CN112011075A - 量子点膜、量子点发光二极管及彩膜基板 - Google Patents

量子点膜、量子点发光二极管及彩膜基板 Download PDF

Info

Publication number
CN112011075A
CN112011075A CN202010922320.8A CN202010922320A CN112011075A CN 112011075 A CN112011075 A CN 112011075A CN 202010922320 A CN202010922320 A CN 202010922320A CN 112011075 A CN112011075 A CN 112011075A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
segment
dot film
chain
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010922320.8A
Other languages
English (en)
Inventor
梅文海
张宜驰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202010922320.8A priority Critical patent/CN112011075A/zh
Publication of CN112011075A publication Critical patent/CN112011075A/zh
Priority to US17/246,833 priority patent/US12031071B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/22—Absorbing filters
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2375/00—Characterised by the use of polyureas or polyurethanes; Derivatives of such polymers
    • C08J2375/04—Polyurethanes
    • C08J2375/06—Polyurethanes from polyesters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/30—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C08K2003/3009—Sulfides
    • C08K2003/3036—Sulfides of zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/30—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种量子点膜、量子点发光二极管、量子点彩膜基板，属于显示技术领域。本发明提供的一种量子点膜包括多个量子点和多个聚合物。聚合物包括至少一个第一链段和至少一个第二链段。其中，第一链段的拉伸模量大于第二链段的拉伸模量，且，第二链段的弯曲模量小于第一链段的弯曲模量。由于在量子点膜中添加的聚合物具有高拉伸模量的第一链段和低弯曲模量的第二链段，因此第二链段能够使量子点膜具有良好的弯折性能，第一链段能够使量子点膜在光照及电流的影响下不发生膨胀和分解，从而提高量子点膜的机械稳定性，避免量子点膜在多次弯折后出现裂纹或无法回复形变，进而提高量子点膜的使用寿命。

Description

量子点膜、量子点发光二极管及彩膜基板
技术领域
本发明属于显示领域，具体涉及一种量子点膜、量子点发光二极管、量子点彩膜基板。
背景技术
随着量子点技术日益发展，量子点技术常常应用在量子点膜中，量子点膜应用在各类显示面板中，例如柔性显示面板。柔性显示面板在使用过程中需要多次重复弯折-回复形变的过程，而由于量子点膜中的量子点为无机纳米粒子，其弯折特性不佳，因此在柔性显示面板被多次弯折后，量子点膜容易出现裂纹，且难以回复平整度，导致量子点膜的使用寿命大幅下降。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种量子点膜，其能够提高量子点膜的机械稳定性，避免量子点膜在多次弯折后出现裂纹或无法回复形变，进而提高量子点膜的使用寿命。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种量子点膜，所述量子点膜包括多个量子点和多个聚合物；
所述聚合物包括至少一个第一链段和至少一个第二链段；其中，
所述第一链段的拉伸模量大于所述第二链段的拉伸模量，且，所述第二链段的弯曲模量小于所述第一链段的弯曲模量。
本发明提供的量子点膜，由于在量子点膜中添加的聚合物具有高拉伸模量的第一链段，和低弯曲模量的第二链段，因此第二链段能够使量子点膜具有良好的弯折性能，使量子点膜易于弯折，第一链段能够使量子点膜在光照及电流的影响下不发生膨胀和分解，且能够避免量子点膜在被弯折拉伸的过程中出现裂纹，从而提高量子点膜的机械稳定性，避免量子点膜在多次弯折后出现裂纹或无法回复形变，进而提高量子点膜的使用寿命。
优选的是，所述第一链段的拉伸模量大于10Gpa；所述第二链段的弯曲模量小于2Gpa。
优选的是，所述第一链段包括至少一种极性基团；
和/或，所述第一链段包括稠环芳烃结构。
优选的是，若所述第一链段包括至少一种极性基团，所述第一链段为芳香类二异氰酸酯；
若所述第一链段包括稠环芳烃结构，所述第一链段包括萘、苊烯、苊、芴、菲、蒽、荧蒽、芘、苯并(a)蒽、苯并(a)芘、茚苯(1,2,3-cd)芘、二苯并(a,n)中的任一种。
