CN116230582A - 处理基片的系统及其维护方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够抑制系统的占有面积的增加、并且能够进行真空输送腔室的维护的处理基片的系统及其维护方法。本发明的处理基片的系统包括：大气输送室；真空输送腔室；设置有真空处理腔室的处理模块；和负载锁定腔室，真空输送腔室和负载锁定腔室配置在操作者能够进入的高度位置，真空输送腔室的下方侧的空间，除了与所述负载锁定腔室连接的面以外，被多个所述处理模块从外侧封闭。负载锁定腔室的下方侧的空间成为所述操作者能够从与所述大气输送室连接的面以外的方向进入并到达所述真空输送腔室的下方侧的空间的维护通路。

Description

处理基片的系统及其维护方法
技术领域
本发明涉及对基片进行处理的系统及其维护方法。
背景技术
在半导体器件的制造工序中进行作为基片的半导体晶片(下面，记载为“晶片”)的处理的装置中，有将晶片收纳在真空处理腔室中，供给处理气体来进行成膜或蚀刻等的装置。另外，还已知有为了进行高效率的处理，将多个真空处理腔室与共用的真空输送腔室连接而成的处理系统。
在这样具有多个真空处理腔室的处理系统中，设置在系统内的设备的数量也变多。另一方面，当将处理系统配置在地板面积有限的工厂内时，减少占有面积(footprint：占地面积)成为大的问题。因此，当想要将设置在处理系统中的多个设备集中配置在有限的空间来实现占有面积的减少时，确保用于进行各设备的维护的维护空间成为问题。
专利文献1中公开了一种基片处置装置，其中，将平面形状构成为五边形以上的多边形的真空输送室的1个侧面设定为维护区域，在真空输送室的其它的侧面连接有玻璃基片的处理室。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-233788号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供能够抑制系统的占有面积的增加、并且能够进行真空输送腔室的维护的技术。
用于解决技术问题的手段
本发明提供一种能够使用多个真空处理腔室对基片进行处理的系统，其特征在于，包括：大气输送室，其用于在大气气氛下进行所述基片的输送；真空输送腔室，其用于在真空气氛下进行所述基片的输送；多个处理模块，其通过将所述真空处理腔室和与该真空处理腔室一并设置的并设设备在上下方向上配置而构成；和设置在所述大气输送室与所述真空输送腔室之间的负载锁定腔室，其能够在收纳有所述基片的状态下，将内部在大气气氛与真空气氛之间切换，所述真空输送腔室和所述负载锁定腔室配置在操作者能够进入其下方侧的高度位置，所述负载锁定腔室和多个所述真空处理腔室分别与所述真空输送腔室的侧面连接，所述真空输送腔室的下方侧的空间，除了与所述负载锁定腔室连接的面以外，被多个所述处理模块从外侧封闭，所述负载锁定腔室的下方侧的空间成为所述操作者能够从与所述大气输送室连接的面以外的方向进入并到达所述真空输送腔室的下方侧的空间的维护通路。
发明效果
采用本发明，能够抑制系统的占有面积的增加，并且能够进行真空输送腔室的维护。
附图说明
图1是本发明的基片处理系统的平面图。
图2是本发明的基片处理系统的外观立体图。
图3是表示多关节臂的驱动机构及其输送容器的构成例的立体图。
图4是表示滑板的构成例的立体图。
图5是表示上述滑板的配置例的平面图。
图6A是经由维护通路的驱动机构的送出动作例的第一说明图。
图6B是上述驱动机构的送出动作例的第二说明图。
附图标记说明
P操作员，1基片处理系统，12A大气输送室，12B负载锁定腔室，16维护通路，23真空输送腔室，3处理模块。
