JPS5823476A - トランジスタ - Google Patents
トランジスタInfo
- Publication number
- JPS5823476A JPS5823476A JP12326481A JP12326481A JPS5823476A JP S5823476 A JPS5823476 A JP S5823476A JP 12326481 A JP12326481 A JP 12326481A JP 12326481 A JP12326481 A JP 12326481A JP S5823476 A JPS5823476 A JP S5823476A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- base
- emitter
- transistor
- high concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
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- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
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- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
従来、ベース領域をコレクタ層内に深く形成するトラン
ジスタでは、ペース領域の表面濃度が下がり、金属電極
層と該ペース領域との間でオーミ、クコンタクトをとる
ことができない為、該ペース領域の表面部分に高濃度の
領域を形成し、金属電極層との間でオーミックコンタク
トがとられている。
ジスタでは、ペース領域の表面濃度が下がり、金属電極
層と該ペース領域との間でオーミ、クコンタクトをとる
ことができない為、該ペース領域の表面部分に高濃度の
領域を形成し、金属電極層との間でオーミックコンタク
トがとられている。
第１図は従来のトランジスタの断面図である。
第１図において、１はＮ星コレクタ領域、２はＰ型ベー
ス領域、このＰ型ベース領域２０表面はぼ全域にわ九夛
高濃度のＰ屋ベース層３が形成されている。４はＮＦＪ
エミッタ領域、５はシリコン酸化膜で表面保護ｇｔ−形
成し、６と７はそれぞれエミ、りおよびベースの金属電
極層である。
ス領域、このＰ型ベース領域２０表面はぼ全域にわ九夛
高濃度のＰ屋ベース層３が形成されている。４はＮＦＪ
エミッタ領域、５はシリコン酸化膜で表面保護ｇｔ−形
成し、６と７はそれぞれエミ、りおよびベースの金属電
極層である。
第２図も従来のトランジスタの断面図である。
第２図においては、ペース領域２と同領域の金属電極層
７のコンタクトを形成する部分にのみ高濃度ベース層３
が形成されている。
７のコンタクトを形成する部分にのみ高濃度ベース層３
が形成されている。
第１図の構造て゛は、エミッタ・ベース接合の外周囲全
面に高濃度のベース層が存在する為、エミ、り・ベース
間の抵抗ｒｂｋ／が第２図の構造に比べ小さくなってし
まい、トランジスタの動作状態において、ｒｂｂ’
による貿帰還作用が減少し、順方向の安全動作領域（Ｆ
８０Ａ）が狭くなってしまう。第２図の構造では、第１
図のｒｂｂ’ に比べその値は太き（、Ｆ２Ｏムは広く
なるが、エミ、り・ベース接合部でのペース領域の表面
濃度が低い為第１図の構造に比ベニミッタ・ベース間ブ
レークダウン電圧が高くなり、問題となる場合がある。
面に高濃度のベース層が存在する為、エミ、り・ベース
間の抵抗ｒｂｋ／が第２図の構造に比べ小さくなってし
まい、トランジスタの動作状態において、ｒｂｂ’
による貿帰還作用が減少し、順方向の安全動作領域（Ｆ
８０Ａ）が狭くなってしまう。第２図の構造では、第１
図のｒｂｂ’ に比べその値は太き（、Ｆ２Ｏムは広く
なるが、エミ、り・ベース接合部でのペース領域の表面
濃度が低い為第１図の構造に比ベニミッタ・ベース間ブ
レークダウン電圧が高くなり、問題となる場合がある。
本発明の目的は、上記エミ、り・ペース間ブレークダウ
ン電圧の問題を解決し、同時に順方向安全動作領域の改
善されたトランジスタを提供することにある。
ン電圧の問題を解決し、同時に順方向安全動作領域の改
善されたトランジスタを提供することにある。
本発明のトランジスタは、ベース領域表面に形成された
高ａｍペース層が、エミ、り・ベース接合外周部の該接
合を保護するための保護膜の下で分離されている構成を
有する。
高ａｍペース層が、エミ、り・ベース接合外周部の該接
合を保護するための保護膜の下で分離されている構成を
有する。
つぎに本発明を実施例によ〕説明する。第３図は本発明
の一実施例の断面図である。第３図において、Ｎ導電型
の牛導体基板のコレクタ領域１に、所定の方法によりＰ
聾のベース領域２を形成し、ベース領域２円に高濃度の
