JPH01280312A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPH01280312A JPH01280312A JP63241959A JP24195988A JPH01280312A JP H01280312 A JPH01280312 A JP H01280312A JP 63241959 A JP63241959 A JP 63241959A JP 24195988 A JP24195988 A JP 24195988A JP H01280312 A JPH01280312 A JP H01280312A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は、熱処理装置に関する。
（従来の技術）
半導体の製造において、半導体ウェハ（以下ウェハと称
す）を酸化処理などの処理を行うために使用する縦型の
熱処理装置は、電気ヒータを有する炉体の内部に、プロ
セスチューブを搬入搬出可能に設け、このプロセスチュ
ーブ内にウェハを収容したウェハボートを搬挿入できる
ようにしたものである。
す）を酸化処理などの処理を行うために使用する縦型の
熱処理装置は、電気ヒータを有する炉体の内部に、プロ
セスチューブを搬入搬出可能に設け、このプロセスチュ
ーブ内にウェハを収容したウェハボートを搬挿入できる
ようにしたものである。
熱処理装置の本体はクリーンルームを有効に利用するた
めスルーザラオール形でパーティションを介してクリー
ンルームに面するように配置されている。この本体のク
リーンルーム側の領域にはウェハボート出し入れ用の開
口部が設けられる。
めスルーザラオール形でパーティションを介してクリー
ンルームに面するように配置されている。この本体のク
リーンルーム側の領域にはウェハボート出し入れ用の開
口部が設けられる。
このような熱処理装置において、プロセスチューブは通
常炉体内にセットされる。ウェハ移換え位置において、
前工程からウェハキャリアにより搬送されたウェハを熱
処理用ウェハボートに移換える。その後プロセスチュー
ブの下部にボートを配置し、このボートを炉体内のプロ
セスチューブにセットし、熱処理を行なう。
常炉体内にセットされる。ウェハ移換え位置において、
前工程からウェハキャリアにより搬送されたウェハを熱
処理用ウェハボートに移換える。その後プロセスチュー
ブの下部にボートを配置し、このボートを炉体内のプロ
セスチューブにセットし、熱処理を行なう。
この熱処理装置を例えば１週間使用すると、プロセスチ
ューブの内壁面上に処理残渣が付着し、汚染される。こ
のプロセスチューブを交換する時は、プロセスチューブ
を炉本体外の下部側までさげる。その後プロセスチュー
ブは本体の側面部に設けられたドアを開けて取り出され
る。
ューブの内壁面上に処理残渣が付着し、汚染される。こ
のプロセスチューブを交換する時は、プロセスチューブ
を炉本体外の下部側までさげる。その後プロセスチュー
ブは本体の側面部に設けられたドアを開けて取り出され
る。
また、上記のように構成された熱処理装置において、従
来プロセスチューブを炉体に装着する場合には、プロセ
スチューブを運搬車やフォークリフトなどで炉体の下側
空間部の外部近傍まで搬送して、その箇所で垂直に立て
て待機させる。その後に作業者がプロセスチューブを持
って炉体の上記下側空間部に搬入させ、下側空間部に設
けたエレベータ装置に上記プロセスチューブを載せて炉
体内に上昇搬入し炉体の内部に挿入するようにしている
。また、炉体からプロセスチューブを取り出す場合はエ
レベータ装置により炉体の下側空間部に下降搬送し、そ
の後でプロセスチューブを下側空間部の内部から外部に
移動する場合にも、作業者がプロセスチューブを持って
移動するようにしている。
来プロセスチューブを炉体に装着する場合には、プロセ
スチューブを運搬車やフォークリフトなどで炉体の下側
空間部の外部近傍まで搬送して、その箇所で垂直に立て
て待機させる。その後に作業者がプロセスチューブを持
って炉体の上記下側空間部に搬入させ、下側空間部に設
けたエレベータ装置に上記プロセスチューブを載せて炉
体内に上昇搬入し炉体の内部に挿入するようにしている
。また、炉体からプロセスチューブを取り出す場合はエ
レベータ装置により炉体の下側空間部に下降搬送し、そ
の後でプロセスチューブを下側空間部の内部から外部に
移動する場合にも、作業者がプロセスチューブを持って
移動するようにしている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、プロセスチューブを着脱する際、塵が発
生しその塵がクリーンエアユニットから供給される清浄
な空気により飛散して、開口部よりクリーンルームに流
入されクリーンルームが汚染されるという間層があった
。
生しその塵がクリーンエアユニットから供給される清浄
な空気により飛散して、開口部よりクリーンルームに流
入されクリーンルームが汚染されるという間層があった
。
また、作業者の人手により行なうプロセスチューブを炉
体の下側空間部の外部から内部まで移動してエレベータ
装置に載せる作業、あるいはプロセスチューブを下側空
間部の内部から外部に移動する作業は、プロセスチュー
ブ（同時装着部品も含む）が大変重い（約３０ｋｇ）た
めに１作業者が一人で行なうことが困難で二人の作業者
が行なっていて工数も多く、またプロセスチューブの転
倒などの事故により作業者が負傷したりプロセスチュー
ブが破損するなどの危険性が多くあり、さらに炉体の下
側空間部すなわち架台の内部が狭いために作業者の作業
がやりにくく作業性が悪いという間層があった。
体の下側空間部の外部から内部まで移動してエレベータ
装置に載せる作業、あるいはプロセスチューブを下側空
間部の内部から外部に移動する作業は、プロセスチュー