具体实施方式
＜整体构成＞
参照图1的平面图对本发明的实施方式的基片处理系统1的整体构成进行说明。在图1中，例示了对作为基片的晶片W实施作为真空处理的成膜处理的基片处理系统1。该基片处理系统1包括送入送出端口11、送入送出模块12、真空输送模块13和处理模块3。
处理模块3包括各自能够收纳晶片W的2个真空处理腔室31A、31B。这些真空处理腔室31A、31B在侧壁间隔开间隙，彼此在横向上排列设置。在本例的基片处理系统1中，能够利用具有多关节臂24A的基片输送机器人，向这些真空处理腔室31A、31B内一并输送晶片W。然后，在这些真空处理腔室31A、31B内，能够对各晶片W以相同的处理条件一并进行成膜处理。
下面，对构成基片处理系统1的各部分进行说明。在图1中，将X轴方向设为前后方向(将X轴的基端侧设为前方)，将与X轴正交的Y轴方向设为横向来进行说明(在图2、图5、图6A和图6B中相同)。
4个送入送出端口11与送入送出模块12连接，能够在各送入送出端口11载置用于收纳晶片W的晶片输送容器10。在基片处理系统1中，沿着前后方向依次设置有送入送出端口11、送入送出模块12、真空输送模块13。而且，在从前方侧看时，在真空输送模块13的左右的侧面和后方侧的侧面分别连接有处理模块3。即，本例的真空输送模块13以其侧面从三个方向被包围的方式连接有3个处理模块3。
送入送出模块12包括大气输送室12A和负载锁定腔室12B。大气输送室12A为大气气氛，包括用于在晶片输送容器10与负载锁定腔室12B之间进行晶片W的输送的多关节臂21。多关节臂21可升降、旋转、伸缩。另外，多关节臂21被支承在基台部211上，基台部211可沿着行进轨道212在从跟前侧看时在左右方向上移动。
负载锁定腔室12B设置在大气输送室12A与真空输送腔室13之间。负载锁定腔室12B能够在收纳有晶片W的状态下，将内部的气氛在大气气氛与真空气氛之间进行切换。本例的负载锁定腔室12B包括在从跟前侧看时在左右方向上排列的2个载置部22。大气输送室12A的多关节臂21能够进行2个载置部22与晶片输送容器10之间的晶片W的输送，相对于2个载置部22各一块地交接晶片W。载置部22包括未图示的基片支承部，该基片支承部例如由用于支承偏离晶片W的中心部、并且在晶片W的周向上分离的多个位置的支承销构成。
真空输送模块13包括能够在内部形成真空气氛的真空输送腔室23，在该真空输送腔室23中设置有多关节臂24A。多关节臂24A可升降、旋转、伸缩。构成多关节臂24A的前端部的末端执行器25包括彼此隔开间隔地形成的2个保持部26。通过在各保持部26各一块地保持晶片W，多关节臂24A能够隔开规定的间隔一并输送2块晶片W。此外，末端执行器25例如上下隔开间隔地设置有2个，能够利用一个末端执行器25接收来自腔室(负载锁定腔室12B、真空处理腔室31A、31B)的晶片W，利用另一个末端执行器25将晶片W向腔室送出。
如上所述，多关节臂24A能够一并输送2块晶片W。因此，能够在真空处理腔室31A、31B与真空输送模块13之间一并输送2块晶片W。另外，在负载锁定腔室12B与真空输送模块13之间也能够一并输送2块晶片W。
多关节臂24A与后述的驱动部24B一起构成本例的基片输送机器人。
各真空处理腔室31A、31B被未图示的真空排气机构减压，成为真空气氛。在各真空处理腔室31A、31B的内部设置有载置台32，晶片W在被载置在该载置台32的状态下实施成膜处理。例如，在一边对晶片W进行加热一边实施成膜处理的情况下，可以在载置台32中设置加热器。另外，在各真空处理腔室31A、31B中，可以设置由喷头等构成的、用于对被载置在载置台32上的晶片W供给成膜气体的气体供给部。此外，这些加热器、气体供给部省略了图示。而且，在载置台32中设置有用于进行被送入送出的晶片W的交接的未图示的支承销。
