CN115516639A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115516639A
CN115516639A CN202180033328.1A CN202180033328A CN115516639A CN 115516639 A CN115516639 A CN 115516639A CN 202180033328 A CN202180033328 A CN 202180033328A CN 115516639 A CN115516639 A CN 115516639A
Authority
CN
China
Prior art keywords
alignment
disposed
light emitting
electrodes
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180033328.1A
Other languages
English (en)
Inventor
金翰洙
梁银娥
姜锺赫
赵显敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN115516639A publication Critical patent/CN115516639A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置。显示装置包括：像素区域，包括多个对准区域和作为除了多个对准区域之外的区域的非对准区域；多个电极，被布置为在一个方向上延伸并且在像素区域中彼此间隔开；多个发光元件，布置在多个电极之间，使得其至少一个端部放置在多个电极中的一者上，并且设置在多个对准区域中；以及对准诱导层，设置在非对准区域中的至少一部分中。

Description

显示装置
技术领域
公开涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置的重要性随着多媒体技术的发展已经稳定地增加。响应于此，已经使用了诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等的各种类型的显示装置。
显示装置是用于显示图像的装置并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。发光显示面板可以包括发光元件，例如发光二极管(LED)，并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
发明内容
技术问题
为了解决上述问题，发明的实施例提供了一种包括用于引导发光元件布置在特定位置处的对准诱导层的显示装置。
应当注意的是，公开的方面不限于此，并且这里未提及的其他方面对于本领域普通技术人员而言将通过以下描述而明显。
技术方案
根据公开的实施例，显示装置包括：像素区域，包括多个对准区域和占像素区域的其余部分的非对准区域；多个电极，在像素区域中在预定方向上延伸，多个电极彼此间隔开；多个发光元件，在多个电极之间设置在多个对准区域中，使得多个发光元件中的每个的至少一个端部被放置在多个电极中的一个上；以及对准诱导层，至少部分地设置在非对准区域中。
对准诱导层可以包括第一部分，第一部分包括疏水材料，并且第一部分可以被设置为围绕多个对准区域。
显示装置还可以包括：多个连接电极，设置在多个对准区域中以覆盖多个电极的一部分和多个发光元件的端部。
对准诱导层可以被设置为使得第一部分沿着预定方向部分地覆盖从像素区域的中心起的最外侧上的电极。
多个对准区域可以包括第一对准区域和第二对准区域，第一对准区域和第二对准区域在预定方向上彼此间隔开，并且对准诱导层可以部分地设置在第一对准区域与第二对准区域之间。
设置在第一对准区域和第二对准区域中的发光元件的数量可以比设置在第一对准区域与第二对准区域之间的发光元件的数量多。
多个电极可以在第一对准区域与第二对准区域之间彼此部分分开。
对准诱导层还可以包括第二部分，第二部分包括亲水材料，并且第二部分还可以设置在多个对准区域中。
多个发光元件可以在多个对准区域中直接设置在第二部分上。
显示装置还可以包括：多个第一堤，设置在像素区域中以彼此间隔开并因此与多个电极叠置，其中，对准诱导层可以被设置为围绕多个第一堤。
显示装置还可以包括：第二堤，被设置为围绕像素区域。
多个对准区域可以在由第二堤围绕的区域中彼此间隔开，对准诱导层可以设置在多个对准区域之间，并且多个发光元件可以设置在多个对准区域中，但是不同对准区域中的发光元件组发射不同波长的光。
根据公开的实施例，显示装置包括：第一基底；多个第一堤，设置在第一基底上并且彼此间隔开；多个电极，设置在多个第一堤上并且彼此间隔开；对准诱导层，设置在第一基底上，使得对准诱导层的至少一部分还设置在除了多个电极之间的区域之外的区域中；以及多个发光元件，设置在多个电极之间，使得多个发光元件中的每个的至少一个端部放置在多个电极上，并且多个发光元件不与对准诱导层叠置。
对准诱导层可以包括第一部分，第一部分包括疏水材料，并且第一部分可以被设置为不与多个发光元件叠置。
对准诱导层可以被设置为使得第一部分覆盖从第一基底的中心起的最外侧上的电极的外侧。
对准诱导层还可以包括第二部分，第二部分包括亲水材料，第二部分可以设置在多个电极之间，并且多个发光元件可以被设置为与第二部分叠置。
显示装置还可以包括：第一绝缘层，被设置为覆盖多个电极的部分，其中，对准诱导层可以设置在第一绝缘层上。
显示装置还可以包括：第二绝缘层，设置在多个电极之间以覆盖多个发光元件的至少一部分。
第一绝缘层和对准诱导层可以被设置为暴露电极的在第一堤上的顶表面的部分。
显示装置还可以包括：多个连接电极，与多个电极的顶表面的暴露部分和多个发光元件中的每个的一个端部接触。
其他实施例的细节包括在详细描述和附图中。
有益效果
根据公开的实施例，显示装置可以包括对准诱导层，并且因此可以在特定位置处密集地布置多个发光元件。显示装置的每个像素或子像素包括对准区域和非对准区域，在对准区域中发光元件由于对准诱导层而密集地布置，非对准区域占对应像素或子像素的其余部分。由于提供了对准诱导层，因此可以使发光元件的损失最小化，并且可以通过将发光元件密集地布置在特定位置处来改善发射集中的程度。
根据实施例的效果不受以上例示的内容的限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
图1是根据公开的实施例的显示装置的平面图。
图2是根据公开的实施例的显示装置的像素的平面图。
图3是沿着图2的线IIIa-IIIa'、线IIIb-IIIb'和线IIIc-IIIc'截取的剖视图。
图4是沿着图2的线IV-IV'截取的剖视图。
图5是根据公开的另一实施例的显示装置的局部剖视图。
图6是根据公开的实施例的发光元件的示意图。
图7至图12是示出根据公开的实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图13是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图14是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图15是沿着图14的线V-V'截取的剖视图。
图16至图18是示出制造图14的显示装置的方法的剖视图。
图19是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图20是沿着图19的线X1-X1'截取的剖视图。
图21是沿着图19的线X2-X2'截取的剖视图。
图22是示出制造图19的显示装置的方法的剖视图。
图23是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图24是沿着图23的线X3-X3'、线X4-X4'和线X5-X5'截取的剖视图。
图25是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图26是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图27是根据公开的另一实施例的显示装置的像素的平面图。
图28是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
具体实施方式
现在将在下文中参照其中示出了发明的优选实施例的附图更充分地描述发明。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达发明的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者还可以存在居间层。贯穿说明书，相同的附图标号表示相同的组件。
将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件而不脱离发明的教导。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
在下文中，将参照附图描述实施例。
图1是根据公开的实施例的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置10显示移动图像或静止图像。显示装置10可以指提供显示图像的几乎所有类型的电子装置。显示装置10的示例可以包括电视(TV)、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器(HMD)、移动通信终端、电子记事本、电子书(e-book)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏控制台、数码相机、摄像机等。
显示装置10包括提供显示屏幕的显示面板。显示装置10的显示面板的示例包括无机发光二极管(LED)显示面板、有机发光二极管(OLED)显示面板、量子点发光二极管(QLED)显示面板、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示(FED)面板等。显示装置10的显示面板在下文中将被描述为例如无机LED显示面板，但是公开不限于此。也就是说，各种其他显示面板也适用于显示装置10的显示面板。
显示装置10的形状可以改变。例如，显示装置10可以具有在水平方向上比在竖直方向上延伸得长的矩形形状、在竖直方向上比在水平方向上延伸得长的矩形形状、正方形形状、具有圆角(倒圆)的四角形状、非四角多边形形状或圆形形状。显示装置10的显示区域DPA的形状可以类似于显示装置10的形状。图1示出了显示装置10和显示区域DPA都具有在水平方向上延伸相对长的矩形形状。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是其中显示图像的区域，非显示区域NDA可以是其中不显示图像的区域。显示区域DPA也可以被称为有效区域，非显示区域NDA也可以被称为无效区域。显示区域DPA可以占据显示装置10的中间部分。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。像素PX可以在行方向和列方向上布置。像素PX中的每个在平面图中可以具有矩形形状或正方形形状，但是公开不限于此。可选地，像素PX中的每个可以具有菱形形状，该菱形形状具有相对于特定方向倾斜的边。像素PX可以以条带方式或PenTile方式交替地布置。像素PX中的每个可以包括发射特定波段的光的一个或更多个发光元件30。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以围绕整个显示区域DPA或显示区域DPA的一部分。显示区域DPA可以具有矩形形状，非显示区域NDA可以与显示区域DPA的四条边相邻地设置。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。包括在显示装置10中的线或电路驱动器可以设置在非显示区域NDA中，或者外部装置可以安装在非显示区域NDA中。
图2是根据公开的实施例的显示装置的像素的平面图。
参照图2，多个像素PX中的每个可以包括多个子像素PXn(其中n是1至3的整数)。例如，一个像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。像素PXn可以在显示区域DPA中形成像素区域。第一子像素PX1可以发射第一颜色光，第二子像素PX2可以发射第二颜色光，第三子像素PX3可以发射第三颜色光。第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可以分别是蓝光、绿光和红光，但是公开不限于此。可选地，子像素PXn可以全部发射相同颜色的光。图2示出了像素PX可以包括三个子像素PXn，但是公开不限于此。可选地，像素PX可以包括多于三个的子像素PXn。
子像素PXn可以包括被定义为发射区域EMA的区域。第一子像素PX1可以包括第一发射区域EMA1，第二子像素PX2可以包括第二发射区域EMA2，第三子像素PX3可以包括第三发射区域EMA3。发射区域EMA中的每个可以被定义为其中设置发光元件30以发射特定波段的光的区域。发光元件30可以包括活性层(图6的“36”)，活性层36可以发射特定波段而没有任何方向性的光。由发光元件30的活性层36发射的光可以通过发光元件30中的每个的两侧发射。发射区域EMA中的每个包括其中设置有发光元件30的区域，并且还可以包括在发光元件30周围输出由发光元件30发射的光的区域。
