JPH11214164A - エレクトロルミネッセンス素子用透明導電性フィルム - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子用透明導電性フィルムInfo
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Landscapes
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- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージレスエレクトロルミネッセンス素
子として、高湿雰囲気下でインバーターを用いて、連続
点灯しても長時間安定して性能を保持し、高輝度、低消
費電力等の性能を有し、発光体層との密着性の良いエレ
クトロルミネッセンス素子用透明導電性フィルムを提供
する。 【解決手段】 透明高分子フィルムと、その少なくとも
一面上に、酸化スズ（ＳｎＯ2）を３〜１５重量％含有
する酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3）−酸化スズ（ＳｎＯ
2）焼結体からなる厚みが１００〜５００Åの透明導電
層、誘電率１０以上のシアノアルキル変性フッ素系樹脂
からなる厚み（ｘ）が３〜１０μｍの高誘電率樹脂層を
順次積層してなる。
子として、高湿雰囲気下でインバーターを用いて、連続
点灯しても長時間安定して性能を保持し、高輝度、低消
費電力等の性能を有し、発光体層との密着性の良いエレ
クトロルミネッセンス素子用透明導電性フィルムを提供
する。 【解決手段】 透明高分子フィルムと、その少なくとも
一面上に、酸化スズ（ＳｎＯ2）を３〜１５重量％含有
する酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3）−酸化スズ（ＳｎＯ
2）焼結体からなる厚みが１００〜５００Åの透明導電
層、誘電率１０以上のシアノアルキル変性フッ素系樹脂
からなる厚み（ｘ）が３〜１０μｍの高誘電率樹脂層を
順次積層してなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、エレクトロルミ
ネッセンス（以下、ＥＬという）素子用電極に用いられ
る透明導電性フィルム（以下、ＥＬ用透明導電性フィル
ムという）に関し、特に発光体層との密着性が良く、Ｅ
Ｌ素子として高湿雰囲気下で、連続点灯しても不点灯部
の発生の少ないＥＬ用透明導電性フィルムに関するもの
である。
ネッセンス（以下、ＥＬという）素子用電極に用いられ
る透明導電性フィルム（以下、ＥＬ用透明導電性フィル
ムという）に関し、特に発光体層との密着性が良く、Ｅ
Ｌ素子として高湿雰囲気下で、連続点灯しても不点灯部
の発生の少ないＥＬ用透明導電性フィルムに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】 従来、ＥＬ素子用透明電極としては、
一般的に、ポリエステルフィルムやポリエーテルサルホ
ンフィルム等の高分子フィルム表面の片面もしくは両面
に、酸化インジウム、酸化スズあるいはこれらの混合物
からなる透明導電層を真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法等の成膜方法により形成したも
のが用いられている。
一般的に、ポリエステルフィルムやポリエーテルサルホ
ンフィルム等の高分子フィルム表面の片面もしくは両面
に、酸化インジウム、酸化スズあるいはこれらの混合物
からなる透明導電層を真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法等の成膜方法により形成したも
のが用いられている。
【０００３】特に、防湿層のないパッケージレスタイプ
のＥＬ素子は、例えば図１に示すように、透明導電層上
に発光体層、誘電体層、背面電極層を順次積層して作製
されている。従来の防湿層のあるタイプのＥＬ素子に比
べ、製品の厚みを約１／４に薄型化でき、また防湿層の
ヒートシール部がなくなるので小型化できる等の特徴が
あり、腕時計や目覚まし時計の文字板照明、小型液晶用
バックライトとして広く利用されている。
のＥＬ素子は、例えば図１に示すように、透明導電層上
に発光体層、誘電体層、背面電極層を順次積層して作製
されている。従来の防湿層のあるタイプのＥＬ素子に比
べ、製品の厚みを約１／４に薄型化でき、また防湿層の
