JP2002151270A - Elランプ - Google Patents

Elランプ

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JP2002151270A
JP2002151270A JP2000338648A JP2000338648A JP2002151270A JP 2002151270 A JP2002151270 A JP 2002151270A JP 2000338648 A JP2000338648 A JP 2000338648A JP 2000338648 A JP2000338648 A JP 2000338648A JP 2002151270 A JP2002151270 A JP 2002151270A
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light
layer
dielectric
lamp
synthetic resin
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Koji Tanabe
功二 田邉
Yosuke Chikahisa
陽介 近久
Naohiro Nishioka
直弘 西岡
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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    • HELECTRICITY
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    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 各種電子機器の照明等に用いられるELラン
プに関し、黒点防止に加え、暗点の発生もし難い、良好
な照光のELランプを提供することを目的とする。 【解決手段】 発光体層11に無機陽イオン交換体12
を分散すると共に、光透過性電極層2と発光体層11の
間に、発光体層11の合成樹脂バインダー3とは相溶性
のない合成樹脂によつて誘電絶縁層13を形成してEL
ランプを構成することによって、黒点防止に加え、暗点
の発生もし難い、良好な照光のELランプを得ることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子機器の表
示部や操作部の照明等に用いられるELランプに関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】近年、各種電子機器の高機能化や多様化
が進む中、その表示部や操作部等の照光にELランプが
多く使用されるようになっている。
【0003】このような従来のELランプについて、図
2及び図3を用いて説明する。
【0004】図2は従来のELランプの断面図であり、
同図において、1はポリエチレンテレフタレート等の透
明な絶縁フィルムで、この上面の全面にスパッタ法また
は電子ビーム法、或いは酸化インジウム錫等を分散した
透明合成樹脂を印刷して、光透過性電極層2が形成され
ている。
【0005】そして、この上に、合成樹脂バインダー3
に発光の母材となる硫化亜鉛等の蛍光体4を分散させた
発光体層5や、同じく合成樹脂バインダーにチタン酸バ
リウム等を分散させた誘電体層6、誘電体層6に接続さ
れた銀やカーボンレジン系の背面電極層7、エポキシ樹
脂やポリエステル樹脂等の絶縁層8が順次重ねて印刷形
成されて、ELランプが構成されている。
【0006】以上の構成において、ELランプを電子機
器に装着し、電子機器の回路(図示せず)から光透過性
電極層2と背面電極層7の間に交流電圧を印加すると、
発光体層5の蛍光体4が発光し、この光が電子機器の表
示パネルやLCD等を後方から照光するように構成され
ている。
【0007】また、上記構成において、高い湿度の中で
ELランプを発光させた場合に、この湿気と印加電圧に
よって、発光体層5の合成樹脂バインダー3内に合成樹
脂バインダー3が炭化した、所謂黒点が発生して照光を
阻害することを防ぐため、硫化亜鉛等の蛍光体4には一
般に、酸化アルミニウムや酸化チタン、酸化ケイ素等の
金属酸化物や、窒化アルミニウム等の防湿被膜4Aが施
されている。
【0008】しかし、この蛍光体4への被膜は、図3
(a)の部分断面図に示すように、蛍光体4に防湿被膜
4Aを被覆する際、複数の蛍光体4が凝集していると、
この凝集境界部9には防湿被膜4Aが被覆されなかった
り、或いは図3(b)に示すように、蛍光体4と合成樹
脂バインダー3を溶剤に混合したペーストの状態で攪拌
する際に、蛍光体4同士の衝突によって防湿被膜4Aが
はがれ蛍光体4が露出する場合があり、これによって高
湿度中で蛍光体4からイオンが溶出し発光体層5の絶縁
性が劣化して、黒点が発生し易くなるという課題があっ
た。
【0009】このため、出願人は特願2000−196
109において、発光体層5内に無機陽イオン交換体を
分散し、高湿度中で蛍光体から溶出したイオンを、発光
体層内の無機陽イオン交換体が捕捉することによって、
防湿被膜の被覆が不充分な蛍光体を用いても、高湿度中
での発光体層の絶縁性を維持し、黒点の発生し難いEL