然而，公开不限于此。发射区域EMA中的每个可以包括输出由发光元件30发射然后从其他元件反射或折射的光的区域。发光元件30可以设置在子像素PXn中的每个中，其中设置有发光元件30的区域和发光元件30的周围区域可以形成发射区域EMA。
虽然未具体示出，但是显示装置10的子像素PXn中的每个可以包括被定义为除了发射区域EMA之外的区域的非发射区域。非发射区域可以是其中未设置有发光元件30的区域，并且可以由于通过发光元件30发射的光未到达而不输出光。
图3是沿着图2的线IIIa-IIIa'、线IIIb-IIIb'和线IIIc-IIIc'截取的剖视图。图4是沿着图2的线IV-IV'截取的剖视图。图3和图4示出了图2的第一子像素PX1的剖视图，然而，第一子像素PX1的剖视图也可以直接适用于其他像素PX或其他子像素PXn。图3和图4示出了第一子像素PX1中的发光元件30的从一个端部到另一个端部截取的剖视图。
参照图3和图4并且进一步参照图2，显示装置10可以包括设置在第一基底11上的电路元件层和显示元件层。半导体层、多个导电层和多个绝缘层可以设置在第一基底11上，并且可以形成电路元件层和显示元件层。导电层可以包括第二导电层、第三导电层、第四导电层、第五导电层、电极21和22以及连接电极26和27。绝缘层可以包括缓冲层12、第一栅极绝缘层13、第一钝化层15、第一层间绝缘层17、第二层间绝缘层18、第一平坦化层19、第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53和第四绝缘层54。
具体地，第一基底11可以是绝缘基底。第一基底11可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料形成。第一基底11可以是刚性基底，或者可以是可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。
第一导电层可以设置在第一基底11上。第一导电层可以包括下金属层BML1和BML2，下金属层BML1和BML2可以包括第一下金属层BML1和第二下金属层BML2。第一下金属层BML1和第二下金属层BML2可以被设置为分别至少与驱动晶体管DT的第一有源材料层DT_ACT和开关晶体管ST的第二有源材料层ST_ACT叠置。下金属层BML1和BML2可以包括能够阻挡光的材料，并且可以防止光入射到第一有源材料层DT_ACT和第二有源材料层ST_ACT上。例如，第一下金属层BML1和第二下金属层BML2可以由能够阻挡光透射的不透明金属材料形成。然而，公开不限于此，可选地，可以不设置下金属层BML1和BML2。
缓冲层12可以包括下金属层BML1和BML2，并且可以设置在第一基底11的整个表面上。缓冲层12可以形成在第一基底11上，以保护驱动晶体管DT和开关晶体管ST免受可能渗透易受湿气影响的第一基底11的湿气的影响，并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层12可以包括交替地堆叠的多个无机层。例如，缓冲层12可以形成为其中包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的无机层交替地堆叠的双层或多层。
半导体层设置在缓冲层12上。半导体层可以包括驱动晶体管DT的第一有源材料层DT_ACT和开关晶体管ST的第二有源材料层ST_ACT。驱动晶体管DT的第一有源材料层DT_ACT和开关晶体管ST的第二有源材料层ST_ACT可以被设置为与第二导电层的栅电极DT_G和ST_G部分地叠置。
在一个实施例中，半导体层可以包括多晶硅、单晶硅或氧化物半导体。这里，多晶硅可以通过使非晶硅结晶而形成。在半导体层包括多晶硅的情况下，第一有源材料层DT_ACT可以包括第一掺杂区DT_ACTa、第二掺杂区DT_ACTb和第一沟道区DT_ACTc。第一沟道区DT_ACTc可以设置在第一掺杂区DT_ACTa与第二掺杂区DT_ACTb之间。第二有源材料层ST_ACT可以包括第三掺杂区ST_ACTa、第四掺杂区ST_ACTb和第二沟道区ST_ACTc。第二沟道区ST_ACTc可以设置在第三掺杂区ST_ACTa与第四掺杂区ST_ACTb之间。第一掺杂区DT_ACTa、第二掺杂区DT_ACTb、第三掺杂区ST_ACTa和第四掺杂区ST_ACTb可以是第一有源材料层DT_ACT或第二有源材料层ST_ACT的掺杂有杂质的部分。
在另一个实施例中，第一有源材料层DT_ACT和第二有源材料层ST_ACT可以包括氧化物半导体。在这种情况下，第一有源材料层DT_ACT和第二有源材料层ST_ACT中的每个的掺杂区可以是导体区域。氧化物半导体可以是包含铟(In)的氧化物半导体。在一些实施例中，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)或氧化铟镓锌锡(IGZTO)，但是公开不限于此。
第一栅极绝缘层13设置在半导体层和缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可以用作用于驱动晶体管DT和开关晶体管ST的栅极绝缘膜。第一栅极绝缘层13可以形成为其中包括SiOx、SiNx和SiOxNy中的至少一种的无机层交替地堆叠的双层或多层。
第二导电层设置在第一栅极绝缘层13上。第二导电层可以包括驱动晶体管DT的第一栅电极DT_G和开关晶体管ST的第二栅电极ST_G。第一栅电极DT_G可以被设置为在厚度方向上与第一有源材料层DT_ACT的第一沟道区DT_ACTc叠置，第二栅电极ST_G可以被设置为在厚度方向上与第二有源材料层ST_ACT的第二沟道区ST_ACTc叠置。
第二导电层可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的一种的单层或多层，但是公开不限于此。
第一钝化层15设置在第二导电层上。第一钝化层15可以被设置为覆盖并保护第二导电层。第一钝化层15可以形成为其中包括SiOx、SiNx和SiOxNy中的至少一种的无机层交替地堆叠的双层或多层。
第三导电层设置在第一钝化层15上。第三导电层可以包括存储电容器的被设置为在厚度方向上与第一栅电极DT_G至少部分地叠置的第一电容电极CE1。第一电容电极CE1可以在厚度方向上与第一栅电极DT_G叠置，并且第一钝化层15置于第一电容电极CE1与第一栅电极DT_G之间，并且存储电容器可以形成在第一电容电极CE1和第一栅电极DT_G之间。第三导电层可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu及其合金中的一种的单层或多层，但是公开不限于此。
第一层间绝缘层17设置在第三导电层上。第一层间绝缘层17可以用作第三导电层与设置在第三导电层上的层之间的绝缘膜。第一层间绝缘层17可以形成为其中包括SiOx、SiNx和SiOxNy中的至少一种的无机层交替地堆叠的双层或多层。
第四导电层设置在第一层间绝缘层17上。第四导电层可以包括驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和第二源/漏电极DT_SD2以及开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1和第二源/漏电极ST_SD2。
驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和第二源/漏电极DT_SD2可以通过穿透第一层间绝缘层17和第一栅极绝缘层13的接触孔与第一有源材料层DT_ACT的第一掺杂区DT_ACTa和第二掺杂区DT_ACTb接触。开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1和第二源/漏电极ST_SD2可以通过穿透第一层间绝缘层17和第一栅极绝缘层13的接触孔与第二有源材料层ST_ACT的第三掺杂区ST_ACTa和第四掺杂区ST_ACTb接触。驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1可以分别通过另一接触孔电连接到第一下金属层BML1和第二下金属层BML2。如果驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和第二源/漏电极DT_SD2中的一个或者开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1和第二源/漏电极ST_SD2中的一个是源电极，则另一源/漏电极可以是漏电极，但是公开不限于此。可选地，如果驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和第二源/漏电极DT_SD2中的一个或者开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1和第二源/漏电极ST_SD2中的一个是漏电极，则另一个源/漏电极可以是源电极。
第四导电层可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu及其合金中的一种的单层或多层，但是公开不限于此。
第二层间绝缘层18设置在第四导电层上。第二层间绝缘层18可以设置在第一层间绝缘层17的整个表面上，覆盖第四导电层，并且可以保护第四导电层。第二层间绝缘层18可以形成为其中包括SiOx、SiNx和SiOxNy中的至少一种的无机层交替地堆叠的双层或多层。
第五导电层设置在第二层间绝缘层18上。第五导电层可以包括第一电压线VL1、第二电压线VL2和第一导电图案CDP。供应到驱动晶体管DT的高电位电压(或第一电源电压)可以施加到第一电压线VL1，供应到第二电极22的低电位电压(或第二电源电压)可以施加到第二电压线VL2。在显示装置10的制造期间，用于使发光元件30对准的对准信号可以施加到第二电压线VL2。
第一导电图案CDP可以通过形成在第二层间绝缘层18中的接触孔电连接到驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1。第一导电图案CDP可以与稍后将描述的第一电极21接触，驱动晶体管DT可以通过第一导电图案CDP向第一电极21传输来自第一电压线VL1的第一电源电压。第五导电层被示出为包括一条第二电压线VL2和一条第一电压线VL1，但是公开不限于此。可选地，第五导电层可以包括多于一条的第一电压线VL1和多于一条的第二电压线VL2。
第五导电层可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu及其合金中的一种的单层或多层，但是公开不限于此。
第一平坦化层19设置在第五导电层上。第一平坦化层19可以包括有机绝缘材料(具体地，诸如以聚酰亚胺(PI)为例的有机材料)，并且可以执行表面平坦化功能。
多个第一堤40、多个电极21和22、发光元件30、第二堤45以及多个连接电极26和27设置在第一平坦化层19上。多个绝缘层51、52和53可以进一步设置在第一平坦化层19上。
第一堤40可以直接设置在第一平坦化层19上。第一堤40可以在每个子像素PXn中在第二方向DR2上延伸，并且可以在沿着第二方向DR2的相邻子像素PXn之间的边界处间隔开并终止而不延伸到其他子像素PXn中。此外，第一堤40可以被设置为在第一方向DR1上彼此间隔开并彼此面对。第一堤40可以彼此间隔开以形成其中布置有发光元件30的区域。第一堤40可以设置在子像素PXn中的每个中，以在显示装置10的显示区域DPA中形成线型图案。图3示出了三个第一堤40，但是公开不限于此。根据稍后将描述的电极21和22的数量，可以设置多于三个的第一堤40。
第一堤40可以至少部分地从第一平坦化层19的顶表面突出。第一堤40的突出部分中的每个可以具有倾斜侧，由发光元件30发射的光可以朝向第一堤40中的每个的倾斜侧行进。设置在第一堤40上的电极21和22可以包括具有高反射率的材料，由发光元件30发射的光可以被第一堤40的侧面上的电极21和22反射以在第一平坦化层19的向上方向上发射。也就是说，第一堤40不仅可以提供其中布置有发光元件30的空间，而且可以用作能够在向上方向上反射由发光元件30发射的光的反射分隔壁。第一堤40中的每个的侧面可以线型倾斜，但是公开不限于此。可选地，第一堤40中的每个的侧面可以具有弯曲的半圆形形状或半椭圆形形状。在一个实施例中，第一堤40可以包括诸如PI的有机绝缘材料，但是公开不限于此。
电极21和22设置在第一堤40和第一平坦化层19上。电极21和22可以包括第一电极21和第二电极22。第一电极21和第二电极22可以在第二方向DR2上延伸，并且可以被设置为在第一方向DR1上彼此间隔开并彼此面对。第一电极21和第二电极22可以具有与第一堤40基本上相似的形状，并且可以在第二方向DR2上比第一堤40长。
