JP2023083962A - 基板を処理するシステム、及びそのメンテナンス方法 - Google Patents

基板を処理するシステム、及びそのメンテナンス方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2023083962A
JP2023083962A JP2021197993A JP2021197993A JP2023083962A JP 2023083962 A JP2023083962 A JP 2023083962A JP 2021197993 A JP2021197993 A JP 2021197993A JP 2021197993 A JP2021197993 A JP 2021197993A JP 2023083962 A JP2023083962 A JP 2023083962A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
transfer chamber
chamber
load lock
lock chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021197993A
Other languages
English (en)
Inventor
孝幸 山岸
Takayuki Yamagishi
朋弘 阿部
Tomohiro Abe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2021197993A priority Critical patent/JP2023083962A/ja
Priority to KR1020220159169A priority patent/KR20230085085A/ko
Priority to CN202211500012.1A priority patent/CN116230582A/zh
Priority to US18/071,039 priority patent/US20230178395A1/en
Publication of JP2023083962A publication Critical patent/JP2023083962A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Figure 2023083962000001
【課題】システムの専有面積の増加を抑えつつ、真空搬送チャンバのメンテナンスを可能とする技術を提供する。
【解決手段】基板を処理するシステムは、大気搬送室と、真空搬送チャンバと、真空処理チャンバが設けられた処理モジュールと、ロードロックチャンバと、を備え、真空搬送チャンバ及びロードロックチャンバは、作業者が進入可能な高さ位置に配置され、真空搬送チャンバの下方側の空間は、前記ロードロックチャンバが接続されている面を除き、複数の前記処理モジュールによって外方側から塞がれている。ロードロックチャンバの下方側の空間は、前記大気搬送室が接続されている面以外の方向から前記作業者が進入して、前記搬送チャンバの下方側の空間へ至るメンテナンス通路となっている。
【選択図】図2

Description

本開示は、基板を処理するシステム、及びそのメンテナンス方法に関する。
半導体デバイスの製造工程にて基板である半導体ウエハ(以下、「ウエハ」と記載する)の処理を行う装置には、真空処理チャンバにウエハを収容し、処理ガスを供給して成膜やエッチングなどを行うものがある。また、効率的な処理を行うため、共通の真空搬送チャンバに対して複数の真空処理チャンバを接続した処理システムも知られている。
このように、複数の真空処理チャンバを備えた処理システムにおいては、システム内に設けられる機器の点数も多くなる。一方、床面積が限られた工場内に処理システム配置するにあたっては、占有面積(フットプリント)の低減が大きな課題となる。そこで処理システムに設けられる多数の機器を限られた空間に集約して配置し、占有面積の低減を図ろうとすると、各機器のメンテナンスを行うためのメンテナンススペースの確保が問題となってくる。
特許文献1には、平面形状が五角形以上の多角形に構成された真空搬送室の側面の1つをメンテナンス領域に設定し、他の側面にガラス基板の処理室を接続した基板処置装置が記載されている。
特開2011-233788号公報
本開示は、システムの専有面積の増加を抑えつつ、真空搬送チャンバのメンテナンスを可能とする技術を提供する。
本開示は、複数の真空処理チャンバを用いて基板を処理するシステムであって、
大気雰囲気下で前記基板の搬送が行われる大気搬送室と、
真空雰囲気下で前記基板の搬送が行われる真空搬送チャンバと、
前記真空処理チャンバと、当該真空処理チャンバに併設される併設機器とを上下方向に配置して構成された複数の処理モジュールと、
前記大気搬送室と前記真空搬送チャンバとの間に設けられ、前記基板を収容した状態で、内部を大気雰囲気と真空雰囲気との間で切り替え可能に構成されたロードロックチャンバと、を備え、
前記真空搬送チャンバ及び前記ロードロックチャンバは、下方側に作業者が進入可能な高さ位置に配置されていることと、
前記真空搬送チャンバの側面には、前記ロードロックチャンバと複数の前記真空処理チャンバとがそれぞれ接続され、前記真空搬送チャンバの下方側の空間は、前記ロードロックチャンバが接続されている面を除き、複数の前記処理モジュールによって外方側から塞がれていることと、
前記ロードロックチャンバの下方側の空間は、前記大気搬送室が接続されている面以外の方向から前記作業者が進入して、前記搬送チャンバの下方側の空間へ至るメンテナンス通路となっているシステムに関するものである。
