JP2008524853A - 改善された安定性、輝度および効率を備えた有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ） - Google Patents

Abstract

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）（１００）は、発光効率及び作動寿命を改善するために、アノード（１０４）と正孔輸送層（１０６）との間に配置された比較的薄いダイアモンド状カーボン（ＤＬＣ）層（１１４）を含む。比較的薄いＤＬＣ層（１１４）は、正孔注入を抑制し、チャージフローのバランスをとり、効率を改善し、増加した作動寿命に寄与するアノード（１０４）の表面平滑性を増大させる。

Description

本発明は、一般的に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に関し、特に、本ＯＬＥＤに関して安定性、輝度および効率を改善するダイヤモンド状炭素の層を含むポリマーベースＯＬＥＤ（ＰＬＥＤ）に関する。

近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）がだんだん重要になってきている。これは、少なくとも一部については、例えば、マルチカラー、自己発光フラットパネルディスプレイを含む種々の製品に使用されるＯＬＥＤに関する技術的な可能性に帰するものである。ＯＬＥＤは、他の発光デバイスよりも種々の利点がある。これらのいくつかの俚諺は、広いレンジのカラー発光能力、比較的低い電圧（例えば、３Ｖより小）での作動可能能力、広視野角、および、高コントラストを含む。

典型的なＯＬＥＤは、アノード、カソード、および、アノードとカソードとの間に配置された少なくとも２つの有機材料層を含む。多くのＯＬＥＤにおいてアノードは、Indium Tin Oxide（ＩＴＯ）のような比較的高い仕事関数材料からなり、カソードは典型的には、カルシウム（Ｃａ）のような比較的低い仕事関数材料からなる。典型的なＯＬＥＤにおける有機材料層は、正孔を輸送することができる能力を有する材料からなり、かくして典型的には、正孔輸送層と呼ばれる。別の有機材料層は典型的には、電子を輸送することができる能力を有する材料からなり、かくして、典型的には電子輸送層と呼ばれる。電子輸送層はまた、発光媒体（または発光層）としても機能する。別の実施形態では、正孔輸送層と電子輸送層との間に追加の発光層を配置することができる。別のケースでは、ＯＬＥＤが適当にバイアスされたとき、アノードは正孔（正電荷キャリア）を正孔輸送層に注入し、カソードは電子を電子輸送層に注入する。注入された正孔と電子はそれぞれ、反対の電荷電極に向かって移動する。電子とホールが同じ分子で局在化するとき、フレンケル励起子が形成され、可視光が発光される。

ＯＬＥＤは、携帯電話およびディジタルカメラようのディスプレィのようにいくつかの商業用用途に既に現れているが、デバイス安定性、色度、および、発光効率という相反する影響における種々の問題を解決する一定の挑戦が依然として続けられている。例えば、Indium Tin Oxide（ＩＴＯ）のような所定の材料からなるアノードの表面粗さは、多くの現在のＯＬＥＤのダークスポット、品質低下、および、結果として生ずる故障の形成に寄与する。このように、アノード表面を修正することによりＯＬＥＤを改善するために著しい努力が払われている。試みられてきたアノード表面修正技術のいくつかの例は、化学処理、ＵＶオゾン処理、酸素プラズマ処理、並びに、機械的研磨及びアニーリングを含む。これらの表面処理に加えて、アノード表面粗さに関する相反するインパクトについて、種々の他のアプローチが、試みられている。これらの他のアプローチは、アノード表面上のＣｕＰｃ、ＬｉＦ、プラチナ、ＳｉＯ２、酸化金属、または、パリレンのような材料のそうを堆積することを含む。かかる処理及び修正が、ＩＴＯアノードからの正孔注入を効果的にし、ＯＬＥＤの発光効率を改善するけれども、これらの処理及び修正は、ＯＬＥＤの寿命を改善するのには十分ではない。

かくして、高い発光効率および長い寿命のような適当なパフォーマンスを示すＯＬＥＤの必要性があり、その結果、ＯＬＥＤは比較的高い要求で使用されうる。本発明は、少なくともこの必要性に沿う。