第一电极21可以在形成像素区域的子像素PXn中的每个中在第二方向DR2上延伸，并且可以在沿着第二方向DR2的两个相邻子像素PXn之间的边界处与另一第一电极21间隔开。在一些实施例中，第二堤45可以沿着每个子像素PXn的边界设置，并且在第二方向DR2上的每对相邻子像素PXn的第一电极21可以通过第二堤45彼此间隔开。第一电极21可以通过设置在由第二堤45围绕的区域中的第一接触孔CT1电连接到驱动晶体管DT。例如，第一电极21的至少一部分可以通过穿透第一平坦化层19的第一接触孔CT1与第一导电图案CDP接触。第一电极21可以通过第一导电图案CDP电连接到驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1。
第二电极22可以在第二方向DR2上延伸超过在第二方向DR2上彼此相邻的子像素PXn之间的边界。在一些实施例中，第二电极22可以设置在沿第二方向DR2彼此相邻的多个子像素PXn中。第二电极22可以在沿第二方向DR2彼此相邻的子像素PXn之间的边界处与第二堤45部分地叠置，并且可以通过第二接触孔CT2电连接到第二电压线VL2。例如，第二电极22可以被设置为与第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分叠置，并且可以通过穿透第一平坦化层19的第二接触孔CT2与第二电压线VL2接触。第二电源电压可以通过第二接触孔CT2施加到第二电极22。第二电极22被示出为通过设置在子像素PXn中的每个的边界处的第二接触孔CT2电连接到第二电压线VL2，但是公开不限于此。可选地，在一些实施例中，一个第二接触孔CT2可以设置在子像素PXn中的每个中。
子像素PXn中的每个被示出为但不限于包括一个第一电极21和两个第二电极22，第一电极21被示出为但不限于设置在两个第二电极22之间。可选地，在一些实施例中，多于一个的第一电极21和多于两个的第二电极22可以设置在子像素PXn中的每个中。设置在子像素PXn中的每个中的第一电极21和第二电极22可以不必在一个方向上延伸，而是可以以各种布局布置。例如，第一电极21和第二电极22可以部分地弯曲或弯折，并且第一电极21和第二电极22中的一个可以被设置为围绕另一电极。第一电极21和第二电极22的至少一部分可以彼此间隔开并彼此面对，并且如果形成其中布置有发光元件30的区域，则第一电极21和第二电极22的结构和形状不受特别限制。
电极21和22可以电连接到发光元件30，预定的电压可以施加到电极21和22使得发光元件30可以发射光。例如，电极21和22可以电连接到发光元件30，并且施加到电极21和22的电信号可以通过连接电极26和27传输到发光元件30。
电极21和22可以用来在子像素PXn中的每个中产生电场，以使发光元件30对准。发光元件30可以通过形成在第一电极21和第二电极22上的电场设置在第一电极21与第二电极22之间。如稍后将描述的，发光元件30可以通过喷墨印刷以分散在墨中的状态喷射到第一电极21和第二电极22上，并且可以通过在第一电极21与第二电极22之间施加对准信号而在第一电极21与第二电极22之间对准。
如图3中所示，第一电极21和第二电极22可以设置在第一堤40上。第一电极21和第二电极22可以在第一方向DR1上彼此间隔开并彼此面对，多个发光元件30可以设置在第一电极21与第二电极22之间。发光元件30可以设置在第一电极21与第二电极22之间，并且同时电连接到第一电极21和第二电极22。
在一些实施例中，第一电极21和第二电极22可以形成为具有比第一堤40大的宽度。例如，第一电极21和第二电极22可以被设置为覆盖第一堤40的外表面。第一电极21和第二电极22可以设置在第一堤40的侧面上，第一电极21与第二电极22之间的距离可以比第一堤40之间的距离小。此外，第一电极21和第二电极22的至少一部分可以直接设置在第一平坦化层19上。
电极21和22可以包括透明导电材料。例如，电极21和22可以包括诸如ITO、IZO或ITZO的材料，但是公开不限于此。在一些实施例中，电极21和22可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极21和22可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)或Al的具有高反射率的材料。在该示例中，电极21和22可以反射由发光元件30发射的光，以在每个子像素PXn的向上方向上朝向第一堤40的侧面行进。
然而，公开不限于此。可选地，电极21和22可以具有一层或更多层透明导电材料以及一层或更多层具有高反射率的金属的堆叠，或者可以形成为包括透明导电材料和具有高反射率的金属的单层。在一个实施例中，电极21和22可以具有ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/ITZO/IZO的堆叠，或者可以包括Al、Ni或镧(La)的合金。可选地，电极21和22可以具有其中堆叠有诸如Ti或Mo的金属以及Al、Ni、La的合金的层的结构。在一些实施例中，电极21和22可以形成为其中堆叠有Al的合金以及至少一层Ti或Mo的双层或多层。
第一绝缘层51设置在第一平坦化层19、第一电极21和第二电极22上。第一绝缘层51可以被设置为不仅覆盖第一电极21和第二电极22，而且覆盖第一电极21与第二电极22之间的间隙。例如，第一绝缘层51可以覆盖第一电极21和第二电极22的大部分顶表面，但是可以被设置为暴露第一电极21和第二电极22的部分。第一绝缘层51可以被设置为暴露第一电极21和第二电极22的顶表面的在例如第一堤40上的部分。第一绝缘层51可以形成在第一平坦化层19的基本上整个表面上，并且可以包括部分地暴露第一电极21和第二电极22的开口(未示出)。
在一个实施例中，第一绝缘层51可以是阶梯状的，使得第一绝缘层51的顶表面的部分可以在第一电极21与第二电极22之间凹陷。在一些实施例中，第一绝缘层51可以包括无机绝缘材料，被设置为覆盖第一电极21和第二电极22的第一绝缘层51的顶表面的部分可以由于因下面的元件形成的高度差而凹陷。在第一电极21和第二电极22之间设置在第一绝缘层51上的发光元件30可以与第一绝缘层51的顶表面的凹陷部分形成空的空间。发光元件30可以被设置为与第一绝缘层51的顶表面间隔开，第一绝缘层51与发光元件30之间的空间可以填充有稍后将描述的连接电极(26和27)的材料。然而，公开不限于此。第一绝缘层51可以形成在其上布置有发光元件30的平坦表面。
第一绝缘层51可以保护第一电极21和第二电极22，并且可以使第一电极21和第二电极22彼此绝缘。此外，第一绝缘层51可以防止设置在第一绝缘层51上的发光元件30与其他元件直接接触并被其他元件损坏。然而，第一绝缘层51的形状和结构没有特别限制。
第二堤45可以设置在第一绝缘层51上。在一些实施例中，第二堤45不仅可以围绕其中设置有第一堤40的区域，而且还可以围绕在第一绝缘层51上的其中设置有发光元件30的区域，并且可以沿着子像素PXn之间的边界布置。第二堤45可以被设置为在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸，并且因此可以在显示区域DPA的整个表面上形成网格图案。第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分可以与第一电极21和第二电极22部分地叠置，并且第二堤45的在第二方向DR2上延伸的部分可以与第一堤40、第一电极21和第二电极22间隔开。
第二堤45的高度可以比第一堤40的高度大。与第一堤40不同，第二堤45可以限定相邻的子像素PXn，并且可以在显示装置10的制造期间防止墨在用于使发光元件30对准的喷墨印刷期间在相邻的子像素PXn之间溢出。第二堤45可以将具有不同组的发光元件30的墨分开以不混合在一起。类似于第一堤40，第二堤45可以包括PI，但是公开不限于此。
发光元件30可以设置在电极21和22之间。在一个实施例中，发光元件30可以在一个方向上延伸，并且可以被设置为彼此间隔开并且基本上彼此平行地对准。发光元件30之间的距离没有特别的限制。发光元件30中的一些可以被设置为彼此相邻以形成一组，并且发光元件30中的一些可以被设置为彼此间隔开预定距离以形成另一组。可选地，发光元件30可以以不均匀的密度布置。此外，电极21和22延伸所沿的方向可以与发光元件30延伸所沿的方向基本上成直角。然而，公开不限于此。可选地，发光元件30可以相对于电极21和22延伸所沿的方向倾斜地延伸。
发光元件30可以包括包含不同材料的活性层(图6的“36”)，并且因此可以向外部发射不同波段的光。显示装置10可以包括能够发射不同波段的光的发光元件30。例如，第一子像素PX1的发光元件30可以包括发射具有第一波长作为中心波长的第一颜色光的活性层36，第二子像素PX2的发光元件30可以包括发射具有第二波长作为中心波长的第二颜色光的活性层36，第三子像素PX3的发光元件30可以包括发射具有第三波长作为中心波长的第三颜色光的活性层36。
因此，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以分别发射第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光。在一些实施例中，第一颜色光可以是具有450nm至495nm的中心波长的蓝光，第二颜色光可以是具有495nm至570nm的中心波长的绿光，第三颜色光可以是具有620nm至752nm的中心波长的红光。然而，公开不限于此。可选地，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以包括相同类型的发光元件30，因此可以全部发射相同颜色的光。
发光元件30可以在第一堤40之间或者电极21和22之间设置在第一绝缘层51上。例如，发光元件30中的每个的至少一个端部可以设置在第一电极21或第二电极22上。发光元件30的长度可以比第一电极21与第二电极22之间的距离大，发光元件30中的每个的两个端部可以设置在第一电极21和第二电极22上。然而，公开不限于此。可选地，发光元件30中的每个的仅一个端部可以设置在电极21和22上，或者发光元件30中的每个的两个端部可以不设置在电极21和22上。即使发光元件30未设置在电极21和22上，发光元件30中的每个的两个端部也可以通过稍后将描述的连接电极26和27电连接到电极21和22。在一些实施例中，发光元件30的至少一部分可以设置在第一电极21与第二电极22之间，发光元件30中的每个的两个端部可以电连接到电极21和22。
在发光元件30中的每个中，多个层可以在与第一基底11的顶面或第一平坦化层19垂直的方向上布置。发光元件30可以在一个方向上延伸，并且可以具有其中多个半导体层顺序地布置的结构。发光元件30可以被设置为使得显示装置10的发光元件30延伸所沿的方向可以与第一平坦化层19平行，包括在发光元件30中的每个中的半导体层可以在与第一平坦化层19的顶表面平行的方向上顺序地布置。然而，公开不限于此。在发光元件30可以具有不同的结构的情况下，发光元件30中的每个的层可以在与第一平坦化层19垂直的方向上布置。
此外，发光元件30中的每个的两个端部可以与连接电极26和27接触。由于未形成绝缘膜(图6的“38”)，但是发光元件30中的每个的一些半导体层在发光元件30中的每个的延伸方向上的两个端表面上暴露，因此暴露的半导体层可以与连接电极26和27接触，但是公开不限于此。发光元件30中的每个的绝缘膜38的至少一部分可以被去除，并且使发光元件30中的每个的半导体层的侧面可以被部分地暴露。发光元件30中的每个的半导体层的暴露侧面可以与连接电极26和27直接接触。
在显示装置10的制造期间，发光元件30可以以分散在墨中的状态喷射到子像素PXn中的每个中。一旦墨被喷射，对准信号施加到电极21和22以在墨中产生电场。当发光元件30受到来自电场的力时，发光元件30的定向方向和位置持续改变，因此，发光元件30可以设置在电极21和22上。发光元件30可以在电极21和22之间对准，使得发光元件30延伸所沿的方向面对特定方向。这里，墨被喷射到由沿着子像素PXn中的每个的边界设置的第二堤45限定的每个区域中。由于发光元件30随机地分散在墨中，所以即使存在电场，发光元件30中的至少一些也会放置在除了电极21和22之间的区域之外的区域中。这些发光元件30不会电连接到电极21和22，而且会在显示装置10的制造期间损失。
显示装置10可以包括对准诱导层70，当在显示装置10的制造期间具有其中分散有发光元件30的墨喷射到子像素PXn中的每个中时，对准诱导层70引导发光元件30位于特定位置处。喷射到子像素PXn中的每个中的墨可以沉降或移动到由对准诱导层70形成的特定区域中，结果，发光元件30可以密集地布置在特定区域中。由于显示装置10包括对准诱导层70，因此在显示装置10的制造期间，可以使发光元件30的损失最小化，并且发光元件30可以密集地放置在特定的位置处。
对准诱导层70可以包括疏水材料。对准诱导层70的材料的极性可以根据墨的溶剂的化学极性而改变。在一个实施例中，在显示装置10的制造期间，具有分散在其中的发光元件30的墨的溶剂可以是亲水性溶剂，对准诱导层70可以包括疏水材料并且因此可以引导墨沉降或移动到其中未设置对准诱导层70的区域中。包含亲水性溶剂的墨密集地位于子像素PXn中的每个中的其中未设置对准诱导层70的位置处，发光元件30可以被设置为不与对准诱导层70的包括疏水材料的部分叠置。然而，公开不限于此。可选地，对准诱导层70可以包括含有亲水材料(如墨的溶剂)的部分。这将在稍后结合公开的其他实施例进行描述。