本開示によれば、システムの専有面積の増加を抑えつつ、真空搬送チャンバのメンテナンスを可能とすることができる。
本開示の基板処理システムの平面図である。 本開示の基板処理システムの外観斜視図である。 多関節アームの駆動機構、及びその搬送容器の構成例を示す斜視図である。 スライドプレートの構成例を示す斜視図である。 前記スライドプレートの配置例を示す平面図である。 メンテナンス通路を介した駆動機構の搬出動作例に係る第1の説明図である。 前記駆動機構の搬出動作例に係る第2の説明図である。
<全体構成>
本開示の実施形態に係る基板処理システム1の全体構成について、図1の平面図を参照しながら説明する。図1では、真空処理として、基板であるウエハWに対して成膜処理を実施する基板処理システム1を例示している。当該基板処理システム1は、搬入出ポート11、搬入出モジュール12、真空搬送モジュール13、及び処理モジュール3を備えている。
処理モジュール3は、各々ウエハWを格納する2つの真空処理チャンバ31A、31Bを備えている。これら真空処理チャンバ31A、31Bは、側壁間に隙間を開けて、互いに横方向に並んで設けられている。本例の基板処理システム1では、多関節アーム24Aを備えた基板搬送ロボットにより、これらの真空処理チャンバ31A、31B内に、一括してウエハWを搬送する構成となっている。そして、これら真空処理チャンバ31A、31B内では、各ウエハWに対して、同じ処理条件で一括して成膜処理が行われる。
以下、基板処理システム1を構成する各部について説明する。図1では、X軸方向を前後方向(X軸の基端側を前方とする)、X軸と直交するY軸方向を横方向として説明する(図2、図5、図6A及び図6Bにおいて同じ)。
搬入出モジュール12には4つの搬入出ポート11が接続されており、各搬入出ポート11にはウエハWを収容するウエハ搬送容器10が載置される。基板処理システム1には、前後方向に沿って、搬入出ポート11、搬入出モジュール12、真空搬送モジュール13が、この順に設けられている。そして、前方側から見て真空搬送モジュール13の左右の側面、及び後方側の側面に対し、各々、処理モジュール3が接続されている。即ち本例の真空搬送モジュール13には、その側面を三方から囲むように、3つの処理モジュール3が接続されている。
搬入出モジュール12は、大気搬送室12Aと、ロードロックチャンバ12Bと、を備えている。大気搬送室12Aは大気雰囲気とされており、ウエハ搬送容器10とロードロックチャンバ12Bとの間でウエハWの搬送を行うための多関節アーム21を備えている。多関節アーム21は、昇降、旋回、伸縮自在に構成されている。また、多関節アーム21は基台部211に支持され、基台部211は、走行軌道212に沿って、手前側から見て左右方向に移動自在に構成されている。
ロードロックチャンバ12Bは、大気搬送室12Aと真空搬送チャンバ13との間に設けられている。ロードロックチャンバ12Bは、ウエハWを収容した状態で、内部の雰囲気を大気雰囲気と真空雰囲気との間で切り替えることが可能に構成されている。本例のロードロックチャンバ12Bは、手前側から見て左右方向に並ぶ2つの載置部22を備える。大気搬送室12Aの多関節アーム21は2つの載置部22とウエハ搬送容器10との間におけるウエハWの搬送を行い、2つの載置部22に対して一枚ずつウエハWを受け渡すように構成されている。載置部22は、例えばウエハWの中心部から外れ、且つウエハWの周方向に離れた複数の位置を支持する支持ピンにより構成される、不図示の基板支持部を備える。
真空搬送モジュール13は、内部に真空雰囲気が形成される真空搬送チャンバ23を備え、当該真空搬送チャンバ23には多関節アーム24Aが設けられている。多関節アーム24Aは昇降、旋回、伸縮自在に構成されている。多関節アーム24Aの先端部をなすエンドエフェクタ25は、互いに離れて形成された2つの保持部26を備える。各保持部26にウエハWを一枚ずつ保持することで、多関節アーム24Aは、所定の間隔を空けて、2枚のウエハWを一括して搬送することができる。なお、エンドエフェクタ25は例えば上下に離れて2つ設けられ、一方のエンドエフェクタ25でチャンバ(ロードロックチャンバ12B、真空処理チャンバ31A、31B)からのウエハWの受け取り、他方のエンドエフェクタ25でチャンバへのウエハWの送出が夫々可能となっている。
上述のように多関節アーム24Aは2枚のウエハWを一括して搬送する。従って、真空処理チャンバ31A、31Bと、真空搬送モジュール13との間においては、2枚のウエハWが一括で搬送される。また、ロードロックチャンバ12Bと真空搬送モジュール13との間においても2枚のウエハWが一括で搬送される。
多関節アーム24Aは、後述する駆動部24Bと共に、本例の基板搬送ロボットを構成する。
各真空処理チャンバ31A、31Bは、不図示の真空排気機構により減圧され、真空雰囲気となっている。各真空処理チャンバ31A、31Bの内部には、ステージ32が設けられ、ウエハWはこのステージ32に載置された状態で成膜処理が実施される。例えば、ウエハWを加熱しながら成膜処理を実施する場合には、ステージ32には、ヒーターが設けられる。また、各真空処理チャンバ31A、31Bには、シャワーヘッドなどにより構成され、ステージ32に載置されたウエハWに対して成膜ガスを供給するガス供給部が設けられる。なお、これらヒーターやガス供給部は、図示を省略してある。さらにステージ32には、搬入出されるウエハWの受け渡しを行うための不図示の支持ピンが設けられている。
