JP3279686B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP3279686B2 JP3279686B2 JP31606492A JP31606492A JP3279686B2 JP 3279686 B2 JP3279686 B2 JP 3279686B2 JP 31606492 A JP31606492 A JP 31606492A JP 31606492 A JP31606492 A JP 31606492A JP 3279686 B2 JP3279686 B2 JP 3279686B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の１つで
ある縦型拡散・ＣＶＤ装置、特に反応管の移動を改良し
た半導体製造装置に関するものである。
ある縦型拡散・ＣＶＤ装置、特に反応管の移動を改良し
た半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】縦型拡散・ＣＶＤ装置は反応管内部を高
温均一に加熱し、該反応管内にウェーハを装入すると共
に反応管内に反応ガスを導入し、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌＶａｐｏｒ Ｄｉｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理によりウ
ェーハ表面に薄膜を生成し、或いはウェーハ表面に不純
物の拡散を行っていた。
温均一に加熱し、該反応管内にウェーハを装入すると共
に反応管内に反応ガスを導入し、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌＶａｐｏｒ Ｄｉｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理によりウ
ェーハ表面に薄膜を生成し、或いはウェーハ表面に不純
物の拡散を行っていた。
【０００３】ところが反応生成物は反応管内壁にも堆積
する。更に、堆積物が成長すると、剥離し塵埃となりウ
ェーハを汚染し、ウェーハの製品品質の低下、歩留まり
の低下を招くことになる。従って、縦型拡散・ＣＶＤ装
置のメンテナンスの１つに、反応管を取外し、清掃する
作業がある。
する。更に、堆積物が成長すると、剥離し塵埃となりウ
ェーハを汚染し、ウェーハの製品品質の低下、歩留まり
の低下を招くことになる。従って、縦型拡散・ＣＶＤ装
置のメンテナンスの１つに、反応管を取外し、清掃する
作業がある。
【０００４】縦型ＣＶＤ装置は図３に見られる様に、反
応炉１の下方にロードロックチャンバ２が設けられてお
り、前記反応炉１は反応管３と、該反応管３を囲繞する
ヒータ４から成り、更に反応管３はアウタチューブ５
と、該アウタチューブ５が設置されるインレットアダプ
タ６と、該インレットアダプタ６と前記アウタチューブ
５の内部に挿設されるインナチューブ７とで構成され、
前記ロードロックチャンバ２は気密な容器であり、内部
にエレベータ８を具備している。
応炉１の下方にロードロックチャンバ２が設けられてお
り、前記反応炉１は反応管３と、該反応管３を囲繞する
ヒータ４から成り、更に反応管３はアウタチューブ５
と、該アウタチューブ５が設置されるインレットアダプ
タ６と、該インレットアダプタ６と前記アウタチューブ
５の内部に挿設されるインナチューブ７とで構成され、
前記ロードロックチャンバ２は気密な容器であり、内部
にエレベータ８を具備している。
【０００５】以下、反応管３を清掃する場合の反応管３
着脱作業について説明する。
着脱作業について説明する。
【０００６】先ずアウタチューブ５の取付けは、図４に
示す様に前記エレベータ８の昇降台９にインレットアダ
プタ６を乗せ、該インレットアダプタ６と前記アウタチ
ューブ５とを固着し、前記エレベータ８により昇降台９
を上昇させ、前記インレットアダプタ６を前記ロードロ
ックチャンバ２の天井下面に適宜な手段で固定してい
た。
示す様に前記エレベータ８の昇降台９にインレットアダ
プタ６を乗せ、該インレットアダプタ６と前記アウタチ
ューブ５とを固着し、前記エレベータ８により昇降台９
を上昇させ、前記インレットアダプタ６を前記ロードロ
ックチャンバ２の天井下面に適宜な手段で固定してい
た。
【０００７】又、前記インナチューブ７の取付けは、前
記昇降台９にインナチューブ取付け治具１０を介して前
記インナチューブ７を載置し、前記エレベータ８を介し
て前記昇降台９を上昇させ、前記インナチューブ７を前