ヒートシール部がなくなるので小型化できる等の特徴が
あり、腕時計や目覚まし時計の文字板照明、小型液晶用
バックライトとして広く利用されている。
【０００４】透明導電層の膜厚を５００〜１０００Åの
透明導電性フィルムを使用したパッケージレスＥＬ素子
は高湿雰囲気下で連続点灯しても不点灯部が発生しな
い。しかしながら、透明導電層の膜厚が５００Å以下の
透明導電性フィルムを使用したパッケージレスタイプの
ＥＬ素子は、高湿雰囲気下でインバーターを用いて連続
点灯した場合、点状に不点灯部が発生し、発光輝度が低
下して最終的に全面不点灯となる問題を有している。
透明導電性フィルムを使用したパッケージレスＥＬ素子
は高湿雰囲気下で連続点灯しても不点灯部が発生しな
い。しかしながら、透明導電層の膜厚が５００Å以下の
透明導電性フィルムを使用したパッケージレスタイプの
ＥＬ素子は、高湿雰囲気下でインバーターを用いて連続
点灯した場合、点状に不点灯部が発生し、発光輝度が低
下して最終的に全面不点灯となる問題を有している。
【０００５】一方、発光体層との密着性がよい高誘電率
樹脂を厚く塗工すれば、不点灯部の個数が少なくなる
が、ＥＬ素子の損失係数が高くなるため、消費電流が高
くなる問題を有している。
樹脂を厚く塗工すれば、不点灯部の個数が少なくなる
が、ＥＬ素子の損失係数が高くなるため、消費電流が高
くなる問題を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】 本発明の目的は、上
記のような従来の透明導電性フィルムが有する問題を解
消し、パッケージレスタイプＥＬ素子として、高湿雰囲
気下でインバーターを用いて、連続点灯しても長時間安
定して性能を保持し、高輝度、低消費電力等の性能を有
し、発光体層との密着性の良いＥＬ用透明導電性フィル
ムを提供することにある。
記のような従来の透明導電性フィルムが有する問題を解
消し、パッケージレスタイプＥＬ素子として、高湿雰囲
気下でインバーターを用いて、連続点灯しても長時間安
定して性能を保持し、高輝度、低消費電力等の性能を有
し、発光体層との密着性の良いＥＬ用透明導電性フィル
ムを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】 本発明に係るＥＬ用透
明導電性フィルムは、透明高分子フィルムと、その少な
くとも一面上に、酸化スズ（ＳｎＯ2）を３〜１５重量
％含有する酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）−酸化スズ（Ｓ
ｎＯ2）焼結体からなる厚みが１００〜５００Åの透明
導電層、誘電率１０以上のシアノアルキル変性フッ素系
樹脂からなる厚み（ｘ）が３〜１０μｍの高誘電率樹脂
層を順次積層してなることを特徴とするものである。
明導電性フィルムは、透明高分子フィルムと、その少な
くとも一面上に、酸化スズ（ＳｎＯ2）を３〜１５重量
％含有する酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）−酸化スズ（Ｓ
ｎＯ2）焼結体からなる厚みが１００〜５００Åの透明
導電層、誘電率１０以上のシアノアルキル変性フッ素系
樹脂からなる厚み（ｘ）が３〜１０μｍの高誘電率樹脂
層を順次積層してなることを特徴とするものである。
【０００８】本発明に係るＥＬ用透明導電性フィルム
は、前記高誘電率樹脂層上に発光体層を設け、その高誘
電率樹脂層の厚み（ｘ）は、前記発光体層の厚み（ｙ）
とｘ＋ｙ≦５３μｍ（ただしｙ＝２５〜５０μｍであ
る。）の関係を有するものである。
は、前記高誘電率樹脂層上に発光体層を設け、その高誘
電率樹脂層の厚み（ｘ）は、前記発光体層の厚み（ｙ）
とｘ＋ｙ≦５３μｍ（ただしｙ＝２５〜５０μｍであ
る。）の関係を有するものである。
【０００９】また本発明に係るＥＬ用透明導電性フィル
ムの高誘電率樹脂層を形成するシアノアルキル変性フッ
素系樹脂が、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニ
ル、ポリフッ化ビニリデン−６フッ化プロピレン共重合
体、ポリフッ化ビニリデン−６フッ化プロピレン−４フ
ッ化エチレン三元共重合体、４フッ化エチレン−プロピ
レン共重合体、ポリ（２，２，２−トリフルオロエチル
ビニルエーテル）から選ばれた少なくとも１種のフッ素
系樹脂のシアノアルキル変性物である。
ムの高誘電率樹脂層を形成するシアノアルキル変性フッ