ここで、真空処理チャンバ31A、31Bは、成膜処理を実施するように構成されている場合に限定されるものではなく、エッチング処理、クリーニング処理、アッシング処理など、他の処理を実施するように構成されていてもよい。
大気搬送室12Aとロードロックチャンバ12Bとの間、ロードロックチャンバ12Bと真空搬送モジュール13との間、処理モジュール3に設けられた各真空処理チャンバ31A、31Bと真空搬送モジュール13との間には、各々ゲートバルブGが設けられている。ゲートバルブGにより、ウエハWの搬送口が開閉されると共に、大気搬送室12Aや各チャンバ12B、23、31A、31B内の雰囲気を独立して調節することが可能となる。
以上に述べた基板処理システム1において、ウエハWは、ウエハ搬送容器10から真空搬送モジュール13に接続される真空処理チャンバ31A、31Bへと搬送されて処理された後、ウエハ搬送容器10に戻される。
<真空搬送モジュール13のレイアウト>
上述の構成を備える基板処理システム1について、図2の外観斜視図なども参照しながらより詳細なレイアウトについて説明する。
図1に示すように、本例の真空搬送モジュール13は、平面視正方形に構成された真空搬送チャンバ23の4つの側面に、1つのロードロックチャンバ12Bと3つの処理モジュール3とを各々、接続した構成となっている。
図6Aに概略構成を示すように、真空搬送チャンバ23は、上下方向に扁平な筐体として構成され、その側壁面に既述のロードロックチャンバ12Bや処理モジュール3が接続される。図1を用いて説明したように、真空搬送チャンバ23の内部には多関節アーム24Aが設けられている一方、この多関節アーム24Aを駆動する駆動部24Bは、真空搬送チャンバ23の外部に設けられている。
図6Aに示すように、真空搬送チャンバ23は、骨組み構造の架構部231によって下面側から支持され、基板処理システム1が設置される半導体工場の建屋の床面Fの上方位置に配置される。架構部231に支持された真空搬送チャンバ23の下面と、工場の床面Fとの間には、高さ寸法が例えば1000~1600mm程度の空間が形成されている。
この空間のうち、床面より150~300mm程度の範囲の空間には、電力消費設備に電力を共有する給電ケーブルや、計装用のケーブルなどを収容したケーブルボックス232が配置される。
また、このケーブルボックス232の上面と真空搬送チャンバ23の下面との間の空間は、作業員Pが進入してメンテナンス作業を行なうことが可能なメンテナンス空間230となっている。
ここで本例の真空搬送チャンバ23においては、前記床面Fから1500mm以上の搬送高さにて多関節アーム24AによるウエハWの搬送を行う構成となっている。従来の真空搬送チャンバ23における搬送高さは、1100~1350mm程度の範囲内に設定されていた。本例の真空搬送チャンバ23においては、ウエハWの搬送高さを従来よりも高い位置に設定することにより、作業員Pが作業を行いやすいメンテナンス空間230を確保している。
さらに、このメンテナンス空間230には、多関節アーム24Aを駆動する駆動部24Bが配置される。図3にも示すように駆動部24Bは、上下方向に長い柱状体、例えば円柱体として構成され、550~850mm程度の範囲内の高さ寸法、350~550mm程度の範囲内の最大直径を有している。
駆動部24Bの内部には、多関節アーム24Aの昇降、旋回、伸縮動作を実行するための駆動機構が収容されている。駆動部24Bは、円柱体の長軸を上下方向に向けた状態で、真空搬送チャンバ23の下面中央部に取り付けられている。そして駆動部24Bは、真空搬送チャンバ23の下面からメンテナンス空間230へ向けて下方側に突出するように吊り下げ支持されている(真空搬送チャンバ23に駆動部24Bが取り付けられた状態については不図示)。駆動部24Bは、多関節アーム24Aと共に本例の基板搬送ロボットを構成している。
<処理モジュール3のレイアウト>
次いで、真空搬送チャンバ23の側面に接続される処理モジュール3のレイアウト構成について説明する。図1を用いて説明したように、本例の基板処理システム1において、真空搬送チャンバ23の3つの側面には、2つの真空処理チャンバ31A、31Bが各々接続されている。各真空処理チャンバ31A、31Bには、成膜ガスの供給を行うガス供給部に係る機器、真空処理チャンバ31A、31Bの真空排気を行う排気系統に係る機器や、ヒーターなどに電力を供給する電力供給系統、各種の制御に係る制御機器など、多数の機器が併設される。以下の説明では、これらの機器を「併設機器」ともいう。
一方、背景技術にて説明したように、基板処理システム1においては、工場の床面Fに設置される基板処理システム1の専有面積の増大を抑えることが求められている。特に、2つの真空処理チャンバ31A、31Bが隣り合って配置されている場合には、真空処理チャンバ31A、31Bの各々に対応して併設機器が設けられるので、これら多数の機器を効率的に配置する必要がある。
そこで、本例の基板処理システム1においては、真空処理チャンバ31A、31Bと、その併設機器とを上下方向に配置して処理モジュール3を構成することにより、各処理モジュール3の専有面積の増大を抑えている。例えば処理モジュール3は、骨組み構造のラック内に、前述の真空処理チャンバ31A、31B及びその併設機器を組み込んで、上下方向に配置した構成となっている。処理モジュール3は、多数の機器を収容したラックの外面をケーシング30で覆った構成としてもよい。
図2中に破線で示すように、処理モジュール3内において真空処理チャンバ31A、31Bは、真空搬送チャンバ23に接続可能な高さ位置に配置される。