在此，真空处理腔室31A、31B并不限于能够实施成膜处理的情况，也可以是能够实施蚀刻处理、清洁处理、灰化处理等其它处理。
在大气输送室12A与负载锁定腔室12B之间、负载锁定腔室12B与真空输送模块13之间、以及设置在处理模块3的各真空处理腔室31A、31B与真空输送模块13之间，分别设置有闸阀G。能够利用闸阀G，将晶片W的输送口开闭，并且独立地调节大气输送室12A和各腔室12B、23、31A、31B内的气氛。
在如上所述的基片处理系统1中，晶片W在从晶片输送容器10被输送到与真空输送模块13连接的真空处理腔室31A、31B并被处理之后，返回到晶片输送容器10。
＜真空输送模块13的布局＞
对于具有上述结构的基片处理系统1，也参照图2的外观立体图等对其更详细的布局进行说明。
如图1所示，本例的真空输送模块13在构成为俯视时为正方形的真空输送腔室23的4个侧面分别连接有1个负载锁定腔室12B和3个处理模块3。
如图6A中的概略结构所示，真空输送腔室23构成为在上下方向上扁平的壳体，可在其侧壁面连接上述的负载锁定腔室12B和处理模块3。如使用图1已说明的那样，在真空输送腔室23的内部设置有多关节臂24A，另一方面，用于驱动该多关节臂24A的驱动部24B设置在真空输送腔室23的外部。
如图6A所示，真空输送腔室23由骨架结构的架构部231从下表面侧支承，配置在用于设置基片处理系统1的半导体工厂的建筑物的地面F的上方位置。在被支承在架构部231上的真空输送腔室23的下表面与工厂的地面F之间，形成有高度尺寸例如为1000～1600mm左右的空间。
可在该空间中的距离地面150～300mm左右的范围的空间配置电缆箱232，该电缆箱232收纳有用于向电功率消耗设备供给电功率的供电电缆、仪表用的电缆等。
另外，该电缆箱232的上表面与真空输送腔室23的下表面之间的空间，成为操作员P能够进入并进行维护操作的维护空间230。
在此，在本例的真空输送腔室23中，能够在与上述地面F相距1500mm以上的输送高度利用多关节臂24A进行晶片W的输送。以往的真空输送腔室23中的输送高度被设定在1100～1350mm左右的范围内。在本例的真空输送腔室23中，通过将晶片W的输送高度设定在比以往高的位置，确保了操作员P容易进行操作的维护空间230。
而且，可在该维护空间230中配置用于驱动多关节臂24A的驱动部24B。如图3中也表示的那样，驱动部24B构成为上下方向上较长的柱状体、例如圆柱体，具有550～850mm左右的范围内的高度尺寸、350～550mm左右的范围内的最大直径。
在驱动部24B的内部收纳有用于执行多关节臂24A的升降、旋转、伸缩动作的驱动机构。驱动部24B在圆柱体的长轴朝向上下方向的状态下被安装在真空输送腔室23的下表面中央部。而且，驱动部24B以从真空输送腔室23的下表面向维护空间230去向下方侧突出的方式被悬挂支承(关于驱动部24B被安装在真空输送腔室23的状态，未图示)。驱动部24B与多关节臂24A一起构成本例中的基片输送机器人。
＜处理模块3的布局＞
接着，对与真空输送腔室23的侧面连接的处理模块3的布局结构进行说明。如使用图1已说明的那样，在本例的基片处理系统1中，在真空输送腔室23的3个侧面分别连接有2个真空处理腔室31A、31B。可与各真空处理腔室31A、31B一并设置用于进行成膜气体的供给的气体供给部相关的设备、用于进行真空处理腔室31A、31B的真空排气的排气系统相关的设备、用于向加热器等供给电功率的电功率供给系统、各种控制相关的控制设备等多个设备。在下面的说明中，也将这些设备称为“并设设备”。