ブ（同時装着部品も含む）が大変重い（約３０ｋｇ）た
めに１作業者が一人で行なうことが困難で二人の作業者
が行なっていて工数も多く、またプロセスチューブの転
倒などの事故により作業者が負傷したりプロセスチュー
ブが破損するなどの危険性が多くあり、さらに炉体の下
側空間部すなわち架台の内部が狭いために作業者の作業
がやりにくく作業性が悪いという間層があった。
この発明は上記点に対処してなされたもので、第１の発
明はプロセスチューブの取り出し時などに生ずる塵がク
リーンルーム内に流入するのを防止し、クリーンルーム
が常にクリーンな状態を保ち得る熱処理装置を提供する
ものである。
明はプロセスチューブの取り出し時などに生ずる塵がク
リーンルーム内に流入するのを防止し、クリーンルーム
が常にクリーンな状態を保ち得る熱処理装置を提供する
ものである。
また第２の発明はプロセスチューブを支えている炉本体
の下側空間部とその外部との間を移動させる装置を設け
ることにより、このプロセスチューブを移動する作業の
経済性および作業性を高め、危険な事故の発生を防止す
るようにした熱処理装置を提供するものである。
の下側空間部とその外部との間を移動させる装置を設け
ることにより、このプロセスチューブを移動する作業の
経済性および作業性を高め、危険な事故の発生を防止す
るようにした熱処理装置を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
この発明は、クリーンルーム側に開口部を有する本体と
、前記本体内に設けられた炉体と、前記炉体に対し昇降
自在に設けられたプロセスチューブと、前記開口部に対
して開閉可能に設けられ閉時には前記開口部を遮断する
防止板とを具備することを特徴とする。
、前記本体内に設けられた炉体と、前記炉体に対し昇降
自在に設けられたプロセスチューブと、前記開口部に対
して開閉可能に設けられ閉時には前記開口部を遮断する
防止板とを具備することを特徴とする。
また、この発明は、炉体と、前記炉体にその下側から挿
入されるプロセスチューブと、前記炉体の下側空間部に
設けられアームで前記プロセスチューブを支え、該アー
ムを前記下側空間部と外部のプロセスチューブを配置さ
れた箇所との間で水平方向に往復運動させるスライド手
段と、前記炉体の下側空間部に設けられ前記スライド手
段のアームを上昇および下降させる第１の昇降手段と。
入されるプロセスチューブと、前記炉体の下側空間部に
設けられアームで前記プロセスチューブを支え、該アー
ムを前記下側空間部と外部のプロセスチューブを配置さ
れた箇所との間で水平方向に往復運動させるスライド手
段と、前記炉体の下側空間部に設けられ前記スライド手
段のアームを上昇および下降させる第１の昇降手段と。
前記スライド手段のアームに支持されたプロセスチュー
ブを昇降体により受け渡しするとともに、該昇降体で前
記プロセスチューブを支持して前記炉体に対して上昇お
よび下降を行なう第２の昇降手段とを具備することを特
徴とする特 （作用効果） 本発明の熱処理装置は、クリーンルーム側に開口部を有
する本体と、前記本体内に設けられた炉体と、前記炉体
に対し昇降自在に設けられたプロセスチューブと、前記
開口部に対して開閉可能に設けられ閉時には前記開口部
を遮断する防止板とを具備しており、プロセスチューブ
の取出し時等には、防止板によって開口部を遮蔽するこ
とによりクリーンルーム内への塵の流入を防ぐことが出
来る。
ブを昇降体により受け渡しするとともに、該昇降体で前
記プロセスチューブを支持して前記炉体に対して上昇お
よび下降を行なう第２の昇降手段とを具備することを特
徴とする特 （作用効果） 本発明の熱処理装置は、クリーンルーム側に開口部を有
する本体と、前記本体内に設けられた炉体と、前記炉体
に対し昇降自在に設けられたプロセスチューブと、前記
開口部に対して開閉可能に設けられ閉時には前記開口部
を遮断する防止板とを具備しており、プロセスチューブ
の取出し時等には、防止板によって開口部を遮蔽するこ
とによりクリーンルーム内への塵の流入を防ぐことが出
来る。
又、第２の発明にかかる熱処理装置は、アームで前記プ
ロセスチューブを支え、該アームを前記下側空間部と外
部のプロセスチューブを配置された箇所との間で水平方
向に往復運動させ、アームを上昇および下降させ、更に
アームに支持されたプロセスチューブを昇降体により受
け渡しするとともに、該昇降体で前記プロセスチューブ
を支持して前記炉体に対して上昇および下降を行なうよ
うにしたので、プロセスチューブを人手によらず移動し
て本体に対して装着及び取り外しを行うことができ、プ
ロセスチューブを移動する作業を容易に行えて経済性を
向上できると共に、安全性を向上することが出来る。
ロセスチューブを支え、該アームを前記下側空間部と外
部のプロセスチューブを配置された箇所との間で水平方
向に往復運動させ、アームを上昇および下降させ、更に
アームに支持されたプロセスチューブを昇降体により受
け渡しするとともに、該昇降体で前記プロセスチューブ
を支持して前記炉体に対して上昇および下降を行なうよ
うにしたので、プロセスチューブを人手によらず移動し
て本体に対して装着及び取り外しを行うことができ、プ
ロセスチューブを移動する作業を容易に行えて経済性を
向上できると共に、安全性を向上することが出来る。
（実施例）
次に、本発明熱処理装置の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
第６図に示す如く、熱処理装置本体２の前面にはパネル
３が設けられており、このパネル３には開口部４が設け
られている。この開口部４は本体２内部のメンテナンス
ルームとクリーンルームとを連通ずるものである。本体
２内部にはプロセスチューブ６が配置され、また本体２
の前面には扉１６が設けられ、この扉１６にはビラニー