ランプの提案を行った。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記EL
ランプにおいては、携帯電話等の数V〜十数Vの電圧が
印加される通常の電子機器に用いられる場合には問題は
ないが、特にスパッタ法等によって酸化インジウム錫等
の薄膜で光透過性電極層が形成され、蛍光体の防湿被覆
が不充分なものを、数十V或いは100V等の電圧を印
加して高輝度で長時間点灯した場合、消灯時には見えな
いが点灯時に部分的に周囲よりも暗い点、所謂暗点が発
生し易くなるという課題があった。
【0011】本発明は、このような課題を解決するもの
であり、黒点防止に加え、暗点の発生もし難い、良好な
照光が得られるELランプを提供することを目的とす
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、以下の構成を有するものである。
【0013】本発明の請求項1に記載の発明は、発光体
層を合成樹脂バインダーと蛍光体及び無機陽イオン交換
体によって形成すると共に、光透過性電極層と発光体層
の間に、発光体層の合成樹脂バインダーとは相溶性のな
い合成樹脂によって誘電絶縁層を形成してELランプを
構成したものであり、黒点防止に加え、暗点の発生もし
難い、良好な照光のELランプを得ることができるとい
う作用を有する。
【0014】請求項2に記載の発明は、請求項1記載の
発明において、誘電絶縁層をシアノ系樹脂、または誘電
率が100以上の高誘電性無機粉体を分散させたシアノ
系樹脂で構成したものであり、誘電絶縁層を高誘電性と
することによって、低誘電率の発光体層に集中的に電圧
が印加されるため、高輝度のELランプを得ることがで
きるという作用を有する。
【0015】請求項3に記載の発明は、請求項1記載の
発明において、誘電絶縁層の膜厚を0.1〜20μmと
したものであり、暗点の発生を防止すると共に、輝度の
低下も少ないELランプが得られるという作用を有す
る。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図1を用いて説明する。
【0017】なお、従来の技術の項で説明した構成と同
一構成の部分には同一符号を付して、詳細な説明を省略
する。
【0018】(実施の形態)図1は本発明の一実施の形
態によるELランプの断面図であり、同図において、1
はポリエチレンテレフタレートやポリイミド等の光透過
性の絶縁フィルムで、この上面の全面にスパッタ法また
は電子ビーム法等によって、酸化インジウム錫からなる
光透過性電極層2が形成されている。
【0019】そして、11はフッ素ゴム等の合成樹脂バ
インダー3に発光の母材となる硫化亜鉛等の蛍光体4を
分散させた発光体層で、蛍光体4には酸化アルミニウム
や酸化チタン、酸化ケイ素等の金属酸化物や、窒化アル
ミニウム等の防湿被膜4Aが施されると共に、発光体層
11内には蛍光体4に加え、アンチモン酸やリン酸塩、
ケイ酸塩、ゼオライト等の無機陽イオン交換体12が分
散されている。
【0020】また、13は光透過性の誘電絶縁層で、シ
アノ系樹脂、または誘電率が100以上の高誘電性無機
粉体を分散させたシアノ系樹脂等の、発光体層の合成樹
脂バインダーとは相溶性のない合成樹脂によって、光透
過性電極層2と発光体層11の間に、膜厚0.1〜20
μmで印刷形成されている。
【0021】さらに、発光体層11の上に、高誘電性の
合成樹脂バインダーにチタン酸バリウム等の高誘電性無
機充填体を分散させた誘電体層6、誘電体層6に接続さ
れた銀やカーボンレジン系の背面電極層7、エポキシ樹
脂やポリエステル樹脂等の絶縁層8が、順次重ねて印刷
形成されてELランプが構成されている。
【0022】以上の構成において、ELランプを電子機
器に装着し、電子機器の回路(図示せず)からEL素子
の光透過性電極層2と背面電極層7の間に交流電圧を印
加すると、発光体層11の蛍光体4が発光し、この光が
電子機器の表示パネルやLCD等を後方から照光するよ
うに構成されている。
【0023】このようなELランプの具体的な製作方法
と、その特性について説明する。
【0024】先ず、厚さ125μmのポリエチレンテレ
フタレート(PET)の絶縁フィルム1上に、酸化イン
ジウム錫を厚さ30nmにスパッタし、光透過性電極層
2を形成した後、順次重ねて以下の印刷を行った。
【0025】光透過性電極層2上に、N−メチルピロリ
ドンに固形分30%で溶解したシアノプルラン樹脂(信
越化学製CR−M)ペーストを、所定パターンで350
メッシュステンレススクリーンで印刷した後、100℃
で30分乾燥し、膜厚1.6μmの誘電絶縁層13を形
成した。
【0026】なお、誘電絶縁層13については上記以外
に、同様に、シアノプルラン樹脂の固形分率やスクリー
ンのメッシュを変更したり、数回重ね印刷を行って、
(表1)にNo.1〜10で示すように、十種類の膜厚
のものを制作した。
【0027】次に、この上に、2エトキシエトキシエタ
ノールに溶解した合成樹脂バインダー3としてのフッ素
ゴム(デュポン社製バイトンA)100重量%に対し、
無機陽イオン交換体12として五酸化アンチモン・水和
物粉末を、30重量%添加しロールミルで分散したペー
スト50gと、窒化アルミニウムの防湿被膜4Aが被覆
された蛍光体4(オスラムシルバニア社製ANE43
0)200gとを攪拌混合した後、所定パターンの20