另一方面，如背景技术中已说明的那样，在基片处理系统1中，要求抑制设置在工厂的地面F上的基片处理系统1的占有面积的增大。特别是在2个真空处理腔室31A、31B相邻配置的情况下，要与真空处理腔室31A、31B各自对应地设置并设设备，因此，需要高效率地配置这些多个设备。
因此，在本例的基片处理系统1中，通过将真空处理腔室31A、31B和其并设设备在上下方向上配置而构成处理模块3，抑制了各处理模块3的占有面积的增大。例如，处理模块3构成为，在骨架结构的机架内组装上述的真空处理腔室31A、31B及其并设设备，将它们在上下方向上配置。处理模块3可以构成为利用壳体30覆盖收纳有多个设备的机架的外表面。
如在图2中用虚线表示的那样，在处理模块3内，真空处理腔室31A、31B配置在能够与真空输送腔室23连接的高度位置。
在真空输送腔室23的3个侧面分别连接的处理模块3为彼此相同的结构。通过采用相同的结构的处理模块3，与根据配置位置设置不同结构的处理模块3的情况相比，能够降低设计成本。另外，能够抑制由真空处理腔室31A、31B和并设设备的配置位置的不同、与此相伴的配管长度等的不同引起的晶片W的处理条件的不一致的产生，能够在不同的处理模块3之间进行均匀的成膜处理。
如图1中例示的那样，在从真空输送腔室23侧看时，处理模块3的宽度与真空输送腔室23的侧壁的宽度一致。而且，从同方向看的处理模块3的进深，与真空处理腔室31A、31B的进深一致。这样，各处理模块3在比较窄的区域集中配置了多个设备。
如上述那样在各处理模块3集中配置了多个设备的结果是，如图2中例示的那样，处理模块3的上端伸出到比被支承在架构部231上的真空输送腔室23的上表面高的位置。作为处理模块3的高度尺寸，可以例示2500～3500mm左右的范围。
而且，如图2所示，处理模块3从配置有基片处理系统1的工厂的地面F侧起延伸至比真空输送腔室23的上表面靠上方的高度位置。通过沿着真空输送腔室23的3个侧面设置有这样的结构的处理模块3，使用图6A说明的真空输送腔室23的下方侧的维护空间230成为被这些处理模块3从三方封闭的状态。
＜大气输送室12A和负载锁定腔室12B的布局＞
接着，对大气输送室12A和负载锁定腔室12B的布局结构进行说明。
如图6A中的概略的外观结构所示，负载锁定腔室12B构成为在前后方向上扁平的壳体。负载锁定腔室12B内的载置部22以下述方式设置：未图示的支承销与真空输送腔室23侧的多关节臂24A之间的晶片W的交接高度与上述的晶片W的输送高度(与地面F相距1500mm以上)一致。
另外，在负载锁定腔室12B的前后的侧面分别设置有闸阀G。
如图6A所示，负载锁定腔室12B由骨架结构的架构部122从下表面侧支承，配置在地面F的上方位置。在被支承在架构部122上的负载锁定腔室12B的下表面与地面F之间，形成有高度尺寸为800～1400mm左右的空间。
可在该空间中的距离地面150～300mm左右的范围的空间配置上述的电缆箱232等。另外，该电缆箱232的上表面与负载锁定腔室12B的下表面之间的空间，与真空输送腔室23侧的上述的维护空间230相连，成为可供进入维护空间230的操作员P通过的维护通路16。
如图2所示，大气输送室12A包括用于配置多关节臂21的、构成由该多关节臂21输送晶片W的空间的壳体，在该壳体的前表面连接有送入送出端口11。大气输送室12A具有从地面F侧起到比真空输送腔室23的上表面靠上方侧的高度位置的高度尺寸。另外，从跟前侧看的大气输送室12A的宽度尺寸比负载锁定腔室12B和真空输送腔室23的宽度尺寸宽。