素系樹脂が、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニ
ル、ポリフッ化ビニリデン−６フッ化プロピレン共重合
体、ポリフッ化ビニリデン−６フッ化プロピレン−４フ
ッ化エチレン三元共重合体、４フッ化エチレン−プロピ
レン共重合体、ポリ（２，２，２−トリフルオロエチル
ビニルエーテル）から選ばれた少なくとも１種のフッ素
系樹脂のシアノアルキル変性物である。
【００１０】さらに本発明に係るＥＬ用透明導電性フィ
ルムは、前記透明導電層が、圧力勾配型放電方式による
イオンプレーティング法によって形成されたものであ
る。
ルムは、前記透明導電層が、圧力勾配型放電方式による
イオンプレーティング法によって形成されたものであ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】 透明高分子フィルムの材料とし
ては、耐熱性を有する透明な高分子フィルムであれば特
に制限はなく、１００℃以上においても耐熱性を有する
ものが好ましく、たとえばポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタ
レート、ポリオレフィン、ポリアミド、芳香族ポリアミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエー
テルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリアリレート、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリフェニレンオキサイド、ポリパラバン酸、ポリ
カーボネート等が例示できる。
ては、耐熱性を有する透明な高分子フィルムであれば特
に制限はなく、１００℃以上においても耐熱性を有する
ものが好ましく、たとえばポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタ
レート、ポリオレフィン、ポリアミド、芳香族ポリアミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエー
テルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリアリレート、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリフェニレンオキサイド、ポリパラバン酸、ポリ
カーボネート等が例示できる。
【００１２】また透明導電性フィルムの厚さは、２５〜
２５０μｍが好ましく、より好ましくは５０〜２００μ
ｍである。
２５０μｍが好ましく、より好ましくは５０〜２００μ
ｍである。
【００１３】上記の透明高分子フィルム上に密着性向上
のため、予めコロナ放電処理、表面改質を行うプラズマ
処理やサンドブラストを用い粗面化処理等の表面処理、
または有機系樹脂による公知のアンカーコート処理を施
してもよい。
のため、予めコロナ放電処理、表面改質を行うプラズマ
処理やサンドブラストを用い粗面化処理等の表面処理、
または有機系樹脂による公知のアンカーコート処理を施
してもよい。
【００１４】前記透明導電性フィルムの表面に形成する
透明導電層には、金、銀、銅、酸化インジウム（Ｉｎ2
Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、または酸化インジウムに
３〜１５重量％の酸化スズを含有する焼結体（以下、Ｉ
ＴＯという）を用いることができるが、特に酸化インジ
ウムに３〜１５重量％の酸化スズを含有する焼結体であ
るＩＴＯが、本発明に好ましく用いられる。また透明導
電層の厚さは、１００〜５００Åの範囲が好ましい。厚
さが５００Åより大であると、成膜速度が低下し、コス
ト高になることがあり、一方、厚さが１００Å未満であ
ると、連続膜とならないことがある。
透明導電層には、金、銀、銅、酸化インジウム（Ｉｎ2
Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、または酸化インジウムに
３〜１５重量％の酸化スズを含有する焼結体（以下、Ｉ
ＴＯという）を用いることができるが、特に酸化インジ
ウムに３〜１５重量％の酸化スズを含有する焼結体であ
るＩＴＯが、本発明に好ましく用いられる。また透明導
電層の厚さは、１００〜５００Åの範囲が好ましい。厚
さが５００Åより大であると、成膜速度が低下し、コス
ト高になることがあり、一方、厚さが１００Å未満であ