真空搬送チャンバ23の3つの側面に各々、接続される処理モジュール3は、互いに共通の構成となっている。共通する構成の処理モジュール3を採用することにより、配置位置に応じて異なる構成の処理モジュール3を設ける場合と比較して設計コストを低減できる。また、真空処理チャンバ31A、31Bや併設機器の配置位置の相違や、これに伴う配管長さなどの相違に起因する、ウエハWの処理条件の不揃いの発生を抑え、異なる処理モジュール3間で均一な成膜処理を行うことができる。
図1に例示するように、真空搬送チャンバ23側から見たとき、処理モジュール3の幅は真空搬送チャンバ23の側壁の幅に揃うように構成されている。また、同方向から見た処理モジュール3の奥行きは、真空処理チャンバ31A、31Bの奥行きと揃うように構成されている。このように、各処理モジュール3は比較的狭い領域に、集約して多数の機器が配置されている。
このように各処理モジュール3に多数の機器を集約して配置した結果、図2に例示するように、処理モジュール3の上端は、架構部231に支持された真空搬送チャンバ23の上面よりも高い位置まで伸び出ている。処理モジュール3の高さ寸法としては、2500~3500mm程度の範囲を例示することができる。
さらに図2に示すように、処理モジュール3は基板処理システム1が配置されている工場の床面F側から、真空搬送チャンバ23の上面よりも上方の高さ位置まで延在するように構成されている。このような構成の処理モジュール3が真空搬送チャンバ23の3つの側面に沿って設けられていることにより、図6Aを用いて説明した真空搬送チャンバ23の下方側のメンテナンス空間230は、これら処理モジュール3によって三方から塞がれた状態となっている。
<大気搬送室12A及びロードロックチャンバ12Bのレイアウト>
次いで、大気搬送室12A及びロードロックチャンバ12Bのレイアウト構成について説明する。
図6Aに概略の外観構成を示すように、ロードロックチャンバ12Bは、前後方向に扁平な筐体として構成されている。ロードロックチャンバ12B内の載置部22は、不図示の支持ピンと、真空搬送チャンバ23側の多関節アーム24Aとの間のウエハWの受け渡し高さが、既述のウエハWの搬送高さ(床面Fから1500mm以上)と揃うように設けられている。
また、ロードロックチャンバ12Bの前後の側面には、各々ゲートバルブGが設けられている。
図6Aに示すように、ロードロックチャンバ12Bは、骨組み構造の架構部122によって下面側から支持され、床面Fの上方位置に配置される。架構部122に支持されたロードロックチャンバ12Bの下面と、床面Fとの間には、高さ寸法が800~1400mm程度の空間が形成されている。
この空間のうち、床面より150~300mm程度の範囲の空間には、既述のケーブルボックス232等が配置される。また、このケーブルボックス232の上面とロードロックチャンバ12Bの下面との間の空間は、真空搬送チャンバ23側の既述のメンテナンス空間230とつながっていて、メンテナンス空間230に進入する作業員Pが通るメンテナンス通路16となっている。
図2に示すように、大気搬送室12Aは、多関節アーム21が配置され、当該多関節アーム21によってウエハWが搬送される空間を構成する筐体を備え、この筐体の前面に搬入出ポート11を接続した構成となっている。大気搬送室12Aは、床面F側から真空搬送チャンバ23の上面よりも上方側の高さ位置に至る高さ寸法を有する。また、手前側から見た大気搬送室12Aの幅寸法は、ロードロックチャンバ12B及び真空搬送チャンバ23の幅寸法よりも幅広に構成されている。
図1の平面図に示すように、大気搬送室12Aの背面には、凹部が形成されており、この凹部に対してロードロックチャンバ12Bの前方側半分を嵌合させた構成となっている。この構成により、基板処理システム1を構成する機器であるタッチパネルディスプレイ101や不図示の制御コンピュータなどをロードロックチャンバ12Bの両脇の領域に配置しつつ、基板処理システム1の専有面積が必要以上に増大することを避けている。
<メンテナンス通路>
以上に説明した、レイアウト構成を備える基板処理システム1において、真空搬送チャンバ23の下方側に形成されているメンテナンス空間230は、ロードロックチャンバ12Bが接続されている面を除き、処理モジュール3によって外方側から塞がれている。ここで「塞がれている」とは、例えば隣り合って配置された処理モジュール3同士が隙間なく密に配置されている場合に限定されない。これら処理モジュール3同士の間に隙間が形成されている場合であっても、その隙間から、作業員Pが進入することができない場合には、作業員Pにとって、これらの面は処理モジュール3によって外方側から塞がれている状態と言える。
また、ロードロックチャンバ12Bの前面には大気搬送室12Aが配置されているので、前方側からもメンテナンス空間230に進入することはできない。そこで本例の基板処理システム1は、手前側から見たとき、大気搬送室12Aが接続されている面(ロードロックチャンバ12Bの前面)以外の方向である側方側から、作業員Pがメンテナンス空間230へメンテナンス通路16を介して進入する構成となっている。
一方で既述のように、本例の基板処理システム1においては、大気搬送室12Aの背面に形成された凹部に対し、ロードロックチャンバ12Bの前方側半分を嵌合させた構成となっている。このため、そのままの状態では、ロードロックチャンバ12Bと処理モジュール3との隙間を介して作業員Pがメンテナンス通路16に進入することが困難な場合もある。
そこで図2に示すように、大気搬送室12Aを手前から見て例えば右手の後面下方位置には、切り欠き部121が形成されている。また、当該大気搬送室12Aの切り欠き部121と対向する領域には、処理モジュール3側にも切り欠き部31が形成されている。これらの切り欠き部121、31によって形成されるトンネル状の空間は、ロードロックチャンバ12Bの下方側の空間と共に、メンテナンス通路16の一部を構成している。そして、切り欠き部121、31によって形成されたメンテナンス通路16が大気搬送室12Aの側面に向けて開口し、開口部16aを形成していることにより、作業員Pは、メンテナンス通路16に進入することができる。開口部16aの開口寸法例については、後述する駆動部24Bの搬送容器5の構成に合わせて説明する。
なお、大気搬送室12Aと処理モジュール3との間に十分な隙間があり、作業員Pが進入することができれば、上述の切り欠き部121、31を設けることは必須の要件ではない。
一方、既述のようにロードロックチャンバ12Bの両脇の領域は、基板処理システム1の構成機器を配置する領域としても利用している。この点、大気搬送室12Aに切り欠き部121を形成すると、その分、機器の配置スペースは減少してしまう。この観点で、本例の基板処理システム1では、手前側から見て大気搬送室12Aの左手側には開口部16aを設けていない(切り欠き部121を形成していない)。
またここで既述のように、本例の基板処理システム1において、処理モジュール3は互いに共通の構成となっている。従って、図2では隠れて見えないが、真空搬送チャンバ23の後方側、及び左手側に配置された他の処理モジュール3にも、共通の位置に切り欠き部31が形成されている。これらの切り欠き部31は、作業員Pがメンテナンス空間230に進入することが可能な寸法とはなっていない。一方で、これらの切り欠き部31は、作業員Pがメンテナンス空間230内で作業を行う際の明り取りの窓や、小さな部品を受け渡すための受け渡し通路、メンテナンス作業を行う際に使用する治具の給電ケーブルの配置スペースなどとして利用することができる。
<駆動部24Bの搬送用治具>
次いで、上述のメンテナンス通路16を介し、真空搬送チャンバ23に設けられる最大の機器の1つである駆動部24Bの搬入出を行うための治具(搬送容器5、スライドプレート6)の構成例について説明する。本例の基板処理システム1においては、駆動部24Bを搬送容器5に収容し、その搬送経路に沿って敷いた着脱式のスライドプレート6上を滑り移動させて搬送を行う。
<搬送容器5>
図3には、駆動部24B及びその搬送容器5の外観斜視図を示してある。既述のように高さ寸法が550~850mm程度の円柱体として構成された駆動部24Bは、長軸を上下方向に向けた縦置きの状態で、真空搬送チャンバ23の下面から下方側に突出するように吊り下げ支持されている。また駆動部24Bは、60~100kg程度の重量がある。このため、トロリークレーンや巻き上げ機といった器具を用いなければ、駆動部24Bを横倒しにする作業は困難である。しかしながら、狭いメンテナンス空間230内にこれらの器具を配置する余地は乏しい。
そこで本例の基板処理システム1において、搬送容器5は、駆動部24Bを縦置きの状態のまま収容することが可能なかご状の容器として構成されている。真空搬送チャンバ23の下面から吊り下げ保持された駆動部24Bの下端と、搬送容器5の上端とが干渉する場合には、図3に例示するように搬送容器5の上部側の一部を本体部51から着脱可能な着脱部52としてもよい。
搬送容器5の底面には、樹脂板53が設けられており、スライドプレート6との間に働く摩擦を低減して、滑り移動をさせやすくする構成となっている。また、移動のためのキャスターを設けないことで、搬送容器5の高さ寸法を低減した構成となっている。
駆動部24Bを収容した状態の搬送容器5は、全体で600~950mm程度の範囲内の高さ寸法、400~600mm程度の範囲内の幅寸法となる。このため、大気搬送室12A及び処理モジュール3の切り欠き部121、31により形成されるメンテナンス通路16及び開口部16aの高さ及び幅は、駆動部24Bを収容した状態の搬送容器5を通過させることが可能な寸法に構成される。
<スライドプレート6>
スライドプレート6は、メンテナンス通路16の開口部16aから駆動部24Bの取り付け位置に至る、ロードロックチャンバ12B及び真空搬送チャンバ23の下方側の空間(メンテナンス通路16、メンテナンス空間230)の床面に設置される。図5には、スライドプレート6が配置される領域を破線で示してある。なお図示の便宜上、図5では多関節アーム24Aやロードロックチャンバ12B内の載置部22の記載を適宜、省略してある。
図5に示す例において、スライドプレート6は、駆動部24Bの搬送経路に沿って延在するように設けられている。図4に示すように、スライドプレート6によって構成される搬送経路の両端位置には、高さ数ミリメートル~数センチメートル程度の突壁状のガイド部62が設けられている。
例えばスライドプレート6は、表面が磨かれたステンレス製の金属板からなる複数のプレート部材61を組み合わせて構成される。複数のプレート部材61を組み合わせることにより、スライドプレート6は、メンテナンス通路16及びメンテナンス空間230の床面に着脱自在な構成となっている。
ここで、図3に示す板搬送容器5の底部の樹脂板53を構成する樹脂材料としては、スライドプレート6を構成するステンレス板との摩擦係数が例えば0.03~0.3程度の範囲内となるものが選択される。このような樹脂の例としては、ポリアセタール、ポリエステルやフッ素樹脂を例示することができる。
このようにスライドプレート6は複数のプレート部材61を組み合わせて構成されている一方、駆動部24Bを収容した搬送容器5は、滑り移動により当該スライドプレート6上を移動する。このため、隣り合って配置されるプレート部材61同士の突合部に段差が形成されていると、滑り移動させている搬送容器5が段差に引っ掛かり、移動が妨げられてしまうおそれがある。