記インレットアダプタ６に取付けていた。
記昇降台９にインナチューブ取付け治具１０を介して前
記インナチューブ７を載置し、前記エレベータ８を介し
て前記昇降台９を上昇させ、前記インナチューブ７を前
記インレットアダプタ６に取付けていた。
【０００８】次に、アウタチューブ５、インナチューブ
７の取外しは上記した取付けの逆の手順で行っていた。
７の取外しは上記した取付けの逆の手順で行っていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】然し、上記した従来の
反応管３の着脱では下記の不具合があった。
反応管３の着脱では下記の不具合があった。
【００１０】 反応管３の着脱の度に、作業者が狭い
ロードロックチャンバ２内に半身を入れて作業すること
になり、作業性が悪い。
ロードロックチャンバ２内に半身を入れて作業すること
になり、作業性が悪い。
【００１１】 狭小な場所での作業となるので、アウ
タチューブ５、インナチューブ７をロードロックチャン
バ２の壁等にぶつけ、損傷させるという虞れもあった。
タチューブ５、インナチューブ７をロードロックチャン
バ２の壁等にぶつけ、損傷させるという虞れもあった。
【００１２】 アウタチューブ５、インナチューブ７
をロードロックチャンバ２の中で上下げすることから、
ロードロックチャンバ２が大型となる。
をロードロックチャンバ２の中で上下げすることから、
ロードロックチャンバ２が大型となる。
【００１３】 ロードロックチャンバ２からの作業と
なるので、ロードロックチャンバ２の小型化には限度が
ある。
なるので、ロードロックチャンバ２の小型化には限度が
ある。
【００１４】 ロードロックチャンバ２からの作業
で、作業の度にロードロックチャンバ２を開放すること
から、ウェーハ処理をする前作業として、ロードロック
チャンバ２の酸化防止ガス置換、或いは真空引きを必要
とするが、ロードロックチャンバ２の容積が大きいと、
この酸化防止ガス置換、或いは真空引きに要する時間が
スループットを悪化する。
で、作業の度にロードロックチャンバ２を開放すること
から、ウェーハ処理をする前作業として、ロードロック
チャンバ２の酸化防止ガス置換、或いは真空引きを必要
とするが、ロードロックチャンバ２の容積が大きいと、
この酸化防止ガス置換、或いは真空引きに要する時間が
スループットを悪化する。
【００１５】本発明は斯かる実情に鑑み、反応管の着脱
を容易にし、而もスループットの向上を図ろうとするも
のである。
を容易にし、而もスループットの向上を図ろうとするも
のである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェーハを反
応管内に装入するエレベータが装置内部に設けられ、前
記反応管をヒータベースに対して着脱可能とし、該ヒー
タベースを昇降可能且水平方向に移動可能に支持し、前
記反応管を前記ヒータベースと一体に装置外部に移動可
能とし、装置外部で前記エレベータにより前記反応管を
昇降可能とした半導体製造装置に係り、又反応管と、該
反応管を囲繞したヒータと、ウェーハを前記反応管に装
入するエレベータとを有し、前記反応管を前記ヒータに
対して着脱可能とした半導体製造装置に於いて、前記反
応管と前記ヒータとを一体に装置外部に移動可能とし、
装置外部で前記エレベータにより前記反応管を昇降可能
とした半導体製造装置に係り、更に又前記反応管を装置
外部で支持可能な延長アームを前記エレベータに着脱可
能とした半導体製造装置に係るものである。
応管内に装入するエレベータが装置内部に設けられ、前
記反応管をヒータベースに対して着脱可能とし、該ヒー
タベースを昇降可能且水平方向に移動可能に支持し、前
記反応管を前記ヒータベースと一体に装置外部に移動可
能とし、装置外部で前記エレベータにより前記反応管を
昇降可能とした半導体製造装置に係り、又反応管と、該
反応管を囲繞したヒータと、ウェーハを前記反応管に装
入するエレベータとを有し、前記反応管を前記ヒータに
対して着脱可能とした半導体製造装置に於いて、前記反
応管と前記ヒータとを一体に装置外部に移動可能とし、
装置外部で前記エレベータにより前記反応管を昇降可能
とした半導体製造装置に係り、更に又前記反応管を装置
外部で支持可能な延長アームを前記エレベータに着脱可
能とした半導体製造装置に係るものである。
【００１７】
【作用】反応管の清浄を行う場合、反応管をヒータベー
スと共に上昇させ、他の部位との切離しを行い、更に装
置の外部に移動させる。反応管の着脱作業は、装置の外
部で行う。