ると、連続膜とならないことがある。
【００１５】透明電極層の形成法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ある
いはＣＶＤ法等既知の各種成膜法が上げられる。なかで
もＥＬ用透明導電性フィルムの透明電極層は基材との密
着性も重要であることから、陰極と陽極の間に中間電極
を設けて、陰極側の真空度と陽極側の真空度との間に圧
力勾配をもたせて行う圧力勾配型放電方式によるイオン
プレーティング法は、透明電極層と基材の密着性が極め
て強いのみならず、１００〜２００Å／ｓｅｃ程度と成
膜材料の蒸発量が多く、従来の真空蒸着法やスパッタリ
ング法に比べてイオン化効率が高く、大面積での加工で
数十倍〜数百倍の成膜速度が得られるため生産性が高
く、低温で成膜できるためフィルム面上であっても低抵
抗膜の作製が可能であり、さらに得られる透明導電層が
高平滑度かつ非晶質であって酸エッチング速度が速いな
どの利点があり、好ましい。
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ある
いはＣＶＤ法等既知の各種成膜法が上げられる。なかで
もＥＬ用透明導電性フィルムの透明電極層は基材との密
着性も重要であることから、陰極と陽極の間に中間電極
を設けて、陰極側の真空度と陽極側の真空度との間に圧
力勾配をもたせて行う圧力勾配型放電方式によるイオン
プレーティング法は、透明電極層と基材の密着性が極め
て強いのみならず、１００〜２００Å／ｓｅｃ程度と成
膜材料の蒸発量が多く、従来の真空蒸着法やスパッタリ
ング法に比べてイオン化効率が高く、大面積での加工で
数十倍〜数百倍の成膜速度が得られるため生産性が高
く、低温で成膜できるためフィルム面上であっても低抵
抗膜の作製が可能であり、さらに得られる透明導電層が
高平滑度かつ非晶質であって酸エッチング速度が速いな
どの利点があり、好ましい。
【００１６】このような透明導電層の表面上に設ける高
誘電率樹脂層としては、ＥＬ素子の発光体層用バインダ
ーとの密着性及び絶縁性が良く、薄層化の可能な誘電率
１０以上のフッ素系樹脂を用いることが好ましい。誘電
率１０未満の場合には、誘電損失が大きく、消費電流が
高くなり、ＥＬ素子の不点灯部が発生することがある。
誘電率樹脂層としては、ＥＬ素子の発光体層用バインダ
ーとの密着性及び絶縁性が良く、薄層化の可能な誘電率
１０以上のフッ素系樹脂を用いることが好ましい。誘電
率１０未満の場合には、誘電損失が大きく、消費電流が
高くなり、ＥＬ素子の不点灯部が発生することがある。
【００１７】本発明に用いられる高誘電率樹脂層は、炭
素数１〜１０のシアノアルキル基で変性したものであ
り、変性対象となるフッ素系樹脂としては、ポリフッ化
ビニリデン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン
−６フッ化プロピレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン
−６フッ化プロピレン−４フッ化エチレン三元共重合
体、４フッ化エチレン−プロピレン共重合体、ポリ
（２、２、２−トリフルオロエチルビニルエーテル）か
ら選ばれた少なくとも１種を用いることが好ましく、こ
れらは単独または２種類以上を組み合わせて用いること
ができる。
素数１〜１０のシアノアルキル基で変性したものであ
り、変性対象となるフッ素系樹脂としては、ポリフッ化
ビニリデン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン
−６フッ化プロピレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン
−６フッ化プロピレン−４フッ化エチレン三元共重合
体、４フッ化エチレン−プロピレン共重合体、ポリ
（２、２、２−トリフルオロエチルビニルエーテル）か
ら選ばれた少なくとも１種を用いることが好ましく、こ
れらは単独または２種類以上を組み合わせて用いること
ができる。
【００１８】高湿雰囲気下で不点灯の発生しやすい透明
導電層の厚さが５００Å以下の時、高誘電率樹脂層の厚
さ（ｘ）は、３〜１０μｍとするのが好ましい。３μｍ
未満の場合には高湿雰囲気下で不点灯部が発生しやす
く、一方、１０μｍより厚くなるとＥＬ素子の消費電流
が高くなるという悪影響を及ぼすことがある。
導電層の厚さが５００Å以下の時、高誘電率樹脂層の厚