そこで、図4中の拡大図に示すように、前記突合部において各プレート部材61は、上面側の角部が面取りされている。図4には曲面状に面取りを行って面取り部611を形成した例を示している。面取り部611の形状は、曲面形状に限定されず、傾斜面状の面取りを行ってもよい。面取り部611を形成する加工法としては、前記突合部の上面側の角部を押し潰す面押し加工を行ってもよいし、グラインダーで当該角部を削り取ってもよい。
<メンテナンス作業>
以上に説明した構成を備える基板処理システム1において、駆動部24Bの取り外し操作を含むメンテナンス作業の一例について図6A、図6Bを参照しながら説明する。図示の便宜上、これらの図においては、処理モジュール3や大気搬送室12Aの記載を省略してあるが、実際には図1、図2に示すように真空搬送チャンバ23、ロードロックチャンバ12Bの周りには処理モジュール3及び大気搬送室12Aが配置されている。
メンテナンス作業の開始に当たっては、基板処理システム1におけるウエハWの処理を終了し、真空搬送チャンバ23内を大気雰囲気とする。そして、真空搬送チャンバ23の上面側の不図示の蓋を解放し、真空搬送チャンバ23の上方側に配置したトロリークレーンや巻き上げ機を用い、多関節アーム24Aを取り外す。
一方、真空搬送チャンバ23及びロードロックチャンバ12Bの下方側においては、メンテナンス通路16を介して作業員Pがメンテナンス空間230に進入し、スライドプレート6を設置する。次いで、メンテナンス空間230内に搬送容器5を搬入し、着脱部52を取り外して駆動部24Bの下端部分を本体部51の開口内に挿入する。
しかる後、駆動部24Bを真空搬送チャンバ23から取り外し、さらに駆動部24Bを徐々に降下させて搬送容器5(本体部51)内に収容する。この際、多関節アーム24Aと駆動部24Bとを接続するために設けられた真空搬送チャンバ23の底面の開口部を介し、真空搬送チャンバ23の上方側に設けられた既述の巻き上げ機を用いて駆動部24Bを吊り下げた状態としてから、駆動部24Bを徐々に降下させてもよい。また、台の上などに配置したジャッキを用いて駆動部24Bのフランジ部を下面側から支えつつ、駆動部24Bを徐々に降下させてもよい。
搬送容器5内に駆動部24Bを収容したら、本体部51に着脱部52を取り付けて駆動部24Bを固定する。しかる後、進行方向へ向けて作業員Pが搬送容器5を押すことにより、搬送容器5を滑り移動させる(図6A)。そして、メンテナンス通路16を通過し、開口部16aの形成位置に到達したら、搬送容器5全体を台車などに乗せ、駆動部24Bのメンテナンスが行われるショップへと搬送する。
駆動部24Bは、トロリークレーンや巻き上げ機を用いて真空搬送チャンバ23の上方へ引き上げて搬送する手法も考えられる。しかしながら既述のように駆動部24Bは、550~850mm程度の範囲の高さ寸法を有している。このような駆動部24B全体を、図2に示す処理モジュール3や大気搬送室12Aの上方領域を通過させて取り出すためには、基板処理システム1の周囲に大型の架構を設置したうえでトロリークレーンや巻き上げ機を設ける必要が生じる。このため、扁平な多関節アーム24Aのみを上面側から搬送する場合と比較して、大掛かりな搬送設備を準備しなければならない。この点、真空搬送チャンバ23の下方側では、簡素な構成の搬送容器5とスライドプレート6とにより駆動部24Bの搬送を行うことができる。
駆動部24Bの取り付け時には、上述の作業とは反対の手順で駆動部24Bを搬送し、真空搬送チャンバ23の下面に取り付ける。
また、駆動部24Bの取り外しに限らず、ロードロックチャンバ12B、真空搬送チャンバ23の下面側から実施可能な種々のメンテナンス作業についても、作業員Pがメンテナンス通路16やメンテナンス空間230内に進入することにより実施される。
以上に説明した基板処理システム1によれば、真空搬送チャンバ23の下方側のメンテナンス空間230に作業員Pが進入するためのメンテナンス通路16をロードロックチャンバ12Bの下方側に設けている。この構成を採用することにより、真空搬送チャンバ23の側面に沿って配置される処理モジュール3同士の間に大きな隙間を設けたり、処理モジュール3の設置を1基分省略したりして、作業員Pが進入する通路を確保しなくてよい。このため、基板処理システム1の専有面積の増加を抑えつつ、真空搬送チャンバ23のメンテナンスを可能とすることができる
ここで、基板処理システム1の構成は、図1、図2を用いて説明した例に限定されるものではない。例えば真空搬送チャンバ23の平面形状を、前後方向に細長い矩形状とし、手前側から見て左右の側面には、複数組ずつ処理モジュール3を配置してもよい。また、真空搬送チャンバ23の平面形状を五角形以上とし、ロードロックチャンバ12Bが接続される面以外の側面に各々、処理モジュール3を接続してもよい。
また処理モジュール3に対し、横方向に並べて2つの真空処理チャンバ31A、31Bを設けることは必須の要件ではなく、各々1つずつ、あるいは3つ以上ずつ真空処理チャンバを設けてもよい。
この他、駆動部24Bの搬送経路に沿ってスライドプレート6を設けることも必須ではない。メンテナンス空間230やメンテナンス通路16の床面上で、直接、搬送容器5を滑り移動させてもよい。
さらには、搬送容器5の構成についても種々のバリエーションを採用してよい。例えば、縦置きの状態、または巻き上げ機などを用いて横転させた状態で、キャスター付きの台座上に駆動部24Bを配置した後、当該台座を移動させ駆動部24Bの搬送を行ってもよい。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
