JPH0291949A - トランジスタ - Google Patents
トランジスタInfo
- Publication number
- JPH0291949A JPH0291949A JP24535388A JP24535388A JPH0291949A JP H0291949 A JPH0291949 A JP H0291949A JP 24535388 A JP24535388 A JP 24535388A JP 24535388 A JP24535388 A JP 24535388A JP H0291949 A JPH0291949 A JP H0291949A
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- JP
- Japan
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- collector
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- depletion layer
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１業」Ｊ」ｕＬ刊比
この発明はトランジスタに関し、特にプレーナ型トラン
ジスタの、コレクタコンタクトに接触する高濃度不純物
層の形状の改良に関する。
ジスタの、コレクタコンタクトに接触する高濃度不純物
層の形状の改良に関する。
丈末東皮直
従来のプレーナ型トランジスタについて、図面を参照し
て説明する。
て説明する。
第２図はその断面図である。図においてエピタキシャル
成長済半導体基板１はｐ型半導体基板２上に、ｎ型エピ
タキシャルＢ３を堆積させ、そのｐ型半導体基板２とｎ
型エピタキシャル層３の間にｎ＋型埋込層４を有するも
のである。
成長済半導体基板１はｐ型半導体基板２上に、ｎ型エピ
タキシャルＢ３を堆積させ、そのｐ型半導体基板２とｎ
型エピタキシャル層３の間にｎ＋型埋込層４を有するも
のである。
また、ｐ型半導体基板２に達するｐ型絶縁拡散層５．ｎ
＋型埋込層４に達するｎ＋型コレクタ拡散層Ｂｓｎ型エ
ピタキシャル層３内のＰ型ベース拡散層？、 ｎ型工、
ミッタ拡散層８は写真食刻法により酸化膜をパターニン
グ、穴開けする工程、熱拡散法、イオン注入法等により
不純物を注入する工程、および熱酸化、押込工程を繰り
返し行い形成したもので、それらの上部は表面保護用に
熱酸化膜９を有している。
＋型埋込層４に達するｎ＋型コレクタ拡散層Ｂｓｎ型エ
ピタキシャル層３内のＰ型ベース拡散層？、 ｎ型工、
ミッタ拡散層８は写真食刻法により酸化膜をパターニン
グ、穴開けする工程、熱拡散法、イオン注入法等により
不純物を注入する工程、および熱酸化、押込工程を繰り
返し行い形成したもので、それらの上部は表面保護用に
熱酸化膜９を有している。
さらに、上記熱酸化膜９の一部を除去し、アルミ等の金
属を上記のｎ＋型コレクタ拡散層６． ｐ型ベース拡
散層Ｌｎ型エミッタ拡散層８に接触させ、それぞれコジ
クタ電極１０．フィールドプレート１１を有するベース
電極１２．エミッタ電極１３を形成している。
属を上記のｎ＋型コレクタ拡散層６． ｐ型ベース拡
散層Ｌｎ型エミッタ拡散層８に接触させ、それぞれコジ
クタ電極１０．フィールドプレート１１を有するベース
電極１２．エミッタ電極１３を形成している。
なお、破線で囲まれた領域はベース−コレクタ接合１４
．及びフィールドプレート１１で生ずる空乏層１５と空
乏層１６、絶縁−コレクタ接合１７、及びｎ＋型埋込層
４−ｐ型半導体基板３の接合１８に生ずる空乏層１９を
示す。
．及びフィールドプレート１１で生ずる空乏層１５と空
乏層１６、絶縁−コレクタ接合１７、及びｎ＋型埋込層
４−ｐ型半導体基板３の接合１８に生ずる空乏層１９を
示す。
ところで上記プレーナ型トランジスタにおいては、各電
極に印加されるバイアスの関係により、１）ベース−コ
レクタ接合１４の空乏１１１５．２）絶縁−コレクタ接
合１７の空乏層１９．３）フィールドプレート１１下の
空乏層１６、が伸縮する。
極に印加されるバイアスの関係により、１）ベース−コ
レクタ接合１４の空乏１１１５．２）絶縁−コレクタ接
合１７の空乏層１９．３）フィールドプレート１１下の
空乏層１６、が伸縮する。
上記１）〜３）項の耐圧は、１）〜３）項の空乏層がｎ
＋型フレクタ拡散層８に達した場合、空乏層の伸びがｎ
＋型コレクタ拡散層６で制限されるため所定の耐圧を確