0メッシュステンレススクリーンで印刷し、100℃で
30分間乾燥して発光体層11を形成した。
【0028】なお、発光体層11についても上記以外
に、同様に、無機陽イオン交換体12の添加重量%を変
更して、(表2)に示すように、No.5及びNo.1
1〜19の九種類のものを制作した。
【0029】続いて、この発光体層11上に、2エトキ
シエトキシエタノールに溶解したフッ素ゴム(デュポン
社製バイトンA)22重量%に、高誘電性無機充填体の
チタン酸バリウム粉末(堺化学株式会社製BT−05)
78重量%等を分散した誘電体ペーストを、所定パター
ンの100メッシュステンレススクリーンで印刷し、発
光体層11と同一条件で乾燥して誘電体層6を形成し
た。
【0030】さらに、誘電体層6上に、カーボンペース
ト(東洋紡株式会社製DW−250H)を所定パターン
の200メッシュステンレススクリーンで印刷し、15
5℃で30分間乾燥して背面電極層7を形成した。
【0031】最後に、絶縁レジスト(藤倉化成株式会社
製XB−804)を所定パターンの200メッシュステ
ンレススクリーンで印刷し、155℃で30分間乾燥し
て絶縁層8を形成した。
【0032】
【表1】
【0033】以上のように製作したNo.1〜10のE
Lランプについて、(表1)に示すように、100V4
00Hzでの初期輝度(Cd/m2)を製作後一日放置
した後で測定し、これらを25℃65%RH湿度槽中に
100V400Hzで1000時間連続点灯した後、槽
から取り出して30分後に輝度を測定して、高湿度中で
輝度の変化を示す輝度保持率を比較評価した。
【0034】また、各々のELランプの暗点発生の有無
とそのレベルを、○(暗点の発生が無い)、○△(暗点
が僅かに発生しているレベル)、△(暗点がムラに見え
るくらいのレベル)、×(発生ムラになる程度に暗点が
発生)とした判定基準で、目視により比較評価した。
【0035】この結果、(表1)から明らかなように、
誘電絶縁層13が形成されていないNo.1や、膜厚が
0.1μm以下であるNo.2に比べ、誘電絶縁層13
の膜厚が厚くなるに従って、暗点が発生しなくなると共
に、輝度保持率が大きく、つまり、輝度の変化が少なく
なっている。
【0036】但し、誘電絶縁層13の膜厚が厚くなるに
従って、初期輝度は少しずつ低下し、20μmを超える
No.10の場合は、他と比べて初期輝度が約1/3に
低下している。
【0037】
【表2】
【0038】同様に、No.5及びNo.11〜19の
ELランプについても、100V400Hzでの初期輝
度(Cd/m2)を測定し、40℃95%RH湿度槽中
に100V400Hzで240時間連続点灯した後、輝
度の変化を示す輝度保持率と、黒点発生の有無とそのレ
ベルを、○(黒点の発生が無い)、○△(黒点が少し発
生しているがφ1mm以下で少ないレベル)、△(発生
した黒点がφ1mm以下で中くらいのレベル)、×(φ
1mm以上またはφ1mm以下で無数ともいえる黒点が
発生)とした判定基準で、目視により比較評価した。
【0039】この結果、(表2)から明らかなように、
誘電絶縁層13の膜厚を一定とした場合には、発光体層
11内への無機陽イオン交換体12の添加量が多くなる
に従って、輝度保持率が大きくなると共に、黒点が発生
し難くなっている。
【0040】このように本実施の形態によれば、発光体
層11に無機陽イオン交換体12を分散すると共に、光
透過性電極層2と発光体層11の間に誘電絶縁層13を
形成してELランプを構成することによって、黒点防止
に加え、暗点の発生もし難い、良好な照光のELランプ
を得ることができるものである。
【0041】そして、誘電絶縁層13をシアノ系樹脂、
または誘電率が100以上の高誘電性無機粉体を分散さ
せたシアノ系樹脂で構成することによって、誘電絶縁層
13が高誘電性となり、低誘電率の発光体層11に集中
的に電圧が印加されるため、高輝度のELランプを得る
ことができる。
【0042】さらに、誘電絶縁層13の膜厚を0.1〜
20μmとすることによって、暗点の発生を防止すると
共に、輝度の低下も少ないELランプが得られる。
【0043】なお、以上の説明では、誘電絶縁層13の
合成樹脂として、シアノプルラン樹脂を用いた場合につ
いて説明したが、これ以外にも、シアノエチルプルラン
やシアノエチルセルロース、或いはシアノ化シュクロー
ス等の多糖類の合成樹脂等を用いても、本発明の実施は
可能である。
【0044】また、これらシアノ系樹脂に、例えば誘電
率300の酸化チタンや誘電率3000のチタン酸バリ
ウム、誘電率6000のチタン酸ジルコン酸バリウム等
の、誘電率が100以上の高誘電性無機粉体を分散させ
たものとしても、実施が可能である。
【0045】さらに、発光体層11の無機陽イオン交換
体12として、五酸化アンチモン・水和物粉末、所謂ア
ンチモン酸を使用した場合について説明したが、これに
代えて、リン酸チタン等のリン酸塩系、ケイ酸塩系やゼ
オライト、或いは市販されている東亜合成化学工業
(株)製のIXE−100〜400等の、他の無機陽イ
オン交換体を用いても、陽イオン交換能を有するもので
あれば、同様の効果を得ることができる。
【0046】また、発光体層11の蛍光体4として、窒
化アルミニウムの防湿被膜4Aが被覆されたオスラムシ
ルバニア社製ANE430を用いて説明したが、これ以