真空計８、リモートパネル１０、温度制御器１２．操作
板１４が配置されている。また、本体２の上部にはパー
ティ−ジョン２６が設けられる。このパーティ−ジョン
２６はメンテナンスルームとクリーンルームを仕切るも
のである。
３が設けられており、このパネル３には開口部４が設け
られている。この開口部４は本体２内部のメンテナンス
ルームとクリーンルームとを連通ずるものである。本体
２内部にはプロセスチューブ６が配置され、また本体２
の前面には扉１６が設けられ、この扉１６にはビラニー
真空計８、リモートパネル１０、温度制御器１２．操作
板１４が配置されている。また、本体２の上部にはパー
ティ−ジョン２６が設けられる。このパーティ−ジョン
２６はメンテナンスルームとクリーンルームを仕切るも
のである。
第７図に示される如く、本体２の側面には、メンテナン
スドア１８が設けられる他、マニュアル操作時の温度制
御器２０、後述するエレベータ装置を制御するエレベー
タ制御器２２および多数の通気孔２４が設けられている
。
スドア１８が設けられる他、マニュアル操作時の温度制
御器２０、後述するエレベータ装置を制御するエレベー
タ制御器２２および多数の通気孔２４が設けられている
。
第８図に示される如く本体２の内部上方には抵抗加熱形
ヒータからなる円筒状縦型炉体２８が設けられ、この炉
体２８の下部に底板２９、マニホルド３１が設けられ、
炉体２８、マニホルド３１に対してほぼ同軸的に昇降自
在に石英製プロセスチューブ６が配置される。
ヒータからなる円筒状縦型炉体２８が設けられ、この炉
体２８の下部に底板２９、マニホルド３１が設けられ、
炉体２８、マニホルド３１に対してほぼ同軸的に昇降自
在に石英製プロセスチューブ６が配置される。
このプロセスチューブ６を挟んで開口部４と対向する側
に清浄な空気を送るクリーンエアユニット３３例えば扁
平モータが設けられる。
に清浄な空気を送るクリーンエアユニット３３例えば扁
平モータが設けられる。
第１図及び第３図に示される如く、本体２のパネル３に
は凸部３０が形成される。この凸部３０にはプーリ３２
がボルト３４によって螺着される。このプーリ３２には
板バネ３６が巻回され、この板バネ３６の一端は防止板
３８の凸部４０に板４２を介してボルト４４によって螺
着される。
は凸部３０が形成される。この凸部３０にはプーリ３２
がボルト３４によって螺着される。このプーリ３２には
板バネ３６が巻回され、この板バネ３６の一端は防止板
３８の凸部４０に板４２を介してボルト４４によって螺
着される。
この防止板３８は開口部４を遮断できるだけの大きさを
有している。
有している。
第４図に示される如く、この防止板３８にはガラス板４
６、枠体４８、のぞき窓５０がボルト５２、ナツト５４
を介して設けられる。
６、枠体４８、のぞき窓５０がボルト５２、ナツト５４
を介して設けられる。
第５図に示される如く、本体２の一部を構成する角バイ
ブロ０に対してガイド５８が螺着される。このガイド５
８は防止板３８が移動する場合のガイドをするものであ
る。なお、ガイド５８と防止板３８の間にはパツキン５
９が設けられる。このパツキン５９は本体２内の密閉性
を保持する。さらに、防止板３８の最下端には取手部６
２が突設される。この取手部６２は人がこれをつまんで
防止板３８の移動を行なうためのものである。
ブロ０に対してガイド５８が螺着される。このガイド５
８は防止板３８が移動する場合のガイドをするものであ
る。なお、ガイド５８と防止板３８の間にはパツキン５
９が設けられる。このパツキン５９は本体２内の密閉性
を保持する。さらに、防止板３８の最下端には取手部６
２が突設される。この取手部６２は人がこれをつまんで
防止板３８の移動を行なうためのものである。
次に、この熱処理装置の動作について説明する。
防止板３８は通常プロセス中はウェハ出し入れ用の開口
部４よりも上部の本体２内部に収納されている。この状
態では開口部４を介して本体２のメンテナンスルームと
クリーンルームとが連通している。
部４よりも上部の本体２内部に収納されている。この状
態では開口部４を介して本体２のメンテナンスルームと
クリーンルームとが連通している。
次に、プロセスチューブ６の着脱等を行なう場合、防止
板３８の取手部６２を引きさげる。防止板３８の上部は
板ばね３６と連結されているので、防止板３８が引き下
げられると、プーリ３２に巻回されている板ばね３６が
巻きほどかれ、板ばね３６と防止板３８とが共に下方に
移動し防止板３８が第８図に示すように、開口部４を遮
断するようになる。この状態でプロセスチューブ６の着
脱等を行うと、息が発生しても、防止板３８により塵が
クリーンルーム内に流入することはない。
板３８の取手部６２を引きさげる。防止板３８の上部は
板ばね３６と連結されているので、防止板３８が引き下
げられると、プーリ３２に巻回されている板ばね３６が
巻きほどかれ、板ばね３６と防止板３８とが共に下方に
移動し防止板３８が第８図に示すように、開口部４を遮
断するようになる。この状態でプロセスチューブ６の着
脱等を行うと、息が発生しても、防止板３８により塵が
クリーンルーム内に流入することはない。
プロセスチューブ６の着脱等が完了し、取手部６２を押
しあげると、板バネ３６がプーリ３２によって巻きとら
れ、防止板３８が引きあげられ、防止板３８が再び本体
２の上部に収納される。
しあげると、板バネ３６がプーリ３２によって巻きとら
れ、防止板３８が引きあげられ、防止板３８が再び本体
２の上部に収納される。
しかして、この熱処理装置によれば、プロセスチューブ
６の着脱等により塵の発生がある場合のみ手動により防
止板３８を降下させ開口部４を遮断するようにしたので
プロセスチューブ６の着脱等によって塵が発生しても防
止板３８により塵がクリーンルーム内に流入することは
なく常にクリーンルーム内を清浄な状態に保つことがで
きる。
６の着脱等により塵の発生がある場合のみ手動により防
止板３８を降下させ開口部４を遮断するようにしたので
プロセスチューブ６の着脱等によって塵が発生しても防
止板３８により塵がクリーンルーム内に流入することは
なく常にクリーンルーム内を清浄な状態に保つことがで
きる。
なお、この熱処理装置では、防止板３８を手動により移
動した場合について述べたが、モータ等の駆動源を用い
て移動させることもできる。
動した場合について述べたが、モータ等の駆動源を用い
て移動させることもできる。
次にプロセスチューブ６を移動させる機構につい説明す
る。
る。
第２図及び第９図から第１１図に示すように、床６３に
設置された下板６４に架台６６が垂設され、この架台６
６に支持された底板２９に炉体２８が設置されており、
プロセスチューブ６を架台６６の内部すなわち炉体２８
の下側空間部において本体２の内部に対して挿入および
取り出しできるようになっている。
設置された下板６４に架台６６が垂設され、この架台６
６に支持された底板２９に炉体２８が設置されており、
プロセスチューブ６を架台６６の内部すなわち炉体２８
の下側空間部において本体２の内部に対して挿入および
取り出しできるようになっている。
第２図で示すように下板６９にはレール６８を取り付け
たレール台６６が垂直に設けられ、レール台７０と並ん
で送りねじ７２が軸受け７４で支承して垂直に設けられ
ていて、この送りねじ７２は底板２９に設けられた電動
機７４で回転される。レール６８には軸受け７６を介し
て昇降体７８が昇降可能に設けられ、この昇降体７８に
は前記送りねじ７２が貫通して螺挿されている。昇降体
７８は水平方向に伸びる腕形をなしている。これらレー
ル６８、送りねじ７２、電動機７４および昇降体７８に
より第２の昇降手段たるエレベータ装置が構成されてい
る。
たレール台６６が垂直に設けられ、レール台７０と並ん
で送りねじ７２が軸受け７４で支承して垂直に設けられ
ていて、この送りねじ７２は底板２９に設けられた電動
機７４で回転される。レール６８には軸受け７６を介し
て昇降体７８が昇降可能に設けられ、この昇降体７８に
は前記送りねじ７２が貫通して螺挿されている。昇降体
７８は水平方向に伸びる腕形をなしている。これらレー
ル６８、送りねじ７２、電動機７４および昇降体７８に
より第２の昇降手段たるエレベータ装置が構成されてい
る。
架台６６の下板６４には送りねじ７２の前方に昇降体７
６を挟んで一対の支持体８０が間隔を存して平行に固設
されており、この支持体８０の対面する部分には夫々レ
ール８２が垂直に取り付けられている。このレール８２
には軸受け８４を介して昇降板８６が昇降可能に設けで
ある。なお、昇降板８６は昇降体７８の上側に位置し、
昇降体７８に対応して切欠部８６ａが形成されている。
６を挟んで一対の支持体８０が間隔を存して平行に固設
されており、この支持体８０の対面する部分には夫々レ
ール８２が垂直に取り付けられている。このレール８２
には軸受け８４を介して昇降板８６が昇降可能に設けで
ある。なお、昇降板８６は昇降体７８の上側に位置し、
昇降体７８に対応して切欠部８６ａが形成されている。
一方の支持体８０には電動機８８に回転される送りねじ
９０が垂直に設けてあり、この送りねじ９０には昇降板
８６に取り付けた突片９２に螺合している。これらレー
ル８２．昇降板８６、電動機８８および送りねじ９０で
第１の昇降手段たる上下動装置が構成されている。
９０が垂直に設けてあり、この送りねじ９０には昇降板
８６に取り付けた突片９２に螺合している。これらレー
ル８２．昇降板８６、電動機８８および送りねじ９０で
第１の昇降手段たる上下動装置が構成されている。
また、昇降板８６の上面には前記支持体８０と平行に一
対のレール９２が平行に間隔を存して固設されており、
各レール９２には夫々アーム９４が移動自在に嵌合され
ている。このアーム９４は連結体９４ａを介して連結さ
れている。昇降板８６には一方のレール９４に隣接して
これと平行に送りねじ９６が設けてあり、この送りねじ
９６は軸受け９８で支承されるとともに、電動機１００
で回転される。送りねじ９６には一方のアーム９４に突
設した突片１０２に貫通して螺合されている。これらア
ーム９４、送りねじ９６および電動機１００でスライド
手段たるスライド装置が構成されている。
対のレール９２が平行に間隔を存して固設されており、
各レール９２には夫々アーム９４が移動自在に嵌合され
ている。このアーム９４は連結体９４ａを介して連結さ
れている。昇降板８６には一方のレール９４に隣接して
これと平行に送りねじ９６が設けてあり、この送りねじ
９６は軸受け９８で支承されるとともに、電動機１００
で回転される。送りねじ９６には一方のアーム９４に突
設した突片１０２に貫通して螺合されている。これらア
ーム９４、送りねじ９６および電動機１００でスライド
手段たるスライド装置が構成されている。
さらに、第９図ないし第１１図で示すように架台６６の
外部近傍における床６３には、前記スライド装置のアー
ム９４の前進スライド方向の前側に位置して受け渡し台
１０４が配設されており、受け渡し台１０４の上面には
治具板１０６が載せである。なお、治・具板１０６の幅
は前記アーム９４の間隔よりも大きく設定しである。治
具板１０６にはアーム９４に対応する部分の中央に切欠
部１０６ａが形成され、この切欠部１０６ａには着脱治
具１０８が着脱可能に嵌合されている。そして、この着
脱治具１０８には前述したプロセスチューブ６が直立し
て保持されている。プロセスチューブ６の下端部には支
持リング１１０が取り付けてあり、この支持リング１１
０が着脱治具１０８に嵌合される。
外部近傍における床６３には、前記スライド装置のアー
ム９４の前進スライド方向の前側に位置して受け渡し台
