面図である。
２ 透明電極
７ 第１の絶縁層
８ 第２の絶縁層
７ａ，８ａ 常誘電体層
７ｂ，８ｂ 強誘電体層
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス基板の上に、透明電極と、第１
の絶縁層と、発光層と、第２の絶縁層と、背面電極とを
順次積層した薄膜ＥＬ素子において、前記第１の絶縁層
と第２の絶縁層とをそれぞれ強誘電体の層とＳｉＡｌＯ
Ｎからなるの層とで構成したことを特徴とする薄膜ＥＬ
素子の構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3019517A JPH04237994A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 薄膜ｅｌ素子の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3019517A JPH04237994A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 薄膜ｅｌ素子の構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04237994A true JPH04237994A (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=12001545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3019517A Pending JPH04237994A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 薄膜ｅｌ素子の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04237994A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175294A (ja) * | 1982-04-06 | 1983-10-14 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜発光素子 |
| JPS61269896A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-29 | 株式会社日立製作所 | 薄膜発光素子 |
| JPS63190295A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-05 | アルプス電気株式会社 | 電界発光表示素子 |
-
1991
- 1991-01-18 JP JP3019517A patent/JPH04237994A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175294A (ja) * | 1982-04-06 | 1983-10-14 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜発光素子 |
| JPS61269896A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-29 | 株式会社日立製作所 | 薄膜発光素子 |
| JPS63190295A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-05 | アルプス電気株式会社 | 電界発光表示素子 |
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