本発明は、改善された安定性、輝度、および効率を備えたＯＬＥＤを提供する。ある実施形態では、単なる例示として、有機発光ダイオードは、アノード、ダイアモンド状カーボン（ＤＬＣ）層、有機正孔輸送層、有機発光層、およびカソードを有する。ＤＬＣ層は、アノードの上に配置され、約１０ｎｍよりも薄い厚さを有する。有機正孔輸送層は、ＤＬＣ層の上に配置され、有機発光層は、正孔輸送層の上に配置され、カソードは、有機発光層の上に配置される。

別の実施形態では、有機発光ダイオードは、基板と、アノードと、正四面体アモルファスカーボン（ｔａ−Ｃ）層と、有機正孔輸送層と、有機発光層と、カソードとを有する。アノードは、基板の上に配置され、ｔａ−Ｃ層はアノードの上に配置され、有機正孔輸送層はｔａ−Ｃ層の上に配置され、有機発光層は正孔輸送層の上に配置され、カソードは有機発光層の上に配置される。

本件発明の以下の詳細な説明は、単に例示的なものであり、本発明を制限するものではない。更に、先に述べた本発明の背景または本発明の以下の詳細な説明に示したいかなる理論にも拘束されない。

図１を参照すると、本発明の実施形態による有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の簡略化した断面図が示されている。ＯＬＥＤ１００は、基板１０２を有し、その上に配置された異なる複数の材料のそうを有する。包含されたこれらの層は、アノード１０４，有機正孔輸送層１０６，有機発光層１０８，および、カソード１１０である。基板１０２は、ガラスから形成されるのが好ましいが、クオーツ、セラミック、透明プラスチック、合成樹脂、または、他のいかなる可撓性の透明なプラスチック基板のような、他の光学的に透明または実質的に透明な材料から形成されてもよい。変形実施形態では、基板１０６は、例えば、可撓性スンレススチールホイルのような固いまたは可撓性のいずれかの不透明な材料から形成されても良い。後者のケースでは、頂部の発光ＯＬＥＤアーキテクチャは、透明なカソードを介して放出された光を引き出すのに使用される。

アノード１０４は、基板１０２の上に直接配置され、適切な電圧に接続されたとき正孔供給するように機能する。記載された実施形態では、アノード１０４は、約６０ｎｍの暑さを備えたIndium Tin Oxide（ＩＴＯ）からなる。しなしながら、アノード１０４は、現在しされておりまたは将来開発される他の種々の陽極材料のいずれからなってもよい。アノード１０４に関して用いられ得る他の材料は、例えば、種々の金属がドープされた酸化錫、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、種々の金属がドープされたＺｎＯ、金、銀、パラジウム、シリコン、伝導性カーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールのようなπ−共役ポリマー、または、光学的に透明、又は、ＯＬＥＤ１００によって発光された光が見えるように少なくとも十分に透明な他の種々の伝導性陽極材料を含む。アノード１０４に関して使用される特定の材料の厚さは、所定の特性を達成するために変化しうることは明らかである。

名前が暗示するように、有機正孔輸送層（ＨＴＬ）１０６は、アノード１０４によって供給された正孔を転送することができる能力がある有機材料である。記載された実施形態では、有機正孔輸送層１０６は、約２０ｎｍの厚さを備えたポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）であり、また、現在知られておりまたは将来開発されうる他の如何なる有機材料であっても良く、所望の特性を達成するのに他の層の厚さが使用されても良い。例えば、正孔輸送層１０６は、種々の他の水溶性ポリマー材料から形成されても良い。

名前が暗示するように、有機発光層（ＥＬ）１０８は、エレクトロルミネセンス発光を生成するように機能する。しかし、この機能に加え、有機発光層はまた、電子を輸送することができる電子輸送層としても機能する。記載された実施形態では、有機発光層１０８は、約９０ｎｍの厚さを備えたpoly（p-phenylen vynelene)（ＰＰＶ）からなる。しかしながら、有機発光層１０８は、電子輸送及び電子発光特性を示す現在知られておりまたは将来開発される種々の如何なる有機材料であっても良く、発光層１０８の厚さは、所定の特性を達成するために変化して良い。現在知られている適切な材料の例では、polyfluorene（ＰＦＯ）シリーズの材料を含む。更に、別の実施形態では図２に示したように、ＯＬＥＤ２００は、別々の有機電子輸送層２０２と別々の有機発光層２０４とを含み得る。
かかる実施形態では、有機発光層２０４は、有機正孔輸送層１０６と有機電子輸送層２０２との間に配置される。