外にも、例えばオスラムシルバニア社製のCJタイプ等
の、酸化アルミニウムや酸化チタン、酸化ケイ素等の金
属酸化物で被覆されたもの、或いは防湿被膜4Aが施さ
れていないオスラムシルバニア社製の#723等の蛍光
体を用いても、同様の効果を得ることができる。
【0047】さらに、発光体層11の合成樹脂バインダ
ー3として、フッ素ゴムを使用した場合について説明し
たが、これ以外にも、ポリエステル系やフェノキシ系、
エポキシ系、或はアクリル系等の合成樹脂バインダーを
用いてもよい。
【0048】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、黒点防止
に加え、暗点の発生もし難い、良好な照光のELランプ
を得ることができるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態によるELランプの断面
【図2】従来のELランプの断面図
【図3】同蛍光体の部分断面図
【符号の説明】
1 絶縁フィルム 2 光透過性電極層 3 合成樹脂バインダー 4 蛍光体 4A 防湿被膜 6 誘電体層 7 背面電極層 8 絶縁層 11 発光体層 12 無機陽イオン交換体 13 誘電絶縁層
フロントページの続き (72)発明者 西岡 直弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB11 CA06 CB01 DA04 DA05 DB02 EA02 EA03 EB04 EB05 EC01

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光透過性の絶縁フィルムと、この全面或
    いは所定の箇所に順次重ねて形成された光透過性電極層
    及び発光体層、誘電体層、背面電極層からなり、上記発
    光体層が少なくとも合成樹脂バインダーと蛍光体及び無
    機陽イオン交換体から構成されると共に、上記光透過性
    電極層と発光体層の間に、発光体層の合成樹脂バインダ
    ーとは相溶性のない合成樹脂によって誘電絶縁層を形成
    したELランプ。
  2. 【請求項2】 誘電絶縁層をシアノ系樹脂、または誘電
    率が100以上の高誘電性無機粉体を分散させたシアノ
    系樹脂で構成した請求項1記載のELランプ。
  3. 【請求項3】 誘電絶縁層の膜厚を0.1〜20μmと
    した請求項1記載のELランプ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008065984A (ja) * 2006-09-04 2008-03-21 Shin Etsu Polymer Co Ltd Elシートおよび押釦スイッチ用カバー部材
US7547566B2 (en) 2003-06-26 2009-06-16 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002015872A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd El素子
TW545079B (en) * 2000-10-26 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
CN100425103C (zh) * 2001-03-29 2008-10-08 富士胶片株式会社 电致发光器件
ATE406081T1 (de) 2002-12-20 2008-09-15 Ifire Ip Corp Passivierter aluminiumnitrid-phosphor für elektrolumineszenzanzeigen
US20050067952A1 (en) * 2003-09-29 2005-03-31 Durel Corporation Flexible, molded EL lamp
US7812522B2 (en) * 2004-07-22 2010-10-12 Ifire Ip Corporation Aluminum oxide and aluminum oxynitride layers for use with phosphors for electroluminescent displays
CN100400465C (zh) * 2004-08-25 2008-07-09 日本碍子株式会社 电介质组成物及电介质膜元件
GB0500268D0 (en) * 2005-01-07 2005-02-16 Pelikon Ltd Electroluminescent displays
KR20060113190A (ko) * 2005-04-29 2006-11-02 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 소자
JP5469059B2 (ja) * 2007-05-18 2014-04-09 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン 弾性積層接着剤によって保護された有機電子デバイス
DK2378529T3 (da) * 2008-12-22 2021-08-09 Daikin Ind Ltd Sammensætning til dannelse af højdielektrisk film til filmkondensator