优选的是，所述第二链段包括聚酯或聚醚。
优选的是，所述第二链段还包括聚酰胺键。
优选的是，若所述第二链段包括聚酯，所述第二链段为聚己二酸丁二醇或聚己内酯二醇；
若所述第二链段包括聚醚，所述第二链段为聚四氢呋喃醚二醇。
优选的是，
所述第一链段为甲苯二异氰酸酯，所述第二链段为聚己二酸丁二醇；
或者，所述第一链段为萘二异氰酸酯，所述第二链段为聚己二酸丁二醇。
优选的是，所述第一链段包括稠环芳烃结构；每个所述量子点上连接有配体；其中，所述配体包括主体部分，所述主体部分包括苯环结构或稠环芳烃结构。
优选的是，所述配体还包括长链部分和短链部分，所述主体部分连接在所述长链部分和所述短链部分之间，所述短链部分连接与之对应的量子点；其中，
所述长链部分为烷烃链；
所述短链部分包括碳链，和连接在所述碳链末端的配位基团，所述配位基团连接所述量子点。
优选的是，多个所述聚合物分布在多个所述量子点之间；
或者，所述聚合物作为所述量子点的配体，所述聚合物上连接有配位链，所述聚合物通过配位链与所述量子点一一相连。
相应地，本发明还提供一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括第一电极、发光层和第二电极，所述发光层位于所述第一电极和所述第二电极之间；其中，所述发光层采用上述的量子点膜。
相应地，本发明还提供一种量子点彩膜基板，所述量子点彩膜基板包括多个滤光区，每个所述滤光区中设置有滤光片，所述滤光片采用上述的量子点膜。
附图说明
图1为本发明提供的量子点膜的一种实施例的平面结构示意图；
图2为本发明提供的量子点膜中聚合物的第一链段的一种实施例的分子结构图(甲苯二异氰酸酯)；
图3为本发明提供的量子点膜中聚合物的第一链段的另一种实施例的分子结构图(二苯基甲烷二异氰酸酯)；
图4为本发明提供的量子点膜中聚合物的第一链段的另一种实施例的分子结构图(稠环芳烃结构)；
图5为本发明提供的量子点膜中聚合物的第一链段包括稠环芳烃的一种实施例的分子结构图(萘二异氰酸酯)；
图6为本发明提供的量子点膜中聚合物的第二链段的一种实施例的分子结构图(聚己二酸丁二醇)；
图7为本发明提供的量子点膜中聚合物的第二链段的一种实施例的分子结构图(聚己内酯二醇)；
图8为本发明提供的量子点膜中聚合物的第二链段的一种实施例的分子结构图(聚四氢呋喃醚二醇)；
图9为本发明提供的量子点膜中聚合物的第二链段的一种实施例的分子结构图(聚酯和聚酰胺键)；
图10为本发明提供的量子点膜中聚合物的第二链段的一种实施例的分子结构图(聚醚和聚酰胺键)；
图11为相关技术在量子点膜中空穴和电子的传输示意图；
图12为本发明提供的量子点膜中聚合物的第一链段和第二链段堆积形成各自的传输通道的示意图；
图13为本发明提供的量子点膜中空穴和电子的传输示意图；
图14为本发明提供的量子点膜中聚合物的一种实施例的聚合反应示意图；
图15为本发明提供的量子点膜中聚合物的一种实施例的分子结构图(甲苯二异氰酸酯和聚己二酸丁二醇和聚酰胺键)；
图16为本发明提供的量子点膜中聚合物的一种实施例的分子结构图(萘二异氰酸酯和聚己二酸丁二醇)；
图17为本发明提供的量子点膜中聚合物的一种实施例的分子结构图(萘二异氰酸酯和聚己二酸丁二醇和聚酰胺键)；
图18为本发明提供的量子点膜中聚合物为量子点的配体的一种实施例的结构示意图；
图19为本发明提供的量子点发光二极管的一种实施例的层结构示意图；
图20为本发明提供的量子点彩膜基板的一种实施例的平面结构示意图；
图21为本发明提供的量子点彩膜基板的一种实施例的层结构示意图；
图22为本发明提供的量子点彩膜基板的另一种实施例的层结构示意图；
图23为本发明提供的QLED显示面板的一种实施例的平面结构示意图；
图24为本发明提供的QLED显示面板的一种实施例的层结构示意图；
图25为本发明提供的QDCF显示面板的一种实施例的层结构示意图；
图26为本发明提供的量子点发光二极管的制作方法的一种实施例的流程图；
图27为本发明提供的量子点彩膜基板的制作方法的一种实施例的流程图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是为了便于对本发明实施例的内容的理解。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
第一方面，本实施例提供一种量子点膜，如图1所示，量子点膜100包括多个量子点QD和多个聚合物1。聚合物1包括至少一个第一链段11和至少一个第二链段12，第一链段11和第二链段12相连接形成聚合物1的整个分子链。其中，第一链段11的拉伸模量(即杨氏模量)大于第二链段12的拉伸模量，并且，第二链段12的弯曲模量小于第一链段11的弯曲模量。具体的，第一链段11的拉伸模量可以大于10Gpa(即10×109帕斯卡)，第二链段12的弯曲模量可以小于2Gpa(即2×109帕斯卡)。由于聚合物1中的第一链段11的拉伸模量高，可视作第一链段11能够为量子点膜100提供硬度，因此能够保证量子点膜100在光照及电流的影响下不发生分解和膨胀，且能够避免量子点膜100在被弯折拉伸的过程中出现裂纹；而由于的聚合物1中的第二链段12的弯曲模量低，可视作第二链段12能够为量子点膜100提供软度，即使量子点膜100易于弯折，因此能够提高量子点膜100的弯折性能，从而第一链段11和第二链段12相连接组成聚合物1，聚合物1能够提高量子点膜100的机械稳定性，能够使量子点膜100在易于发生弯折的同时能够回复形变，从而能够避免量子点膜100在多次弯折后出现裂纹或无法回复形变，进而能够提高量子点膜的使用寿命。
可选地，第一链段11包括多种类型的化学物质，以下以两种类型的第一链段11为例进行说明。
类型一、