カソード１１０は、有機発光層１０８内に電子を注入するのに用いられ、比較的低い仕事関数を備えた材料からなるのが好ましい。記載された実施形態では、カソード１１０は、約５ｎｍの厚さを備えたカルシウム（Ｃａ）を有する。これは単なる例示であり、現在知られておりまたは将来開発される他の適当な材料を含み、他の適当なカソードの厚さも利用することができる。他の適当な材料の例として、インジウム、アルミニウム、バリウムおよび、マグネシウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、又は、Ｍｇ：Ａｇ，Ｌｉ：Ａｌ，Ｍｇ：Ａｌ，Ｃａ：Ａｇ、Ｃａ：Ａｌ、Ｂａ：Ａｇ、および、Ｂａ：Ａｌのような他の合金材料などを含むがこれらに限定されるものではない。特定の材料及び厚さは、所定の特性を達成するのに変化しうる。

図１及び２に更に示されているように、ＯＬＥＤ１００は、カソード１１０条に排斥された保護層１１２を更に含む。保護層１１２は、種々のタイプの材料からなりうる。記載された実施形態では、保護層１１２は、銀（Ａｇ）からなり、約２００ｎｍの厚さを有する。保護層１１２として他の適当な材料を使用することができ、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、高い伝導度及び反射率を備えた合金材料（Ｍｇ：Ａｇ，Ｍｇ：Ａｌ，Ｃａ：Ａｇ）を含んでも良いが、これらに限定されるものではない。保護層１１２の厚さは２００ｎｍに限定されず、所定の特性を達成するのに変化しうる。種々の他の実施形態では、ＯＬＥＤ１００，２００は、全体として保護層１１２なしで実装されうる。

上述したＯＬＥＤ１００，２００を構成する各コンポーネントに加え、ＯＬＥＤ１００，２００は、ダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）１１４の比較的薄い層を更に有する。ＤＬＣ１１４は、アノード１０４と正孔輸送層１０６との間の基板上に配置される。種々のタイプのＤＬＣが知られているけれども、用いられるＤＬＣの特定の好ましいタイプは、正四面体アモルファスカーボン（ｔａ−Ｃ）である。一般的に知られているように、正四面体アモルファスカーボンは、比較的高い割合（例えば、＞８０％）のｓｐ^３結合を有する。この比較的高いｓｐ^３により、ｔａ−Ｃは比較的高い堅さ、化学的不活性背、および、高い電気抵抗を示す。ｔａ−Ｃ層１１４は、以下により詳細に示すように堆積されたとき、固有の電子的、機械的および光学的特性を示し、比較的スムースであり、可視光領域から赤外光領域のレンジの周波数を備えた光に対して実質的に透明である。

上述の記載から、図１に示された好ましいＯＬＥＤ１００は、一般的にアノード／ＤＬＣ／ＨＴＬ／ＥＬ／カソードという構成を有する。更に上述したように、これらの材料層の各々の特定の材料および厚さは変化して良いが、しかし、調査及び比較目的のために用いられる特定のＯＬＥＤ構成は、ＩＴＯ（６０ｎｍ）／ｔａ−Ｃ／ＰＥＤＯＴ（２０ｎｍ）／ＰＰＶ（９０ｎｍ）／Ｃａ（５ｎｍ）／Ａｇ（２００ｎｍ）である。この特定の構成を使用することにより、異なるｔａ−Ｃ層１１４の厚さを各々備えた５つのＯＬＥＤ１００が作られ、そしてテストされ、そして、ｔａ−Ｃ層１１４を備えず同じ方法を用いて作られたＯＬＥＤと比較する。これらの各々のＯＬＥＤが作られる特定の方法をまず最初に記載し、次いで、そのテストの結果を詳細に示す。

