JPH0521164A - 薄膜ｅｌパネル - Google Patents
薄膜ｅｌパネルInfo
- Publication number
- JPH0521164A JPH0521164A JP3198618A JP19861891A JPH0521164A JP H0521164 A JPH0521164 A JP H0521164A JP 3198618 A JP3198618 A JP 3198618A JP 19861891 A JP19861891 A JP 19861891A JP H0521164 A JPH0521164 A JP H0521164A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- insulating layer
- panel
- film
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 第２電極と第２絶縁層のそれぞれの特性と組
合せとによって薄膜ＥＬパネルが絶縁破壊したときに生
じる破壊モードを自己回復型とし、配線の断線を防止す
るとともに、第２電極として透明導電膜を用いることが
できる薄膜ＥＬ素子を提供する。 【構成】 ガラス基板１上に第１電極２としてＣｒを成
膜し、第１絶縁層３としてＡｌ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3を積層
し、発光層４の上に第２絶縁層５としてＬａ2Ｏ3、Ａｌ
2Ｏ3を積層し、第２電極６としてＩＴＯを成膜する。Ｌ
ａ2Ｏ3の沸点４２００℃に対し、ＩＴＯの沸点は３３２
７℃であるため、絶縁破壊発生時第２絶縁層より第２電
極が先に蒸発し、放電領域が広がらず、自己回復型の破
壊モードとなる。また、第２電極に透明導電膜を用いた
カラーフィルタ付きマルチカラーＥＬパネルの実現が可
能となる。
合せとによって薄膜ＥＬパネルが絶縁破壊したときに生
じる破壊モードを自己回復型とし、配線の断線を防止す
るとともに、第２電極として透明導電膜を用いることが
できる薄膜ＥＬ素子を提供する。 【構成】 ガラス基板１上に第１電極２としてＣｒを成
膜し、第１絶縁層３としてＡｌ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3を積層
し、発光層４の上に第２絶縁層５としてＬａ2Ｏ3、Ａｌ
2Ｏ3を積層し、第２電極６としてＩＴＯを成膜する。Ｌ
ａ2Ｏ3の沸点４２００℃に対し、ＩＴＯの沸点は３３２
７℃であるため、絶縁破壊発生時第２絶縁層より第２電
極が先に蒸発し、放電領域が広がらず、自己回復型の破
壊モードとなる。また、第２電極に透明導電膜を用いた
カラーフィルタ付きマルチカラーＥＬパネルの実現が可
能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜ＥＬパネルに関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から薄膜ＥＬパネル製作上の問題点
として、画素の破壊によるＡｌ配線の断線が挙げられて
おり、薄膜ＥＬパネルが絶縁破壊するとき、第２電極お
よび第２絶縁膜のそれぞれの特性と組合せとによって、
破壊が進行する伝播型と、破壊が局部的な自己回復型の
２種類の破壊モードがあることが知られている。絶縁破
壊発生時に断線を生じることがなく、信頼性の高いＥＬ
パネルを得るためには、破壊モードが自己回復型である
必要があり、透明電極との反応性、発光層に対する付着
力、破壊モード、耐湿性など絶縁膜材料に要求される各
種特性に基づいて選択した絶縁膜を積層して構成した第
２絶縁層を用いることによって、画素の破壊モードを自
己回復型にすることができることも知られている。
として、画素の破壊によるＡｌ配線の断線が挙げられて
おり、薄膜ＥＬパネルが絶縁破壊するとき、第２電極お
よび第２絶縁膜のそれぞれの特性と組合せとによって、
破壊が進行する伝播型と、破壊が局部的な自己回復型の
２種類の破壊モードがあることが知られている。絶縁破
壊発生時に断線を生じることがなく、信頼性の高いＥＬ
パネルを得るためには、破壊モードが自己回復型である
必要があり、透明電極との反応性、発光層に対する付着
力、破壊モード、耐湿性など絶縁膜材料に要求される各
種特性に基づいて選択した絶縁膜を積層して構成した第
２絶縁層を用いることによって、画素の破壊モードを自