第一链段11可以包括至少一种极性基团，极性基团即指正负电荷中心不重合的基团，极性基团能够产生大分子链间(即不同的第一链段11之间)强作用力的聚合物，在聚合物1中的不同第一链段11由于具有极性基团，因此不同第一链段11之间相互作用力非常大，在外应力的作用下第一链段11几乎不会发生移动，因此保证了量子点膜100能够在光照及电流的影响下不发生分解和膨胀。并且，由于第一链段11在外应力作用下几乎不发生移动，因此也在一定程度阻碍了第二链段12的移动，为第二链段12进行弯曲和回复提供了条件，从而使量子点膜100具有良好的发生弯曲-回复形变的性能。
进一步地，如图2、图3所示，若第一链段11包括至少一种极性基团，第一链段11可以为芳香类二异氰酸酯，也就是分子结构中含有苯环的二异氰酸醋，例如第一链段11可以为甲苯二异氰酸酯(Toluene diisocyanate，TDI)或二苯基甲烷二异氰酸酯(Diphenyl-methane-diisocyanate，MDI)等。其中，TDI的分子结构如图2所示，分子化学式为C9H6N2O2。MDI的分子结构如图3所示，分子化学式为C15H10N2O2。当然，第一链段11也可以为其他具有极性基团的化学物质，在此不做限制。
类型二、
第一链段11可以包括稠环芳烃结构。具有稠环芳烃结构的第一链段11在满足高拉伸模量的同时，由于稠环芳烃结构具有较大的电子云重叠面积，因此若量子点膜100应用到量子点发光二极管中，量子点膜100中聚合物1中不同的第一链段11上的稠环芳烃结构能够互相吸引，形成π-π相互作用，从而第一链段11相堆积组装形成载流子传输通道，从而引导载流子进行传输，提升量子点发光二极管的性能。
进一步地，如图4所示，若第一链段11包括稠环芳烃结构，第一链段11的分子结构包括图4(a)所示的萘、4(b)所示的苊烯、4(c)所示的苊、4(d)所示的芴、4(e)所示的菲、4(f)所示的蒽、4(g)所示的苯并(a)蒽、荧蒽、芘、苯并(a)芘、茚苯(1,2,3-cd)芘、二苯并(a,n)中的任一种，也就是说，第一链段11的分子结构中包括上述任一化学物质的结构，且在上述任一化学物质的结构上连接有至少一个支链，例如，参见图5，以萘二异氰酸酯(Naphthalenediisocyanate)为例，图5为萘二异氰酸酯的分子结构，其分子化学式为C12H6N2O2，萘二异氰酸酯的分子结构中包括萘(图4(a)所示)。
需要说明的是，第一链段11可以同时包括多种极性基团(类型一)和稠环芳烃结构(类型二)，也可以包括极性基团和稠环芳烃结构中的任一者，在此不做限定。具体地，若第一链段11包括极性基团和稠环芳烃结构，则第一链段11的结构包括稠环芳烃结构，和连接在稠环芳烃结构上的至少一个支链，其中，连接在稠环芳烃结构上的支链可以包括极性基团。
可选地，第二链段12包括多种类型的化学物质，例如，第二链段12可以包括聚酯，第二链段12也可以包括聚醚，聚酯或聚醚的分子结构都具有多个重复单元，聚酯和聚醚具有低弯曲模量的性质，若聚合物1中具有聚酯或聚醚，则能够使量子点膜100易于发生弯折，提高量子点膜100在多次弯折-回复形变过程中的机械稳定性，以防止量子点膜100在多次弯折后产生裂纹，从而使氧气和水汽从裂纹中进入量子点膜100的内部，使量子点QD性能下降。
进一步地，若第二链段12包括聚酯，例如，第二链段12可以为聚己二酸丁二醇，聚己二酸丁二醇的分子结构如图6所示，具有6个重复单元C11H17O4。又例如，第二链段12可以为聚己内酯二醇，聚己内酯二醇的分子结构如图7所示，其重复单元为n个C6H10O2。若第二链段12包括聚醚，第二链段12可以为聚四氢呋喃醚二醇，聚四氢呋喃醚二醇的分子结构如图8所示，其化学式为H·(C4H8O)n·OH。当然，第二链段12还可以包括其他的聚酯或聚醚化学物质，在此不做限定。
进一步地，第二链段12包括聚酯或聚醚，还可以包括聚酰胺键，即—[NHCO]—键。参见图9，第二链段12包括至少m个聚酯121和L个聚酰胺键122，聚酯121与聚酰胺键122相连，其中m＞1，L＞1。参见图10，第二链段12包括至少m个聚醚121＇和L个聚酰胺键122，聚醚121＇与聚酰胺键122相连，其中m＞1，L＞1。若聚合物1中的第二链段12具有聚酰胺键122，不同的第二链段12之间的聚酰胺键122之间形成氢键作用力，因此若量子点膜100应用到量子点发光二极管中，量子点膜100中聚合物1中不同的第二链段12上的聚酰胺键122之间的氢键互相作用，从而第二链段12能够彼此吸引而相堆积组装形成第二链段12的传输通道。
并且，在第一链段11包括稠环芳烃结构的基础上，可以将量子点QD与配体连接，其中，配体包括主体部分R1，主体部分R1包括苯环结构，或主体部分R1包括稠环芳烃结构，例如，包括图4(a)所示的萘、4(b)所示的苊烯、4(c)所示的苊、4(d)所示的芴、4(e)所示的菲、4(f)所示的蒽、4(g)所示的苯并(a)蒽、荧蒽、芘、苯并(a)芘、茚苯(1,2,3-cd)芘、二苯并(a,n)中的任一种结构。由于苯环结构或稠环芳烃结构都具有较大的电子云重叠面积，从而量子点QD中的配体的主体部分R1中的电子云，能够与聚合物1中的第一链段11中的稠环芳烃结构中的电子云形成π-π相互作用，从而量子点QD将聚集在第一链段11堆积形成的载流子传输通道。