６０ｎｍ厚さの層のＩＴＯ１０４で被覆され、５０Ω／平方センチメートルのシート抵抗を備えたガラス基板１０２を最初に用意する。次いで、ＩＴＯ被覆された基板を、好ましくは、超音波バス内でアセトン、エタノールのような有機溶媒を使用して洗浄する。次いで、洗浄されたＩＴＯ被覆基板を、好ましくは脱イオン水でリンスし、次いで、好ましくは窒素のような不活性ガスを使用して乾燥させる。その後、ＩＴＯ被覆された基板をプレチャンバ内でアルゴン−プラズマクリーニングさせる。

いったんＩＴＯ被覆基板を洗浄すると、次いで、ｔａ−Ｃ層１１４をＩＴＯ１０４の上に堆積させる。好ましくは、ｔａ−Ｃ層１１４は、フィルタ型カソード真空アーク（ＦＣＶＡ）蒸着装置を使用して、室温で堆積させる。一般的に知られているように、ＦＣＶＡ蒸着装置は、種々のマクロ粒子および中立的な原子を含む、プラズマビームを放射するようにカソーディックアークスポットを使用する。かくして、ＦＣＶＡ蒸着装置は、好ましくないマクロ粒子および中立的な原子を除去するために磁気フィルタリング技術を採用する。特に、ＦＶＣＡ装置は、好ましくないマクロ粒子および中立的な原子をフィルタリングする横方向に作用する磁界を生成し、その結果、良好に確定したエネルギ範囲内のインだけがＩＴＯ被覆基板に到達する。

上で言及したように、５つの異なる厚さのｔａ−Ｃ層１１４は、５つの異なるＩＴＯ被覆基板上に堆積される。ｔａ−Ｃ層の厚さは、６．０ｎｍ，３．０ｎｍ，１．０ｎｍ，０．５ｎｍおよび０．３ｎｍである。所望の層の厚さに対する堆積に続き、各ｔａ−Ｃ層１１４の表面形態および粗さは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）技術を使用して判断される。ＡＦＭ画像は、１μｍ×１μｍの領域の上で得られる。比較のために、ＡＦＭ画像はまた、ｔａ−Ｃ堆積なしのＩＴＯ被覆基板に関して５μｍ×５μｍの領域の上でも得られる。これらの例の各々の表面粗さデータを表１にまとめた。

表１
ｔａ−Ｃ厚さ(nm) ピーク間粗さ(nm) ＲＭＳ粗さ(nm) 平均粗さ(nm)
６．０ １４．５６５ １．６４４ １．２６０
３．０ １０．９９３ １．３１３ １．０４３
１．０ ６．６８５ ０．７２２ ０．５３６
０．５ ８．９１１ ０．９７８ ０．７２４
０．３ １９．１０１ １．５４２ １．１３９
０．０ ２６．８５８ １．８７３ １．６８

所望の厚さに対するｔａ−Ｃ層１１４の堆積に続いて、ＰＥＤＯＴ層１０６およびＰＰＶ層１０８を、ＩＴＯ被覆基板の各々の上に堆積させる。特定の好ましい実施形態によれば、２０ｎｍ厚のＰＥＤＯＴ層１０６および９０ｎｍ厚のＰＰＶ層１０８が、在来のスピンコータを使用して各ｔａ−Ｃ層１１４の上にそれぞれスピンコートされる。その後、５ｎｍ厚のＣａ（９９．５％）カソードおよび２００ｎｍ厚の銀（９９．９９％）保護層１１２を、２．０×１０^−６トールの圧力でEdwards Auto 306システムを使用して、シャドウマスクを介して熱蒸着を介して各ＰＰＶ層１０８の上に堆積させる。

上述の方法を使用して作られた６つのＯＬＥＤ１００は、約２×２ｍｍ^２の発光領域を各々有する。各ＯＬＥＤ１００は、作動電圧の関数としてその電流密度、輝度、および、電流効率を判断し、一定電流で作動時間の関数としてその輝度減衰を判断するようにテストされる。これらのテストの各々の結果を、図３乃至６にグラフで示し、以下により詳細に記載する。

まず、図３に関して、ＯＬＥＤの各々に関するしきい値電圧は、実質的に均等であり、０．３ｎｍの厚さのｔａ−Ｃ層を備えたＯＬＥＤだけが、標準ＯＬＥＤ（即ち、ｔａ−Ｃ層を有しないＯＬＥＤ）よりも高い電流密度のＯＬＥＤであることがわかる。このことは、０．３ｎｍ厚のｔａ−Ｃ層を備えたＯＬＥＤに関する増加した電流注入は、トンネリングのためではないことを示す。むしろ、極薄ｔａ−Ｃ層（例えば、≦０．３ｎｍの厚さ）が連続しないので、０．３ｎｍ厚のｔａ−Ｃ層ＯＬＥＤによって示された増加した電流密度は、ＩＴＯ層上のｔａ−Ｃのアイランドの間に形成されたナノ構造界面のためであると考えられる。さらに、これらのナノ構造界面は、均一なｔａ−Ｃ／ＩＴＯ界面よりも高い電流密度を注入すると考えられる。かくして、連続で、均一なｔａ−Ｃ／ＩＴＯ界面であり、０．５ｎｍまたはそれより厚い厚さのｔａ−Ｃ層を備えたＯＬＥＤは、標準ＯＬＥＤのものよりも低い電流密度を有する。

上記の記載および図３のグラフから、極薄ｔａ−Ｃ層（例えば、≦０．３ｎｍ）は、アノード１０２からの正孔注入を増大させるのに対して、いくぶん厚いｔａ−Ｃ層（例えば、≧０．５ｎｍ）は、アノード１０２からの正孔注入を抑制する。それにもかかわらず、図４では、０．５ｎｍ厚の厚いｔａ−Ｃ層を備えたＯＬＥＤは、０．３ｎｍ厚のｔａ−Ｃ層を備えたＯＬＥＤよりも実質的に高い輝度を有するように見える。更に、図３は、０．５ｎｍおよび１．０ｎｍ厚のｔａ−Ｃ層を備えたＯＬＥＤに関する電流対電圧特性が実質的に等しいことを示しているけれども、図４は、０．５ｎｍ厚のｔａ−Ｃ ＯＬＥＤの発光が著しく高いことを示す。図４にまた示されているように、ｔａ−Ｃ層の厚さが１．０ｎｍより上に増大したとき、ＯＬＥＤの発光は減少する。これは、ｔａ−Ｃ層の厚さが増加するので、アノード１０４からの正孔注入は更に抑制され、光学的透明性が更に減少する。

次に図５を参照すると、０．３ｎｍ，０．５ｎｍおよび１．０ｎｍのｔａ−Ｃ層の厚さを備えたＯＬＥＤの各々が、標準的なＯＬＥＤのものよりも高い電流効率を有するのが分かり、０．５ｎｍ厚のｔａ−Ｃ層を備えたＯＬＥＤは、最も高い電流効率を示す。特に、標準のＯＬＥＤの電流効率は、５．０Ｖで１．１ｃｄ／Ａであり、０．５ｎｍ厚のｔａ−Ｃ層を備えたデバイスの電流効率は５．０Ｖで２．７ｃｄ／Ａであり、それは標準的なＯＬＥＤのものの約２．５倍である。図３及び４を再度参照すると、効率の改善は、アノード１０４からの正孔注入を抑制する０．５ｎｍ厚のｔａ−Ｃ層によるものであり、それにより、ＯＬＥＤにおいて正孔と電子のバランスをとっている。

ｔａ−Ｃ層を備えたＯＬＥＤによって示される最も著しい改善は、デバイス安定性である。これは、図６に最も明確に現れており、それは、約１０５ｃｄ／ｍ^２の初期発光に関して、一定電流で作動時間の関数として発光減衰をグラフで示したものである。図６に示したように、標準的なＯＬＥＤは、約１．４×１０^４秒の間作動した後、完全に壊れる。しかしながら、０．５ｎｍ厚のｔａ−Ｃ層を備えたＯＬＥＤは、約２×１０^５秒の間作動した後、著しい発光減衰は生じないことを示し、１．０ｎｍ厚のｔａ−Ｃ層を備えたＯＬＥＤは、約１．３×１０^４秒間作動した後、初期発光の約１０％減衰し、３．０ｎｍ厚のｔａ−Ｃ層を備えたＯＬＥＤは、１．６×１０^４秒間作動した後、初期発光の約１８％減衰する。

標準的なＯＬＥＤの相対的に早い発光減衰は、少なくとも一部は、露出したＩＴＯ層１０２の表面粗さによるものである（表１参照）。ＩＴＯ層１０４の表面上の比較的シャープなスパイクが、不均一な電場と、不均一な正孔注入を導く。特に、電場は、スパイクの領域においてより大きくなり、それにより局在的に高い電流密度が生じ、その結果、局所的にオーバーヒートが生じ、ダークスポットが形成される。ダークスポットは、全体のＯＬＥＤ発光領域が消費されるまで、数およびサイズの上で増え続け、最終的に発光が観察されなくなる。逆に、ｔａ−Ｃ層を備えたＯＬＥＤは、相対的に平滑な表面を有し、その結果、より均一な電界と電流密度を有する。更に、ｔａ−Ｃ層は、ＩＴＯアノード１０４から有機層１０６，１０８に対する酸素汚染を防止し、ＩＴＯアノード１０４からの正孔注入を低減させ、両者はＯＬＥＤの寿命を増加させる。

ここで記載したＯＬＥＤデバイス１００、２００は、発光効率および作動寿命を改善させるために、アノード１０４と正孔輸送層１０６との間に配置された比較的薄いＤＬＣ層１１４を含む。この比較的薄いＤＬＣ層１１４は、正孔注入を抑制し、それによりチャージフローのバランスをとり、効率を改善し、作動寿命の増加に寄与するアノード１０４の表面平滑性を向上させる。

少なくとも一つの例示的な実施形態を記載してきたが、膨大な数の変形実施形態が存在することは明らかである。例示的な実施形態は単に具体例であり、本発明はその範囲、構成に限定されるものではない。むしろ前述の詳細な説明は、当業者に対して本願発明の実施形態を実装するのに便利なロードマップを提供するものである。添付の特許請求の範囲にかかる本願発明の範囲を逸脱することなく種々の変形をすることが可能であることも理解されるであろう。

本発明の実施形態による有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の簡略化した断面図である。 本発明の別の実施形態によるＯＬＥＤの簡略化した断面図である。 図１に示したものと同様に構成された種々のＯＬＥＤについての電流密度対電圧特性を示したグラフである。 図１に示したものと同様に構成された種々のＯＬＥＤについての輝度対電圧特性を示したグラフである。 図１に示したものと同様に構成された種々のＯＬＥＤについての電流効率対電圧特性を示したグラフである。 図１に示したものと同様に構成された種々のＯＬＥＤについての正規化された輝度対時間特性を示したグラフである。

Claims (9)

1. アノード（１０４）と、
   前記アノード（１０４）の上に配置され、約１０ｎｍよりも薄い厚さを備えたダイアモンド状カーボン（ＤＬＣ）層（１１４）と、
   前記ＤＬＣ層（１１４）の上に配置された有機正孔輸送層（１０６）と、
   前記正孔輸送層（１０６）の上に配置された有機発光層（１０８）と、
   前記有機発光層（１０８）の上に配置されたカソード（１１０）と
   を有することを特徴とする有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）（１００）。
2. 前記アノード（１０４）が、Indium Tin Oxide（ＩＴＯ）からなることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ（１００）。
3. 前記アノード（１０４）が、Indium Tin Oxide（ＩＴＯ）、金属がドープされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）のグループから選択された材料からなることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ（１００）。
4. 前記有機正孔輸送層（１０６）が、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を有することを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ（１００）。
5. 前記有機正孔輸送層（１０６）が、水溶性ポリマーを有することを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ（１００）。
6. 前記有機発光層（１０８）が、poly（p-phenylen vynelene)（ＰＰＶ）を有することを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ（１００）。
7. 前記カソード（１１０）が、カルシウムからなることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ（１００）。
8. 前記ＤＬＣ層（１１４）の厚さが、約１．０ｎｍよりも薄いことを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ（１００）。
9. 前記ＤＬＣ層（１１４）の厚さが、約０．５ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ（１００）。

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