JPH01211973A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01211973A JPH01211973A JP3661588A JP3661588A JPH01211973A JP H01211973 A JPH01211973 A JP H01211973A JP 3661588 A JP3661588 A JP 3661588A JP 3661588 A JP3661588 A JP 3661588A JP H01211973 A JPH01211973 A JP H01211973A
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- Japan
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- concentration diffusion
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- type high
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- Pending
Links
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 4
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- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にＮＰＮパワー・トラン
ジスタの構造に関する。
ジスタの構造に関する。
従来、ＮＰＮパワートランジスタの熱破壊を強くする方
法のひとつとしてエミッタ又はベースに安定化抵抗が直
列挿入される。
法のひとつとしてエミッタ又はベースに安定化抵抗が直
列挿入される。
第２図は熱破壊強度を強めた従来のＮＰＮパワー・トラ
ンジスタの断面図で、Ｐ型半導体基板１上のＮ型高濃度
埋込領域２上に成長されたＮ型エピタキシャル層３に、
互いに離間した２つのＰ型高濃度拡散領域４ａ、４ｂを
形成し、その１つ４ａにＮ型高濃度拡散領域６を拡散形
成すると共に、２つのＰ型高濃度拡散領域４ａ、４ｂ同
志を表面のシリコン酸化膜７上で導体８で結線すること
により、Ｎ型高濃度拡散領域６．Ｐ型高濃度拡散領域４
ａおよびＮ型エピタキシャル層３をそれぞれエミッタ、
ベースおよびコレクタとするＮＰＮパワー・トランジス
タと、Ｐ型高濃度拡散領域４ｂを抵抗領域とするベース
安定化抵抗とが、同一基板上に形成されていることを示
す。
ンジスタの断面図で、Ｐ型半導体基板１上のＮ型高濃度
埋込領域２上に成長されたＮ型エピタキシャル層３に、
互いに離間した２つのＰ型高濃度拡散領域４ａ、４ｂを
形成し、その１つ４ａにＮ型高濃度拡散領域６を拡散形
成すると共に、２つのＰ型高濃度拡散領域４ａ、４ｂ同
志を表面のシリコン酸化膜７上で導体８で結線すること
により、Ｎ型高濃度拡散領域６．Ｐ型高濃度拡散領域４
ａおよびＮ型エピタキシャル層３をそれぞれエミッタ、
ベースおよびコレクタとするＮＰＮパワー・トランジス
タと、Ｐ型高濃度拡散領域４ｂを抵抗領域とするベース
安定化抵抗とが、同一基板上に形成されていることを示
す。
しかしながら、上述した従来の構造では、パワー・トラ
ンジスタ領域とは別に抵抗領域が形成されるので、半導
体ペレットが大きくなりコスト高を招く欠点がある。
ンジスタ領域とは別に抵抗領域が形成されるので、半導
体ペレットが大きくなりコスト高を招く欠点がある。
本発明の目的は、上記の状況に鑑み、熱破壊防止用安定
化抵抗を半導体ペレットを大型化することなく素子内に
形成したＮＰＮパワー・トランジスタを備えた半導体装
置を提供することである。
化抵抗を半導体ペレットを大型化することなく素子内に
形成したＮＰＮパワー・トランジスタを備えた半導体装
置を提供することである。
本発明によれば、半導体装置は、Ｐ型半導体基板と、前
記半導体基板上のＮ型エピタキシャル成長層上にＮＰＮ
パワー・トランジスタのベースおよびエミッタをそれぞ
れ形成するＰ型高濃度拡散領域およびＮ型高濃度拡散領
域と、前記Ｐ型高濃度拡散領域内に前記Ｎ型高濃度拡散
領域を取囲むように形成されるＮ型低濃度拡散領域とを
含んで構成される。
記半導体基板上のＮ型エピタキシャル成長層上にＮＰＮ
パワー・トランジスタのベースおよびエミッタをそれぞ
れ形成するＰ型高濃度拡散領域およびＮ型高濃度拡散領
域と、前記Ｐ型高濃度拡散領域内に前記Ｎ型高濃度拡散
領域を取囲むように形成されるＮ型低濃度拡散領域とを
含んで構成される。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の部分断面
図である。本実施例によれば、本発明の半導体装置は、
Ｐ型半導体基板１と、Ｎ型高濃度埋込領域２と、この上
に成長されたＮ型エピタキシャル層３と、このエピタキ
シャルＮ３上に形成されたＰ型高濃度拡散領域４と、こ
のＰ型高濃度拡散領域３，４上に順次拡散形成されたＮ
型低濃度拡散領域５およびＮ型高濃度拡散６とを含む。
図である。本実施例によれば、本発明の半導体装置は、
Ｐ型半導体基板１と、Ｎ型高濃度埋込領域２と、この上
に成長されたＮ型エピタキシャル層３と、このエピタキ
シャルＮ３上に形成されたＰ型高濃度拡散領域４と、こ
のＰ型高濃度拡散領域３，４上に順次拡散形成されたＮ
型低濃度拡散領域５およびＮ型高濃度拡散６とを含む。
ここで、７は表面のシリコン酸化保護膜である。本実施
例によれば、Ｎ型低濃度拡散領域５はＮＰＮパワー・ト
ランジスタのエミッタとして機能するＮ型高濃度拡散領
域６およびベースとして機能するＰ型高濃度拡散領域４
との間にそれぞれと接するように在り、熱破壊防止用安
定化抵抗領域として機能する。すなわち、エミッタ、ベ
ースの各領域間を流れる電流を制限するよう働き、これ
ら２つの領域間への電流集中を緩和するよう作用する。
例によれば、Ｎ型低濃度拡散領域５はＮＰＮパワー・ト
ランジスタのエミッタとして機能するＮ型高濃度拡散領
域６およびベースとして機能するＰ型高濃度拡散領域４
との間にそれぞれと接するように在り、熱破壊防止用安
定化抵抗領域として機能する。すなわち、エミッタ、ベ
ースの各領域間を流れる電流を制限するよう働き、これ
ら２つの領域間への電流集中を緩和するよう作用する。
本実施例が示すように、本発明の半導体装置は、ＮＰＮ
パワー・トランジスタの熱破壊防止用安定化抵抗をトラ
ンジスタの素子内に形成するので、半導体ペレットを大
型化することなく、熱破壊強度が著しく強化される。
パワー・トランジスタの熱破壊防止用安定化抵抗をトラ
ンジスタの素子内に形成するので、半導体ペレットを大
型化することなく、熱破壊強度が著しく強化される。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、パワート
ランジスタ素子内のベース領域に安定化抵抗が形成でき
るので、ＮＰＮパワートランジスタの熱破壊をベレット
を大型化することなく達成し得る。
ランジスタ素子内のベース領域に安定化抵抗が形成でき
るので、ＮＰＮパワートランジスタの熱破壊をベレット
を大型化することなく達成し得る。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の部分断面
図、第２図は熱破壊強度を強めた従来のＮＰＮパワー・
トランジスタの断面図である。 １・・・Ｐ型半導体基板、２・・・Ｎ型高濃度埋込領域
、３・・・Ｎ型エピタキシャル層、４・・・Ｐ型高濃度
拡散領域、５・・・Ｎ型低濃度拡散領域、６・・・Ｎ型
高濃度拡散領域、７・・・シリコン酸化保護膜。
図、第２図は熱破壊強度を強めた従来のＮＰＮパワー・
トランジスタの断面図である。 １・・・Ｐ型半導体基板、２・・・Ｎ型高濃度埋込領域
、３・・・Ｎ型エピタキシャル層、４・・・Ｐ型高濃度
拡散領域、５・・・Ｎ型低濃度拡散領域、６・・・Ｎ型
高濃度拡散領域、７・・・シリコン酸化保護膜。
Claims (1)
- Ｐ型半導体基板と、前記半導体基板上のＮ型エピタキ
シャル成長層上にＮＰＮパワー・トランジスタのベース
およびエミッタをそれぞれ形成するＰ型高濃度拡散領域
およびＮ型高濃度拡散領域と、前記Ｐ型高濃度拡散領域
内に前記Ｎ型高濃度拡散領域を取囲むように形成される
Ｎ型低濃度拡散領域とを含むことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3661588A JPH01211973A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3661588A JPH01211973A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01211973A true JPH01211973A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=12474712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3661588A Pending JPH01211973A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01211973A (ja) |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP3661588A patent/JPH01211973A/ja active Pending
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