JPH0290490A - Ｅｌパネル - Google Patents
ＥｌパネルInfo
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- JPH0290490A JPH0290490A JP63241038A JP24103888A JPH0290490A JP H0290490 A JPH0290490 A JP H0290490A JP 63241038 A JP63241038 A JP 63241038A JP 24103888 A JP24103888 A JP 24103888A JP H0290490 A JPH0290490 A JP H0290490A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は分散型のＥＬパネルに係シ、特に従来よ）も高
輝度を有するＢＬパネルに関する。
輝度を有するＢＬパネルに関する。
従来の分散型ＥＬ素子の構造は、第２図にその横断面を
示したように、透光性基板１上に透明導電層２を有する
透光性電極板に発光層３及び絶縁反射層４″を形成し、
その上に背面電極５を設けたものである。発光層３は高
誘電率レジン層中に電場発光性の螢光体を分散させたも
のであり、絶縁反射層４′はＢａＴ１０５の如き白色系
の無機高誘電率物質粉末を分散させたもので、両層とも
印刷法や他の＝−ティング法で製膜される。この素子の
画電極板間に交流電場を印加することによ）発光するが
、その輝度はｚｎｓ螢光体の発光機構から発光層中の螢
光体粒子に加わる平均電場強度の２〜３乗に比例し【増
大する。従って輝度を向上させるには発光層バインダに
高誘電率材料を用いることは当然であるが、発光層に加
わる平均電場強度を大きくする必要がある。そのため発
光層膜厚をできるだけ小さくすることが考えられるが、
現在の実用的なｚｎｓ螢光体で輝度発光効率及び寿命特
性の良いものは平均粒径が２０μｍ以上であり少くとも
螢光体粒子を２層位は必要なことから平均膜厚は４０μ
ｍ以上になる。またＷ、２図に示したように、通常発光
層上に絶縁反射層を設けるのでこの層の厚さも加わ９発
光層に加わる平均電場強度を十分に高くすることができ
ない。また絶縁反射層は高誘電率のＢａＴｉＱ３を用い
るがその製膜上バインダ中に分散させるためにその平均
誘電率は必ずしも大きくなく゛、発光層に加わる分圧を
十分に高（できず、そのため期待する程の輝度が得られ
ていない。なお、この種の技術としてはＮＥＣ技報ｖＯ
Ｌ３４、Ａ８（１９８１年）に記されテイル。
示したように、透光性基板１上に透明導電層２を有する
透光性電極板に発光層３及び絶縁反射層４″を形成し、
その上に背面電極５を設けたものである。発光層３は高
誘電率レジン層中に電場発光性の螢光体を分散させたも
のであり、絶縁反射層４′はＢａＴ１０５の如き白色系
の無機高誘電率物質粉末を分散させたもので、両層とも
印刷法や他の＝−ティング法で製膜される。この素子の
画電極板間に交流電場を印加することによ）発光するが
、その輝度はｚｎｓ螢光体の発光機構から発光層中の螢
光体粒子に加わる平均電場強度の２〜３乗に比例し【増
大する。従って輝度を向上させるには発光層バインダに
高誘電率材料を用いることは当然であるが、発光層に加
わる平均電場強度を大きくする必要がある。そのため発
光層膜厚をできるだけ小さくすることが考えられるが、
現在の実用的なｚｎｓ螢光体で輝度発光効率及び寿命特
性の良いものは平均粒径が２０μｍ以上であり少くとも
螢光体粒子を２層位は必要なことから平均膜厚は４０μ
ｍ以上になる。またＷ、２図に示したように、通常発光
層上に絶縁反射層を設けるのでこの層の厚さも加わ９発
光層に加わる平均電場強度を十分に高くすることができ
ない。また絶縁反射層は高誘電率のＢａＴｉＱ３を用い
るがその製膜上バインダ中に分散させるためにその平均
誘電率は必ずしも大きくなく゛、発光層に加わる分圧を
十分に高（できず、そのため期待する程の輝度が得られ
ていない。なお、この種の技術としてはＮＥＣ技報ｖＯ
Ｌ３４、Ａ８（１９８１年）に記されテイル。
上記従来技術は発光層に加わる平均電場強度を高くする
点で配慮がされておらず、従って輝度不足の問題があっ
た。
点で配慮がされておらず、従って輝度不足の問題があっ
た。
本発明の目的は、発光層と反射層とからなる構成の素子
において発光層に加わる外部印加電圧を分圧を高くし輝
度を向上させることにある。
において発光層に加わる外部印加電圧を分圧を高くし輝
度を向上させることにある。
上記目的は、従来の絶縁反射層に加わる分圧を小さくし
て発光層に加わる分圧をできるだけ大にすることにより
達成される。反射層は螢光体粒子から発する光束の後方
放射分を前方に有効に放射させるために必要であり無し
にすることはできない。それでこの反射層に加わる分圧
をできるだけ小にするために、従来のＢａＴｉＱｓ系絶
縁反射層絶縁反射層導電性処理を施したＩｎ２Ｏ５微粉
末を主体としこれに微量のバインダを加えた低抵抗の反
射層を設げることにした。なお、よ逆反射性を増大させ
るために工ｎ２９ｓ微粉末に適量のＢａＴｉＱ５粉末を
加えた低抵抗反射層にしても良い。
て発光層に加わる分圧をできるだけ大にすることにより
達成される。反射層は螢光体粒子から発する光束の後方
放射分を前方に有効に放射させるために必要であり無し
にすることはできない。それでこの反射層に加わる分圧
をできるだけ小にするために、従来のＢａＴｉＱｓ系絶
縁反射層絶縁反射層導電性処理を施したＩｎ２Ｏ５微粉
末を主体としこれに微量のバインダを加えた低抵抗の反
射層を設げることにした。なお、よ逆反射性を増大させ
るために工ｎ２９ｓ微粉末に適量のＢａＴｉＱ５粉末を
加えた低抵抗反射層にしても良い。
導電性の工ｎ２Ｑｓ微粉末を主体とする低抵抗反射層を
設けることによシ、従来のＢａ’［’ｉＱｓ絶縁反射層
の場合と異な勺、反射層に加わる分圧は極めて小になシ
、発光層に加わる分圧を十分に高くすることができる。
設けることによシ、従来のＢａ’［’ｉＱｓ絶縁反射層
の場合と異な勺、反射層に加わる分圧は極めて小になシ
、発光層に加わる分圧を十分に高くすることができる。
これにより同一外部電場を印加した場合でも従来よシも
発光層に加わる平均電場強度が大になシ輝度向上の効果
が得られる。また低抵抗層を発光層上に重ねることによ
シ、従来よりも局部的な絶縁破かいの発生が防止される
効果もある。
発光層に加わる平均電場強度が大になシ輝度向上の効果
が得られる。また低抵抗層を発光層上に重ねることによ
シ、従来よりも局部的な絶縁破かいの発生が防止される
効果もある。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。透光
性基板１上にＩＴＯ透明導電層２を形成した電極板上に
、スクリーン印刷法によシ発光層を製膜した。この発光
層はシアノエチルセルローズとシアノエチル化サッカロ
ーズからなる高誘電率バインダ１部重量に対し電場発光
性のＺｎＳ螢光体３部重量よシなるもので、適量の有機
溶剤でペースト化したものを印刷乾燥させたもので、乾
燥後の平均膜厚は約４０μｍである。次にヒドロキシシ
アノエチル化セルローズとシアンエチルサッカローズよ
シなる高誘電率バインダ１部重量に対し導電性処理済み
の工ｎ２Ｑ５微粉末４．５部重量を配分し、適量の有機
溶剤でペースト化したものを調合した。このペーストを
スクリーン印刷法によ）前記発光層上に印刷し乾燥後の
膜厚が２０μｍの低抵抗反射層を製膜した。前記発光層
とこの反射層の平均膜厚は約６０μｍである。次にこの
反射層上にアルミニウム真空蒸着法によシ背面電極を形
成し、引続き所定の方法により防湿封止を施して輝度評
価用のＥＬ素子試料とした。
性基板１上にＩＴＯ透明導電層２を形成した電極板上に
、スクリーン印刷法によシ発光層を製膜した。この発光
層はシアノエチルセルローズとシアノエチル化サッカロ
ーズからなる高誘電率バインダ１部重量に対し電場発光
性のＺｎＳ螢光体３部重量よシなるもので、適量の有機
溶剤でペースト化したものを印刷乾燥させたもので、乾
燥後の平均膜厚は約４０μｍである。次にヒドロキシシ
アノエチル化セルローズとシアンエチルサッカローズよ
シなる高誘電率バインダ１部重量に対し導電性処理済み
の工ｎ２Ｑ５微粉末４．５部重量を配分し、適量の有機
溶剤でペースト化したものを調合した。このペーストを
スクリーン印刷法によ）前記発光層上に印刷し乾燥後の
膜厚が２０μｍの低抵抗反射層を製膜した。前記発光層
とこの反射層の平均膜厚は約６０μｍである。次にこの
反射層上にアルミニウム真空蒸着法によシ背面電極を形
成し、引続き所定の方法により防湿封止を施して輝度評
価用のＥＬ素子試料とした。
この素子に４００Ｈｚ１ｏｏＶの交流電場を印加した結
果、２００〜２４００ｄ／ｄの高輝夏が得られ、従来法
で作成した素子と比べて３倍以上高輝度であることがわ
かった。また、局部的な絶縁破壊の発生も著しく減少す
ることが認められた。
果、２００〜２４００ｄ／ｄの高輝夏が得られ、従来法
で作成した素子と比べて３倍以上高輝度であることがわ
かった。また、局部的な絶縁破壊の発生も著しく減少す
ることが認められた。
本発明によれば、従来法による素子と比較して約３倍の
高輝度が得られ、かつ局部的な絶縁破壊の発生が防止さ
れる。よって今後の分散型ＥＬの実用化に大き（貢献す
るものである。
高輝度が得られ、かつ局部的な絶縁破壊の発生が防止さ
れる。よって今後の分散型ＥＬの実用化に大き（貢献す
るものである。
第１図は本発明の一実施例を説明するための横断面図、
第２図は従来例による分散型ＥＬ素子の横断両図である
。 符号の説明 １・・・透光性基板、２・・・透明導電層、３・・・発
光層、４・・・低抵抗反射層、４・・・絶縁反射層、５
・・・背面電極。 ５・・・薯面電オ曇
第２図は従来例による分散型ＥＬ素子の横断両図である
。 符号の説明 １・・・透光性基板、２・・・透明導電層、３・・・発
光層、４・・・低抵抗反射層、４・・・絶縁反射層、５
・・・背面電極。 ５・・・薯面電オ曇
Claims (1)
- １．透明電極とこれに相対する背面電極との間に電場
発光性螢光体と高誘電率レジンよりなる発光層を有する
構造のＥＬパネルにおいて、該発光層上に導電性処理し
たＩｎ＿２Ｏ＿５微粉末と微量のバインダよりなる低抵
拡層を設け、この層上に背面電極を形成したことを特徴
とするＥＬパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63241038A JPH0290490A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | Ｅｌパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63241038A JPH0290490A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | Ｅｌパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290490A true JPH0290490A (ja) | 1990-03-29 |
Family
ID=17068393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63241038A Pending JPH0290490A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | Ｅｌパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0290490A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0438699U (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-31 |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP63241038A patent/JPH0290490A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0438699U (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-31 |
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