JPS62224965A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62224965A JPS62224965A JP6902686A JP6902686A JPS62224965A JP S62224965 A JPS62224965 A JP S62224965A JP 6902686 A JP6902686 A JP 6902686A JP 6902686 A JP6902686 A JP 6902686A JP S62224965 A JPS62224965 A JP S62224965A
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、バイポーラトランジスタと保護ダイオードと
を一体化した半導体装置に関するものである。
を一体化した半導体装置に関するものである。
従来の技術
バイポーラトランジスタと、同トランジスタのコレクタ
・ベース間に結合された保護ダイオードとを一体化した
従来の半導体装置は、第２図の断面図に示すように、Ｈ
型シリコン基板のコレクタ領域１、Ｐ型ベース領域２お
よび「型エミ・フタ領域３よりなるＮＰＮトランジスタ
と、そのＰ型ベース領域３に近接して設けられたＮ＋型
領領域４よび同基板裏面の高濃度Ｎ型コレクタコンタク
ト領域６とをそなえ、外部ηを極は、ベース電極６゜エ
ミッタ電極７、コレクタ電極８および表面絶縁膜９をそ
れぞれ設けた構造である。この構造によると、コレクタ
・ベース接合間に逆電圧が印加されたときのコレクタ領
域１内での空乏層の拡がりを高濃度Ｎ型領域４によって
抑えることで、必要な耐圧のダイオードを形成している
。なおこの場合、高濃度Ｎ型領域４はエミッタ領域３と
同時に形成される。
・ベース間に結合された保護ダイオードとを一体化した
従来の半導体装置は、第２図の断面図に示すように、Ｈ
型シリコン基板のコレクタ領域１、Ｐ型ベース領域２お
よび「型エミ・フタ領域３よりなるＮＰＮトランジスタ
と、そのＰ型ベース領域３に近接して設けられたＮ＋型
領領域４よび同基板裏面の高濃度Ｎ型コレクタコンタク
ト領域６とをそなえ、外部ηを極は、ベース電極６゜エ
ミッタ電極７、コレクタ電極８および表面絶縁膜９をそ
れぞれ設けた構造である。この構造によると、コレクタ
・ベース接合間に逆電圧が印加されたときのコレクタ領
域１内での空乏層の拡がりを高濃度Ｎ型領域４によって
抑えることで、必要な耐圧のダイオードを形成している
。なおこの場合、高濃度Ｎ型領域４はエミッタ領域３と
同時に形成される。
発明が解決しようとする問題点
しかし、上述の従来構造では、高濃度Ｎ型領域４は、エ
ミッタ領域３と同じ拡散長であるため、過大電流に対処
するだめの面積が小さくて保護効果が小さく、また、高
濃度Ｎ型領域４直下のコレクタ領域が抵抗となるため、
電流が増大すると保護動作電圧の特性が傾きを持ち、ト
ランジスタの降伏電圧より大きくなり保護作用が減少す
るという問題がある。
ミッタ領域３と同じ拡散長であるため、過大電流に対処
するだめの面積が小さくて保護効果が小さく、また、高
濃度Ｎ型領域４直下のコレクタ領域が抵抗となるため、
電流が増大すると保護動作電圧の特性が傾きを持ち、ト
ランジスタの降伏電圧より大きくなり保護作用が減少す
るという問題がある。
３パ−７
本発明は、上述の従来例にみられた問題点の解消をはか
る半導体装置を実現するものである。
る半導体装置を実現するものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、バイポーラトランジスタ・ベース領域の周辺
に、同ベース領域に近接して、コレクタ領域と同一導電
型の高濃度領域を前記ベース領域より深い拡散長で設け
た構造の半導体装置である。
に、同ベース領域に近接して、コレクタ領域と同一導電
型の高濃度領域を前記ベース領域より深い拡散長で設け
た構造の半導体装置である。
作用
本発明によると、高濃度領域の拡散長がベース領域と同
程度かそれ以上に深いため、過大電流に対処するための
面積が大きくて、大電流吸収が可能であり、捷だ高濃度
Ｎ型領域直下のコレクタ領域の抵抗が小さくなるため、
保護動作電圧を電流の大小にかかわらず一定にでき、ト
ランジスタに対する保護作用が確実になる。
程度かそれ以上に深いため、過大電流に対処するための
面積が大きくて、大電流吸収が可能であり、捷だ高濃度
Ｎ型領域直下のコレクタ領域の抵抗が小さくなるため、
保護動作電圧を電流の大小にかかわらず一定にでき、ト
ランジスタに対する保護作用が確実になる。
実施例
つぎに本発明を実施例により詳しく述べる。
第１図は本発明実施例半導体装置の断面図であり、Ｎ型
シリコン基板１、Ｐ型ベース領域２、Ｎ型エミッタ領域
３およびＰ型ベース領域２と同程度かそれ以上の拡散長
を有する高濃度Ｎ型領域４とをそなえたものである。な
おこの装置で、高濃度Ｎ型コレクタコンタクト領域６、
ベース電極６、エミッタ電極７、コレクタ電極８および
表面絶縁膜９は、第２図示の従来例の場合と同様である
。