己回復型にすることができることも知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】第２電極としてＡｌを
用いる場合の、第２絶縁膜として適当な材料はいくつか
知られているが、Ａｌ以外の電極材料に対して適当な第
２絶縁膜材料は知られていない。特に、第２電極として
透明導電膜を用いた場合、前記破壊モードは伝播型とな
るため、カラーフィルタを用いたマルチカラー表示ＥＬ
パネルの製作が困難である。
用いる場合の、第２絶縁膜として適当な材料はいくつか
知られているが、Ａｌ以外の電極材料に対して適当な第
２絶縁膜材料は知られていない。特に、第２電極として
透明導電膜を用いた場合、前記破壊モードは伝播型とな
るため、カラーフィルタを用いたマルチカラー表示ＥＬ
パネルの製作が困難である。
【０００４】本発明は上記従来の問題点に着目し、第２
電極として透明導電膜をはじめとしてＡｌ以外の材料を
用いた場合でも、破壊モードが自己回復型であるような
薄膜ＥＬパネルを提供することを目的とする。
電極として透明導電膜をはじめとしてＡｌ以外の材料を
用いた場合でも、破壊モードが自己回復型であるような
薄膜ＥＬパネルを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る薄膜ＥＬパネルは、第２絶縁層を構成す
る少なくとも一つの絶縁膜に、第２電極材料よりも沸点
の高い材料を用いる構成とした。
に本発明に係る薄膜ＥＬパネルは、第２絶縁層を構成す
る少なくとも一つの絶縁膜に、第２電極材料よりも沸点
の高い材料を用いる構成とした。
【０００６】
【作用】上記構成によれば、第２絶縁層を構成する少な
くとも一つの絶縁膜に第２電極より沸点の高い材料を用
いることにしたので、第１電極と第２電極との間で放電
が起こり微小絶縁破壊を生じたとき、第２絶縁膜より沸
点の低い第２電極の方が第２絶縁膜より先に蒸発してし
まう。従って、放電領域が広がらず、自己回復型の破壊
モードとなる。
くとも一つの絶縁膜に第２電極より沸点の高い材料を用
いることにしたので、第１電極と第２電極との間で放電
が起こり微小絶縁破壊を生じたとき、第２絶縁膜より沸
点の低い第２電極の方が第２絶縁膜より先に蒸発してし
まう。従って、放電領域が広がらず、自己回復型の破壊
モードとなる。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明に係る薄膜ＥＬパネルの実施
例について、図面を参照して説明する。 図１は薄膜Ｅ
Ｌパネルの構成を示す断面説明図である。本発明の第１
実施例では、ガラス基板１上に第１電極２としてＣｒを
スパッタリング法で成膜し、これをホトリソグラフィ法
でパターニングした。第１絶縁層３は２種類の薄膜を積
層したもので、 Ａｌ2Ｏ3 からなる第１絶縁膜３ａと、
Ｌａ2Ｏ3からなる第２絶縁膜３ｂとをそれぞれスパッタ
リング法で順次成膜した。次に、発光層４をＺｎＳ：Ｍ
ｎをＭＳＤ法により成膜した。この上に成膜する第２絶
縁層５も２層からなり、Ｌａ2Ｏ3からなる第３絶縁膜５
ａと、 Ａｌ2Ｏ3 からなる第４絶縁膜５ｂとをそれぞれ
スパッタリング法で順次成膜した。最後に、第２電極６
としてＩＴＯをスパッタリング法で成膜し、これをホト
リソグラフィ法でパターニングした。
例について、図面を参照して説明する。 図１は薄膜Ｅ
Ｌパネルの構成を示す断面説明図である。本発明の第１
実施例では、ガラス基板１上に第１電極２としてＣｒを
スパッタリング法で成膜し、これをホトリソグラフィ法
でパターニングした。第１絶縁層３は２種類の薄膜を積
層したもので、 Ａｌ2Ｏ3 からなる第１絶縁膜３ａと、
Ｌａ2Ｏ3からなる第２絶縁膜３ｂとをそれぞれスパッタ
リング法で順次成膜した。次に、発光層４をＺｎＳ：Ｍ
ｎをＭＳＤ法により成膜した。この上に成膜する第２絶
縁層５も２層からなり、Ｌａ2Ｏ3からなる第３絶縁膜５
ａと、 Ａｌ2Ｏ3 からなる第４絶縁膜５ｂとをそれぞれ
スパッタリング法で順次成膜した。最後に、第２電極６
としてＩＴＯをスパッタリング法で成膜し、これをホト
リソグラフィ法でパターニングした。
【０００８】上記の薄膜ＥＬパネルにおいて、第２電極
６として成膜されたＩＴＯの沸点は３３２７℃であり、
第２絶縁層５を形成する第３絶縁膜５ａのＬａ2Ｏ3の沸
点は４２００℃であるため、第１電極２と第２電極６と
の間で放電による微小絶縁破壊が起こったとき、Ｌａ2
Ｏ3より沸点の低いＩＴＯの方が先に蒸発し、放電領域
が広がらない。従って自己回復型の破壊モードとなる。