JP7161100B2 (ja) * 2018-09-25 2022-10-26 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4458177A (en) * 1980-12-22 1984-07-03 General Electric Company Flexible electroluminescent lamp device and phosphor admixture therefor
US4440831A (en) * 1981-06-30 1984-04-03 International Business Machines Corporation Zinc silicate phosphor particles and method for making them
JPH0524154Y2 (ja) * 1987-11-30 1993-06-18
JPH0750632B2 (ja) * 1988-06-10 1995-05-31 シャープ株式会社 薄膜el素子
JPH0255026A (ja) * 1988-08-18 1990-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 自走式掃除機のティーチング方式とその表示パネル
KR910001849B1 (ko) * 1988-10-26 1991-03-28 삼성전관 주식회사 El 소자
JPH02259726A (ja) * 1989-03-31 1990-10-22 Toshiba Corp 透明導電性フィルム、分散型elパネルおよび液晶表示装置
US5036249A (en) * 1989-12-11 1991-07-30 Molex Incorporated Electroluminescent lamp panel and method of fabricating same
KR940001183B1 (ko) * 1991-01-31 1994-02-16 주식회사 신평물산 후막형 전계발광소자
US5352951A (en) * 1991-06-03 1994-10-04 Bkl, Inc. Electroluminescent device
JPH05182765A (ja) * 1992-01-06 1993-07-23 Kohjin Co Ltd 分散型el素子用バインダー並びに分散型el素子
JP2773654B2 (ja) * 1994-08-12 1998-07-09 関西日本電気株式会社 電界発光灯およびその製造方法
JP2851546B2 (ja) * 1994-12-01 1999-01-27 サンスター技研株式会社 有機分散型エレクトロルミネッセンス素子および該素子に用いる反射絶縁層用組成物
JP2749008B2 (ja) * 1995-10-30 1998-05-13 アルプス電気株式会社 エレクトロルミネッセント素子の製造方法
US5985176A (en) * 1997-12-04 1999-11-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of preparing high brightness, shorter persistence zinc orthosilicate phosphor
JPH11214164A (ja) * 1998-01-28 1999-08-06 Oji Paper Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子用透明導電性フィルム
TW420965B (en) * 1998-07-14 2001-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dispersion-type electroluminescence element
JP2000150153A (ja) * 1998-11-06 2000-05-30 Alps Electric Co Ltd 多色エレクトロルミネッセンス素子
DE10031556A1 (de) 2000-06-28 2002-01-10 Tenovis Gmbh & Co Kg Verfahren zur Zugangsprüfung bei Einwahl über eine PSS1/QSIG-Leitung in eine Telekommunikationsanlage
JP2002015872A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd El素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7547566B2 (en) 2003-06-26 2009-06-16 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
JP2008065984A (ja) * 2006-09-04 2008-03-21 Shin Etsu Polymer Co Ltd Elシートおよび押釦スイッチ用カバー部材

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