Ｐ導電型のベース層３ａと３ｂ、ならびにＮ鳳エミッタ
領域４゛ヲ形成し、金属電極層６．７をそれぞれエミッ
タ領域４と高濃度ベース層３ｍ［被着している。
の一実施例の断面図である。第３図において、Ｎ導電型
の牛導体基板のコレクタ領域１に、所定の方法によりＰ
聾のベース領域２を形成し、ベース領域２円に高濃度の
Ｐ導電型のベース層３ａと３ｂ、ならびにＮ鳳エミッタ
領域４゛ヲ形成し、金属電極層６．７をそれぞれエミッ
タ領域４と高濃度ベース層３ｍ［被着している。
このような本発明のトランジスタでは、エミッタ・ベー
ス接合外周の表面部分に、該接合に接する高濃度のベー
ス層３ｂ會有している為、エミッタベース間のブレーク
ダウン電圧を、第１図の構造のトランジスタと同様に出
来、また、高濃度ベース層がエンツタ・ベース接合の外
周部の保護膜下で３ａ、３ｂに分離されている為、第２
図の構造のトランジスタと同等のｒｂｖｔ−得る事が出
来、同構造のＦ８０＆を得る事が出来るものである。す
なわち、本発明は第１図に示した構造のトランジスタに
お込て、他の特性にほとんど影４１ヲ与える事なく、簡
単にＦ８０Ａｔ−改善する事が出来るものである。
ス接合外周の表面部分に、該接合に接する高濃度のベー
ス層３ｂ會有している為、エミッタベース間のブレーク
ダウン電圧を、第１図の構造のトランジスタと同様に出
来、また、高濃度ベース層がエンツタ・ベース接合の外
周部の保護膜下で３ａ、３ｂに分離されている為、第２
図の構造のトランジスタと同等のｒｂｖｔ−得る事が出
来、同構造のＦ８０＆を得る事が出来るものである。す
なわち、本発明は第１図に示した構造のトランジスタに
お込て、他の特性にほとんど影４１ヲ与える事なく、簡
単にＦ８０Ａｔ−改善する事が出来るものである。
以上の実施例においては、ＮＰＮ型トランジスタについ
て説明してきたが、導電型を逆とじ九ＰＮＰ型トランジ
スタについても同様の効果が認められる。
て説明してきたが、導電型を逆とじ九ＰＮＰ型トランジ
スタについても同様の効果が認められる。
第１図と第２図はそれぞれ従来のトランジスタの一例お
よび他の一例の断面図、第３図は本発明の一実施例の断
面図である。 １・・・・・・コレクタ領域、２・・・・・−ベース領
域、３゜３ｍ、３ｂ・・・−高濃度ベース層、４・・・
・・・エミッタ領域、５・・・・・・エミッタベース接
合保護膜、６・・・・・・エミッタ金属電極層、７・曲
・ベース金属電極層。 第１図 第２図 第３図
よび他の一例の断面図、第３図は本発明の一実施例の断
面図である。 １・・・・・・コレクタ領域、２・・・・・−ベース領
域、３゜３ｍ、３ｂ・・・−高濃度ベース層、４・・・
・・・エミッタ領域、５・・・・・・エミッタベース接
合保護膜、６・・・・・・エミッタ金属電極層、７・曲
・ベース金属電極層。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- ベース領域表面に形成された高濃度ベース層が、エミ、
り・ベース接合外周部の該接合上保護するための保護膜
下で分離されている事を特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12326481A JPS5823476A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12326481A JPS5823476A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823476A true JPS5823476A (ja) | 1983-02-12 |
Family
ID=14856256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12326481A Pending JPS5823476A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823476A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03177365A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-08-01 | Ngk Insulators Ltd | アルミニウム溶湯用不定形耐火物 |
-
1981
- 1981-08-05 JP JP12326481A patent/JPS5823476A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03177365A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-08-01 | Ngk Insulators Ltd | アルミニウム溶湯用不定形耐火物 |
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