１０４が配設されており、受け渡し台１０４の上面には
治具板１０６が載せである。なお、治・具板１０６の幅
は前記アーム９４の間隔よりも大きく設定しである。治
具板１０６にはアーム９４に対応する部分の中央に切欠
部１０６ａが形成され、この切欠部１０６ａには着脱治
具１０８が着脱可能に嵌合されている。そして、この着
脱治具１０８には前述したプロセスチューブ６が直立し
て保持されている。プロセスチューブ６の下端部には支
持リング１１０が取り付けてあり、この支持リング１１
０が着脱治具１０８に嵌合される。
次に、プロセスチューブ６を本体２の内部に装着する場
合について説明する。
合について説明する。
第９図に示すようにプロセスチューブ６を搬送車などに
より架台６６の外部近傍に設けた受け渡し台１０４まで
搬送し、受け渡し台１０４に治具板１０６を介して設け
た着脱治具１０８の直立した状態で保持する。次いで、
スライド装置の電動機１００の駆動により送りねじ９６
を回転し、突片１０２を介して一方のアーム９４をレー
ル９２に沿って架台６６から外部に設けた受け渡し台１
０４に向けて水平方向に前進スライドさせ、同時に連結
体９４ａを介して他方のアーム９４も一体に前進スライ
ドさせる。これらアームが受け渡し台１０４の下方まで
前進スライドさせた後に、上下動装置の電動機８８を駆
動して送りねじ９０を回転させ突片９２を介して昇降板
８６を上昇させる。昇降板８６の上昇によりアーム９４
が上昇し受け渡し台１０４に載置した治具板１０６を支
える。すなわち、着脱治具１０８を介してプロセスチュ
ーブ６を支持する。
より架台６６の外部近傍に設けた受け渡し台１０４まで
搬送し、受け渡し台１０４に治具板１０６を介して設け
た着脱治具１０８の直立した状態で保持する。次いで、
スライド装置の電動機１００の駆動により送りねじ９６
を回転し、突片１０２を介して一方のアーム９４をレー
ル９２に沿って架台６６から外部に設けた受け渡し台１
０４に向けて水平方向に前進スライドさせ、同時に連結
体９４ａを介して他方のアーム９４も一体に前進スライ
ドさせる。これらアームが受け渡し台１０４の下方まで
前進スライドさせた後に、上下動装置の電動機８８を駆
動して送りねじ９０を回転させ突片９２を介して昇降板
８６を上昇させる。昇降板８６の上昇によりアーム９４
が上昇し受け渡し台１０４に載置した治具板１０６を支
える。すなわち、着脱治具１０８を介してプロセスチュ
ーブ６を支持する。
この状態で電ａ機１００により送りねじ９６を逆方向に
回転して、アーム９４がレール９２に沿って架台６６の
外部から内部に向けて水平方向に後退スライドさせる。
回転して、アーム９４がレール９２に沿って架台６６の
外部から内部に向けて水平方向に後退スライドさせる。
これによりアーム９４に支持された治具板１０６と着脱
治具１０８に支持されたプロセスチューブ６が架台６６
の内部に後退移動する（第１０図）。
治具１０８に支持されたプロセスチューブ６が架台６６
の内部に後退移動する（第１０図）。
そして、電動機７４を駆動して送りねじ７２を回転させ
昇降体７８をレール６８に沿って上昇させる。昇降体７
８は上昇に伴ない昇降板８６の切欠部８６ａを通り治具
板１０６の切欠部１０６ａに嵌合されている着脱治具１
０８に当ってこれを持ち上げ治具板１０６から離し、こ
れによりプロセスチューブ６を持ち上げる。
昇降体７８をレール６８に沿って上昇させる。昇降体７
８は上昇に伴ない昇降板８６の切欠部８６ａを通り治具
板１０６の切欠部１０６ａに嵌合されている着脱治具１
０８に当ってこれを持ち上げ治具板１０６から離し、こ
れによりプロセスチューブ６を持ち上げる。
昇降体７８は治具板１００の切欠部１０６ａを抜け、そ
のまま上昇しプロセスチューブ６を炉本体の内部に挿入
した時点で停止する。ここで、作業考が人手によりプロ
セスチューブ６と支持リング１１０を架台の上板に固定
する（第１１図）。
のまま上昇しプロセスチューブ６を炉本体の内部に挿入
した時点で停止する。ここで、作業考が人手によりプロ
セスチューブ６と支持リング１１０を架台の上板に固定
する（第１１図）。
その後電動機７４の駆動により送りねじ７２を逆回転さ
せて昇降体７８を最低位置まで下降し、治具板１０６を
昇降体７８から取り外す。
せて昇降体７８を最低位置まで下降し、治具板１０６を
昇降体７８から取り外す。
このようにして人手によらずプロセスチューブ６を架台
６６の外部から移動して本体２に装着することができる
。
６６の外部から移動して本体２に装着することができる
。
プロセスチューブ６を交換するなどの理由のために本体
２からプロセスチューブ６を取り外す場合には、これま
で説明した作業順序と逆の順序で作業を行なうことによ
り、人手によらずプロセスチューブ６を本体２から架台
６６の外部に移動することができる。
２からプロセスチューブ６を取り外す場合には、これま
で説明した作業順序と逆の順序で作業を行なうことによ
り、人手によらずプロセスチューブ６を本体２から架台
６６の外部に移動することができる。
かくして、プロセスチューブ６を人手によらず移動して
本体に対して装着しおよび取り外しを行なうことができ
、プロセスチューブ６を移動する作業を容易に行なえて
経済性が向上できるとともに、安全性を向上させること
ができる。
本体に対して装着しおよび取り外しを行なうことができ
、プロセスチューブ６を移動する作業を容易に行なえて
経済性が向上できるとともに、安全性を向上させること
ができる。
以上説明したようにこの実施例によれば、クリーンルー
ム側に開口部を有する本体と、前記本体内に設けられた
炉体と、前記炉体に対し昇降自在に設けられたプロセス
チューブと、前記開口部に対して開閉可能しこ設けられ
閉時には前記開口部を遮断する防止板とを具備している
ので、この熱処理装置では、通常時には開口部は防止板
によって遮断されておらず、本体内部のメンテナンスル
ームとクリーンルームとが連通される。プロセスチュー
ブの着脱時等には防止板によって開口部が遮断されるの
でプロセスチューブの着脱時等に発生する塵が防止板に
より遮蔽され、クリーンルーム側に流入することはない
のでクリーンルーム内が清浄な状態に保たれる。
ム側に開口部を有する本体と、前記本体内に設けられた
炉体と、前記炉体に対し昇降自在に設けられたプロセス
チューブと、前記開口部に対して開閉可能しこ設けられ
閉時には前記開口部を遮断する防止板とを具備している
ので、この熱処理装置では、通常時には開口部は防止板
によって遮断されておらず、本体内部のメンテナンスル
ームとクリーンルームとが連通される。プロセスチュー
ブの着脱時等には防止板によって開口部が遮断されるの
でプロセスチューブの着脱時等に発生する塵が防止板に
より遮蔽され、クリーンルーム側に流入することはない
のでクリーンルーム内が清浄な状態に保たれる。
また、炉本体と、前記炉本体にその下側から挿入される
プロセスチューブと、前記炉本体の下側空間部に設けら
れアームで前記プロセスチューブを支え、該アームを前
記下側空間部と外部のプロセスチューブを配置された箇
所との間で水平方向に往復運動させるスライド手段と、
前記炉本体の下側空間部に設けられ前記スライド手段の
アームを上昇および下降させる第１の昇降手段と、前記
スライド手段のアームに支持されたプロセスチューブを
昇降体により受け渡しするとともに、該昇降体で前記プ
ロセスチューブを支持して前記炉体に対して上昇および
下降を行なう第２の昇降手段とを具備することを特徴と
している。
プロセスチューブと、前記炉本体の下側空間部に設けら
れアームで前記プロセスチューブを支え、該アームを前
記下側空間部と外部のプロセスチューブを配置された箇
所との間で水平方向に往復運動させるスライド手段と、
前記炉本体の下側空間部に設けられ前記スライド手段の
アームを上昇および下降させる第１の昇降手段と、前記
スライド手段のアームに支持されたプロセスチューブを
昇降体により受け渡しするとともに、該昇降体で前記プ
ロセスチューブを支持して前記炉体に対して上昇および
下降を行なう第２の昇降手段とを具備することを特徴と
している。
例えばプロセスチューブを炉本体に装着する場合には、
スライド手段のアームを炉体の下側空間の外部に待機さ
せたプロセスチューブへ前進スライドさせ、ここで上下
動操作によりアームを上昇させてプロセスチューブを支
え、この状態でアームを炉体の下側空間まで後退スライ
ドさせることにより、第２の昇降手段の昇降体でプロセ
スチューブを搬送できる態勢にすることができるために
、プロセスチューブを移動する作業を作業者−人で容易
かつ安定して行なうことができる。
スライド手段のアームを炉体の下側空間の外部に待機さ
せたプロセスチューブへ前進スライドさせ、ここで上下
動操作によりアームを上昇させてプロセスチューブを支
え、この状態でアームを炉体の下側空間まで後退スライ
ドさせることにより、第２の昇降手段の昇降体でプロセ
スチューブを搬送できる態勢にすることができるために
、プロセスチューブを移動する作業を作業者−人で容易
かつ安定して行なうことができる。
第１図は本発明装置の一実施例を説明するための熱処理
装置の拡大破断側面図、第２図は第１図熱処理装置のプ
ロセスチューブを移動する装置の斜視図、第３図は第１
図をメンテナンスルーム側から見た図、第４図は第１図
の防止板を下方から見た図、第５図は第４図の防止板の
端部の部分拡大図、第６図は第１図熱処理装置の正面図
、第７図は第１図熱処理装置の側面図、第８図は第１図
熱処理装置の一部破断側面図、第９図から第１１図は第
１図プロセスチューブを移動する装置の正面図であって
、プロセスチューブを本体に装着する場合の作業順序を
示す図である。 ２・・・本体、 ６・・・プロセスチューブ、３
２・・・プーリ、 ３８・・・防止板。
装置の拡大破断側面図、第２図は第１図熱処理装置のプ
ロセスチューブを移動する装置の斜視図、第３図は第１
図をメンテナンスルーム側から見た図、第４図は第１図
の防止板を下方から見た図、第５図は第４図の防止板の
端部の部分拡大図、第６図は第１図熱処理装置の正面図
、第７図は第１図熱処理装置の側面図、第８図は第１図
熱処理装置の一部破断側面図、第９図から第１１図は第
１図プロセスチューブを移動する装置の正面図であって
、プロセスチューブを本体に装着する場合の作業順序を
示す図である。 ２・・・本体、 ６・・・プロセスチューブ、３
２・・・プーリ、 ３８・・・防止板。
Claims (2)
- （１）クリーンルーム側に開口部を有する本体と、前記
本体内に設けられた炉体と、前記炉体に対し昇降自在に
設けられたプロセスチューブと、前記開口部に対して開
閉可能に設けられ閉時には前記開口部を遮断する防止板
とを具備することを特徴とする熱処理装置。 - （２）炉体と、前記炉体にその下側から挿入されるプロ
セスチューブと、前記炉体の下側空間部に設けられアー
ムで前記プロセスチューブを支え、該アームを前記下側
空間部と外部のプロセスチューブを配置された箇所との
間で水平方向に往復運動させるスライド手段と、前記炉
体の下側空間部に設けられ前記スライド手段のアームを
上昇および下降させる第１の昇降手段と、前記スライド
手段のアームに支持されたプロセスチューブを昇降体に
より受け渡しするとともに、該昇降体で前記プロセスチ
ューブを支持して前記炉体に対して上昇および下降を行
なう第２の昇降手段とを具備することを特徴とする熱処
理装置。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24249787 | 1987-09-29 | ||
| JP1464288 | 1988-01-27 | ||
| JP62-242497 | 1988-01-27 | ||