对准诱导层70可以设置在子像素PXn中的每个中。对准诱导层70的位置可以根据其中设置发光元件30的区域而改变。在一个实施例中，对准诱导层70可以被设置为围绕子像素PXn中的每个中的电极21和22之间的区域的至少一部分。例如，对准诱导层70可以被设置为在子像素PXn中的每个中围绕其中电极21和22彼此间隔开的空间。对准诱导层70可以包括在第一方向DR1上延伸的第一延伸部70A和在第二方向DR2上延伸的第二延伸部70B。对准诱导层70的第一延伸部70A可以被设置为与电极21和22交叉，并且因此可以与电极21和22的部分叠置。在子像素PXn中的每个中的不与第一堤40叠置的区域中(即，在子像素PXn中的每个的上部和下部中)，第一延伸部70A可以被设置为延伸穿过电极21和22。对准诱导层70的第二延伸部70B可以设置在第二堤45的在第二方向DR2上延伸的部分与设置在距子像素PXn中的每个的中心最外侧的最外电极OE之间。因此，在平面图中，对准诱导层70可以被设置为围绕电极21和22之间或者第一堤40之间的区域。
在对准诱导层70包括疏水材料的情况下，发光元件30可以密集地布置在其中未设置对准诱导层70的区域中。如上所述，子像素PXn中的每个可以包括其中设置发光元件30以发射光的发射区域EMA。此外，子像素PXn中的每个可以包括其中发光元件30由于对准诱导层70的存在而密集地布置的对准区域AA和其中发光元件30的分布相对较低的非对准区域NAA。也就是说，显示装置10可以在子像素PXn中的每个中包括发射区域EMA，发射区域EMA可以包括其中发光元件30密集地布置的对准区域AA和占整个发射区域EMA的除了对准区域AA之外的区域的非对准区域NAA。由于从对准区域AA中的发光元件30发射的光不仅到达对准区域AA，而且到达非对准区域NAA，因此对准区域AA和非对准区域NAA都可以包括在发射区域EMA中。
可以根据每单位面积设置的发光元件30的数量、分布或密度对对准区域AA和非对准区域NAA进行分类，并且对准区域AA和非对准区域NAA的形状和位置可以与对准诱导层70的布局相关。例如，在对准诱导层70仅包括疏水材料的情况下，发光元件30可以仅密集地布置在其中未设置对准诱导层70的区域中，在这种情况下，其中设置对准诱导层70的区域和其中未设置对准诱导层70但设置发光元件30的区域可以分别是非对准区域NAA和对准区域AA。
然而，公开不限于此。可选地，对准诱导层70还可以包括亲水材料，并且其中设置对准诱导层70的区域的至少一部分可以是对准区域AA。显示装置10可以包括在子像素PXn中的每个中的对准区域AA和非对准区域NAA，并且对准诱导层70的至少一部分可以设置在非对准区域NAA中。对准诱导层70的包括疏水材料的部分可以设置在非对准区域NAA中以围绕对准区域AA，发光元件30可以密集地布置在对准区域AA中。
对准诱导层70可以设置在第一绝缘层51上。对准诱导层70可以在部分地覆盖电极21和22的第一绝缘层51上设置在除了其中设置发光元件30的区域之外的区域中。例如，在非对准区域NAA中，对准诱导层70可以设置在第一绝缘层51上。
在子像素PXn中的每个中，仅一个对准区域AA可以通过对准诱导层70设置，但是公开不限于此。如上所述，对准区域AA和非对准区域NAA的位置或形状可以根据对准诱导层70的布局而改变。在一些实施例中，对准诱导层70可以被设置为将子像素PXn分开，子像素PXn中的每个可以包括多个对准区域AA。
第二绝缘层52可以部分地设置在设置于第一电极21与第二电极22之间发光元件30上。第二绝缘层52可以被设置为围绕发光元件30中的每个的外表面的部分。发光元件30上的第二绝缘层52的部分可以在第一电极21与第二电极22之间在第二方向DR2上延伸。例如，第二绝缘层52可以在子像素PXn中的每个中形成线型图案或岛图案。
第二绝缘层52可以设置在发光元件30上以暴露发光元件30的第一端部和第二端部。发光元件30中的每个的暴露端部可以与连接电极26和27接触。第二绝缘层52可以通过典型的掩模工艺通过图案化形成。用于形成第二绝缘层52的掩模可以具有比发光元件30的长度小的宽度，第二绝缘层52可以被图案化以暴露发光元件30中的每个的两个端部。然而，公开不限于此。
第二绝缘层52可以在显示装置10的制造期间保护并固定发光元件30。在一个实施例中，第二绝缘层52的一些材料可以设置在发光元件30的底表面与第一绝缘层51之间。如上所述，在显示装置10的制造期间，第二绝缘层52可以形成为填充第一绝缘层51与发光元件30之间的空间。因此，在显示装置10的制造期间，第二绝缘层52可以被设置为围绕发光元件30中的每个的外表面，并且可以保护并固定发光元件30。
连接电极26和27设置在第一电极21和第二电极22上。连接电极26和27可以包括第一连接电极26和第二连接电极27，第一连接电极26设置在第一电极21上并且与发光元件30的第一端部接触，第二连接电极27设置在第二电极22上并且与发光元件30的第二端部接触。
第一连接电极26和第二连接电极27可以在子像素PXn中的每个中在第二方向DR2上延伸，以在第一方向DR1上彼此间隔开并彼此面对。第一连接电极26和第二连接电极27可以在其中设置发光元件30(例如，在第一电极21与第二电极22之间)的区域中彼此间隔开并彼此面对。在一些实施例中，连接电极26和27可以在每个子像素PXn中形成线型图案。
第一连接电极26和第二连接电极27可以分别与第一电极21和第二电极22的顶表面的由于不存在第一绝缘层51而暴露的部分接触。此外，连接电极26和27可以与发光元件30的端部接触。在一些实施例中，连接电极26和27可以包括导电材料，发光元件30可以通过与连接电极26和27接触而电连接到电极21和22。如上所述，发光元件30中的每个的一些半导体层可以在发光元件30中的每个的两端部处暴露，连接电极26和27可以与发光元件30中的每个的暴露的半导体层直接接触。第一连接电极26和第二连接电极27可以在第二方向DR2上延伸，并且可以被设置为围绕设置在电极21和22之间的发光元件30中的每个的外表面的部分。
在一个实施例中，连接电极26和27的宽度可以比电极21和22的宽度小。连接电极26和27可以与发光元件30的端部接触，覆盖电极21和22的侧面。在平面图中，第一连接电极26可以设置在第一电极21上以彼此间隔开并且覆盖第一电极21的两侧面。第二连接电极27可以设置为覆盖第二电极22的面对第一电极21的侧面。第一连接电极26和第二连接电极27可以与第一电极21和第二电极22的顶表面的部分以及发光元件30的端部接触。
子像素PXn中的每个被示出为包括两个第一连接电极26和两个第二连接电极27，但是公开不限于此。第一连接电极26和第二连接电极27的数量可以根据子像素PXn中的每个中的第一电极21和第二电极22的数量而改变。
连接电极26和27可以包括导电材料。例如，连接电极26和27可以包括ITO、IZO、ITZO或Al。例如，连接电极26和27可以包括透明导电材料，并且由发光元件30发射的光可以穿过连接电极26和27朝向电极21和22行进。设置在第一堤40的倾斜侧上的电极21和22可以包括具有高反射率的材料，并且可以从第一基底11在向上方向上反射入射光，但是公开不限于此。
第三绝缘层53设置在第一连接电极26上。第三绝缘层53可以使第一连接电极26和第二连接电极27电绝缘。第三绝缘层53可以被设置为覆盖第一连接电极26，但是可以不设置在发光元件30的第二端部上使得发光元件30可以与第二连接电极27接触。在第二绝缘层52的顶表面上，第三绝缘层53可以与第一连接电极26和第二连接电极27部分接触。第三绝缘层53的设置有第二电极22的侧面可以与第二绝缘层52的侧面对齐，但是公开不限于此。因此，第二连接电极27可以设置在第二电极22、第二绝缘层52和第三绝缘层53上。第一连接电极26可以设置在第一电极21与第三绝缘层53之间，第二连接电极27可以设置在第三绝缘层53上。第一连接电极26和第二连接电极27可以由于第二绝缘层52和第三绝缘层53而不彼此接触，但是公开不限于此。可以不设置第三绝缘层53。
第四绝缘层54可以设置在第一基底11的整个表面上。第四绝缘层54可以保护设置在第一基底11上的元件免受外部环境的影响。
第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53和第四绝缘层54可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在一个实施例中，第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53和第四绝缘层54可以包括诸如SiOx、SiNx、SiOxNy、Al2O3或AlN的无机绝缘材料。可选地，第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53和第四绝缘层54可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂的有机绝缘材料，但是公开不限于此。
图5是根据公开的另一实施例的显示装置的局部剖视图。
参照图5，显示装置10可以不包括第三绝缘层53。第二连接电极27的部分可以直接设置在第二绝缘层52上。第一连接电极26和第二连接电极27可以在第二绝缘层52上彼此间隔开。即使不设置第三绝缘层53，第二绝缘层52可以包括有机绝缘材料，因此可以能够执行固定发光元件30的功能。第一连接电极26和第二连接电极27可以通过图案化同时形成。除了不设置第三绝缘层53之外，图5的实施例与图3的实施例相同。
在每个子像素PXn中，显示装置10可以包括对准诱导层70，并且因此可以具有其中发光元件30密集地布置的对准区域AA。在显示装置10的制造期间，当具有分散在其中的发光元件30的墨喷射到由第二堤45围绕的每个区域中时，墨可以沉降或移动到其中未设置对准诱导层70的区域中。设置在电极21和22之间的发光元件30可以密集地布置在由对准诱导层70形成的对准区域AA中。显示装置10可以减少发光元件30的浪费，并且可以将发光元件30精确地定位在每个子像素PXn中的所希望的位置处。
发光元件30可以是LED，特别地，是具有几微米或几纳米的尺寸并由无机材料形成的无机LED。无机LED可以在其中响应于在其间的特定方向上产生的电场而形成极性的两个相对的电极之间对准。
图6是根据公开的实施例的发光元件的示意图。
参照图6，发光元件30可以在一个方向上延伸。发光元件30可以具有棒状形状、布线形状或管状形状。在一个实施例中，发光元件30可以具有圆柱形状或棒状形状。然而，发光元件30的形状没有特别限制，发光元件30可以具有诸如多边形棱柱形状(例如立方体形状、长方体形状或六角棱柱形状)或者在一个方向上延伸且其外表面的部分倾斜的形状的各种形状。
发光元件30可以包括掺杂有任意导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以接收从外部源施加于其的电信号，从而可以发射特定波段的光。包括在发光元件30中的半导体层可以在一个方向上顺序地布置或堆叠。
发光元件30可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、活性层36、电极层37和绝缘膜38。为了使发光元件30的元件可视化，图6示出去除绝缘膜38的一部分以暴露多个半导体层31、32以及36的发光元件30。然而，如稍后将描述的，绝缘膜38可以被设置为围绕半导体层31、32以及36的外表面。
具体地，第一半导体层31可以是n型半导体。例如，在发光元件30发射蓝色波长的光的情况下，第一半导体层31可以包括半导体材料(即，AlxGayIn1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1))。例如，第一半导体层31可以包括掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是例如Si、Ge或Sn。例如，第一半导体层31可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层31可以具有1.5μm至5μm的长度，但是公开不限于此。
第二半导体层32可以设置在稍后将描述的活性层36上。第二半导体层32可以是p型半导体。在发光元件30发射蓝色波长或绿色波长的光的情况下，第二半导体层32可以包括半导体材料(即，AlxGayIn1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1))。例如，第二半导体层32可以包括掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是例如Mg、Zn、Ca、Se或Ba。在一个实施例中，第二半导体层32可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层32可以具有0.05μm至0.10μm的长度，但是公开不限于此。