さ（ｘ）は、３〜１０μｍとするのが好ましい。３μｍ
未満の場合には高湿雰囲気下で不点灯部が発生しやす
く、一方、１０μｍより厚くなるとＥＬ素子の消費電流
が高くなるという悪影響を及ぼすことがある。
【００１９】さらに発光体層の厚み（ｙ）は、２５〜５
０μｍとするのが好ましい。２５μｍ未満の場合には発
光輝度が低下し、一方、５０μｍより厚くなるとＥＬ素
子の消費電流が高くなるという悪影響を及ぼすことがあ
る。
０μｍとするのが好ましい。２５μｍ未満の場合には発
光輝度が低下し、一方、５０μｍより厚くなるとＥＬ素
子の消費電流が高くなるという悪影響を及ぼすことがあ
る。
【００２０】また、前記高誘電率樹脂層の厚み（ｘ）
と、発光体層の厚み（ｙ）との関係はｘ＋ｙ≦５３μｍ
が好ましい。５３μｍより厚い場合、ＥＬ素子の消費電
流が高くなるという悪影響を及ぼすことがある。
と、発光体層の厚み（ｙ）との関係はｘ＋ｙ≦５３μｍ
が好ましい。５３μｍより厚い場合、ＥＬ素子の消費電
流が高くなるという悪影響を及ぼすことがある。
【００２１】高誘電率樹脂層に用いるシアノアルキル変
性フッ素系樹脂は、アセトン、メチルエチルケトン、ジ
メチルホルムアミド、エチルセロソルブアセテート、ブ
チルセロソルブアセテート、シクロヘキサノンなどの有
機溶剤に溶解して塗工溶液とし、この塗工溶液をロール
コーター、グラビアコーター、バーコーター等により透
明導電層の表面上に塗工し、乾燥する。
性フッ素系樹脂は、アセトン、メチルエチルケトン、ジ
メチルホルムアミド、エチルセロソルブアセテート、ブ
チルセロソルブアセテート、シクロヘキサノンなどの有
機溶剤に溶解して塗工溶液とし、この塗工溶液をロール
コーター、グラビアコーター、バーコーター等により透
明導電層の表面上に塗工し、乾燥する。
【００２２】
【実施例】 以下に実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、本発明はこれによって限定されるもので
はない。
に説明するが、本発明はこれによって限定されるもので
はない。
【００２３】実施例１ 厚さ１２５μｍのポリエチレンテレフタレート基材上に
ＳｎＯ2を５重量％含むＩＴＯ焼結体を圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ３００Åの透
明導電層を形成した。次いで、下記のシアノエチル化ポ
リフッ化ビニリデン−６フッ化プロピレン共重合体（誘
電率１９）からなる塗工液を、膜厚３μｍとなるように
透明導電層の表面上にグラビアロールコーターにて塗工
し、１００℃で２分間乾燥して高誘電率樹脂層を形成し
た。
ＳｎＯ2を５重量％含むＩＴＯ焼結体を圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ３００Åの透
明導電層を形成した。次いで、下記のシアノエチル化ポ
リフッ化ビニリデン−６フッ化プロピレン共重合体（誘
電率１９）からなる塗工液を、膜厚３μｍとなるように
透明導電層の表面上にグラビアロールコーターにて塗工
し、１００℃で２分間乾燥して高誘電率樹脂層を形成し
た。
【００２４】 （高誘電率樹脂層用塗工液） シアノエチル化ポリフッ化ビニリデン−６フッ化プロピレン共重合体 ５重量部 エチルセロソルブアセテート ９５重量部
【００２５】このようにして得られたＥＬ用透明導電性
フィルムのＩＴＯ膜厚、高誘電率樹脂層の厚さ、発光体
層の厚さを表１に示した。次いで、下記の発光体層用塗
工液を、膜厚２５μｍとなるように透明導電層の表面上
にスクリーン印刷し、１２０℃で３０分間乾燥し、発光
体層を形成した。 （発光体層用塗工液） ポリフッ化ビニリデン−６フッ化プロピレン共重合体 １５重量部 硫化亜鉛 ４５重量部 エチルセロソルブアセテート ６０重量部
フィルムのＩＴＯ膜厚、高誘電率樹脂層の厚さ、発光体
層の厚さを表１に示した。次いで、下記の発光体層用塗
工液を、膜厚２５μｍとなるように透明導電層の表面上
にスクリーン印刷し、１２０℃で３０分間乾燥し、発光
体層を形成した。 （発光体層用塗工液） ポリフッ化ビニリデン−６フッ化プロピレン共重合体 １５重量部 硫化亜鉛 ４５重量部 エチルセロソルブアセテート ６０重量部
【００２６】さらに、下記の誘電体層用塗工液を、膜厚
１０μｍとなるように発光体層の表面上にスクリーン印
刷し、１２０℃で３０分間乾燥し、誘電体層を形成し
た。 （誘電体層用塗工液） ポリフッ化ビニリデン−６フッ化プロピレン共重合体 １５重量部 チタン酸バリウム ４５重量部 エチルセロソルブアセテート ６０重量部