如图1的平面图所示，在大气输送室12A的背面形成有凹部，负载锁定腔室12B的前方侧一半与该凹部嵌合。利用该结构，能够将作为构成基片处理系统1的设备的触摸面板显示器101和未图示的控制计算机等配置在负载锁定腔室12B的两侧的区域，并且避免基片处理系统1的占有面积增大至必要以上。
＜维护通路＞
在具有上面说明的布局结构的基片处理系统1中，在真空输送腔室23的下方侧形成的维护空间230，除了与负载锁定腔室12B连接的面以外，被处理模块3从外侧封闭。在此，“被封闭”并不限于例如相邻配置的处理模块3彼此无间隙地紧密地配置的情况。即使在这些处理模块3彼此之间形成有间隙的情况下，在操作员P无法从该间隙进入的情况下，对于操作员P而言，也可以说这些面为被处理模块3从外侧封闭的状态。
另外，在负载锁定腔室12B的前表面配置有大气输送室12A，因此，也无法从前方侧进入维护空间230。因此，本例的基片处理系统1构成为，在从跟前侧看时，操作员P能够从与大气输送室12A连接的面(负载锁定腔室12B的前表面)以外的方向即侧方侧，经由维护通路16进入维护空间230。
另一方面，如上所述，在本例的基片处理系统1中，负载锁定腔室12B的前方侧一半与形成在大气输送室12A的背面的凹部嵌合。因此，在这样的状态下，也存在操作员P难以经由负载锁定腔室12B与处理模块3之间的间隙进入维护通路16的情况。
因此，如图2所示，在从跟前观察大气输送室12A时，例如在右手的后面下方位置形成有缺口部121。另外，在与该大气输送室12A的缺口部121相对的区域，在处理模块3侧也形成有缺口部31。由这些缺口部121、31形成的隧道状的空间，与负载锁定腔室12B的下方侧的空间一起构成维护通路16的一部分。而且，由缺口部121、31形成的维护通路16向大气输送室12A的侧面开口，形成开口部16a，从而，操作员P能够进入维护通路16。关于开口部16a的开口尺寸的例子，将结合后述的驱动部24B的输送容器5的结构进行说明。
此外，如果在大气输送室12A与处理模块3之间存在充分的间隙，操作员P能够进入，那么设置上述的缺口部121、31不是必须的条件。
另一方面，如上所述，负载锁定腔室12B的两侧的区域也用作配置基片处理系统1的构成设备的区域。关于这一点，当在大气输送室12A形成缺口部121时，设备的配置空间相应地减少。从该观点出发，在本例的基片处理系统1中，在从跟前侧看时，在大气输送室12A的左手侧没有设置开口部16a(没有形成缺口部121)。
另外，在此，如上所述，在本例的基片处理系统1中，处理模块3为彼此相同的结构。因此，虽然在图2中被遮蔽而看不到，但是配置在真空输送腔室23的后方侧和左手侧的其它的处理模块3，也在相同的位置形成有缺口部31。这些缺口部31不是操作员P能够进入维护空间230的尺寸。另一方面，这些缺口部31能够用作操作员P在维护空间230内进行操作时的采光窗、用于交接小的部件的交接通路、在进行维护操作时使用的治具的供电电缆的配置空间等。
＜驱动部24B的输送用治具＞
接着，对用于经由上述的维护通路16进行作为设置在真空输送腔室23的最大的设备之一的驱动部24B的送入送出的治具(输送容器5、滑板6)的构成例进行说明。在本例的基片处理系统1中，将驱动部24B收纳在输送容器5中，使输送容器5在沿着其输送路径铺设的可拆装的滑板6上滑动移动来进行输送。
＜输送容器5＞
图3表示驱动部24B及其输送容器5的外观立体图。如上所述构成为高度尺寸为550～850mm左右的圆柱体的驱动部24B，以长轴朝向上下方向的纵置的状态，以从真空输送腔室23的下表面向下方侧突出的方式被悬挂支承。另外，驱动部24B具有60～100kg左右的重量。因此，当不使用空中吊运起重机或卷扬机等器具时，使驱动部24B横置的操作是困难的。但是，在狭窄的维护空间230内缺乏配置这些器具的余地。
