JPH0521442A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0521442A JPH0521442A JP17081991A JP17081991A JPH0521442A JP H0521442 A JPH0521442 A JP H0521442A JP 17081991 A JP17081991 A JP 17081991A JP 17081991 A JP17081991 A JP 17081991A JP H0521442 A JPH0521442 A JP H0521442A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- type
- collector
- emitter
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】横型トランジスタの電気的特性の向上をはか
る。 【構成】ラテラルＰＮＰトランジスタのコレクタ第１領
域６ｃに絶縁分離領域５ａ形成時に同時に、深いコレク
タ領域であるコレクタ第２領域５ｂを形成したことを特
徴として構成される。 【効果】ラテラルＰＮＰトランジスタにおいて、コレク
タ−エミッタ間耐圧を確保でき、かつｈFEを高めること
ができる。
る。 【構成】ラテラルＰＮＰトランジスタのコレクタ第１領
域６ｃに絶縁分離領域５ａ形成時に同時に、深いコレク
タ領域であるコレクタ第２領域５ｂを形成したことを特
徴として構成される。 【効果】ラテラルＰＮＰトランジスタにおいて、コレク
タ−エミッタ間耐圧を確保でき、かつｈFEを高めること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に電気的特性を向上させた横型トランジスタを含む半導
体装置に関する。
に電気的特性を向上させた横型トランジスタを含む半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、横型トランジスタは、図２の構造
断面図にＰＮＰトランジスタで例示するように、Ｐ型半
導体基板１にＮ+ 型埋込層２とＰ+ 型埋込層領域３を形
成し、その上にベース領域としてのＮ型エピタキシャル
層４を成長させる。そして前記Ｐ+ 型埋込層領域３につ
ながるＰ+ 型分離拡散領域５ａを形成してトランジスタ
を形成する島領域を分離させる。そして島領域内にＰ型
エミッタ領域６ｅ，Ｐ型コレクタ領域６ｃ及びＮ+ 型ベ
ースコンタクト領域７を横方向に配列して形成する。更
に、表面の酸化膜８の開口領域を通してエミッタ，コレ
クタ，ベースの各電極９，１０，１１を形成している。
断面図にＰＮＰトランジスタで例示するように、Ｐ型半
導体基板１にＮ+ 型埋込層２とＰ+ 型埋込層領域３を形
成し、その上にベース領域としてのＮ型エピタキシャル
層４を成長させる。そして前記Ｐ+ 型埋込層領域３につ
ながるＰ+ 型分離拡散領域５ａを形成してトランジスタ
を形成する島領域を分離させる。そして島領域内にＰ型
エミッタ領域６ｅ，Ｐ型コレクタ領域６ｃ及びＮ+ 型ベ
ースコンタクト領域７を横方向に配列して形成する。更
に、表面の酸化膜８の開口領域を通してエミッタ，コレ
クタ，ベースの各電極９，１０，１１を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の横型ト
ランジスタでは、ベース・コレクタ間の耐圧を高めるた
めにはエミッタ領域６ｅとコレクタ領域６ｃとの間を長
くする必要がある。しかし、横型トランジスタにおい
て、エミッタ領域６ｅとコレクタ領域６ｃの間が長くな
ればエミッタ領域６ｅから注入された、正孔がベース領
域４内で電子と再結合する確率が高くなるため、電流増
幅率（ｈFE）が低下する。この結果、トランジスタのｈ
FEを向上することが難かしくなる。
ランジスタでは、ベース・コレクタ間の耐圧を高めるた
めにはエミッタ領域６ｅとコレクタ領域６ｃとの間を長
くする必要がある。しかし、横型トランジスタにおい
て、エミッタ領域６ｅとコレクタ領域６ｃの間が長くな
ればエミッタ領域６ｅから注入された、正孔がベース領
域４内で電子と再結合する確率が高くなるため、電流増
幅率（ｈFE）が低下する。この結果、トランジスタのｈ
FEを向上することが難かしくなる。
【０００４】本発明の目的はｈFE、特性を向上させた横
型トランジスタを含む半導体装置を提供することにあ
る。
型トランジスタを含む半導体装置を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
第１導電型半導体基板に第２導電型の埋込層とベース領
域としてのエピタキシャル層を形成し、この埋込層上に
おいて前記エピタキシャル層に第１導電型のエミッタ領
域、コレクタ領域と第２導電型のベースコンタクト領
域，コレクタ領域と第２導電型のベースコンタクト領域
を形成してなる横型トランジスタを含む半導体装置にお
いて、エミッタ領域，コレクタ領域の少なくともコレク
タ領域には深さ方向に向けて第２導電型の高濃度第２領
域が形成されていることを特徴とする。
第１導電型半導体基板に第２導電型の埋込層とベース領
域としてのエピタキシャル層を形成し、この埋込層上に
おいて前記エピタキシャル層に第１導電型のエミッタ領
域、コレクタ領域と第２導電型のベースコンタクト領
域，コレクタ領域と第２導電型のベースコンタクト領域
を形成してなる横型トランジスタを含む半導体装置にお
いて、エミッタ領域，コレクタ領域の少なくともコレク
タ領域には深さ方向に向けて第２導電型の高濃度第２領
域が形成されていることを特徴とする。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の横型ＰＮＰトランジスタ
を示す構造断面図である。
る。図１は本発明の一実施例の横型ＰＮＰトランジスタ
を示す構造断面図である。
【０００７】図１において、Ｐ型シリコン基板１の表面
からアンチモン等のＮ+ 型不純物を拡散してＮ+ 型埋込
層２を形成してこのＮ+ 型埋込層２を囲む所にボロン等
のＰ+ 型不純物を拡散してＰ+ 型埋込領域３を形成す
る。そして気相成長法により、表面にＮ型シリコンエピ
タキシャル層４を成長させる。このエピタキシャル層４
には、前記Ｐ+ 型埋込層領域３に対応する位置にＰ+ 型
不純物を選択的に拡散してＰ+ 型絶縁分離領域５ａを形
成する。このとき同時に将来コレクタを形成領域にＰ+
型不純物を選択的に拡散してＰ+ 型コレクタ第２領域５
ｂを形成する。
からアンチモン等のＮ+ 型不純物を拡散してＮ+ 型埋込