スと共に上昇させ、他の部位との切離しを行い、更に装
置の外部に移動させる。反応管の着脱作業は、装置の外
部で行う。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１９】尚、図１、図２中、図３中で示したものと
同一の機能を有するものには同符号を付してある。
同一の機能を有するものには同符号を付してある。
【００２０】図中、１１は反応炉１、ロードロックチャ
ンバ２を収納する筐体を示す。
ンバ２を収納する筐体を示す。
【００２１】反応管３はロードロックチャンバ２の上面
に着脱可能とする。該反応管３は前記した様に、アウタ
チューブ５、インレットアダプタ６、インナチューブ７
で構成される。
に着脱可能とする。該反応管３は前記した様に、アウタ
チューブ５、インレットアダプタ６、インナチューブ７
で構成される。
【００２２】前記ロードロックチャンバ２の上方にヒー
タベース１２が設けられ、前記アウタチューブ５は該ヒ
ータベース１２を貫通して上方に突出している。該ヒー
タベース１２には前記アウタチューブ５を囲繞するヒー
タ４が設けられ、更に前記インレットアダプタ６が前記
ヒータベース１２に着脱可能となっている。
タベース１２が設けられ、前記アウタチューブ５は該ヒ
ータベース１２を貫通して上方に突出している。該ヒー
タベース１２には前記アウタチューブ５を囲繞するヒー
タ４が設けられ、更に前記インレットアダプタ６が前記
ヒータベース１２に着脱可能となっている。
【００２３】前記筐体１１に２本の水平なガイドシャフ
ト１３を設ける。該２本の水平なガイドシャフト１３は
前記反応炉１の両側に配設され、更に前記筐体１１の側
方外部に迄延出している。前記ガイドシャフト１３に４
個の移動ブロック１４を摺動自在に嵌合させ、該移動ブ
ロック１４にそれぞれリフトシリンダ１５を設ける。
ト１３を設ける。該２本の水平なガイドシャフト１３は
前記反応炉１の両側に配設され、更に前記筐体１１の側
方外部に迄延出している。前記ガイドシャフト１３に４
個の移動ブロック１４を摺動自在に嵌合させ、該移動ブ
ロック１４にそれぞれリフトシリンダ１５を設ける。
【００２４】前記ヒータベース１２に吊り柱１６を立設
し、該吊り柱１６を介し、前記リフトシリンダ１５によ
り前記ヒータベース１２を支承させる。移動シリンダ１
７を前記ガイドシャフト１３と平行に設け、前記移動シ
リンダ１７を前記移動ブロック１４のいずれか１つに連
結する。
し、該吊り柱１６を介し、前記リフトシリンダ１５によ
り前記ヒータベース１２を支承させる。移動シリンダ１
７を前記ガイドシャフト１３と平行に設け、前記移動シ
リンダ１７を前記移動ブロック１４のいずれか１つに連
結する。
【００２５】而して、前記リフトシリンダ１５の伸長に
より、前記反応管３が前記ロードロックチャンバ２より
切離され、更に前記移動シリンダ１７の伸長により前記
反応管３は前記ヒータ４と共に前記筐体１１の外部迄移
動可能となる。
より、前記反応管３が前記ロードロックチャンバ２より
切離され、更に前記移動シリンダ１７の伸長により前記
反応管３は前記ヒータ４と共に前記筐体１１の外部迄移
動可能となる。
【００２６】前記昇降台９には延長アーム１８を着脱可
能に設け、該延長アーム１８は前記ガイドシャフト１３
と平行に筐体１１の側方外部に迄延出可能とする。又、
該延長アーム１８の先端には、インナチューブ取付け治
具１０が取付け可能であると共に前記インレットアダプ
タ６を介して前記アウタチューブ５を載置可能とする。
能に設け、該延長アーム１８は前記ガイドシャフト１３
と平行に筐体１１の側方外部に迄延出可能とする。又、
該延長アーム１８の先端には、インナチューブ取付け治
具１０が取付け可能であると共に前記インレットアダプ
タ６を介して前記アウタチューブ５を載置可能とする。
【００２７】以下、反応管３の取外し作業について説明
する。
する。
【００２８】前記リフトシリンダ１５を伸長させ、前記
ヒータベース１２と共に前記ヒータ４、前記反応管３を
上昇させる。次に、前記移動シリンダ１７を伸長させ、
前記ヒータベース１２、前記ヒータ４、前記反応管３を
一体に前記ガイドシャフト１３に沿って押し、筐体１１
外の所定の位置迄移動させる。
ヒータベース１２と共に前記ヒータ４、前記反応管３を
上昇させる。次に、前記移動シリンダ１７を伸長させ、
前記ヒータベース１２、前記ヒータ４、前記反応管３を
一体に前記ガイドシャフト１３に沿って押し、筐体１１
外の所定の位置迄移動させる。
【００２９】前記昇降台９に延長アーム１８を取付け、
該延長アーム１８の先端にインナチューブ取付け治具１
０を取付ける。前記エレベータ８を駆動し前記インナチ
ューブ取付け治具１０がインナチューブ７に接触する
迄、前記昇降台９を上昇させる。
該延長アーム１８の先端にインナチューブ取付け治具１
０を取付ける。前記エレベータ８を駆動し前記インナチ
ューブ取付け治具１０がインナチューブ７に接触する
迄、前記昇降台９を上昇させる。
【００３０】前記インレットアダプタ６とインナチュー
ブ７との接合部分を取外し、該インナチューブ７を前記
昇降台９に支持させた状態で前記エレベータ８を駆動
し、前記昇降台９を介してインナチューブ７を下降させ
る。該インナチューブ７を降ろし、更に前記インナチュ
ーブ取付け治具１０を取外し、前記エレベータ８を駆動
して前記昇降台９を上昇させる。
ブ７との接合部分を取外し、該インナチューブ７を前記
昇降台９に支持させた状態で前記エレベータ８を駆動
し、前記昇降台９を介してインナチューブ７を下降させ
る。該インナチューブ７を降ろし、更に前記インナチュ
ーブ取付け治具１０を取外し、前記エレベータ８を駆動
して前記昇降台９を上昇させる。
【００３１】該昇降台９で前記インレットアダプタ６を
支持した状態で、インレットアダプタ６と前記ヒータベ
ース１２とを切離し、該インレットアダプタ６、前記ア
ウタチューブ５を前記昇降台９に載置する。次に、昇降
台９を介して前記エレベータ８により該インレットアダ
プタ６、アウタチューブ５を下降させ、取出す。
支持した状態で、インレットアダプタ６と前記ヒータベ
ース１２とを切離し、該インレットアダプタ６、前記ア
ウタチューブ５を前記昇降台９に載置する。次に、昇降
台９を介して前記エレベータ８により該インレットアダ
プタ６、アウタチューブ５を下降させ、取出す。
【００３２】而して、反応管３の取外し作業は筐体１１
の外部で行われる。
の外部で行われる。
【００３３】アウタチューブ５、インナチューブ７の清
浄が終り、再び反応管３を組込む場合は、前記反応管３
の取外し作業の逆を行えばよい。
浄が終り、再び反応管３を組込む場合は、前記反応管３
の取外し作業の逆を行えばよい。
【００３４】尚、上記実施例では４本のリフトシリンダ
１５によりヒータベース１２を支持すると共に上下動さ
せたが、２本以上のシリンダと複数のガイドシャフトで
ヒータベース１２を昇降可能に支持してもよい。更に、
上記実施例では反応炉１を筐体１１の背面側に移動させ
て交換作業を行ったが、側面或いは正面側に引出して作
業する様にしてもよい。
１５によりヒータベース１２を支持すると共に上下動さ
せたが、２本以上のシリンダと複数のガイドシャフトで
ヒータベース１２を昇降可能に支持してもよい。更に、
上記実施例では反応炉１を筐体１１の背面側に移動させ
て交換作業を行ったが、側面或いは正面側に引出して作
業する様にしてもよい。
【００３５】又、上記実施例ではアウタチューブ５、イ
ンレットアダプタ６、インナチューブ７の昇降をロード
ロックチャンバ２内のエレベータ８によって行ったが、
別途昇降装置を用意して昇降する様にしてもよい。
ンレットアダプタ６、インナチューブ７の昇降をロード
ロックチャンバ２内のエレベータ８によって行ったが、
別途昇降装置を用意して昇降する様にしてもよい。
【００３６】更に、上記実施例ではロードロックチャン
バが設けられたＣＶＤ装置を示したが、縦型拡散装置或
いは、ロードロックチャンバを有さない縦型拡散装置で
あっても実施可能であることは勿論である。
バが設けられたＣＶＤ装置を示したが、縦型拡散装置或
いは、ロードロックチャンバを有さない縦型拡散装置で
あっても実施可能であることは勿論である。
【００３７】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応管
を装置の外部で着脱できる様にしたので、広い場所での
作業が可能になり、作業性が向上し、アウタチューブ、
インナチューブの損傷が防止され、ロードロックチャン
バを大幅に小さくすることができる。更に又、ロードロ
ックチャンバの容積が大場に減少することから、酸化防
止ガス置換、真空引きに要する時間が短縮できスループ
ットの向上が図れる。
を装置の外部で着脱できる様にしたので、広い場所での
作業が可能になり、作業性が向上し、アウタチューブ、
インナチューブの損傷が防止され、ロードロックチャン
バを大幅に小さくすることができる。更に又、ロードロ
ックチャンバの容積が大場に減少することから、酸化防
止ガス置換、真空引きに要する時間が短縮できスループ
ットの向上が図れる。