| JP63-14642 | 1988-01-27 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7023516A Division JP2766804B2 (ja) | 1987-09-29 | 1995-01-18 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01280312A true JPH01280312A (ja) | 1989-11-10 |
| JP2660226B2 JP2660226B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=26350630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63241959A Expired - Lifetime JP2660226B2 (ja) | 1987-09-29 | 1988-09-27 | 熱処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4976613A (ja) |
| JP (1) | JP2660226B2 (ja) |
| KR (1) | KR960001161B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0492636U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-12 | ||
| JPH10135231A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置およびそのボートと保温筒のメンテナンス方法 |
| JP2019195049A (ja) * | 2018-05-03 | 2019-11-07 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 基板処理システム |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2660738B1 (fr) * | 1990-04-05 | 1994-10-28 | Cma | Installation permettant de realiser la refrigeration (ou rechauffement) rapide de produits emballes, notamment de bouteilles. |
| US5221201A (en) * | 1990-07-27 | 1993-06-22 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical heat treatment apparatus |
| KR0148384B1 (ko) * | 1990-09-26 | 1998-12-01 | 이노우에 다케시 | 종형열처리장치 |
| US5163832A (en) * | 1990-10-30 | 1992-11-17 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical heat-treating apparatus |
| JP3108460B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2000-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| JP3108459B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2000-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| US5055036A (en) * | 1991-02-26 | 1991-10-08 | Tokyo Electron Sagami Limited | Method of loading and unloading wafer boat |
| US5271732A (en) * | 1991-04-03 | 1993-12-21 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Heat-treating apparatus |
| US5313048A (en) * | 1992-07-07 | 1994-05-17 | Morris Berg | High temperature research furnace with V-Shaped Guide Member |
| JPH0689837A (ja) * | 1992-09-08 | 1994-03-29 | Fujitsu Ltd | 基板処理装置 |
| NL1005625C2 (nl) * | 1997-03-25 | 1998-10-01 | Asm Int | Stelsel voor het overbrengen van wafers uit cassettes naar ovens alsmede werkwijze. |
| US6252202B1 (en) | 1998-02-10 | 2001-06-26 | Jeneric/Pentron, Inc. | Furnace for heat treatment of dental materials |
| US6709470B2 (en) * | 2002-04-15 | 2004-03-23 | Wafermasters, Inc. | Benchtop processing |