１０μｍとなるように発光体層の表面上にスクリーン印
刷し、１２０℃で３０分間乾燥し、誘電体層を形成し
た。 （誘電体層用塗工液） ポリフッ化ビニリデン−６フッ化プロピレン共重合体 １５重量部 チタン酸バリウム ４５重量部 エチルセロソルブアセテート ６０重量部
【００２７】さらに、前記のように形成した誘電体層の
上に、カーボンペースト（日本アチソン社製、商標：Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｄａｇ ５０５ＳＳ）を厚さ１０μｍとな
るようにスクリーン印刷し、１２０℃で６０分間乾燥し
て、背面電極層を形成した。
上に、カーボンペースト（日本アチソン社製、商標：Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｄａｇ ５０５ＳＳ）を厚さ１０μｍとな
るようにスクリーン印刷し、１２０℃で６０分間乾燥し
て、背面電極層を形成した。
【００２８】このようにして作製した２ｃｍ×５ｃｍサ
イズのパッケージレスＥＬ素子を作製し、以下の評価を
行なった。
イズのパッケージレスＥＬ素子を作製し、以下の評価を
行なった。
【００２９】発光輝度は、パッケージレスＥＬ素子を１
００Ｖ、４００Ｈｚの交流電源で発光させ、輝度計によ
り測定した。発光輝度の目標値は、パッケージレスＥＬ
素子を腕時計や携帯機器に搭載したときに十分な明るさ
である６０ｃｄ／ｍ2以上とした。
００Ｖ、４００Ｈｚの交流電源で発光させ、輝度計によ
り測定した。発光輝度の目標値は、パッケージレスＥＬ
素子を腕時計や携帯機器に搭載したときに十分な明るさ
である６０ｃｄ／ｍ2以上とした。
【００３０】電流密度は、パッケージレスＥＬ素子を１
００Ｖ、４００Ｈｚの交流電源で発光させた時の電流値
より算出した。電流密度は、０．２０ｍＡ／ｃｍ2以下
であれば、実用上問題ない。
００Ｖ、４００Ｈｚの交流電源で発光させた時の電流値
より算出した。電流密度は、０．２０ｍＡ／ｃｍ2以下
であれば、実用上問題ない。
【００３１】また、不点灯部の発生状況は、４０℃、９
０％ＲＨの雰囲気下、１００Ｖ、４００Ｈｚの交流電源
で４８時間点灯させ、発光面に０．５ｍｍ以上の不点灯
部の個数を数え、評価した。不点灯部が全く発生してい
ないものを○、不点灯部が１〜５個未満のものを△、不
点灯部が５個以上のものを×とした。
０％ＲＨの雰囲気下、１００Ｖ、４００Ｈｚの交流電源
で４８時間点灯させ、発光面に０．５ｍｍ以上の不点灯
部の個数を数え、評価した。不点灯部が全く発生してい
ないものを○、不点灯部が１〜５個未満のものを△、不
点灯部が５個以上のものを×とした。
【００３２】また、透明導電層と発光体層の密着性は、
ＪＩＳ Ｋ ５４００の碁盤目テープ法により評価し
た。はがれが全くないものを○、はがれの面積が３５％
未満のものを△、はがれの面積が３５％以上のものを×
とした。
ＪＩＳ Ｋ ５４００の碁盤目テープ法により評価し
た。はがれが全くないものを○、はがれの面積が３５％
未満のものを△、はがれの面積が３５％以上のものを×
とした。
【００３３】実施例２ 実施例１の発光体層の厚みを５０μｍとする以外、実施
例１と同様にＥＬ素子を作製し評価した。
例１と同様にＥＬ素子を作製し評価した。
【００３４】実施例３ 実施例１の高誘電率樹脂層の塗工厚さを１０μｍとする
以外、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し評価した。
以外、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し評価した。
【００３５】実施例４ 実施例１の高誘電率樹脂層の塗工厚さを１０μｍとし、
発光体層の厚みを４３μｍとする以外、実施例１と同様
にＥＬ素子を作製し評価した。
発光体層の厚みを４３μｍとする以外、実施例１と同様
にＥＬ素子を作製し評価した。
【００３６】比較例１ 実施例１の高誘電率樹脂層の塗工厚さを２μｍとする以
外、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し評価した。
外、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し評価した。
【００３７】比較例２ 実施例１の発光体層の厚みを２４μｍとする以外、実施
例１と同様にＥＬ素子を作製し評価した。