【図１】本発明の一実施例の側面概略図である。
【図２】本発明の一実施例の背面概略図である。
【図３】従来例の背面概略図である。
【図４】従来例に於けるアウタチューブ着脱作業を示す
説明図である。
説明図である。
１ 反応炉 ３ 反応管 ５ アウタチューブ ６ インレットアダプタ ７ インナチューブ ８ エレベータ １２ ヒータベース １３ ガイドシャフト １４ 移動ブロック １５ リフトシリンダ １７ 移動シリンダ １８ 延長アーム
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェーハを反応管内に装入するエレベー
タが装置内部に設けられ、前記反応管をヒータベースに
対して着脱可能とし、該ヒータベースを昇降可能且水平
方向に移動可能に支持し、前記反応管を前記ヒータベー
スと一体に装置外部に移動可能とし、装置外部で前記エ
レベータにより前記反応管を昇降可能としたことを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 反応管と、該反応管を囲繞したヒータ
と、ウェーハを前記反応管に装入するエレベータとを有
し、前記反応管を前記ヒータに対して着脱可能とした半
導体製造装置に於いて、前記反応管と前記ヒータとを一
体に装置外部に移動可能とし、装置外部で前記エレベー
タにより前記反応管を昇降可能としたことを特徴とする
半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記反応管を装置外部で支持可能な延長
アームを前記エレベータに着脱可能とした請求項１又は
請求項２の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31606492A JP3279686B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31606492A JP3279686B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151346A JPH06151346A (ja) | 1994-05-31 |
| JP3279686B2 true JP3279686B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=18072865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31606492A Expired - Lifetime JP3279686B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3279686B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4814038B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2011-11-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および反応容器の着脱方法 |
| CN111433390B (zh) | 2017-12-22 | 2022-09-27 | 株式会社村田制作所 | 成膜装置 |
| CN111465714B (zh) | 2017-12-22 | 2022-06-28 | 株式会社村田制作所 | 成膜装置 |
| JP6987016B2 (ja) * | 2018-04-27 | 2021-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置の組立装置 |
| CN114892265A (zh) * | 2022-04-13 | 2022-08-12 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种外延生长反应装置 |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP31606492A patent/JP3279686B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06151346A (ja) | 1994-05-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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