シリコン基板１、Ｐ型ベース領域２、Ｎ型エミッタ領域
３およびＰ型ベース領域２と同程度かそれ以上の拡散長
を有する高濃度Ｎ型領域４とをそなえたものである。な
おこの装置で、高濃度Ｎ型コレクタコンタクト領域６、
ベース電極６、エミッタ電極７、コレクタ電極８および
表面絶縁膜９は、第２図示の従来例の場合と同様である
。
この実施例では、高濃度Ｎ型領域４の拡散長を、ベース
領域３と同じがあるいはそれより長くすることにある。
領域３と同じがあるいはそれより長くすることにある。
これは、ベース領域３を形成するまえに、あらかじめ、
リンの蒸着・拡散を適宜行なって高濃度Ｎ型層を形成し
ておけば、ベース領域３を形成した時には高濃度Ｎ型領
域４け、ベース領域３よりも拡散長が長くなる。
リンの蒸着・拡散を適宜行なって高濃度Ｎ型層を形成し
ておけば、ベース領域３を形成した時には高濃度Ｎ型領
域４け、ベース領域３よりも拡散長が長くなる。
本発明は、上記実施例半導体装置に限られるものではな
く、種々の変形あるいけ応用が可能である。たとえば、
実施例ではＮＰＮ トランジスタについて説明したが、
ＰＮＰトランジスタやダーリントントランジスタ等にも
適用可能である。
く、種々の変形あるいけ応用が可能である。たとえば、
実施例ではＮＰＮ トランジスタについて説明したが、
ＰＮＰトランジスタやダーリントントランジスタ等にも
適用可能である。
発明の効果
本発明によれば、ベース領域の周辺に配設された高濃度
Ｎ型領域の拡散長を同ベース領域と同和６ベー７ 度か長くすることによって、過大電流に対処するための
面積が大きくなって、大電流が吸収でき、また、高濃度
Ｎ型領域直下のコレクタ領域の抵抗が／Ｊ’ｓさくなる
ため、保護動作電圧を、電流の大小にかかわらず、一定
にできる。したがって、本発明により、高性能の保護ダ
イオードを有するトランジスタを実現できる。
Ｎ型領域の拡散長を同ベース領域と同和６ベー７ 度か長くすることによって、過大電流に対処するための
面積が大きくなって、大電流が吸収でき、また、高濃度
Ｎ型領域直下のコレクタ領域の抵抗が／Ｊ’ｓさくなる
ため、保護動作電圧を、電流の大小にかかわらず、一定
にできる。したがって、本発明により、高性能の保護ダ
イオードを有するトランジスタを実現できる。
第１図は本発明実施例装置の断面図、第２図は従来例装
置の断面図である。 １・・・・・・Ｎ型コレクタ領域、２・・・・・・Ｐ型
ベース領域、３・・・・・・Ｎ型エミッタ領域、４・・
・・・・高濃度Ｎ型領域、６・・・・・・高濃度Ｎ型コ
レクタコンタクト領域、６・・・・・・ベース電極、７
・・・・・・エミッタ電極、８・・・・・・コレクタ電
極、９・・・・・・表面絶縁膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名イー
Ｎｆδｉ、を本（ ２−Ｊ”ｌｓ−一人傾ｒへ ３−ｓヘー１ミリタ傾ｌ曵 ４−一一高儂ｆｉｎ焚少Ｉ東 ７−ｊε、７１Ｉす ８−一−コＬ７り リ ９゛−耗ル練 ご 第２図
置の断面図である。 １・・・・・・Ｎ型コレクタ領域、２・・・・・・Ｐ型
ベース領域、３・・・・・・Ｎ型エミッタ領域、４・・
・・・・高濃度Ｎ型領域、６・・・・・・高濃度Ｎ型コ
レクタコンタクト領域、６・・・・・・ベース電極、７
・・・・・・エミッタ電極、８・・・・・・コレクタ電
極、９・・・・・・表面絶縁膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名イー
Ｎｆδｉ、を本（ ２−Ｊ”ｌｓ−一人傾ｒへ ３−ｓヘー１ミリタ傾ｌ曵 ４−一一高儂ｆｉｎ焚少Ｉ東 ７−ｊε、７１Ｉす ８−一−コＬ７り リ ９゛−耗ル練 ご 第２図
Claims (1)
- バイポーラトランジスタ・ベース領域周辺の半導体基板
内に、同基板と同一導電形の高濃度領域を前記ベース領
域より深い拡散長でそなえた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6902686A JPS62224965A (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6902686A JPS62224965A (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62224965A true JPS62224965A (ja) | 1987-10-02 |
Family
ID=13390658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6902686A Pending JPS62224965A (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62224965A (ja) |
-
1986
- 1986-03-27 JP JP6902686A patent/JPS62224965A/ja active Pending
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