因此，在本例的基片处理系统1中，输送容器5构成为能够将驱动部24B以纵置的状态收纳的笼状的容器。在从真空输送腔室23的下表面被悬挂保持的驱动部24B的下端与输送容器5的上端会发生干涉的情况下，也可以是如图3中例示的那样，使输送容器5的上部侧的一部分为能够相对于主体部51拆装的拆装部52。
在输送容器5的底面设置有树脂板53，能够使与滑板6之间的摩擦降低从而使滑动移动容易进行。另外，由于不设置用于移动的脚轮，能够使输送容器5的高度尺寸减少。
收纳有驱动部24B的状态的输送容器5整体成为600～950mm左右的范围内的高度尺寸、400～600mm左右的范围内的宽度尺寸。因此，由大气输送室12A和处理模块3的缺口部121、31形成的维护通路16和开口部16a的高度和宽度，构成为能够使收纳有驱动部24B的状态的输送容器5通过的尺寸。
＜滑板6＞
滑板6设置在从维护通路16的开口部16a至驱动部24B的安装位置的、负载锁定腔室12B和真空输送腔室23的下方侧的空间(维护通路16、维护空间230)的地面上。在图5中，用虚线表示用于配置滑板6的区域。此外，为了图示方便起见，在图5中适当省略了多关节臂24A、负载锁定腔室12B内的载置部22的记载。
在图5所示的例子中，滑板6以沿着驱动部24B的输送路径延伸的方式设置。如图4所示，在由滑板6构成的输送路径的两端位置，设置有高度几毫米～几厘米左右的突壁状的引导部62。
例如滑板6可以通过将由表面实施了打磨的不锈钢制的金属板构成的多个板部件61组合而构成。通过将多个板部件61组合，滑板6能够在维护通路16和维护空间230的地面上拆装。
在此，作为构成图3所示的输送容器5的底部的树脂板53的树脂材料，可以选择与构成滑板6的不锈钢板的摩擦系数为例如0.03～0.3左右的范围内的树脂材料。作为这样的树脂的例子，可以例示聚缩醛、聚酯、氟树脂。
如上所述，滑板6通过将多个板部件61组合而构成，另一方面，收纳有驱动部24B的输送容器5能够通过滑动移动而在该滑板6上移动。因此，当在相邻配置的板部件61彼此的接合部形成有台阶时，滑动移动的输送容器5有可能会被台阶卡住，妨碍移动。
因此，如图4中的放大图所示，在上述接合部，各板部件61的上表面侧的角部实施了倒角。图4表示以曲面状进行倒角而形成倒角部611的例子。倒角部611的形状并不限于曲面形状，也可以是进行倾斜面状的倒角。作为形成倒角部611的加工方法，可以是进行将上述接合部的上表面侧的角部压扁的面按压加工，也可以是利用研磨机将该角部削去。
＜维护操作＞
参照图6A、图6B，对具有上面说明的结构的基片处理系统1中的、包括驱动部24B的拆卸操作的维护操作的一个例子进行说明。为了图示方便起见，在这些图中省略了处理模块3和大气输送室12A的记载，但是实际上如图1、图2所示，在真空输送腔室23、负载锁定腔室12B的周围配置有处理模块3和大气输送室12A。
在开始维护操作时，使基片处理系统1中的晶片W的处理结束，使真空输送腔室23内为大气气氛。然后，将真空输送腔室23的上表面侧的未图示的盖打开，使用配置在真空输送腔室23的上方侧的空中吊运起重机或卷扬机，卸下多关节臂24A。
另一方面，在真空输送腔室23和负载锁定腔室12B的下方侧，操作员P经由维护通路16进入维护空间230，设置滑板6。接着，将输送容器5送入到维护空间230内，将拆装部52卸下并将驱动部24B的下端部分插入到主体部51的开口内。
然后，将驱动部24B从真空输送腔室23卸下，进而使驱动部24B缓慢下降并将其收纳在输送容器5(主体部51)内。此时，也可以是经由为了将多关节臂24A和驱动部24B连接而设置的真空输送腔室23的底面的开口部，使用设置在真空输送腔室23的上方侧的上述的卷扬机使驱动部24B为悬挂状态之后，使驱动部24B缓慢下降。另外，也可以是使用配置在台上等的千斤顶从下面侧支承驱动部24B的凸缘部，并使驱动部24B缓慢下降。
当将驱动部24B收纳在输送容器5内之后，将拆装部52安装在主体部51上从而将驱动部24B固定。然后，操作员P向行进方向推压输送容器5，从而使输送容器5滑动移动(图6A)。然后，在通过维护通路16到达开口部16a的形成位置后，将输送容器5整体载置在台车等上，向进行驱动部24B的维护的车间输送。
也可以考虑使用空中吊运起重机或卷扬机将驱动部24B向真空输送腔室23的上方提起并输送的方法。然而，如上所述，驱动部24B具有550～850mm左右的范围的高度尺寸。为了使这样的驱动部24B整体通过图2所示的处理模块3和大气输送室12A的上方区域并取出，需要在基片处理系统1的周围设置大型的架构之后设置空中吊运起重机或卷扬机。因此，与从上表面侧仅输送扁平的多关节臂24A的情况相比，必须准备大规模的输送设备。关于这一点，在真空输送腔室23的下方侧，能够利用简单的结构的输送容器5和滑板6进行驱动部24B的输送。
在安装驱动部24B时，以与上述的操作相反的顺序输送驱动部24B，并将其安装在真空输送腔室23的下表面。
另外，并不限于驱动部24B的卸下，对于能够从负载锁定腔室12B、真空输送腔室23的下表面侧实施的各种维护操作，也能够通过操作员P进入维护通路16和维护空间230内来实施。
采用上面说明的基片处理系统1，在负载锁定腔室12B的下方侧设置有维护通路16，该维护通路16用于操作员P进入真空输送腔室23的下方侧的维护空间230。通过采用该结构，可以不通过在沿着真空输送腔室23的侧面配置的处理模块3彼此之间设置大的间隙、或者省略1个处理模块3的设置，来确保操作员P进入的通路。因此，能够抑制基片处理系统1的占有面积的增加，并且能够进行真空输送腔室23的维护。
在此，基片处理系统1的结构并不限于使用图1、图2说明的例子。例如，也可以使真空输送腔室23的平面形状为前后方向上细长的矩形形状，在从跟前侧看时在左右的侧面上各配置多组处理模块3。另外，也可以使真空输送腔室23的平面形状为五边形以上，在与负载锁定腔室12B连接的面以外的侧面分别连接处理模块3。
另外，对于处理模块3，在横向上排列设置2个真空处理腔室31A、31B不是必须的条件，也可以是分别各设置1个、或者各设置3个以上的真空处理腔室。
此外，沿着驱动部24B的输送路径设置滑板6也不是必须的。也可以是使输送容器5直接在维护空间230和维护通路16的地面上滑动移动。
另外，输送容器5的结构也可以采用各种变形。例如，可以是在纵置的状态或者使用卷扬机等使其横倒的状态下，将驱动部24B配置在带有脚轮的台座上之后，使该台座移动来进行驱动部24B的输送。
本次公开的实施方式在所有方面均应认为是例示性的而不是限制性的。上述的实施方式可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下，以各种方式进行省略、替换、改变。

Claims (10)

1.一种能够使用多个真空处理腔室对基片进行处理的系统，其特征在于，包括：
大气输送室，其用于在大气气氛下进行所述基片的输送；
真空输送腔室，其用于在真空气氛下进行所述基片的输送；
多个处理模块，其通过将所述真空处理腔室和与该真空处理腔室一并设置的并设设备在上下方向上配置而构成；和
设置在所述大气输送室与所述真空输送腔室之间的负载锁定腔室，其能够在收纳有所述基片的状态下，将内部在大气气氛与真空气氛之间切换，
所述真空输送腔室和所述负载锁定腔室配置在操作者能够进入其下方侧的高度位置，
所述负载锁定腔室和多个所述真空处理腔室分别与所述真空输送腔室的侧面连接，所述真空输送腔室的下方侧的空间，除了与所述负载锁定腔室连接的面以外，被多个所述处理模块从外侧封闭，
所述负载锁定腔室的下方侧的空间成为所述操作者能够从与所述大气输送室连接的面以外的方向进入并到达所述真空输送腔室的下方侧的空间的维护通路。
2.如权利要求1所述的系统，其特征在于：
所述真空输送腔室具有基片输送机器人，该基片输送机器人包括：设置在所述真空输送腔室内的基片输送用的多关节臂；和与所述多关节臂连接的驱动机构，其以向所述真空输送腔室的下方侧的空间伸出的方式设置，
所述维护通路具有能够使从所述真空输送腔室被卸下的所述驱动机构通过的宽度尺寸和高度尺寸。
3.如权利要求2所述的系统，其特征在于：
所述驱动机构形成为上下方向上较长的柱状体，能够在所述柱状体的长轴朝向上下方向的状态下通过所述维护通路。
4.如权利要求2或3所述的系统，其特征在于：
所述驱动机构在被收纳在输送用的输送容器中的状态下被输送，所述维护通路的宽度和高度为能够使收纳有所述驱动机构的所述输送容器通过的尺寸。
5.如权利要求4所述的系统，其特征在于：
在从所述维护通路到所述驱动机构的安装位置的、所述真空输送腔室和所述负载锁定腔室的下方侧的空间的地面上，设置有用于使所述输送容器滑动移动的滑板。
6.如权利要求5所述的系统，其特征在于：
所述滑板以沿着所述驱动机构的输送路径延伸的方式设置，且在所述输送路径的两端位置设置有突壁状的引导部。
7.如权利要求5或6所述的系统，其特征在于：
所述滑板通过将多个板部件组合而构成为可拆装，为了避免滑动移动的所述输送容器被卡住，相邻配置的板部件彼此的接合部的上表面侧的角部实施了倒角。
8.如权利要求1至7中任一项所述的系统，其特征在于：
所述负载锁定腔室和所述真空输送腔室配置在能够以与设置有所述系统的建筑物的地面相距1500mm以上的输送高度进行所述基片的输送的高度位置。
9.如权利要求1至8中任一项所述的系统，其特征在于：
所述维护通路在从所述大气输送室侧看时以在所述负载锁定腔室的左右两侧中的任一侧开口的方式设置，所述维护通路的到达所述负载锁定腔室的下方侧的另一侧的面因配置有构成所述系统的设备而成为被封闭的状态。
10.一种能够使用真空气氛的多个真空处理腔室对基片进行处理的系统的维护方法，其特征在于：
所述系统包括：大气输送室，其用于在大气气氛下进行所述基片的输送；真空输送腔室，其用于在真空气氛下进行所述基片的输送；多个处理模块，其通过将所述真空处理腔室和与该真空处理腔室一并设置的并设设备在上下方向上配置而构成；和设置在所述大气输送室与所述真空输送腔室之间的负载锁定腔室，其能够在收纳有所述基片的状态下，将内部在大气气氛与真空气氛之间切换，
所述真空输送腔室和所述负载锁定腔室配置在操作者能够进入其下方侧的高度位置，
所述负载锁定腔室和多个所述真空处理腔室分别与所述真空输送腔室的侧面连接，所述真空输送腔室的下方侧的空间，除了与所述负载锁定腔室连接的面以外，被多个所述处理模块从外侧封闭，
所述负载锁定腔室的下方侧的空间成为所述操作者能够从与所述大气输送室连接的面以外的方向进入并到达所述真空输送腔室的下方侧的空间的维护通路，
所述操作者进入所述维护通路来实施维护。
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