P 作業員
1 基板処理システム
12A 大気搬送室
12B ロードロックチャンバ
16 メンテナンス通路
23 真空搬送チャンバ
3 処理モジュール

Claims (10)

  1. 複数の真空処理チャンバを用いて基板を処理するシステムであって、
    大気雰囲気下で前記基板の搬送が行われる大気搬送室と、
    真空雰囲気下で前記基板の搬送が行われる真空搬送チャンバと、
    前記真空処理チャンバと、当該真空処理チャンバに併設される併設機器とを上下方向に配置して構成された複数の処理モジュールと、
    前記大気搬送室と前記真空搬送チャンバとの間に設けられ、前記基板を収容した状態で、内部を大気雰囲気と真空雰囲気との間で切り替え可能に構成されたロードロックチャンバと、を備え、
    前記真空搬送チャンバ及び前記ロードロックチャンバは、下方側に作業者が進入可能な高さ位置に配置されていることと、
    前記真空搬送チャンバの側面には、前記ロードロックチャンバと複数の前記真空処理チャンバとがそれぞれ接続され、前記真空搬送チャンバの下方側の空間は、前記ロードロックチャンバが接続されている面を除き、複数の前記処理モジュールによって外方側から塞がれていることと、
    前記ロードロックチャンバの下方側の空間は、前記大気搬送室が接続されている面以外の方向から前記作業者が進入して、前記搬送チャンバの下方側の空間へ至るメンテナンス通路となっているシステム。
  2. 前記真空搬送チャンバは、当該真空搬送チャンバ内に設けられた基板搬送用の多関節アームと、前記多関節アームに接続され、真空搬送チャンバの下方側の空間へ向けて突出するように設けられた駆動機構と、を有する基板搬送ロボットを備え、前記メンテナンス通路は、前記真空搬送チャンバから取り外された前記駆動機構を通過させることが可能な幅寸法及び高さ寸法を有する、請求項1に記載のシステム。
  3. 前記駆動機構は、上下方向に長い柱状体として構成され、前記柱状体の長軸を上下方向に向けた状態で前記メンテナンス通路を通過する、請求項2に記載のシステム。
  4. 前記駆動機構は、搬送用の搬送容器に収容された状態で搬送され、前記メンテナンス通路の幅及び高さは、前記駆動機構が収容された前記搬送容器を通過させることが可能な寸法に構成されている、請求項2または3に記載のシステム。
  5. 前記メンテナンス通路から前記駆動機構の取り付け位置に至る、前記真空搬送チャンバ及び前記ロードロックチャンバの下方側の空間の床面には、前記搬送容器を滑り移動させるためのスライドプレートが設けられる、請求項4に記載のシステム。
  6. 前記スライドプレートは、前記駆動機構の搬送経路に沿って延在するように設けられ、前記搬送経路の両端位置には、突壁状のガイド部が設けられている、請求項5に記載のシステム。
  7. 前記スライドプレートは、複数のプレート部材を組み合わせることにより着脱自在に構成され、隣り合って配置されるプレート部材同士の突合部は、滑り移動する前記搬送容器の引っ掛かりを避けるため、上面側の角部が面取りされている、請求項5または6に記載のシステム。
  8. 前記ロードロックチャンバ及び前記真空搬送チャンバは、前記システムが設けられている建屋の床面から1500mm以上の搬送高さにて前記基板の搬送を行う高さ位置に配置されている、請求項1ないし7のいずれか一つに記載のシステム。
  9. 前記メンテナンス通路は、前記大気搬送室側から見て、前記ロードロックチャンバの左右いずれか一方側に開口するように設けられ、前記ロードロックチャンバの下方側に至る他方側の面は、前記システムを構成する機器が配置されていることにより塞がれた状態となっている、請求項1ないし8のいずれか一つに記載のシステム。
  10. 真空雰囲気の複数の真空処理チャンバを用いて基板を処理するシステムのメンテナンス方法であって、
    前記システムは、
    大気雰囲気下で前記基板の搬送が行われる大気搬送室と、真空雰囲気下で前記基板の搬送が行われる真空搬送チャンバと、前記真空処理チャンバと、当該真空処理チャンバに併設される併設機器とを上下方向に配置して構成された複数の処理モジュールと、前記大気搬送室と前記真空搬送チャンバとの間に設けられ、前記基板を収容した状態で、内部を大気雰囲気と真空雰囲気との間で切り替え可能に構成されたロードロックチャンバと、を備えることと、
    前記真空搬送チャンバ及び前記ロードロックチャンバは、下方側に作業者が進入可能な高さ位置に配置されていることと、
    前記真空搬送チャンバの側面には、前記ロードロックチャンバと複数の前記真空処理チャンバとがそれぞれ接続され、前記真空搬送チャンバの下方側の空間は、前記ロードロックチャンバが接続されている面を除き、複数の前記処理モジュールによって外方側から塞がれていることと、
    前記ロードロックチャンバの下方側の空間は、前記大気搬送室が接続されている面以外の方向から進入可能であり、前記搬送チャンバの下方側の空間へ至るメンテナンス通路となっていることと、を有し、
    前記メンテナンス通路に前記作業者が進入してメンテナンスを実施する方法。
JP2021197993A 2021-12-06 2021-12-06 基板を処理するシステム、及びそのメンテナンス方法 Pending JP2023083962A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021197993A JP2023083962A (ja) 2021-12-06 2021-12-06 基板を処理するシステム、及びそのメンテナンス方法
KR1020220159169A KR20230085085A (ko) 2021-12-06 2022-11-24 기판을 처리하는 시스템 및 그 메인터넌스 방법
CN202211500012.1A CN116230582A (zh) 2021-12-06 2022-11-28 处理基片的系统及其维护方法
US18/071,039 US20230178395A1 (en) 2021-12-06 2022-11-29 System for processing substrate and maintenance method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021197993A JP2023083962A (ja) 2021-12-06 2021-12-06 基板を処理するシステム、及びそのメンテナンス方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023083962A true JP2023083962A (ja) 2023-06-16

Family

ID=86570355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021197993A Pending JP2023083962A (ja) 2021-12-06 2021-12-06 基板を処理するシステム、及びそのメンテナンス方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230178395A1 (ja)
JP (1) JP2023083962A (ja)
KR (1) KR20230085085A (ja)
CN (1) CN116230582A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5526988B2 (ja) 2010-04-28 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理システム

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230085085A (ko) 2023-06-13
US20230178395A1 (en) 2023-06-08
CN116230582A (zh) 2023-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9443749B2 (en) Vacuum processing apparatus
KR100646906B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
US7883579B2 (en) Substrate processing apparatus and lid supporting apparatus for the substrate processing apparatus
KR102143966B1 (ko) 모듈식 수직 노 처리 시스템
US20100086383A1 (en) Vacuum processing apparatus
JP5482500B2 (ja) 基板処理装置
KR20050044434A (ko) 초소형전자 기판을 처리하는 감소의 풋프린트 공구
JP6306813B2 (ja) モジュール式半導体処理システム
JP5526988B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理システム
US20190333789A1 (en) Assembling apparatus and assembling method for semiconductor manufacturing apparatus
JP5682595B2 (ja) ロードポート装置の取付け方法及び当該方法に用いられる運搬架台
KR20210014496A (ko) 반도체 제조 장치
JP5164416B2 (ja) 基板処理装置、収納容器の搬送方法および半導体装置の製造方法
JP2002175998A (ja) 処理装置
JP2023083962A (ja) 基板を処理するシステム、及びそのメンテナンス方法
KR20120022598A (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP4633294B2 (ja) 搬送ロボット移転対応型搬送装置及び搬送ロボット移転方法
CN112242320B (zh) 衬底处理装置及衬底搬送方法
JP2004165458A (ja) 容器開閉装置
JP2014060338A (ja) 基板処理装置
US20090255892A1 (en) Method and apparatus to remove and replace factory interface track
WO2024171806A1 (ja) 基板処理システム及び台車
KR100740453B1 (ko) 진공처리장치
KR20130117696A (ko) 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 기억 매체
TWI856150B (zh) 基板處理系統

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240909