層２を形成してこのＮ+ 型埋込層２を囲む所にボロン等
のＰ+ 型不純物を拡散してＰ+ 型埋込領域３を形成す
る。そして気相成長法により、表面にＮ型シリコンエピ
タキシャル層４を成長させる。このエピタキシャル層４
には、前記Ｐ+ 型埋込層領域３に対応する位置にＰ+ 型
不純物を選択的に拡散してＰ+ 型絶縁分離領域５ａを形
成する。このとき同時に将来コレクタを形成領域にＰ+
型不純物を選択的に拡散してＰ+ 型コレクタ第２領域５
ｂを形成する。
【０００８】そしてエピタキシャル層４の表面からＰ型
不純物を拡散してエミッタ領域６ｅ及びコレクタ領域６
ｃを形成する。また同様にＮ+ 型不純物を拡散してＮ+
型ベース・コンタクト領域７を形成する。
不純物を拡散してエミッタ領域６ｅ及びコレクタ領域６
ｃを形成する。また同様にＮ+ 型不純物を拡散してＮ+
型ベース・コンタクト領域７を形成する。
【０００９】又、表面に形成した酸化膜８をエッチング
して開口しアルミニウムからなる、エミッタ９，コレク
タ１０，ベース１１の各電極を形成する。
して開口しアルミニウムからなる、エミッタ９，コレク
タ１０，ベース１１の各電極を形成する。
【００１０】
【発明の効果】上述した構成において、特にコレクタ領
域に高濃度の第２領域を形成することにより、エミッ
タ，コレクタ間耐圧を確保し、かつｈFEの向上を達成す
ることができる。
域に高濃度の第２領域を形成することにより、エミッ
タ，コレクタ間耐圧を確保し、かつｈFEの向上を達成す
ることができる。
【図１】本発明の一実施例の横型ＰＮＰトランジスタの
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図２】従来の横型ＰＮＰトランジスタの一例の断面図
である。
である。
１ Ｐ型シリコン基板 ２ Ｎ+ 型埋込層 ３ Ｐ+ 型埋込層 ４ Ｎ型エピタキシャル層 ５ａ Ｐ+ 型絶縁分離領域 ５ｂ Ｐ+ 型コレクタ第２領域 ６ｃ コレクタ領域 ６ｅ エミッタ領域 ７ ベースコンタクト領域 ８ 酸化膜 ９，１０，１１ 電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 第１導電型半導体基板に第２導電型の埋
込層とベース領域としてのエピタキシャル層を形成し、
前記埋込層上のエピタキシャル層に第１導電型のエミッ
タ領域とコレクタ領域と第２の導電型のベースコンタク
ト領域を形成してなる横型トランジスタを含む半導体装
置において、前記横型トランジスタのエミッタ領域，コ
レクタ領域の少なくともコレクタ領域には、深さ方向に
向けた第２導電型の高濃度の第２領域が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17081991A JPH0521442A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17081991A JPH0521442A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521442A true JPH0521442A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15911923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17081991A Pending JPH0521442A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521442A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8624355B2 (en) | 2012-01-23 | 2014-01-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2015060006A1 (ja) * | 2013-10-21 | 2015-04-30 | トヨタ自動車株式会社 | バイポーラトランジスタ |
| WO2015060005A1 (ja) * | 2013-10-21 | 2015-04-30 | トヨタ自動車株式会社 | バイポーラトランジスタ |
| US9150063B2 (en) | 2013-04-19 | 2015-10-06 | Tomac Co., Ltd. | Connection devices and pulling drive vehicles or pulling carriages with the connection device |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP17081991A patent/JPH0521442A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8624355B2 (en) | 2012-01-23 | 2014-01-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9150063B2 (en) | 2013-04-19 | 2015-10-06 | Tomac Co., Ltd. | Connection devices and pulling drive vehicles or pulling carriages with the connection device |
| WO2015060006A1 (ja) * | 2013-10-21 | 2015-04-30 | トヨタ自動車株式会社 | バイポーラトランジスタ |
| WO2015060005A1 (ja) * | 2013-10-21 | 2015-04-30 | トヨタ自動車株式会社 | バイポーラトランジスタ |
| US9978856B2 (en) | 2013-10-21 | 2018-05-22 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Bipolar transistor |
| US9985120B2 (en) | 2013-10-21 | 2018-05-29 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Bipolar transistor |
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