例１と同様にＥＬ素子を作製し評価した。
【００３８】比較例３ 実施例１の発光体層の厚みを５１μｍとする以外、実施
例１と同様にＥＬ素子を作製し評価した。
例１と同様にＥＬ素子を作製し評価した。
【００３９】比較例４ 実施例１の高誘電率樹脂層の塗工厚さを１１μｍとする
以外、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し評価した。
以外、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し評価した。
【００４０】比較例５ 実施例１の高誘電率樹脂層の塗工厚さを１０μｍとし、
発光体層の厚みを４４μｍとする以外、実施例１と同様
にＥＬ素子を作製し評価した。
発光体層の厚みを４４μｍとする以外、実施例１と同様
にＥＬ素子を作製し評価した。
【００４１】
【表１】
【００４２】表１の結果からも明らかなように、実施例
１〜４のＥＬ用透明導電性フィルムは、不点灯部が発生
せず、発光体層の密着性が良好であり、発光輝度も高
い。一方、比較例１は高誘電率層樹脂の厚みが２μｍと
薄く、ＥＬ素子の発光体面に不点灯部が発生し、比較例
２は、ＥＬ素子の発光体面に不点灯部は発生しないが、
発光体層の厚みが２４μｍと薄いため、発光輝度が５
４．６ｃｄ／ｍ2と低くなった。比較例3〜５は、ＥＬ素
子の発光体面に不点灯部は発生しないが、電流密度が
０．２０ｍＡ／ｃｍ2より大きくなった。
１〜４のＥＬ用透明導電性フィルムは、不点灯部が発生
せず、発光体層の密着性が良好であり、発光輝度も高
い。一方、比較例１は高誘電率層樹脂の厚みが２μｍと
薄く、ＥＬ素子の発光体面に不点灯部が発生し、比較例
２は、ＥＬ素子の発光体面に不点灯部は発生しないが、
発光体層の厚みが２４μｍと薄いため、発光輝度が５
４．６ｃｄ／ｍ2と低くなった。比較例3〜５は、ＥＬ素
子の発光体面に不点灯部は発生しないが、電流密度が
０．２０ｍＡ／ｃｍ2より大きくなった。
【００４３】以上詳しく説明した通り、本発明によって
ＥＬ用透明導電性フィルムと発光体層との密着性が良好
であり、しかもＥＬ素子の発光体面に不点灯部が発生し
ないことが確認された。
ＥＬ用透明導電性フィルムと発光体層との密着性が良好
であり、しかもＥＬ素子の発光体面に不点灯部が発生し
ないことが確認された。
【００４４】
【発明の効果】 本発明のＥＬ用透明導電性フィルム
は、特に、ＥＬ用電極として使用した場合、透明導電層
上の高誘電率樹脂層により、発光体層との密着性を高め
ることができ、かつ高湿度雰囲気下でＥＬを連続点灯し
ても、ＥＬ素子の発光体面に不点灯部が発生しない耐久
性の格段に優れたＥＬを得ることができる。
は、特に、ＥＬ用電極として使用した場合、透明導電層
上の高誘電率樹脂層により、発光体層との密着性を高め
ることができ、かつ高湿度雰囲気下でＥＬを連続点灯し
ても、ＥＬ素子の発光体面に不点灯部が発生しない耐久
性の格段に優れたＥＬを得ることができる。
【図１】パッケージレスＥＬ素子の断面図である。
１．背面電極層 ２．誘電体層 ３．発光体層 ４．透明導電層 ５．基材 ６．高誘電率樹脂層 ７．ＥＬ用透明導電性フィルム
Claims (4)
- 【請求項１】 透明高分子フィルムと、その少なくとも
一面上に、酸化スズ（ＳｎＯ2）を３〜１５重量％含有
する酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）−酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ2）焼結体からなる厚みが１００〜５００Åの透明導
電層、誘電率１０以上のシアノアルキル変性フッ素系樹
脂からなる厚み（ｘ）が３〜１０μｍの高誘電率樹脂層
を順次積層してなることを特徴とするエレクトロルミネ
ッセンス素子用透明導電性フィルム。 - 【請求項２】 前記高誘電率樹脂層上に発光体層を設
け、その高誘電率樹脂層の厚み（ｘ）は、前記発光体層
の厚み（ｙ）とｘ＋ｙ≦５３μｍ（ただしｙ＝２５〜５
０μｍである。）の関係を有する請求項１記載のエレク
トロルミネッセンス素子用透明導電性フィルム。 - 【請求項３】 前記シアノアルキル変性フッ素系樹脂
が、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、ポリフ
ッ化ビニリデン−６フッ化プロピレン共重合体、ポリフ
ッ化ビニリデン−６フッ化プロピレン−４フッ化エチレ
ン三元共重合体、４フッ化エチレン−プロピレン共重合