| US6575739B1 (en) * | 2002-04-15 | 2003-06-10 | Wafermasters, Inc. | Configurable wafer furnace |
| US8747052B2 (en) * | 2006-11-22 | 2014-06-10 | Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd. | Automation for high throughput semiconductor batch-wafer processing equipment |
| TWI506702B (zh) * | 2014-07-28 | 2015-11-01 | Powerchip Technology Corp | 爐管製程的派工控制方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161712A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Chino Works Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS61173132U (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-28 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860552A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-11 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | 縦型自動プラズマ処理装置 |
| US4610628A (en) * | 1983-12-28 | 1986-09-09 | Denkoh Co., Ltd. | Vertical furnace for heat-treating semiconductor |
| US4543059A (en) * | 1984-07-18 | 1985-09-24 | Quartz Engineering & Materials, Inc. | Slotted cantilever diffusion tube system and method and apparatus for loading |
| US4770590A (en) * | 1986-05-16 | 1988-09-13 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and apparatus for transferring wafers between cassettes and a boat |
| US4738618A (en) * | 1987-05-14 | 1988-04-19 | Semitherm | Vertical thermal processor |
-
1988
- 1988-09-20 KR KR1019880012141A patent/KR960001161B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-09-26 US US07/249,780 patent/US4976613A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-27 JP JP63241959A patent/JP2660226B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161712A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Chino Works Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS61173132U (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-28 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0492636U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-12 | ||
| JPH10135231A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置およびそのボートと保温筒のメンテナンス方法 |
| JP2019195049A (ja) * | 2018-05-03 | 2019-11-07 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 基板処理システム |
| US11251056B2 (en) | 2018-05-03 | 2022-02-15 | Eugene Technology Co., Ltd. | Substrate processing system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890005832A (ko) | 1989-05-17 |
| US4976613A (en) | 1990-12-11 |
| JP2660226B2 (ja) | 1997-10-08 |
| KR960001161B1 (ko) | 1996-01-19 |
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Legal Events
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