具体地，若量子点膜应用到量子点发光二极管中，量子点膜作为量子点发光二极管的发光层，发光层上下具有空穴传输层和电子传输层。参见图11，在相关技术中，量子点膜中只具有量子点QD，没有本实施例中的聚合物1，则多个电子S1和多个空穴S2在量子点膜在的传输路径杂乱无章且没有规律，容易出现图11中电子S1与空穴S2没有相遇进行复合，就穿越了量子点膜，形成了无效电流，从而量子点QD没有被激活。而在本实施例提供的量子点膜100中，参见图12，以第一链段11包括稠环芳烃结构、第二链段12包括聚酰胺键、量子点QD的配体的主体部分R1具有苯环结构或者稠环芳烃结构为例，由于不同的第一链段11之间的稠环芳烃结构形成π-π相互作用，不同的第二链段12之间的聚酰胺键的氢键相互作用，从而两种不同的作用力(π-π作用和氢键作用)分别促使第一链段11和第二链段12自发地各自堆积，堆积的第一连接11形成载流子传输通道(例如图12中A2、A4)，堆积的第二链段12形成第二链段12的传输通道(例如图12中A1、A3)，由于第二链段12中的聚酯或聚醚或聚酰胺键均不含有电子云，因此载流子(电子S1和空穴S2)无法进行传输，因此载流子会堆积在第一链段11形成的载流子传输通道处进行传输，也即通过第一链段11中交叠的电子云进行跳跃式传输。参见图12，又由于量子点QD的配体的主体部分R1具有苯环结构或稠环芳烃结构，因此主体部分R1中的苯环结构或稠环芳烃结构，与第一链段11中的稠环芳烃结构形成π-π相互作用，从而使量子点QD被锚定在第一链段11形成的载流子传输通道(例如图12中A2、A4)。参见图13，以一个第一链段11形成的载流子传输通道A4为例，载流子(电子S1和空穴S2)均在载流子传输通道A4中进行跳跃式传输，载流子在经过量子点QD的同时必定会相遇，并在量子点QD上进行复合，从而能够避免电子S1和空穴S2在没有相遇的情况下就穿过了量子点膜，进而提升了量子点发光二极管的发光性能。
进一步地，基于上述实施例量子点QD的配体包括主体部分R1，量子点QD的配体还可以包括长链部分R2和短链部分R3，主体部分R1连接在长链部分R2和短链部分R3之间，短链部分R3连接与之对应的量子点QD(也即与该配体配位的量子点)，从而配体的通式可表示为R2-R1-R3，量子点QD连接在R3处。可选地，配体的长链部分R2为烷烃链，烷烃链可增加量子点QD的溶解性。短链部分R3包括碳链，和连接在碳链末端的配位基团，配位基团连接量子点QD，以将配体与量子点QD相连，配位基团例如可以为氨基、羧基、巯基等。
可选地，配体的长链部分R2中的碳原子的数量不超过8,配体的短链部分R3中的碳原子的数量不超过4。
需要说明的是，上述第一链段11包括至少一种极性基团、第一链段11包括稠环芳烃结构、第二链段12包括聚醚、第二链段12包括聚酯、第二链段12包括聚酰胺键五种情况可以任意组合，例如聚合物1的第一链段11可以包括至少极性基团不包括稠环芳烃结构，第二链段12包括聚醚不包括聚酰胺键；第一链段11包括稠环芳烃结构不包括极性基团，第二链段12包括聚酯和聚酰胺键；第一链段11包括稠环芳烃结构和极性基团，第二链段12包括聚酯和聚酰胺键等，在此不做限定。
可选地，如图14所示，以量子点膜100中的聚合物1的第一链段11包括至少一种极性基团，第二链段12包括聚酯为例，其中，第一链段11可以为甲苯二异氰酸酯(如图2所示)，第二链段12为聚己二酸丁二醇(如图6所示)，二者聚合形成如图14所示的聚合物1，聚合物1包括n个为甲苯二异氰酸酯的第一链段11和m个为聚己二酸丁二醇的第二链段12，n≥1，m≥1。
进一步地，如图15所示，以图14下侧所示的聚合物1为例，第二链段12包括聚己二酸丁二醇1211，还包括聚酰胺键122，m个聚己二酸丁二醇1211和L个聚酰胺键122相连组成第二链段12，n个为甲苯二异氰酸酯的第一链段11与包括萘二异氰酸酯1211和聚酰胺键122的第二链段12相聚合组成聚合物1，n≥1，m≥1，L≥1。
进一步地，如图16所示，以量子点膜100中的聚合物1的第一链段11包括稠环芳烃结构，具体的包括以萘的分子结构，第二链段12包括聚酯为例，其中，第一链段11为萘二异氰酸酯(如图5所示)，第二链段12为聚己二酸丁二醇(如图6所示)。聚合物1包括n个为萘二异氰酸酯的第一链段11和m个为聚己二酸丁二醇的第二链段12，n≥1，m≥1。
进一步地，如图17所示，以图16所示的聚合物1为例，第二链段12包括聚己二酸丁二醇1211，还包括聚酰胺键122，m个萘二异氰酸酯1211和L个聚酰胺键122相连组成第二链段12，n个为萘二异氰酸酯的第一链段11与包括萘二异氰酸酯1211和聚酰胺键122的第二链段12相聚合组成聚合物1，n≥1，m≥1，L≥1。
可选地，第一链段11的分子量大于或等于1000，小于或等于10000，即第一链段11的分子量在[1000，10000]范围内。第二链段12的分子量大于或等于1000，小于或等于10000，即第二链段12的分子量在[1000，10000]范围内。
可选地，聚合物1中第一链段11的含量为10％-20％，相应地，聚合物1中第二链段12的含量为90％-80％。
可选地，量子点膜100中，聚合物1可以采用多种方式与量子点QD掺杂，例如，如图1所示，多个聚合物1可以与多个量子点共混，即多个聚合物1分布在多个量子点QD之间。或者，如图18所示，聚合物1可以作为量子点QD的配体，与量子点QD进行配位，聚合物1可以与量子点QD一一相连。具体地，以图17所示的聚合物1为例进行说明，聚合物1上可以连接配位链R4，聚合物1可以通过配位链R4与量子点QD配位链接，其中，配位链R4包括碳链，与碳链端部的配位基团，配位链R4通过配位基团将聚合物1与量子点QD相连。配位基团可以包括羧基、巯基、氨基等，图18以配位基团为巯基SH为例进行说明。
第二方面，如图19所示，本实施例还提供一种量子点发光二极管(Quantum DotLight Emitting Diodes，QLED)，QLED包括第一电极E1、发光层E3和第二电极E2，发光层E3位于第一电极E1和第二电极E2之间。其中，发光层E3采用上述的量子点膜100，量子点膜100中具有多个量子点QD和多个聚合物1，聚合物1具有至少一个高拉伸模量的第一链段11和至少一个低弯曲模量的第二链段12。此外，QLED还包括设置在第一电极E1与发光层E3(即量子点膜)之间的空穴注入层HI、空穴传输层HT，以及设置在发光层E3与第二电极E2之间的电子传输层ET。QLED根据量子点膜(即发光层E3)之中的量子点QD的颜色，可以在蓝光的激活下发出不同的光，例如，若QLED为红色QLED，作为发光层E3的量子点膜中即包括红色量子点和聚合物1；若QLED为绿色QLED，作为发光层E3的量子点膜中即包括绿色量子点和聚合物1；若QLED为蓝色QLED，作为发光层E3的量子点膜中即包括蓝色量子点和聚合物1，在此不做限定。由于QLED的发光层E3中的聚合物1的第一链段11的拉伸模量高，可视作第一链段11能够为量子点膜100提供硬度，因此能够保证量子点膜100在光照及电流的影响下不发生分解和膨胀，且避免量子点膜100在被弯折拉伸的过程中产生裂纹；而由于QLED的发光层E3中的聚合物1中的第二链段12的弯曲模量低，可视作第二链段12能够为量子点膜100提供软度，因此能够提高量子点膜100的弯折性能，从而第一链段11和第二链段12相连接组成聚合物1，聚合物1能够提高量子点膜100的机械稳定性，能够使量子点膜100在易于发生弯折的同时能够回复形变，从而能够避免量子点膜100在多次弯折后出现裂纹或无法回复形变，进而能够提高量子点膜的使用寿命。
第三方面，如图20、图21所示，其中，图21为沿图20的E-F剖切的剖面图。本实施例还提供一种量子点彩膜基板(Quantum Dot Color Filter，QDCF)，量子点彩膜基板包括基底C2，基底C2上具有多个滤光区，每个滤光区中设置有滤光片，滤光区中的滤光片采用上述的量子点膜100，量子点膜100中具有多个量子点QD和多个聚合物1，聚合物1具有至少一个高拉伸模量的第一链段11和至少一个低弯曲模量的第二链段12。
具体地，滤光片可以为不同颜色的滤光片，不同颜色的滤光片为不同颜色的量子点膜，不同颜色的量子点膜中包括在蓝光的激发下发出不同颜色的光的量子点QD，沿行方向排列的多个滤光片可以组成一个像素单元的滤光片。例如，参见图21，以一个像素单元包括沿行方向排列的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素为例，红色子像素具有红色滤光片R1，红色滤光片R1即采用红色量子点膜，红色量子点膜中包括红色的量子点QD(即在蓝光的激发下发出红光的量子点)和聚合物1，红色量子点膜所在区域即为量子点彩膜基板的一滤光区；绿色子像素具有绿色滤光片G1，绿色滤光片G1即采用绿色量子点膜，绿色量子点膜中包括绿色的量子点QD(即在蓝光的激发下发出绿光的量子点)和聚合物1，绿色量子点膜所在区域即为量子点彩膜基板的一滤光区；蓝色子像素具有蓝色滤光片B1，蓝色滤光片B1即采用蓝色量子点膜，蓝色量子点膜中包括蓝色的量子点QD(即在蓝光的激发下发出蓝光的量子点)和聚合物1，蓝色量子点膜所在区域即为量子点彩膜基板的一滤光区。各个颜色的滤光片之间设置有遮光结构C1，以防止相邻的滤光片之间的光发生串扰。由于QDCF的滤光片(即图21中R1、G1、B1)中的聚合物1的第一链段11的拉伸模量高，可视作第一链段11能够为量子点膜100提供硬度，因此能够保证量子点膜100在光照及电流的影响下不发生分解和膨胀，且避免量子点膜100在被弯折拉伸的过程中产生裂纹；而由于QDCF的滤光片中的聚合物1中的第二链段12的弯曲模量低，可视作第二链段12能够为量子点膜100提供软度，因此能够提高量子点膜100的弯折性能，从而第一链段11和第二链段12相连接组成聚合物1，聚合物1能够提高量子点膜100的机械稳定性，能够使量子点膜100在易于发生弯折的同时能够回复形变，从而能够避免量子点膜100在多次弯折后出现裂纹或无法回复形变，进而能够提高量子点膜的使用寿命。
可选地，参见图22，在一些实施例中，若QDCF应用到显示面板中，显示面板还包括设置在QDCF下的显示基板，显示基板上具有发出蓝光的发光器件，由于显示基板发出的光为蓝色，因此蓝色子像素的蓝色滤光片B1所在的滤光区处可以不设置蓝色量子点膜，而采用镂空结构，使显示基板上的发光器件发出的蓝色的光直接透过镂空结构出射，作为蓝色滤光片B1的出光。
第四方面，如图23、图24所示，其中，图24为沿图24中G-H迫切的剖面图。本实施例还提供一种显示面板，包括多个子像素，例如图23中红色子像素R2、绿色子像素G2和蓝色子像素B2，每个子像素中设置有上述的量子点发光二极管。在本实施例中，每个子像素(红色子像素R2、绿色子像素G2和蓝色子像素B2中的任一个)包括对应该子像素的颜色的量子点发光二极管，和设置在该量子发光二极管背离出光侧的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)，TFT连接量子点发光二极管以驱动量子点发光二极管发光。显示面板还包括多条沿行方向延伸的扫描线gate，以及多条沿列方向延伸的数据线data，一条扫描线连接一行子像素的TFT，一条数据线连接一列子像素的TFT。
参见图24，以下以沿行方向每三个相邻的子像素分别为红色子像素R2、绿色子像素G2和蓝色子像素B2为例进行说明。显示面板包括基底21，基底21上设置有缓冲层22，缓冲层22背离基底21一侧设置有各个子像素的TFT的膜层，以一个像素单元(包括红色子像素R2、绿色子像素G2和蓝色子像素B2)的层结构为例，缓冲层22背离基底21一侧设置有分别对应红色子像素R2、绿色子像素G2和蓝色子像素B2的三个TFT。TFT的膜层具体包括设置在缓冲层22背离基底一侧的有源层001、设置在有源层001背离基底21一侧的栅极002，设置在栅极002与有源层001之间的栅极绝缘层23、设置在栅极002背离基底21一侧的源极003和漏极004，源极003和漏极004同层设置，设置在源极003和漏极004所在层与栅极002之间的层间绝缘层24。在TFT的膜层背离基底21一侧，也即源极003和漏极004所在层背离基底21一侧还设置有保护层(PVX)25，以保护TFT的膜层结构，在保护层25背离基底11一侧设置有平坦层(PLN)26。平坦层26背离基底21一侧设置有各个子像素的量子点发光二极管，以一个像素单元为例，平坦层26背离基底21一侧设置有分别对应红色子像素R2的红色量子点发光二极管271，对应绿色子像素G2的绿色量子点发光二极管272和对应蓝色子像素B2的蓝色量子点发光二极管273，各个量子点发光二极管(271、272、273)之间设置有像素界定层(PDL)274。绿色量子点发光二极管272、蓝色量子点发光二极管273、红色量子点发光二极管271的层结构除了发光层E3(即量子点膜)外都相同，只是中间的发光层E3为对应不同颜色的量子点膜。其中，各个量子点发光二极管(271、272、273)中的量子点膜包括多个对应该量子点发光二极管的出光颜色的量子点QD和多个聚合物1，聚合物1具有至少一个高拉伸模量的第一链段11和至少一个低弯曲模量的第二链段12，第一链段11和第二链段12相连接组成聚合物1，聚合物1能够提高量子点膜100的机械稳定性，能够使量子点膜100在易于发生弯折的同时能够回复形变，从而能够避免量子点膜100在多次弯折后出现裂纹或无法回复形变，进而能够提高量子点膜的使用寿命。
第五方面，如图25所示，本实施例还提供一种显示面板，包括量子点彩膜基板4和显示基板3，显示基板3和量子点彩膜基板4相对设置，二者对盒形成显示面板。量子点彩膜基板4的具体结构如图20-22所示，以下以图22所示的量子点彩膜基板4的实施例为例进行说明。其中，量子点彩膜基板4包括多个滤光区，每个滤光区中设置有滤光片，例如图中红色滤光片R1、绿色滤光片G1和蓝色滤光片B1，滤光区中的滤光片采用上述的量子点膜100，量子点膜100中具有多个量子点QD和多个聚合物1，聚合物1具有至少一个高拉伸模量的第一链段11和至少一个低弯曲模量的第二链段12。显示基板3包括基底31、位于基底31上的多个发光器件33，多个发光器件33发出蓝光，蓝光照射到量子点彩膜基板4中的各个滤光片，以激活各个滤光片中的量子点发出对应滤光片的颜色的光。
可选地，显示基板3还包括像素电路阵列32，设置在基底31和多个发光器件33之间，用于驱动多个发光器件33发光。
进一步地，显示基板3还包括封装层34，用于封装发光器件33，使发光器件33与水汽和氧气隔绝。发光器件33可以包括多种类型的发光器件，例如有机电致发光器件(OLED)，或迷你二极管(Mini LED)等。
上述显示面板中的基底皆可为柔性基底，例如聚酰亚胺基底，从而显示面板可以为柔性面板，在此不做限定。
第六方面，本公开实施例还提供一种显示装置，包括上述显示基板。需要说明的是，本实施例提供的显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
第七方面，本实施例提供一种量子点发光二极管的制作方法,图26所示，该制作方法包括以下步骤：
S1、制作第一电极E1。
具体地，以图19示的QLED为例，在基板上制作第一电极E1，可以在基板上蒸镀第一电极E1的材料，再通过刻蚀形成各个量子点发光二级管所对应的第一电极E1。
S2、在第一电极E1上制作发光层E3，发光层采用量子点膜。
具体地，以量子点膜包括量子点QD和聚合物1，聚合物1作为量子点QD的配体为例进行说明，本实施例中聚合物1的第一链段11为萘二异氰酸酯，第二链段12为聚己二酸丁二醇为例，其中，萘二异氰酸酯的含量为15％，聚己二酸丁二醇的含量为85％，聚合物1采用含有巯基的配位链与量子点QD配位。首先，将量子点QD、聚合物1在进行混合，在室温下搅拌10小时进行异相配体交换，配体交换完成后，用异丙醇溶解，之后形成聚合物1的浓度为15mg/ml的溶液待用，该溶液为量子点膜的材料。之后先在第一电极E1所在膜层上旋涂空穴注入层的材料，旋涂转速为2000rpm，旋涂时间为45s，再经过温度为200度的退火工艺形成空穴注入层。之后在空穴注入层上旋涂空穴传输层的材料，旋涂转速为3000rpm，旋涂时间为45s，经过温度为135度的退火工艺形成空穴传输层；接着在空穴传输层上旋涂上述量子点膜的溶液，旋涂完成后，经过时长为20分钟，温度为120度的退火工艺形成量子点膜(即发光层E3)。之后还包括在量子点膜上旋涂浓度为30mg/ml的氧化锌纳米粒子溶液，氧化锌纳米粒子的配体为乙醇胺，旋涂转速为1500rpm，再经过时长为20分钟，温度为120度的退火工艺形成电子传输层。
具体地，量子点QD例如可以为油酸配体的合金量子点，例如镉硒/硫化锌(CdSe/ZnS)量子点，对应不同颜色的量子点发光二极管，CdSe/ZnS量子点可以为红色、绿色、蓝色的CdSe/ZnS量子点。需要说明的是，不同颜色的QLED的量子点膜所采用的量子点受激发后发出的光不。
S3、在发光层E3背离第一电极E1一侧制作第二电极E2。
具体地，可以在发光层E3(具体为电子传输层)背离第一电极E1一侧蒸镀第二电极E2的材料，再通过刻蚀形成各个量子点发光二级管所对应的第二电极E2。
第八方面，本实施例提供一种量子点彩膜基板的制作方法,图27所示，该制作方法包括以下步骤：
S1＇、制作基底C1。
可选地，基底C1可以为透明基底，例如聚酰亚胺基底。若彩膜基板应用到显示面板中，基底C1可以指显示基板与彩膜基板相接触的膜层，例如显示基板的封装层。
S2＇、在基底C1上制作各个颜色的滤光片，滤光片采用量子点膜。
具体地，以量子点膜包括量子点QD和聚合物1，聚合物1与量子点QD进行共混为例进行说明，本实施例中聚合物1的第一链段11为甲苯二异氰酸酯，第二链段12为聚己二酸丁二醇为例，其中，甲苯二异氰酸酯的含量为15％，聚己二酸丁二醇的含量为85％。
进一步地，量子点QD可以为二氧化硅的醇溶性CdSe/ZnS量子点，对应不同颜色的滤光片，CdSe/ZnS量子点可以为红色、绿色、蓝色的CdSe/ZnS量子点，蓝色子像素部分可以直接镂空，因此可以不需要蓝色的CdSe/ZnS量子点。首先，将CdSe/ZnS量子点和正性光刻胶进行共混，正性光刻胶例如可以为丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)溶液，之后在室温下搅拌10小时，使CdSe/ZnS量子点均匀的分散在正光刻胶中。再加入一定量的上述聚合物1，将三者都搅拌均匀后将混合后的溶液作为量子点膜的材料。混合后的溶液中，聚合物1的占比约为15％，CdSe/ZnS量子点的占比约为10％，正性光刻胶占比为75％。将上述混合后的溶液(即量子点膜的材料)旋涂在基底C1上，旋涂转速为4000rpm，旋涂时间为45s，之后可以对量子点膜的材料进行前烘和后烘，第一次烘烤采用90度温度烘烤90s，通过曝光量为60mj/cm2的曝光后，使用浓度为2.45％的四甲基氢氧化铵(TMAH)进行时长90s的显影，显影完成后进行第二次烘烤，第二次烘烤采用120度烘烤120s，完成图形化的量子点膜，即形成滤光片。之后在不同颜色的滤光片之间设置遮光结构C1。
可选地，若彩膜基板应用到显示基板中，参见图25,滤光片(即量子点膜)设置在显示基板3的封装层34上，可以利用六甲基二硅氮烷(HMDS)对封装层34进行处理，HMDS可以增加膜层间的粘附力，使量子点膜能够与封装层34紧密贴合。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种量子点膜，其特征在于，所述量子点膜包括多个量子点和多个聚合物；
所述聚合物包括至少一个第一链段和至少一个第二链段；其中，
所述第一链段的拉伸模量大于所述第二链段的拉伸模量，且，所述第二链段的弯曲模量小于所述第一链段的弯曲模量。
2.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述第一链段的拉伸模量大于10Gpa；所述第二链段的弯曲模量小于2Gpa。
3.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述第一链段包括至少一种极性基团；
和/或，所述第一链段包括稠环芳烃结构。
4.根据权利要求3所述的量子点膜，其特征在于，若所述第一链段包括至少一种极性基团，所述第一链段为芳香类二异氰酸酯；
若所述第一链段包括稠环芳烃结构，所述第一链段包括萘、苊烯、苊、芴、菲、蒽、荧蒽、芘、苯并(a)蒽、苯并(a)芘、茚苯(1,2,3-cd)芘、二苯并(a,n)中的任一种。
5.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述第二链段包括聚酯或聚醚。
6.根据权利要求5所述的量子点膜，其特征在于，所述第二链段还包括聚酰胺键。
7.根据权利要求5所述的量子点膜，其特征在于，若所述第二链段包括聚酯，所述第二链段为聚己二酸丁二醇或聚己内酯二醇；
若所述第二链段包括聚醚，所述第二链段为聚四氢呋喃醚二醇。
8.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述第一链段为甲苯二异氰酸酯，所述第二链段为聚己二酸丁二醇；
或者，所述第一链段为萘二异氰酸酯，所述第二链段为聚己二酸丁二醇。
9.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述第一链段包括稠环芳烃结构；每个所述量子点上连接有配体；其中，所述配体包括主体部分，所述主体部分包括苯环结构或稠环芳烃结构。
10.根据权利要求9所述的量子点膜，其特征在于，所述配体还包括长链部分和短链部分，所述主体部分连接在所述长链部分和所述短链部分之间，所述短链部分连接与之对应的量子点；其中，
所述长链部分为烷烃链；
所述短链部分包括碳链，和连接在所述碳链末端的配位基团，所述配位基团连接所述量子点。
11.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，多个所述聚合物分布在多个所述量子点之间；
或者，所述聚合物作为所述量子点的配体，所述聚合物上连接有配位链，所述聚合物通过配位链与所述量子点一一相连。
12.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管包括第一电极、发光层和第二电极，所述发光层位于所述第一电极和所述第二电极之间；其中，所述发光层采用权利要求1-11任一所述的量子点膜。
13.一种量子点彩膜基板，其特征在于，所述量子点彩膜基板包括多个滤光区，每个所述滤光区中设置有滤光片，所述滤光片采用权利要求1-11任一所述的量子点膜。
CN202010922320.8A 2020-09-04 2020-09-04 量子点膜、量子点发光二极管及彩膜基板 Pending CN112011075A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010922320.8A CN112011075A (zh) 2020-09-04 2020-09-04 量子点膜、量子点发光二极管及彩膜基板
US17/246,833 US12031071B2 (en) 2020-09-04 2021-05-03 Quantum dot film, quantum dot device, and display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010922320.8A CN112011075A (zh) 2020-09-04 2020-09-04 量子点膜、量子点发光二极管及彩膜基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112011075A true CN112011075A (zh) 2020-12-01

Family

ID=73516537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010922320.8A Pending CN112011075A (zh) 2020-09-04 2020-09-04 量子点膜、量子点发光二极管及彩膜基板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112011075A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150255690A1 (en) * 2014-03-04 2015-09-10 Nanoco Technologies Ltd. Methods for fabricating quantum dot polymer films
CN109266350A (zh) * 2017-07-17 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 配体修饰量子点组合物及其制备方法、量子点发光二极管
CN109728203A (zh) * 2017-10-30 2019-05-07 Tcl集团股份有限公司 量子点转印方法
CN110330517A (zh) * 2019-05-22 2019-10-15 纳晶科技股份有限公司 醇溶性量子点及其制备方法、量子点膜、量子点光电器件
CN111410748A (zh) * 2020-01-08 2020-07-14 苏州星烁纳米科技有限公司 钙钛矿量子点组合物及其制备方法、钙钛矿量子点膜及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150255690A1 (en) * 2014-03-04 2015-09-10 Nanoco Technologies Ltd. Methods for fabricating quantum dot polymer films
CN109266350A (zh) * 2017-07-17 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 配体修饰量子点组合物及其制备方法、量子点发光二极管
CN109728203A (zh) * 2017-10-30 2019-05-07 Tcl集团股份有限公司 量子点转印方法
CN110330517A (zh) * 2019-05-22 2019-10-15 纳晶科技股份有限公司 醇溶性量子点及其制备方法、量子点膜、量子点光电器件
CN111410748A (zh) * 2020-01-08 2020-07-14 苏州星烁纳米科技有限公司 钙钛矿量子点组合物及其制备方法、钙钛矿量子点膜及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20220073816A1 (en) 2022-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107509284B (zh) 像素结构和包括其的显示装置
US10205051B2 (en) Bar like light emitting device and manufacturing method of the same
US7893610B2 (en) Tandem organic electroluminescent device
KR101628405B1 (ko) 전자 디바이스 및 이것의 제조 방법
US9520578B2 (en) Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same
CN101038857B (zh) 制造半导体装置的方法
US20090315457A1 (en) Flexible organic EL display and method of manufacturing the same
CN103781215A (zh) 发光装置
CN1722917B (zh) 有机电致发光器件及其制造方法
CN104247080A (zh) 显示装置、显示装置的制造方法和电子设备
US11462594B2 (en) Display apparatus having color converting layers and method of manufacturing the same
CN113571656A (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
WO2010046638A1 (en) Connected display pixel drive chiplets
CN115516639A (zh) 显示装置
CN112952014A (zh) 发光二极管及其制备方法、显示面板及其制备方法
JP2012506566A (ja) 表示デバイスおよびバックプレーン
CN112011075A (zh) 量子点膜、量子点发光二极管及彩膜基板
US12031071B2 (en) Quantum dot film, quantum dot device, and display panel
JP6737637B2 (ja) 発光装置
US20230337448A1 (en) Display device
CN102832345B (zh) 薄膜晶体管及其制造方法和电子装置
CN113109974A (zh) 一种量子点器件及其制备方法
CN111933667B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
US20240237379A1 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof, display substrate and display apparatus
CN116058102A (zh) 发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination