JP7190907B2 - リガンド修飾された量子ドット組成物、リガンド修飾された量子ドット層及びそれらの作製方法、量子ドット発光ダイオード - Google Patents
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Description
本願は2017年7月17日に出願された出願番号が201710580198.9である中国特許出願の優先権を主張するものであり、上記の中国特許出願に開示された内容を引用して本願の一部とする。
本開示は、リガンド修飾された量子ドット組成物、リガンド修飾された量子ドット層及びそれらの作製方法、量子ドット発光ダイオードに関する。
Claims (19)
- 量子ドット及び前記量子ドットの表面に吸着されたリガンド修飾剤を含むリガンド修飾された量子ドット組成物であって、前記リガンド修飾剤の構造式は、セグメントA-セグメントBであり、前記リガンド修飾剤は、セグメントAで量子ドットの表面に吸着され、且つセグメントBは、鎖切断可能な長い分子鎖であり、
前記セグメントBは、一つずつ順次接続されるR1基、R2基及びR3基を含み、R1基はセグメントAにリンクされ、且つ前記R2基は切断可能であり、
前記R2基は、ペルオキシ基、過酸化ジアシル基の少なくとも1つを含む、リガンド修飾された量子ドット組成物。 - 請求項1に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物において、前記リガンド修飾された量子ドット組成物はインクであり、前記量子ドット組成物の粘度が8~15cPであり、且つ前記リガンド修飾された量子ドット組成物の表面張力が20~40mN/mである。
- 請求項1に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物において、前記量子ドットは、III-V族の量子ドット、IV族の量子ドット、II-VI族の量子ドット、コア-シェル型の量子ドット、及び合金型の量子ドットのいずれか1つまたは複数の量子ドットを含む。
- 請求項3に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物において、前記量子ドットは、CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、GeおよびCのいずれか1つまたは複数を含む。
- 請求項1に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物において、前記セグメントAは、アミノ基、スルフヒドリル基、ヒドロキシル基、ポリアミノ基、ポリスルフヒドリル基、ポリヒドロキシル基、リン、酸化リン、有機リン及びチオエーテルのいずれか1つまたは複数の基を含む。
- 請求項1に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物において、前記R2は、光分解性又は熱分解性の基を含む。
- 請求項6に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物において、前記R2基と前記R1基との間の化学結合が加熱または光の照射の下で切断されるように構成された。
- 請求項7に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物において、前記R2基と前記R3基との間の化学結合が加熱または光の照射の下で切断されるように構成された。
- 請求項6に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物において、前記R2基自体の化学結合が加熱または光の照射の下で切断されるように構成された。
- 請求項1に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物において、前記R1基は、芳香族基、エチル基、ブチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、メチルアミノ脂肪鎖、プロピレンオキシド基、シクロヘキシル脂環式化合物のいずれか1つまたは複数の基を含む。
- 請求項1に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物において、前記R3基は、芳香族基、エチル基、ブチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、メチルアミノ脂肪鎖、プロピレンオキシド基、シクロヘキシル脂環式化合物のいずれか1つまたは複数の基を含む。
- 請求項10または11に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物において、前記芳香族基は、フェニル基、アルキルフェニル基、チエニル基、ピリミジン基、アニリノ基、ナフタレン、フェノキシ基のいずれか1つまたは複数の基を含む。
- リガンド修飾された量子ドット組成物の作製方法であって、
溶媒中に第1のリガンド修飾剤が存在する条件の下で、第1のリガンド修飾された量子ドットを合成するステップと、
上記の第1のリガンド修飾された量子ドットに第2のリガンド修飾剤を添加し、前記第2のリガンド修飾剤の構造式は、セグメントA-セグメントBであり、前記セグメントBは、切断可能な長い分子鎖であり、前記第2のリガンド修飾剤が第1のリガンドと置換することで、第2のリガンド修飾剤のセグメントAが前記量子ドットの表面に吸着して第2のリガンド修飾された量子ドットが得られるステップと、
第2のリガンド修飾された量子ドットを前記第1のリガンドから分離するステップと、を含み、
前記セグメントBは、一つずつ順次接続されるR1基、R2基及びR3基を含み、R1基はセグメントAにリンクされ、且つ前記R2基は切断可能であり、
前記R2基は、ペルオキシ基、過酸化ジアシル基の少なくとも1つを含む、リガンド修飾された量子ドット組成物の作製方法。 - 請求項13に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物の作製方法において、前記第1のリガンド修飾剤はオレイン酸を含み、前記溶媒はオクタデセンを含む。
- リガンド修飾された量子ドット層の作製方法であって、
請求項1~12の何れか一項に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物を基板上に形成するステップと、
加熱しまたは光を照射することで、リガンド修飾剤のセグメントBを鎖切断させて、リガンド修飾された量子ドット層を形成するステップと、を含み、
リガンド修飾された量子ドット層を形成するステップは、遊離基捕捉剤を添加するステップをさらに含む、リガンド修飾された量子ドット層の作製方法。 - 請求項15に記載のリガンド修飾された量子ドット層の作製方法において、前記遊離基捕捉剤は、アルコール、水、フェノール、チオールのいずれか1つまたは複数の基を含む。
- 請求項15に記載のリガンド修飾された量子ドット層の作製方法において、リガンド修飾された量子ドット層を形成するステップの後に、加熱することで、切断された鎖を前記リガンド修飾された量子ドット層から分離するステップをさらに含む。
- 請求項1~12の何れか一項に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物を含む、リガンド修飾された量子ドット層。
- 請求項1~12の何れか一項に記載のリガンド修飾された量子ドット組成物を含む、量子ドット発光ダイオード。
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