第一半导体层31和第二半导体层32被示出为形成为单层，但是公开不限于此。可选地，在一些实施例中，根据活性层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32中的每个可以包括多于一个层(诸如以盖层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层为例)。
活性层36设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。活性层36可以包括单量子阱结构材料或多量子阱结构材料。在活性层36包括具有多量子阱结构的材料的情况下，活性层36可以具有其中多个量子层和多个阱层交替地堆叠的结构。活性层36可以通过根据经由第一半导体层31和第二半导体层32施加到其的电信号使电子-空穴对结合来发射光。例如，在活性层36发射蓝色波长的光的情况下，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。具体地，在活性层36具有其中多个量子层和多个阱层交替地堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。在一个实施例中，在活性层36包括AlGaInN作为其量子层和AlInN作为其阱层的情况下，活性层36可以发射具有450nm至495nm的中心波段的蓝光。
然而，公开不限于此。可选地，活性层36可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替地堆叠的结构，或者可以根据将要发射的光的波长包括III族或V族半导体材料。由活性层36发射的光的类型没有特别限制。活性层36可以根据需要发射红色波段或绿色波段的光，而不是蓝光。活性层36可以具有0.05μm至0.10μm的长度，但是公开不限于此。
光不仅可以从发光元件30的在长度方向上的圆周表面发射，而且可以从发光元件30的两侧面发射。从活性层36发射的光的方向没有特别限制。
电极层37可以是欧姆连接电极，但是公开不限于此。可选地，电极层37可以是肖特基连接电极。发光元件30可以包括至少一个电极层37。发光元件30被示出为包括一个电极层37，但是公开不限于此。可选地，发光元件30可以包括多于一个的电极层37，或者可以不设置电极层37。然而，发光元件30的以下描述也可以直接适用于具有多于一个的电极层37或具有与图6的发光元件30不同的结构的发光元件30。
当在显示装置10中发光元件30电连接到电极(或连接电极)时，电极层37可以降低发光元件30与电极(或连接电极)之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。例如，电极层37可以包括Al、Ti、In、Au、Ag、ITO、IZO和ITZO中的至少一种。此外，电极层37可以包括掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂的半导体材料。电极层37可以具有0.05μm至0.10μm的长度，但是公开不限于此。
绝缘膜38被设置为围绕上述半导体层和上述电极层的外表面。在一个实施例中，绝缘膜38可以被设置为至少围绕活性层36的外表面，并且可以在发光元件30延伸所沿的方向上延伸。绝缘膜38可以保护发光元件30的其他元件。例如，绝缘膜38可以形成为围绕发光元件30的其他元件的侧面，但是暴露发光元件30的在长度方向上的两个端部。
绝缘膜38被示出为在发光元件30的长度方向上延伸以在从第一半导体层31到电极层37的范围内覆盖发光元件30的层的侧面，但是公开不限于此。绝缘膜38可以仅覆盖一些半导体层(包括活性层36)的外表面，或者可以仅覆盖电极层37的外表面的一部分以暴露电极层37的外表面的一部分。此外，绝缘膜38可以在发光元件30的至少一个端部附近具有圆形顶表面。
绝缘膜38可以具有10nm至1.0μm的厚度，但是公开不限于此。优选地，绝缘膜38可以具有约40nm的厚度。
绝缘膜38可以包括具有诸如以SiOx、SiNx、SiOxNy、AlNx或AlOx为例的绝缘性质的材料。绝缘膜38可以防止在活性层36被放置为与将电信号直接传输到发光元件30的电极直接接触时可能发生的任何短路。此外，由于绝缘膜38包括活性层36以保护发光元件30的外表面，因此可以防止发光元件30的发射效率的任何劣化。
此外，在一些实施例中，可以对绝缘膜38的外表面进行表面处理。在显示装置10的制造期间，发光元件30可以在分散在预定墨中时被喷射在电极上。这里，绝缘膜38的表面可以被疏水处理或亲水处理，以保持发光元件30在墨中分散而不与其他发光元件30聚集。
发光元件30的长度h可以在1μm至10μm或者2μm至6μm的范围内，优选地在3μm至5μm的范围内。此外，发光元件30的直径可以在30nm至700nm的范围内，并且发光元件30的纵横比可以为1.2至100。然而，公开不限于此。包括在显示装置10中的多个发光元件30可以根据其各自的活性层36的组分而具有不同的直径。优选地，发光元件30的直径可以为约500nm。
在下文中将描述制造显示装置10的方法。
图7至图12是示出根据公开的实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
参照图7，准备目标基底SUB，并且在目标基底SUB上形成电极21和22。电极21和22可以包括第一电极21和第二电极22，第二电极22与第一电极21间隔开并面对第一电极21。此外，可以在第一电极21和第二电极22与目标基底SUB之间进一步设置多个第一堤40。尽管未具体示出，但是目标基底SUB可以包括第一基底11以及由多个导电层和多个绝缘层形成的多个电路元件。为了方便，第一基底11和电路元件被简单地示出并且被描述为目标基底SUB。
此后，在电极21和22上形成第一绝缘层51和设置在第一绝缘层51上的第二堤45。可以通过典型的沉积或掩模工艺形成电极21和22、第一绝缘层51、第一堤40和第二堤45。第一绝缘层51可以被设置为覆盖所有电极21和22，并且可以稍后在形成连接电极26和27之前被部分地去除。第一绝缘层51可以稍后被图案化以暴露电极21和22的顶表面，并且因此可以具有图3中所示的结构。第一绝缘层51的布局和结构如上所述。将省略如何形成显示装置10的每个元件的描述，相反，将对显示装置10的元件的形成顺序进行详细描述。
此后，参照图8，在第一绝缘层51上形成设置在第一绝缘层51的部分上的对准诱导层70。在除了电极21和22之间的区域之外的区域中，可以在第一绝缘层51上设置对准诱导层70。对准诱导层70可以与设置在距每个子像素PXn的中心最外侧的最外电极OE部分地间隔开。
在一个实施例中，对准诱导层70可以形成为自组装单层(SAM)。可以通过在目标表面上自组装单分子来形成SAM。可以通过在第一绝缘层51上沉积具有疏水性质的单分子并使单分子彼此键合来形成对准诱导层70。可以通过在第一绝缘层51上沉积具有疏水性质的单分子来执行对准诱导层70的形成。这里，对准诱导层70的单分子可以彼此键合，并且也可以与第一绝缘层51的材料键合。例如，在第一绝缘层51包括SiOx的情况下，与硅(Si)键合的羟基(-OH)可以暴露在第一绝缘层51的表面上。这里，可以通过在第一绝缘层51的表面上沉积从羟基(-OH)获得的单分子(例如，Si(CH3)3)2NH)来形成对准诱导层70。例如，作为形成对准诱导层70的单分子材料的Si(CH3)3)2NH可以与暴露在第一绝缘层51的表面上的氧键合，并且对准诱导层70可以形成包括与氧键合的Si(CH3)3)2NH的单层。形成为包括Si(CH3)3)2NH的单层的对准诱导层70可以具有疏水性质。
然而，对准诱导层70的形成没有特别限制。可选地，在一些实施例中，可以通过在第一绝缘层51的整个表面上形成单层并将单层的表面改性来获得对准诱导层70。
此后，参照图9和图10，将包括发光元件30的墨S喷射到目标基底SUB上的由第二堤45围绕的区域中。发光元件30可以以分散在墨S的溶剂中的状态喷射。在一个实施例中，可以以分散在墨S中的状态准备发光元件30，并且可以通过使用喷墨印刷装置(未示出)的印刷而将发光元件30喷射到目标基底SUB上。
通过使用喷墨印刷装置的印刷而喷射的墨S可以均匀地铺展并在由第二堤45围绕的区域中沉降。第二堤45可以防止墨S在不同的子像素PXn之间溢出。墨S中的一些可以在其中形成对准诱导层70的区域中沉降，并且墨S中的一些可以在其中未形成对准诱导层70的区域中沉降。
显示装置10可以引导具有分散在其中的发光元件30的墨S移动或沉降在特定位置处。如上所述，墨S的溶剂可以是亲水的，并且对准诱导层70可以包括疏水材料。在亲水溶剂沉降在包括疏水材料的对准诱导层70上的情况下，由于亲水溶剂与疏水材料之间的化学排斥，墨S可以移动到其中未设置对准诱导层70的区域。
墨S的溶剂不仅可以与第一绝缘层51、电极21和22以及对准诱导层70形成界面，而且可以与空气形成界面。溶剂可以移动使得界面的表面能最小化，而由亲水溶剂与疏水对准诱导层70形成的界面具有高表面能。墨S的溶剂可以移动以使与对准诱导层70形成的界面的面积最小化，并且喷射到目标基底SUB上的墨S可以移动到并沉降在其中未设置对准诱导层70的区域中。
因此，具有分散在其中的发光元件30的墨S可以移动或沉降在其中未形成对准诱导层70的区域(即，电极21和22之间的区域)中。大多数发光元件30可以稍后在不与对准诱导层70叠置的区域中设置在电极21和22上。
参照图11，通过向电极21和22施加对准信号，将发光元件30设置在电极21和22上。当对准信号施加到电极21和22时，可以在喷射在电极21和22上的墨S上产生电场。一旦在电极21和22上产生电场，分散在墨S中的发光元件30就可以接收来自电场的力。然后，发光元件30的定向方向和位置可以持续改变，并且可以在第一电极21和第二电极22上定位发光元件30。
由于对准诱导层70，墨S可以移动到特定位置，并且可以在墨S已经移动到其的区域中在电极21和22上设置大多数发光元件30。可以在第一电极21与第二电极22之间使发光元件30对准，使得其两个端部可以电连接到第一电极21和第二电极22。对准诱导层70可以被设置为其中围绕电极21和22彼此间隔开的区域，并且发光元件30可以在电极21和22之间对准。设置在除了电极21和22之间之外的区域中的发光元件30不会电连接到第一电极21或第二电极22，并且最终不会在显示装置10中发射光。这些发光元件30可能在每个子像素PXn中损失。对准诱导层70可以引导墨S在电极21和22之间移动，并且可以使未能电连接到电极21和22并损失的发光元件30的数量最小化。
此后，参照图12，一旦发光元件30在电极21和22之间对准，去除墨S的溶剂，并且形成第二绝缘层52。可以通过典型的热处理工艺或典型的光照射工艺执行溶剂的去除。可以执行热处理工艺或光照射工艺以选择性地去除溶剂而不损坏发光元件30。第二绝缘层52可以固定在电极21和22之间对准的发光元件30。一旦形成第二绝缘层52，稍后可以不改变发光元件30的初始对准位置。
此后，可以形成多个连接电极26和27、第三绝缘层53和第四绝缘层54，从而获得显示装置10。
显示装置10的形成可以包括形成对准诱导层70和将具有分散在其中的发光元件30的墨S引导到特定位置。发光元件30可以密集地布置在其中形成对准诱导层70的区域中(即，在对准区域AA中)。由于显示装置10包括对准诱导层70，因此可以使在显示装置10的制造期间损失的发光元件30的数量最小化，并且可以通过将发光元件30密集地布置在特定的位置处改善发射集中度。
在下文中将描述根据公开的其他实施例的显示装置10。
图13是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
参照图13的显示装置10_1，对准诱导层70_1可以被设置为沿着最外电极OE延伸所沿的方向部分地覆盖最外电极OE。例如，对准诱导层70_1可以被设置为与多个电极21和22交叉，第二延伸部70B可以被设置为覆盖最外电极OE的外侧。图13的实施例与图2的实施例的不同之处在于对准诱导层70_1的布局。在下文中将描述图13的实施例，主要关注与图2的实施例的差异。
多个发光元件30中的每个的至少一个端部可以设置在第一电极21或第二电极22中的一个上，并且发光元件30可以在第一电极21与第二电极22之间沿一个方向对准。当发光元件30在电极21和22之间对准时，在显示装置10_1的制造期间，对准诱导层70_1可以被设置为使得具有分散在其中的发光元件30的墨S可以位于电极21和22之间。对准诱导层70_1可以设置为覆盖最外电极OE的外侧，例如，最外电极OE的与第二堤45间隔开并面对第二堤45的侧面。其中未设置对准诱导层70_1的对准区域AA可以被定位为包括电极21和22之间的空间，发光元件30可以在对准区域AA中设置在电极21和22之间。
对准诱导层70_1的第二延伸部70B可以被设置为与在第二方向DR2上延伸的电极21和22以及第一堤40部分地叠置。由于对准诱导层70_1被设置为在第二方向DR2上部分地覆盖最外电极OE，因此显示装置10_1可以引导具有分散在其中的发光元件30的墨S沉降或移动到电极21和22之间的区域中。
同时，如上所述，对准诱导层70不仅可以包括包含疏水材料的部分，而且还可以包括包含亲水材料的部分。对准诱导层70的具有与墨S相同的化学极性的部分可以设置在电极21和22之间以形成对准区域AA，并且对准诱导层70的具有与墨S不同的化学极性的部分可以设置在子像素PXn的其余部分中以形成非对准区域NAA。