６として成膜されたＩＴＯの沸点は３３２７℃であり、
第２絶縁層５を形成する第３絶縁膜５ａのＬａ2Ｏ3の沸
点は４２００℃であるため、第１電極２と第２電極６と
の間で放電による微小絶縁破壊が起こったとき、Ｌａ2
Ｏ3より沸点の低いＩＴＯの方が先に蒸発し、放電領域
が広がらない。従って自己回復型の破壊モードとなる。
【０００９】本発明の第２実施例では、第２絶縁層を形
成する第３絶縁膜の材料にＭｇＯを用い、透明導電膜か
らなる第２電極としてＳｎＯ2：Ｓｂ を用いた。また第
３実施例では、第２絶縁層を形成する第３絶縁膜材料と
してＹ2Ｏ3を用いた。
成する第３絶縁膜の材料にＭｇＯを用い、透明導電膜か
らなる第２電極としてＳｎＯ2：Ｓｂ を用いた。また第
３実施例では、第２絶縁層を形成する第３絶縁膜材料と
してＹ2Ｏ3を用いた。
【００１０】上記の他、第３絶縁膜の材料としてＨｆＯ
2，ＢｅＯ を用いてもよい。これらの絶縁膜および第２
電極の沸点は表１に示す通りで、すべて第２電極よりも
第３絶縁膜の沸点が高い。
2，ＢｅＯ を用いてもよい。これらの絶縁膜および第２
電極の沸点は表１に示す通りで、すべて第２電極よりも
第３絶縁膜の沸点が高い。
【表１】
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
２絶縁層を構成する少なくとも一つの絶縁膜に、第２電
極より沸点の高い材料を用いることにより、絶縁破壊が
発生したとき第２電極が第２絶縁層よりさきに蒸発し、
破壊モードは自己回復型となるので、信頼性の高い薄膜
ＥＬパネルを得ることができる。また、第２電極材料の
選択の幅が広がり、たとえば第２電極に透明導電膜を用
いたカラーフィルタ付きのマルチカラーＥＬパネルの実
現が可能となる。
２絶縁層を構成する少なくとも一つの絶縁膜に、第２電
極より沸点の高い材料を用いることにより、絶縁破壊が
発生したとき第２電極が第２絶縁層よりさきに蒸発し、
破壊モードは自己回復型となるので、信頼性の高い薄膜
ＥＬパネルを得ることができる。また、第２電極材料の
選択の幅が広がり、たとえば第２電極に透明導電膜を用
いたカラーフィルタ付きのマルチカラーＥＬパネルの実
現が可能となる。
【図１】薄膜ＥＬパネルの構成を示す断面説明図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ 第１電極 ３ 第１絶縁層 ４ 発光層 ５ 第２絶縁層 ６ 第２電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 薄膜ＥＬパネルにおいて、第２絶縁層を
構成する少なくとも一つの絶縁膜に、第２電極材料より
も沸点の高い材料を用いることを特徴とする薄膜ＥＬパ
ネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3198618A JPH0521164A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 薄膜ｅｌパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3198618A JPH0521164A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 薄膜ｅｌパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521164A true JPH0521164A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16394192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3198618A Pending JPH0521164A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 薄膜ｅｌパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521164A (ja) |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP3198618A patent/JPH0521164A/ja active Pending
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