JPS6390851A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6390851A JPS6390851A JP23686086A JP23686086A JPS6390851A JP S6390851 A JPS6390851 A JP S6390851A JP 23686086 A JP23686086 A JP 23686086A JP 23686086 A JP23686086 A JP 23686086A JP S6390851 A JPS6390851 A JP S6390851A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- type
- type high
- high concentration
- low concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にＮＰＮパワー１〜ラン
ジスタを構成する半導体装置に関する。
ジスタを構成する半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置においては、構成されるＮＰ
Ｎパワートランジスタの熱破壊対策としてエミッタまた
はベースに安定化抵抗を設けている。
Ｎパワートランジスタの熱破壊対策としてエミッタまた
はベースに安定化抵抗を設けている。
従来の半導体装置の一例を示す第２図を参照すると、半
導体基板５上にＮ型高濃度埋込み領域７を有し、Ｎ型低
濃度領域のエピタキシャル層８を成長させ、Ｐ型高濃度
拡散領域３．３′とＮ型高濃度拡散領域２とが拡散によ
り設けられている。
導体基板５上にＮ型高濃度埋込み領域７を有し、Ｎ型低
濃度領域のエピタキシャル層８を成長させ、Ｐ型高濃度
拡散領域３．３′とＮ型高濃度拡散領域２とが拡散によ
り設けられている。
さらに、シリコン酸化膜４が形成され、Ｎ型領域２およ
びＰ壁領域３上のシリコン酸化膜４を開孔して電極６が
形成されている。Ｐ型高濃度拡散領域３′は抵抗である
。なお、図中の符号９はコレクタリンである。
びＰ壁領域３上のシリコン酸化膜４を開孔して電極６が
形成されている。Ｐ型高濃度拡散領域３′は抵抗である
。なお、図中の符号９はコレクタリンである。
しかしながら、このように半導体装置はパワートランジ
スタ領域とは別に抵抗領域を形成しているため、半導体
ペレットの大形化を招く。
スタ領域とは別に抵抗領域を形成しているため、半導体
ペレットの大形化を招く。
本発明の半導体装置は、Ｎ型紙？ａ度領域内に形成した
Ｐ型低濃度拡散領域と、前記Ｐ型低濃度拡散領域間に形
成したＰ型窩ン濃度拡散領域と、前記Ｐ型高濃度拡散領
域内に形成したＮ型高濃度拡散領域とを備える。
Ｐ型低濃度拡散領域と、前記Ｐ型低濃度拡散領域間に形
成したＰ型窩ン濃度拡散領域と、前記Ｐ型高濃度拡散領
域内に形成したＮ型高濃度拡散領域とを備える。
次に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
本発明の一実施例の半導体装置を示す第１図を９照する
と、半導体基板５上にＮ型高濃度埋込み領域７を有し、
Ｎ型低濃度領域のエピタキシャル層（コレクタ）８を成
長させ、さらにＰ型低濃度拡散領域（安定化抵抗領域）
１を形成する。Ｐ型低濃度拡散領域１の間にＰ型高濃度
拡散領域（ベース）３をサンドイッチ状に形成する。Ｐ
型高濃度拡散領域３内にＮ型高濃度拡散領域（エミッタ
）２が拡散により設けられ、さらにシリコン酸化膜４が
形成される。Ｎ型高濃度拡散領域２およびＰ型低濃度拡
散領域１上のシリコン酸化膜４が開孔されて電極６が形
成される。
と、半導体基板５上にＮ型高濃度埋込み領域７を有し、
Ｎ型低濃度領域のエピタキシャル層（コレクタ）８を成
長させ、さらにＰ型低濃度拡散領域（安定化抵抗領域）
１を形成する。Ｐ型低濃度拡散領域１の間にＰ型高濃度
拡散領域（ベース）３をサンドイッチ状に形成する。Ｐ
型高濃度拡散領域３内にＮ型高濃度拡散領域（エミッタ
）２が拡散により設けられ、さらにシリコン酸化膜４が
形成される。Ｎ型高濃度拡散領域２およびＰ型低濃度拡
散領域１上のシリコン酸化膜４が開孔されて電極６が形
成される。
以上説明したように本発明によれば、Ｎ型紙）・農度領
域内に形成したＰ型低濃度拡散領域の間にＰ型高濃度拡
散領域を形成し、Ｐ型高濃度拡散領域内にＮ型高濃度拡
散領域を形成することにより、パワートランジスタ領域
内に安定化抵抗を形成できる。この結果、電流集中によ
る熱破壊対策を施したＮＰＮパワートランジスタを半導
体ベレッｌ−の大形化を招くことなく構成することがで
きる９
域内に形成したＰ型低濃度拡散領域の間にＰ型高濃度拡
散領域を形成し、Ｐ型高濃度拡散領域内にＮ型高濃度拡
散領域を形成することにより、パワートランジスタ領域
内に安定化抵抗を形成できる。この結果、電流集中によ
る熱破壊対策を施したＮＰＮパワートランジスタを半導
体ベレッｌ−の大形化を招くことなく構成することがで
きる９
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は従来
の半導体装置の一例を示す構成図である。 １・・・Ｐ型低濃度拡散領域、２・・・Ｎ型高濃度拡散
領域、３・・・Ｐ型高濃度拡散領域、４・・・シリコン
酸化膜、５・・・半導体基板、６・・・電極、７・・・
Ｎ型高濃度埋込み領域、８・・・エピタキシャル層。 、ｌ−
の半導体装置の一例を示す構成図である。 １・・・Ｐ型低濃度拡散領域、２・・・Ｎ型高濃度拡散
領域、３・・・Ｐ型高濃度拡散領域、４・・・シリコン
酸化膜、５・・・半導体基板、６・・・電極、７・・・
Ｎ型高濃度埋込み領域、８・・・エピタキシャル層。 、ｌ−
Claims (1)
- Ｎ型低濃度領域内に形成したＰ型低濃度拡散領域と、
前記Ｐ型低濃度拡散領域間に形成したＰ型高濃度拡散領
域と、前記Ｐ型高濃度拡散領域内に形成したＮ型高濃度
拡散領域とを備えることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23686086A JPS6390851A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23686086A JPS6390851A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6390851A true JPS6390851A (ja) | 1988-04-21 |
Family
ID=17006870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23686086A Pending JPS6390851A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6390851A (ja) |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP23686086A patent/JPS6390851A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0671079B2 (ja) | 双方向導通可能なモノリシック集積半導体デバイスとその製造方法 | |
| JPS6390851A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61245573A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3396125B2 (ja) | 定電圧ダイオード | |
| JPH0499328A (ja) | バイポーラトランジスタ | |
| JPH0481343B2 (ja) | ||
| JPH0472771A (ja) | Ｍｏｓｆｅｔ | |
| JPH01211973A (ja) | 半導体装置 | |
| KR19990065744A (ko) | 콜렉터와 에미터 사이에 다이오드를 내장한 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JPH0291949A (ja) | トランジスタ | |
| JPH0574797A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10190010A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0621344A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07131037A (ja) | 半導体素子 | |
| JPS6276775A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62106663A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5823476A (ja) | トランジスタ | |
| JPS63219166A (ja) | 縦型ｐｎｐトランジスタ | |
| JPH02304933A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06209006A (ja) | トランジスタ | |
| JPH0484438A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04306838A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6149470A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62224965A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62113475A (ja) | 半導体装置 |