保するために、ｎ＋型コレクタ拡散層６とベース−コレ
クタ接合１４間の寸？ｔａ、ｎ＋型コレクタ拡散層６と
フィールドプレート１１間の寸法ｂ＋ｎ＋型コレクタ拡
散層６と絶縁拡散層５間の寸法Ｃをある一定距離以上離
している。そのため、素子寸法を設計する場合、これら
の寸法で素子寸法が決定され、縮小に限界、さらにはペ
レットの小型化に限界があった。
＋型フレクタ拡散層８に達した場合、空乏層の伸びがｎ
＋型コレクタ拡散層６で制限されるため所定の耐圧を確
保するために、ｎ＋型コレクタ拡散層６とベース−コレ
クタ接合１４間の寸？ｔａ、ｎ＋型コレクタ拡散層６と
フィールドプレート１１間の寸法ｂ＋ｎ＋型コレクタ拡
散層６と絶縁拡散層５間の寸法Ｃをある一定距離以上離
している。そのため、素子寸法を設計する場合、これら
の寸法で素子寸法が決定され、縮小に限界、さらにはペ
レットの小型化に限界があった。
の
この発明は、上記の課題を解決するために、コレクタコ
ンタクト下の高濃度不純物層における各接合から伸びる
空乏層が接触する部分に、高１度不純物層の導電型と逆
の不純物を熱拡散や、イオン注入等で注入し、その部分
を低ｙ１１度化したことを特徴とする。
ンタクト下の高濃度不純物層における各接合から伸びる
空乏層が接触する部分に、高１度不純物層の導電型と逆
の不純物を熱拡散や、イオン注入等で注入し、その部分
を低ｙ１１度化したことを特徴とする。
作」−
上記のコレクタ拡散層低濃度化領域は、低濃度ゆえに、
各接合からの空乏層の伸びを制限しないため、低濃度化
領域と接合から伸びた空乏層をオーバーラツプすれば、
コレクタ拡散層と各接合間の距離を縮めることができる
。
各接合からの空乏層の伸びを制限しないため、低濃度化
領域と接合から伸びた空乏層をオーバーラツプすれば、
コレクタ拡散層と各接合間の距離を縮めることができる
。
しかも、コレクタ電極と、エミッタ拡散領域の距離が縮
小されることから、コレクタ直列抵抗も小さくすること
ができる。
小されることから、コレクタ直列抵抗も小さくすること
ができる。
災胤肚
以下、この発明の実施例について、図面を参照して説明
する。
する。
第１図は実施例のトランジスタの断面図である。図にお
いて、２０の斜線部はｎ＋型コレクタ層６にｎ＋型コレ
クタ層６の導電型と逆のｐ型不純物を注入して形成した
低濃度ｎ型領域である。
いて、２０の斜線部はｎ＋型コレクタ層６にｎ＋型コレ
クタ層６の導電型と逆のｐ型不純物を注入して形成した
低濃度ｎ型領域である。
フィールドプレート１１下の空乏層１６が、コレクタ拡
散層６と、オーバーラツプするように、ｐ型ベース拡散
層７と、ｎ＋型コレクタ拡散層６内の低濃度ｎ型領域２
０間の寸法ｄが第２図の寸法ａに比し縮めである以外は
、第２図と同様であるので、同一部分には同一参照符号
を付して、その説明を省略する。
散層６と、オーバーラツプするように、ｐ型ベース拡散
層７と、ｎ＋型コレクタ拡散層６内の低濃度ｎ型領域２
０間の寸法ｄが第２図の寸法ａに比し縮めである以外は
、第２図と同様であるので、同一部分には同一参照符号
を付して、その説明を省略する。
この実施例は、フィールドプレート１１下の空乏層１６
を空乏層の伸びを制限しない低濃度ｎ型領域２０とオー
バーラツプさせ、その低濃度ｎ型領域２０の長さだけｐ
型ベース拡散層７とｎ“型コレクタ拡散層６間の寸法ｄ
が縮小でき素子サイズが小さくできるという効果がある
。
を空乏層の伸びを制限しない低濃度ｎ型領域２０とオー
バーラツプさせ、その低濃度ｎ型領域２０の長さだけｐ
型ベース拡散層７とｎ“型コレクタ拡散層６間の寸法ｄ
が縮小でき素子サイズが小さくできるという効果がある
。
なお、上記実施例は、フィールドプレート１１下の空乏
層１６とｎ＋型コレクタ拡散層６との耐圧制限について
説明したが、フィールドプレート１１がなく、ベース−
コレクタ接合１４からの空乏層１５とｎ＋型コレクタ拡
散層６との耐圧制限、また、絶縁−コレクタ接合１７か
らの空乏層１９とｎ＋型コレクタ拡散層６との耐圧制限
の場合でもよい。
層１６とｎ＋型コレクタ拡散層６との耐圧制限について
説明したが、フィールドプレート１１がなく、ベース−
コレクタ接合１４からの空乏層１５とｎ＋型コレクタ拡
散層６との耐圧制限、また、絶縁−コレクタ接合１７か
らの空乏層１９とｎ＋型コレクタ拡散層６との耐圧制限
の場合でもよい。
さらに、トランジスタは、上記ｎｐｎ型のみでなく、導
電型を逆にすることにより、ｐｎｐ型でもよい。