图14是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。图15是沿着图14的线V-V'截取的剖视图。
参照图14和图15，显示装置10_2的对准诱导层70_2可以包括第一部分71和第二部分72，第一部分71包括亲水材料，第二部分72包括亲水材料。对准诱导层70_2可以在子像素PXn中设置在由第二堤45围绕的整个区域中，第二部分72可以设置在电极21和22之间，第一部分71可以设置在子像素PXn的其余部分中。显示装置10_2的对准诱导层70_2可以包括具有与具有分散在其中的发光元件30的墨S相同的化学极性的部分和具有与墨S不同的化学极性的部分，并且因此可以能够有效地引导墨S沉降或移动到特定位置中。
对准诱导层70_2可以包括第一部分71和第二部分72，并且可以基本上设置在子像素PXn的整个表面上以暴露电极21和22的顶表面。也就是说，对准诱导层70_2可以以与第一绝缘层51相同的形状布置。
对准诱导层70_2的第一部分71可以包括疏水材料，并且可以被设置为部分地围绕电极21和22之间的区域。第二部分72可以设置在子像素PXn的其中未设置有第一部分71的部分上，大部分在电极21和22之间的区域中。与第一绝缘层51一样，第二部分72可以设置在电极21和22之间，以覆盖其中电极21和22彼此间隔开并彼此面对的区域。在一个实施例中，发光元件30可以直接设置在对准诱导层70_2的第二部分72上，但是不设置在第一部分71上。子像素PXn的对准区域AA和非对准区域NAA可以形成为分别与对准诱导层70_2的第二部分72和第一部分71对应。
对准诱导层70_2可以通过沉积疏水材料和亲水材料来形成，但是公开不限于此。可选地，在一个实施例中，对准诱导层70_2可以通过沉积其表面特性在光照射时改变的材料并且执行施加光的掩模工艺来形成。
图16至图18是示出制造图14的显示装置的方法的剖视图。
参照图16，在其中形成有第一堤40、电极21和22以及第一绝缘层51的目标基底上形成基体层70'。稍后通过表面处理，基体层70'可以形成部分亲水且部分疏水的对准诱导层70_2。处理基体层70'的表面的方法没有特别限制。可以在基体层70'的表面上沉积亲水材料或疏水材料，或者可以通过等离子体处理对基体层70'的表面进行改性。
在一个实施例中，基体层70'可以包括其表面通过施加光而被改性的光诱导表面控制(PISC)材料，对准诱导层70_2的形成可以包括仅将光施加到特定区域。基体层70'可以响应于施加到其上的光而变得亲水或疏水，并且可以通过使用掩模的光照射工艺形成对准诱导层70_2。
参照图17和图18，将掩模MASK放置在基体层70'上，并且通过施加光UV形成从一个区域到另一个区域具有不同化学极性的对准诱导层70_2。可以通过光UV对基体层70'进行表面改性，因此可以使基体层70'变得化学亲水或疏水，并且基体层70'的用光UV照射的部分和基体层70'的未用光UV照射的部分可以具有不同的性质。在一个实施例中，基体层70'可以包括疏水材料，并且基体层70'的用光UV照射的部分可以被改性为具有亲水性质。在对准诱导层70_2的形成期间，用于通过光UV的照射进行表面改性的掩模MASK可以放置为与其中将要设置发光元件30的区域(例如，电极21和22之间的区域)对应。
可以用光UV照射基体层70'的与电极21和22之间的区域叠置的部分且基体层70'的与电极21和22之间的区域叠置的部分因此可以具有亲水性质，并且可以不用光UV照射基体层70'的其余部分且基体层70'的其余部分因此可以具有疏水性质。对准诱导层70_2可以根据对准诱导层70_2的哪个部分被光UV照射而包括第一部分71和第二部分72，并且可以形成其中发光元件30密集布置的对准区域AA。由于对准诱导层70_2包括疏水的第一部分71和亲水的第二部分72，所以可以清楚地区分在显示装置10_2的制造期间墨S被引导沉降或移动到的区域。结果，可以进一步减小由于设置在非对准区域NAA中而损失的发光元件30的数量。
当显示装置10包括对准诱导层70时，发光元件30可以密集地布置在由对准诱导层70限定的区域中，并且每个子像素PXn可以包括对准区域AA和非对准区域NAA。为了使发光元件30电连接到电极21和22，对准区域AA可以包括电极21和22之间的区域，非对准区域NAA可以不包括电极21和22之间的区域。可选地，在一些实施例中，电极21和22之间的区域的一部分可以与对准区域AA对应，电极21和22之间的区域的一部分可以与非对准区域NAA对应。也就是说，根据对准诱导层70的布局，每个子像素PXn可以包括多个对准区域AA，并且非对准区域NAA可以设置在多个对准区域AA之间。
图19是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。图20是沿着图19的线X1-X1'截取的剖视图。图21是沿着图19的线X2-X2'截取的剖视图。图20是沿着第一方向DR1截取的两个相邻的对准区域AA之间的非对准区域NAA的剖视图，图21是沿着第二方向DR2截取的两个相邻的对准区域AA之间的非对准区域NAA的剖视图。
参照图19至图21，在显示装置10_3中，在子像素PXn中，对准诱导层70_3可以甚至部分地设置在多个电极21和22之间的区域中。子像素PXn的发射区域EMA可以包括多个对准区域AA，对准诱导层70_3可以设置在对准区域AA之间以形成非对准区域NAA。图19至图21的实施例与图2的实施例的不同之处在于，对准诱导层70_3被设置为在每个子像素PXn中形成相对较多数量的对准区域AA。在下文中将描述图19至图21的实施例，主要关注与图2的实施例的差异。
对准诱导层70_3可以围绕第一堤40或者电极21和22之间的区域，并且可以至少部分地设置在电极21和22之间。对准诱导层70_3可以包括多个第一延伸部70A，并且第一延伸部70A可以穿过在第二方向DR2上延伸的电极21和22延伸。对准诱导层70_3的第一延伸部70A中的一些可以延伸穿过第一堤40，以部分地设置在电极21和22之间。因此，对准诱导层70_3可以划分电极21和22之间的区域，并且多个对准区域AA可以形成在由对准诱导层70_3围绕的区域中。
可以通过形成第一延伸部70A以延伸穿过第一堤40并且在电极21和22的顶表面的暴露期间去除第一延伸部70A的部分来获得对准诱导层70_3的布局。因此，第一延伸部70A的在电极21和22的顶表面上延伸穿过第一堤40的部分可以在电极21和22之间的区域中保持被去除。
对准区域AA可以包括电极21和22之间的区域，并且可以在电极21和22之间在一个方向上布置。例如，子像素PXn的对准区域AA可以包括第一对准区域AA1、第二对准区域AA2和第三对准区域AA3，并且第一对准区域AA1、第二对准区域AA2和第三对准区域AA3可以在第二方向DR2上布置。对准诱导层70_3可以设置在对准区域AA之间以形成非对准区域NAA。
由于每个子像素PXn包括多个对准区域AA，所以其中发光元件密集地布置的多个区域可以形成在电极21与电极22之间。由于对准诱导层70_3，对准区域AA可以被设置为包括电极21和22之间的区域，但是在仅一个对准区域AA设置在每个子像素PXn中以具有大面积的情况下，发光元件30可以仅在发射区域AA的一部分中以高密度布置。
例如，根据图2的实施例，对准诱导层70可以被设置在电极21和22之间的区域中或者第一堤40周围以形成对准区域AA，并且对准区域AA可以具有大的面积。多个发光元件30可以在对准区域AA中以任意分布布置。发光元件30可以仅在对准区域AA的一部分中密集地布置，并且因此可以具有不规则的分布。其中发光元件30不均匀地分布的子像素PXn会在发射区域EMA中从一个位置到另一个位置具有不同的发光量。
在显示装置10_3中，对准诱导层70_3可以被设置为部分地围绕电极21和22之间的区域，使得每个子像素PXn可以包括多个对准区域AA。多个对准区域AA可以具有相对小的尺寸，设置在多个对准区域AA中的每个中的发光元件30可以具有均匀的分布。因此，显示装置10_3的每个子像素PXn可以发射均匀的光量，而在发射区域EMA中从一个位置到另一个位置发射的光量没有任何差异。
图22是示出制造图19的显示装置的方法的剖视图。图22是沿着第二方向DR2截取的其中布置有图19的显示装置10_3的对准诱导层70_3的第一延伸部70A的区域的剖视图。
参照图22，当显示装置10_3的对准诱导层70_3被设置为部分地围绕电极21和22之间的区域时，可以形成多个对准区域AA。在显示装置10_3的制造期间，当具有分散在其中的发光元件30的墨S被喷射到每个子像素PXn中时，墨S可以沉降或移动到其中未设置对准诱导层70_3的区域中。当对准诱导层70_3将每个子像素PXn划分为多个区域时，喷射到每个子像素PXn中的墨S可以沉降或移动到多个区域中的每个中。墨S可以包括均匀分布的发光元件30，并且发光元件30可以在由对准诱导层70_3分开的对准区域AA中的每个中以均匀分布布置。由于显示装置10_3包括多个对准区域AA，因此可以使从每个子像素PXn发射的光的任何差异最小化。
同时，设置在电极21和22之间的发光元件30中的每个的至少一个端部可以电连接到一个第一电极21。由于发光元件30电连接到第一电极21，因此发光元件30可以彼此并联电连接。在这种情况下，如果发光元件30中的一个发光元件30有缺陷并且第一电极21和第二电极22由于有缺陷的发光元件30而短路，则施加到第一电极21和第二电极22的电信号可以仅流过有缺陷的发光元件30。如果发光元件30并联连接，则一个子像素PXn可能由于发光元件30的短路而不能够发射光。为了解决这个问题，显示装置10可以经由对准诱导层70将每个子像素PXn划分为多个对准区域AA，并且可以在对准区域AA中的每个中使多个发光元件30串联连接。
图23是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。图24是沿着图23的线X3-X3'、线X4-X4'和线X5-X5'截取的剖视图。图24是设置在第一对准区域AA1、第二对准区域AA2和第三对准区域AA3中的发光元件30A、30B和30C中的每个的从一个端部到另一个端部的剖视图。
参照图23和图24，显示装置10_4的每个子像素PXn可以包括多个对准区域AA(即，第一对准区域AA1、第二对准区域AA2和第三对准区域AA3)，并且不同组的连接电极26_4、27_4、28_4和29_4可以设置在对准区域AA中。显示装置10_4与图19的其对应物的不同之处在于，显示装置10_4包括具有不同结构的连接电极26_4、27_4、28_4和29_4。在下文中将描述图23和图24的实施例，主要关注与图19的实施例的差异。
图23的显示装置10_4的对准诱导层70_4可以具有与图19的显示装置10_3的其对应物相同的形状。对准诱导层70_4可以设置在每个子像素PXn中以围绕每个子像素PXn中的一些区域。由对准诱导层70_4限定的区域可以形成对准区域AA。例如，每个子像素PXn可以包括第一对准区域AA1、第二对准区域AA2和第三对准区域AA3。
多个发光元件30可以设置在对准区域AA中的每个中，并且可以与设置在对准区域AA中的连接电极26_4、27_4、28_4和29_4接触。发光元件30可以包括设置在第一对准区域AA1中的第一发光元件30A、设置在第二对准区域AA2中的第二发光元件30B和设置在第三对准区域AA3中的第三发光元件30C。第一发光元件30A、第二发光元件30B和第三发光元件30C的端部可以电连接到相同的连接电极26_4、27_4、28_4和29_4，并且可以彼此并联连接。
显示装置10_4可以包括第一连接电极26_4和第二连接电极27_4以及第三连接电极28_4和第四连接电极29_4，第一连接电极26_4和第二连接电极27_4连接到电极21_4和22_4中的一个以及发光元件30中的每个的一个端部，第三连接电极28_4和第四连接电极29_4不与电极21_4和22_4接触，而是与发光元件30中的每个的一个端部接触。
第一连接电极26_4可以设置在第三对准区域AA3中，并且可以与第一电极21_4和第三发光元件30C的第一端部接触。第一连接电极26_4可以向第三发光元件30C的第一端部传输施加到与第一接触孔CT1中的第一导电图案CDP接触的第一电极21_4的电信号。第一连接电极26_4可以在第二方向DR2上延伸，并且可以设置在第三对准区域AA3中。两个单独的第一连接电极26_4可以设置在第三对准区域AA3中。
第二连接电极27_4可以设置在第一对准区域AA1中，并且可以与第二电极22_4和第一发光元件30A的第二端部接触。第二连接电极27_4可以向第一发光元件30A的第二端部传输施加到与第二接触孔CT2中的第二电压线VL2接触的第二电极22_4的电信号。第二连接电极27_4可以在第二方向DR2上延伸，并且可以设置在第一对准区域AA1中。两个单独的第二连接电极27_4可以设置在第一对准区域AA1中。
第一连接电极26_4和第二连接电极27_4可以设置在对准区域AA中，并且可以与发光元件30的端部以及电极21_4和22_4接触。除了第一连接电极26_4和第二连接电极27_4之外，显示装置10_4还可以包括设置在多个对准区域中并且仅与发光元件30接触的第三连接电极28_4和第四连接电极29_4。