体、ポリ（２，２，２−トリフルオロエチルビニルエー
テル）から選ばれた少なくとも１種のフッ素系樹脂のシ
アノアルキル変性物である請求項１又は２記載のエレク
トロルミネッセンス素子用透明導電性フィルム。 - 【請求項４】 前記透明導電層が、圧力勾配型放電方式
によるイオンプレーティング法によって形成されたもの
である請求項１〜３のいずれか１項記載のエレクトロル
ミネッセンス素子用透明導電性フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10015206A JPH11214164A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | エレクトロルミネッセンス素子用透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10015206A JPH11214164A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | エレクトロルミネッセンス素子用透明導電性フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214164A true JPH11214164A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11882408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10015206A Pending JPH11214164A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | エレクトロルミネッセンス素子用透明導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214164A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1206167A2 (en) * | 2000-11-07 | 2002-05-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | El element |
| JP2003509817A (ja) * | 1999-09-03 | 2003-03-11 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 導電性ポリマー緩衝層を有する大面積有機電子デバイスおよびその製造方法 |
| WO2005122651A1 (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子及び表示装置 |
-
1998
- 1998-01-28 JP JP10015206A patent/JPH11214164A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003509817A (ja) * | 1999-09-03 | 2003-03-11 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 導電性ポリマー緩衝層を有する大面積有機電子デバイスおよびその製造方法 |
| EP1206167A2 (en) * | 2000-11-07 | 2002-05-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | El element |
| EP1206167A3 (en) * | 2000-11-07 | 2003-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | El element |
| US6741028B2 (en) | 2000-11-07 | 2004-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | EL element with dielectric insulation layer |
| WO2005122651A1 (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子及び表示装置 |
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