電型を逆にすることにより、ｐｎｐ型でもよい。
光ｌ廊と復呆−
この発明は以上の様に、高濃度コレクタ拡散層に低濃度
領域を形成することにより、各接合からの空乏層の伸び
を制限することなく、従って、耐圧を確保したまま、素
子寸法を縮小でき、ペレットの小型化ができる。
領域を形成することにより、各接合からの空乏層の伸び
を制限することなく、従って、耐圧を確保したまま、素
子寸法を縮小でき、ペレットの小型化ができる。
第１図は、この発明の一実施例であるプレーナ型トラン
ジスタの断面図である。 第２図は、従来のプレーナ型トランジスタの断面図であ
る。 １・・・エピタキシャル成長済半導体基板、２・・・ｐ
型半導体基板、 ３・・・ｎ型エピタキシャル層、 ４・・・ｎ＋型埋込層、 ５・・・ｐ＋型絶縁拡散層、 ６・・・高濃度不純物領域（ｎ”型コレクタ拡散層）７
・・・ｐ型ベース拡散層、 ８・・・ｎ型エミッタ拡散層、 ９・・・熱酸化膜、 １０・・・コレクタ電極、 １１・・・フィールドプレート、 １２・・・ベース電極、 １３・・・エミッタ電極、 １４・・・ベース−コレクタ接合、 １５・・・ベース−コレクタ接合より生ずる空乏層、１
６・・・フィールドプレートにより生ずる空乏層、１７
・・・絶縁−コレクタ接合、 １８・・・ｎ型埋込層−ｐ型半導体基板接合、１９・・
・絶縁−コレクタ接合より生ずる空乏層、２０・・・低
濃度ｎ型領域。
ジスタの断面図である。 第２図は、従来のプレーナ型トランジスタの断面図であ
る。 １・・・エピタキシャル成長済半導体基板、２・・・ｐ
型半導体基板、 ３・・・ｎ型エピタキシャル層、 ４・・・ｎ＋型埋込層、 ５・・・ｐ＋型絶縁拡散層、 ６・・・高濃度不純物領域（ｎ”型コレクタ拡散層）７
・・・ｐ型ベース拡散層、 ８・・・ｎ型エミッタ拡散層、 ９・・・熱酸化膜、 １０・・・コレクタ電極、 １１・・・フィールドプレート、 １２・・・ベース電極、 １３・・・エミッタ電極、 １４・・・ベース−コレクタ接合、 １５・・・ベース−コレクタ接合より生ずる空乏層、１
６・・・フィールドプレートにより生ずる空乏層、１７
・・・絶縁−コレクタ接合、 １８・・・ｎ型埋込層−ｐ型半導体基板接合、１９・・
・絶縁−コレクタ接合より生ずる空乏層、２０・・・低
濃度ｎ型領域。
Claims (1)
- 半導体基板にエミッタ、ベース、コレクタ領域を形成し
、コレクタ領域に高濃度不純物領域を形成してエミッタ
、ベース、コレクタ電極を表面より引き出したプレーナ
型のトランジスタにおいて、コレクタコンタクト下の高
濃度不純物領域の一部を、同一導電型の低濃度層に変化
させたことを特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24535388A JPH0291949A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24535388A JPH0291949A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0291949A true JPH0291949A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17132414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24535388A Pending JPH0291949A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0291949A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102931225A (zh) * | 2011-08-09 | 2013-02-13 | 旺宏电子股份有限公司 | 一种双极结晶体管及其制造方法 |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP24535388A patent/JPH0291949A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102931225A (zh) * | 2011-08-09 | 2013-02-13 | 旺宏电子股份有限公司 | 一种双极结晶体管及其制造方法 |
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