第三连接电极28_4与设置在第一对准区域AA1中的第一发光元件30A的第一端部和设置在第二对准区域AA2中的第二发光元件30B的第二端部接触。第四连接电极29_4与设置在第二对准区域AA2中的第二发光元件30B的第一端部和设置在第三对准区域AA3中的第三发光元件30C的第二端部接触。第三连接电极28_4可以包括在第二方向DR2上延伸的部分和在第一方向DR1上延伸的部分。第三连接电极28_4的在第二方向DR2上延伸的部分可以设置在第一对准区域AA1和第二对准区域AA2中，第三连接电极28_4的在第一方向DR1上延伸的部分可以连接第三连接电极28_4的在第二方向DR2上延伸的部分并且可以设置在第一对准区域AA1与第二对准区域AA2中。第四连接电极29_4可以具有与第三连接电极28_4基本上相同的形状，并且可以设置在第二对准区域AA2和第三对准区域AA3中。两个单独的第三连接电极28_4和两个单独的第四连接电极29_4可以设置在每个子像素PXn中。
第三连接电极28_4和第四连接电极29_4可以不直接连接到电极21_4和22_4，而是可以通过发光元件30电连接到电极21_4和22_4。通过第二连接电极27_4从第二电极22_4施加的电信号可以通过第一发光元件30A和第三连接电极28_4传输到第二发光元件30B。电信号可以通过第二发光元件30B和第四连接电极29_4传输到第三发光元件30C。类似地，通过第一连接电极26_4从第二电极22_4施加的电信号可以通过第三发光元件30C和第四连接电极29_4传输到第二发光元件30B。电信号可以通过第二发光元件30B和第三连接电极28_4传输到第一发光元件30A。由于设置在每个子像素PXn的对准区域AA中的发光元件30通过多个连接电极26_4、27_4、28_4和29_4电连接，所以分别设置在第一对准区域AA1、第二对准区域AA2和第三对准区域AA3中的第一发光元件30A、第二发光元件30B和第三发光元件30C可以串联连接。
如果第一发光元件30A中的一个短路，则没有电信号可以传输到设置在第一对准区域AA1中的第一发光元件30A。然而，由于电信号仍然可以传输到设置在第二对准区域AA2和第三对准区域AA3中的每个中的发光元件，因此仍然可以发射光。也就是说，显示装置10_4可以在每个子像素PXn中包括设置在多个对准区域AA中的一个中且串联连接的多个发光元件30。因此，即使多个发光元件30中的一个发光元件有缺陷，显示装置10_4仍然能够经由其他发光元件30发射光。此外，由于多个发光元件30串联连接，因此可以进一步改善显示装置10_4的发射效率。
同时，多个第一电极21中的每个可以通过第一接触孔CT1与第一导电图案CDP接触，并且因此可以电连接到驱动晶体管DT。设置在一个第一电极21与一个第二电极22之间的发光元件30可以与设置在另一个第一电极21与第二电极22之间的发光元件30形成并联连接，但是公开不限于此。在一些实施例中，显示装置10还可以包括不直接连接到设置在第一平坦化层19下方的电路元件的电极，并且设置在电极之间的发光元件30可以形成串联连接。
图25是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
参照图25，显示装置10_5还可以包括第一电极21和第二电极22，并且还可以包括设置在第一电极21与第二电极22之间的第三电极23。此外，连接电极26、27和28还可以包括设置在第三电极23上的第三连接电极28。第一堤40还可以设置在第三电极23与第一平坦化层19之间，并且多个发光元件30可以设置在第一电极21与第三电极23之间和第三电极23与第二电极22之间。显示装置10_5与图2的其对应物的不同之处在于，每个子像素PXn还包括第三电极23和第三连接电极28。在下文中将描述第三电极23。
第三电极23设置在第一电极21与第二电极22之间。多个第一堤40(例如，三个第一堤40)可以设置在第一平坦化层19上，第一电极21、第三电极23和第二电极22可以顺序地布置在第一堤40上。第三电极23可以在第二方向DR2上延伸。与第一电极21和第二电极22不同，第三电极23可以在第二方向DR2上延伸，但是可以被设置为不与第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分叠置而是与其间隔开。也就是说，第三电极23在第二方向DR2上的长度可以比第一电极21的长度和第二电极22的长度小，第三电极23可以被设置为不延伸超过与相邻子像素PXn的边界。
发光元件30可以设置在第一电极21与第三电极23之间和第三电极23与第二电极22之间。第三连接电极28可以具有与第一连接电极26和第二连接电极27相同的形状，并且可以设置在第三电极23上。一个第一连接电极26和一个第二连接电极27可以设置在每个子像素PXn中，并且多个第三连接电极27可以设置在每个子像素PXn中。然而，公开不限于此。
设置在第一电极21与第三电极23之间的发光元件30可以与第一连接电极26和第三连接电极28接触，并且因此可以电连接到第一电极21和第三电极23。设置在第三电极23与第二电极22之间的发光元件30可以与第三连接电极28和第二连接电极27接触，并且因此可以电连接到第三电极23和第二电极22。
与第一电极21和第二电极22不同，第三电极23可以不通过接触孔直接连接到电路元件层。施加到第一电极21和第二电极22的电信号可以通过第一连接电极26和第二连接电极27以及发光元件30传输到第三电极23。也就是说，设置在第一电极21与第三电极23之间的发光元件30可以与设置在第三电极23与第二电极22之间的发光元件30形成串联连接。由于显示装置10_5还包括第三电极23，因此可以构成发光元件30之间的串联连接，并且可以进一步改善每个子像素PXn的发射效率。
同时，显示装置10的电极21和22可以不必在一个方向上延伸。电极21和22的形状没有特别的限制，只要它们彼此间隔开且彼此面对以形成其中布置发光元件30的区域即可。在一些实施例中，电极21和22可以具有弯曲形状，并且电极21和22中的一个可以被设置为围绕另一个电极。
图26是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
参照图26，显示装置10_6的第一电极21_6和第二电极22_6的至少一部分可以具有弯曲形状，第一电极21_6的弯曲部分可以与第二电极22_6的弯曲部分间隔开并面对第二电极22_6的弯曲部分。图26的显示装置10_6与图2的显示装置10的不同之处在于第一电极21_6和第二电极22_6的形状。在下文中将描述图26的实施例，主要关注与图2的实施例的差异。
第一电极21_6可以设置在子像素PXn的整个表面上，并且可以包括多个孔HOL。例如，第一电极21_6可以包括沿着第二方向DR2布置的第一孔HOL1、第二孔HOL2和第三孔HOL3，但是公开不限于此。可选地，第一电极21_6可以包括多于三个孔HOL、少于三个孔HOL或仅一个孔HOL。第一电极21_6在下文中将被描述为包括第一孔HOL1、第二孔HOL2和第三孔HOL3。
在一个实施例中，第一孔HOL1、第二孔HOL2和第三孔HOL3在平面图中可以具有圆形形状。因此，第一电极21_6可以具有由孔HOL形成的弯曲区域，并且可以在弯曲区域中面对第二电极22_6，但是公开不限于此。第一孔HOL1、第二孔HOL2和第三孔HOL3的形状没有特别限制，只要第一孔HOL1、第二孔HOL2和第三孔HOL3提供其中布置第二电极22_6的空间即可。例如，第一孔HOL1、第二孔HOL2和第三孔HOL3在平面图中可以具有椭圆形状或诸如矩形形状的多边形形状。
多个第二电极22_6可以设置在子像素PXn中。例如，三个第二电极22_6可以设置在子像素PXn中以与第一电极21_6的第一孔HOL1、第二孔HOL2和第三孔HOL3对应。第二电极22_6可以位于由第一电极21_6围绕的第一孔HOL1、第二孔HOL2和第三孔HOL3中。
在一个实施例中，第一电极21_6的孔HOL可以具有弯曲形状，第二电极22_6可以具有弯曲形状并且可以与第一电极21_6间隔开并面对第一电极21_6。第一电极21_6可以包括在平面图中具有圆形形状的孔HOL，第二电极22_6可以在平面图中具有圆形形状。孔HOL中的第一电极21_6的弯曲侧可以与第二电极22_6的弯曲外侧间隔开并面对第二电极22_6的弯曲外侧。例如，第一电极21_6可以被设置为围绕第二电极22_6的外侧。
对准诱导层70_6可以被设置为覆盖第一电极21_6和第二电极22_6，但是暴露第一电极21_6与第二电极22_6之间的间隙。例如，对准诱导层70_6可以被设置为暴露子像素PXn的其中第一电极21_6和第二电极22_6彼此间隔开并彼此面对的部分，但是覆盖子像素PXn的其余部分。因此，对准区域AA可以形成在第一电极21_6与第二电极22_6之间的其中未设置对准诱导层70_6的区域中，并且非对准区域NAA可以形成在子像素PXn的其余部分中。
发光元件可以在第一电极21_6与第二电极22_6之间设置在对准区域AA中。发光元件30中的每个的至少一个端部可以设置在子像素PXn的其中第一电极21_6和第二电极22_6彼此间隔开并彼此面对的部分上。由于对准诱导层70_6未设置在子像素PXn的其中第一电极21_6和第二电极22_6彼此间隔开并彼此面对的部分中，因此墨S可以沉降或移动到第一电极21_6与第二电极22_6之间的区域中。发光元件30可以设置在第一电极21_6与第二电极22_6之间的其中未设置对准诱导层70的区域中。
第一连接电极26_6和第二连接电极27_6可以被设置为与发光元件30的第一端部、第一电极21_6或第二电极22_6接触。第一连接电极26_6可以沿着第一电极21_6的孔HOL设置，并且在平面图中可以具有有着预定厚度的圆弧形状。第二连接电极27_6可以被设置为覆盖第二电极22_6，并且在平面图中可以具有圆形形状。然而，公开不限于此。可选地，在一些实施例中，第一连接电极26_6和第二连接电极27_6可以分别具有与第一电极21_6和第二电极22_6基本上相同的形状，或者可以被设置为仅与子像素PXn的发光元件30、第一电极21_6和第二电极22_6彼此接触的部分对应。
显示装置10_6可以包括具有圆形形状的第二电极22_6和被设置为围绕第二电极22_6的第一电极21_6，发光元件30可以沿着第二电极22_6的弯曲外侧布置。由于发光元件30在一个方向上延伸，并且沿着第二电极22_6的弯曲外侧布置的发光元件30可以被布置为在不同方向上定向。子像素PXn可以根据发光元件30面对的方向在各种方向上发射光。由于显示装置10_6的第一电极21_6和第二电极22_6具有弯曲形状，因此设置在第一电极21_6与第二电极22_6之间的发光元件30可以被布置为面对不同的方向，并且可以改善显示装置10_6的侧面可见度。
图27是根据公开的另一实施例的显示装置的像素的平面图。为了方便起见，图27示出了多个子像素PXn的布局和对准诱导层70的布局。
参照图27，显示装置10_7可以不包括第二堤45。第二堤45不仅限定相邻子像素PXn之间的边界，而且还防止墨S在显示装置10_7的制造期间在相邻子像素PXn之间溢出。显示装置10_7可以包括对准诱导层70，并且可以引导墨S沉降或移动到特定位置中。一旦具有分散在其中的发光元件30的墨S喷射到由对准诱导层70限定的区域中，由于墨S与对准诱导层70之间的化学反应，墨S可以移动到特定位置。如果墨S可以精确地喷射在每个特定位置处，则由于对准诱导层70的存在，可以防止墨S在相邻子像素PXn之间溢出。显示装置10_7可以不包括第二堤45，而对准诱导层70可以防止墨S溢出到其他子像素PXn。因为不设置第二堤45，所以可以简化显示装置10_7的制造，并且可以减小每个子像素PXn的面积，这对于实现高分辨率显示装置可以是有利的。
类似地，显示装置10可以包括对准诱导层70，并且因此可以能够将不同的区域(例如，不同的子像素PXn)分开，而无需结构的帮助。由于喷射到每个特定区域中的墨S可以移动到由对准诱导层70限定的区域，因此可以不设置诸如第二堤45的结构。
图28是根据公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
参照图28，显示装置10_8可以在由第二堤45围绕的区域中包括多个子像素PXn(其中n是1至4的整数)。第二堤45可以被设置为围绕像素PX，像素PX可以包括通过对准诱导层70_8彼此分开的多个子像素PXn。
在由第二堤45围绕的像素PX中，对准诱导层70_8可以被设置为在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸。由对准诱导层70_8和第二堤45限定的区域可以成为子像素PXn。第一子像素PX1、第二子像素PX2、第三子像素PX3和第四子像素PX4可以设置在由第二堤45围绕的区域中。第一子像素PX1、第二子像素PX2、第三子像素PX3和第四子像素PX4之间的边界可以由对准诱导层70_8限定，并且诸如第二堤45的结构可以不设置在第一子像素PX1、第二子像素PX2、第三子像素PX3和第四子像素PX4之间。子像素PXn中的每个可以包括多个电极21和22、第一堤40以及发光元件30，并且可以发射特定波段的光。在一个实施例中，第一子像素PX1、第二子像素PX2、第三子像素PX3和第四子像素PX4中的至少一些可以包括发射不同颜色的光的发光元件组，并且因此可以发射不同颜色的光，但是公开不限于此。像素PX中的子像素PXn可以包括发射相同颜色的光的发光元件30的组。
在子像素PXn通过由第二堤45围绕的区域中的结构分开的情况下，需要将墨S精确地喷射到由该结构限定的每个区域中。子像素PXn的尺寸越小，当将墨S喷射到每个特定区域中时就越可能发生错误，并且墨S就越可能沉降在不期望的区域中。然而，在子像素PXn通过对准诱导层70_8而不是通过结构分开的情况下(如图28的显示装置10_8)，即使墨S的喷射位置存在错误，墨S也可以由于对准诱导层70_8而被引导为沉降或移动到每个期望的区域中。也就是说，由于显示装置10_8包括对准诱导层70_8，因此可以减小通过对准诱导层70_8分开的每个区域的尺寸或子像素PXn的尺寸。此外，即使发生与墨S的喷射有关的错误，也可以在每个期望的位置处精确地引导具有分散在其中的发光元件30的墨S。显示装置10_8可以改善用于墨S的喷射的处理余量，并且可以有利于实现具有小子像素PXn的超高分辨率显示装置。
在结束详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离发明的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多改变和修改。因此，所公开的发明的优选实施例仅在一般性和描述性意义上使用，而不是为了限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
像素区域，包括多个对准区域和占所述像素区域的其余部分的非对准区域；
多个电极，在所述像素区域中在预定方向上延伸，所述多个电极彼此间隔开；
多个发光元件，在所述多个电极之间设置在所述多个对准区域中，使得所述多个发光元件中的每个的至少一个端部被放置在所述多个电极中的一个上；以及
对准诱导层，至少部分地设置在所述非对准区域中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述对准诱导层包括第一部分，所述第一部分包括疏水材料，并且
所述第一部分被设置为围绕所述多个对准区域。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
多个连接电极，设置在所述多个对准区域中以覆盖所述多个电极的一部分和所述多个发光元件的端部。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述对准诱导层被设置为使得所述第一部分沿着所述预定方向部分地覆盖从所述像素区域的中心起的最外侧上的电极。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述多个对准区域包括第一对准区域和第二对准区域，所述第一对准区域和所述第二对准区域在所述预定方向上彼此间隔开，并且
所述对准诱导层部分地设置在所述第一对准区域与所述第二对准区域之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，设置在所述第一对准区域和所述第二对准区域中的发光元件的数量比设置在所述第一对准区域与所述第二对准区域之间的发光元件的数量多。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述多个电极在所述第一对准区域与所述第二对准区域之间彼此部分分开。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述对准诱导层还包括第二部分，所述第二部分包括亲水材料，并且
所述第二部分还设置在所述多个对准区域中。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述多个发光元件在所述多个对准区域中直接设置在所述第二部分上。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
多个第一堤，设置在所述像素区域中以彼此间隔开并因此与所述多个电极叠置，
其中，所述对准诱导层被设置为围绕所述多个第一堤。
11.根据权利要求10所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二堤，被设置为围绕所述像素区域。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述多个对准区域在由所述第二堤围绕的区域中彼此间隔开，
所述对准诱导层设置在所述多个对准区域之间，并且
所述多个发光元件设置在所述多个对准区域中，但是不同对准区域中的发光元件组发射不同波长的光。
13.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底；
多个第一堤，设置在所述第一基底上并且彼此间隔开；
多个电极，设置在所述多个第一堤上并且彼此间隔开；
对准诱导层，设置在所述第一基底上，使得所述对准诱导层的至少一部分还设置在除了所述多个电极之间的区域之外的区域中；以及
多个发光元件，设置在所述多个电极之间，使得所述多个发光元件中的每个的至少一个端部放置在所述多个电极上，并且所述多个发光元件不与所述对准诱导层叠置。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述对准诱导层包括第一部分，所述第一部分包括疏水材料，并且
所述第一部分被设置为不与所述多个发光元件叠置。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述对准诱导层被设置为使得所述第一部分覆盖从所述第一基底的中心起的最外侧上的电极的外侧。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述对准诱导层还包括第二部分，所述第二部分包括亲水材料，
所述第二部分设置在所述多个电极之间，并且
所述多个发光元件被设置为与所述第二部分叠置。
17.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一绝缘层，被设置为覆盖所述多个电极的部分，
其中，所述对准诱导层设置在所述第一绝缘层上。
18.根据权利要求17所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二绝缘层，设置在所述多个电极之间以覆盖所述多个发光元件的至少一部分。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层和所述对准诱导层被设置为暴露所述多个电极的在所述第一堤上的顶表面的部分。
20.根据权利要求19所述的显示装置，所述显示装置还包括：
多个连接电极，与所述多个电极的所述顶表面的暴露部分和所述多个发光元件中的每个的一个端部接触。
CN202180033328.1A 2020-05-04 2021-04-01 显示装置 Pending CN115516639A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0053258 2020-05-04
KR1020200053258A KR20210135383A (ko) 2020-05-04 2020-05-04 표시 장치
PCT/KR2021/004081 WO2021225284A1 (ko) 2020-05-04 2021-04-01 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115516639A true CN115516639A (zh) 2022-12-23

Family

ID=78468231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180033328.1A Pending CN115516639A (zh) 2020-05-04 2021-04-01 显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230207608A1 (zh)
KR (1) KR20210135383A (zh)
CN (1) CN115516639A (zh)
WO (1) WO2021225284A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220070106A (ko) 2020-11-20 2022-05-30 삼성디스플레이 주식회사 잉크젯 프린팅 장치 및 그의 미토출 해소 방법
WO2023136378A1 (ko) * 2022-01-14 2023-07-20 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
WO2024019189A1 (ko) * 2022-07-20 2024-01-25 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
KR20240033780A (ko) * 2022-09-05 2024-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101586673B1 (ko) * 2006-12-22 2016-01-20 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
EP2202817B1 (en) * 2008-12-24 2016-06-29 LG Display Co., Ltd. Method for manufacturing an organic light emitting display device
KR101155450B1 (ko) * 2010-01-25 2012-07-19 박병주 잉크젯 프린팅을 이용한 유기 발광소자의 제조방법
KR102259369B1 (ko) * 2014-09-18 2021-06-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시패널 및 유기발광표시장치
KR20200004482A (ko) * 2018-07-03 2020-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20230207608A1 (en) 2023-06-29
WO2021225284A1 (ko) 2021-11-11
KR20210135383A (ko) 2021-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230207608A1 (en) Display device
US20210367024A1 (en) Display device
US11670628B2 (en) Display device
EP4191677A1 (en) Display device
EP3866195A2 (en) Display device
CN113889507A (zh) 显示设备
US20230275199A1 (en) Display device and method of fabricating the same
US20230261143A1 (en) Display device
US20220052107A1 (en) Display device
US20220045241A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
EP4064370A1 (en) Light-emitting element, display apparatus, and manufacturing method therefor
US20220406759A1 (en) Display device
CN114156302A (zh) 显示装置和制造显示装置的方法
CN113555386A (zh) 显示装置
CN114122047A (zh) 显示装置
CN115769378A (zh) 显示装置
CN115461869A (zh) 发光元件墨及用于制造显示设备的方法
CN115244697A (zh) 发光器件及包括其的显示器
US20220190070A1 (en) Display device
US20230361261A1 (en) Display device and method of fabricating the same
US20220130928A1 (en) Display device
US20220102585A1 (en) Display device
US20230275189A1 (en) Display device
US20220044976A1 (en) Display device
US20220165809A1 (en) Display device and method for fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination