CN111933667B - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板、显示面板的制作方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明提供的一种显示面板，包括多个子像素，每个子像素包括量子点显示结构，每个量子点显示结构包括量子点层，量子点层中具有吡咯类单体分子。本发明提供的显示面板，由于在量子点显示结构的量子点层中加入吡咯类单体分子，因此若氧气接触到量子点层，吡咯类单体分子会与氧气反应，发生聚合反应生成聚合物，多个聚合物相穿插形成保护膜，以隔绝水汽和氧气，避免水汽和氧气接触到量子点致使量子点的性能下降。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明属于显示领域，具体涉及一种显示面板、显示面板的制作方法、显示装置。
背景技术
随着量子点技术日益发展，量子点技术常常应用在显示面板中，例如显示面板中的显示结构包括量子点层，显示面板采用封装层在显示结构外侧进行封装，以隔绝水和氧气，防止水汽和氧气与量子点层相接触致使量子点性能下降。而在相关技术在，由于长时间点亮导致显示结构的内部热量较大，光照和热量会导致封装层的膜层产生裂纹，从而水汽和氧气会通过裂纹进入到显示结构中，接触到显示结构的量子点层，从而影响量子点层的性能。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示面板，显示面板具有量子点层，量子点层中的吡咯类单体能够与氧气反应生成保护膜，以隔绝水汽和氧气。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示面板，包括多个子像素，每个所述子像素包括量子点显示结构，每个所述量子点显示结构包括量子点层，所述量子点层中具有吡咯类单体分子。
本发明提供的显示面板，由于在量子点显示结构的量子点层中加入吡咯类单体分子，因此若氧气接触到量子点层，吡咯类单体分子会与氧气反应，发生聚合反应生成聚合物，多个聚合物相穿插形成保护膜，以隔绝水汽和氧气，避免水汽和氧气接触到量子点致使量子点的性能下降。
优选的是，所述量子点显示结构为量子点发光二极管；所述量子点发光二极管还包括：第一电极层、第二电极层；所述量子点层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间。
优选的是，所述量子点显示结构包括量子点彩色滤光片，所述量子点滤彩色光片具有滤光区，所述量子点层设置在所述滤光区中；所述显示面板还包括背光模组，所述背光模组发出蓝色的光；多个所述量子点彩色滤光片设置在所述背光模组的出光侧。
优选的是，所述量子点层包括多个量子点和多个吡咯类单体分子，所述吡咯类单体分子分布在多个所述量子点之间；
或者，所述吡咯类单体分子作为所述量子点的配体，与所述量子点相连。
优选的是，所述吡咯类单体分子为N-乙烯基吡咯烷酮。
优选的是，所述吡咯类单体分子与氧气反应生产聚合物，所述聚合物的分子量为30000。
相应地，本发明还提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括多个子像素，该制作方法包括以下步骤：
在每个所述子像素中制作量子点显示结构，包括制作量子点层；其中，所述量子点层中具有吡咯类单体分子。
优选的是，所述量子点显示结构为量子点发光二极管；所述量子点发光二极管还包括：第一电极层、第二电极层；所述量子点层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间；所述在每个所述子像素中制作量子点显示结构，包括制作量子点层，具体包括：
制作第一电极层；
在所述第一电极层上制作所述量子点层；
在所述量子点层背离所述第一电极层一侧制作第二电极层；
所述在所述第一电极层上制作所述量子点层，包括：
将量子点、吡咯类单体分子在甲苯溶液中进行混合形成量子点层材料；
将所述量子点层材料旋涂在所述第一电极层上，再经过退火工艺形成所述量子点层。
优选的是，所述量子点显示结构包括量子点彩色滤光片，所述量子点彩色滤光片具有滤光区，所述量子点层设置在所述滤光区中；所述显示面板还包括背光模组，所述背光模组发出蓝色的光；多个所述量子点彩色滤光片设置在所述背光模组的出光侧；所述在每个所述子像素中制作量子点显示结构，包括制作量子点层，具体包括：
制作所述背光模组；
制作所述量子点彩色滤光片，包括：
将量子点、吡咯类单体分子和光刻胶相混合形成量子点层材料；
在氮气环境中，将所述量子点层材料涂覆在所述背光模组上；
对所述量子点层材料进行烘烤、曝光、显影后形成所述量子点层。
相应地，本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
附图说明
图1为本实施例提供的一种显示面板的一种实施例的平面结构示意图(实施例一)；
图2为本实施例提供的一种显示面板的一种实施例的平面结构示意图(实施例二)；
图3为沿图1中C-D方向剖切的剖面图；
图4为沿图2中E-F方向剖切的剖面图的一种实施例；
图5为沿图2中E-F方向剖切的剖面图的另一种实施例；
图6为本实施例提供的一种显示面板中吡咯单体分子转化为聚合物的示意图；
图7为本实施例提供的一种显示面板的量子点层中吡咯类单体分子的分子结构式；
图8为本实施例提供的一种显示面板的量子点层中吡咯类单体分子生成的聚合物的分子结构式；
图9为本实施例提供的一种显示面板的量子点层中吡咯类单体分子发生聚合反应生成聚合物的原理示意图；
图10图8为本实施例提供的一种显示面板的量子点层中吡咯类单体分子与量子点配位后的分子结构式；
图11为本实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图之一；
图12为本实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图之二；
图13为本实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图之三；
图14为本实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图之四。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是为了便于对本发明实施例的内容的理解。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
第一方面，如图1、图2所示，本实施例提供一种显示面板，包括多个子像素，各个子像素可以呈阵列排布；其中，每三种不同颜色的子像素组成一个像素单元；例如像素单元包括红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B；每个子像素包括量子点显示结构，每个量子点显示结构包括量子点层，量子点层中具有量子点(Quantum Dot,QD)，量子点可以称为半导体纳米晶体，量子点是半径小于或者接近波尔激子半径的纳米晶颗粒，其尺寸粒径在1-20nm之间，量子点具有量子限域效应，受激发后可以发射荧光，因此量子点层作为显示面板的发光材料应用在显示面板中。此外，本实施例提供的显示面板中，量子点层中具有吡咯类单体分子。量子点显示结构上设置有封装层，封装层用于对量子点显示结构进行封装以隔绝水汽的氧气，避免水汽和氧气进入量子点显示结构，而由于在量子点显示结构的量子点层加入吡咯类单体分子，因此若封装层产生裂纹，氧气和水汽透过裂纹接触到量子点层，量子点层中的吡咯类单体分子会与氧气作用，发生聚合反应生成聚合物，多个聚合物相穿插形成保护膜，以隔绝水汽和氧气，避免水汽和氧气接触到量子点致使量子点的性能下降。
在此需要说明的是，在本发明实施例中子像素的颜色可以是根据每个子像素中的量子点显示结构发出的颜色而定的；例如：子像素中的量子点显示结构所发出的光为红光，此时则将该子像素称之为红色子像素R(如图1所示)；当然，若显示面板子像素的量子点显示结构包括发光器件和设置在发光器件上的量子点彩色滤光片，发光器件的发光颜色均相同，例如各个发光器件所发出的光均为白光，此时，量子点彩色滤光片的颜色而定；例如：某一子像素所对应的量子点彩色滤光片的颜色为红色，则将该子像素称之为红色子像素R(如图2所示)。以下皆以多个子像素包括红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B为例进行说明。
可选地，本实施例提供的显示面板可以包括多种类型的显示面板，例如，参见图1，显示面板为应用了量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)的显示面板，又例如，参见图2，显示面板为应用了量子点彩色滤光片(Quantum Dot ColorFilter，QDCF)的显示面板。以下举例说明。
实施例一、
如图1所示，显示面板为应用了量子点发光二极管的显示面板，显示面板包括多个阵列排布的子像素，沿行方向每三个相邻的子像素分别为红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。在本实施例中，每个子像素(红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B中的任一个)中的量子点显示结构为量子点发光二极管，每个子像素包括对应该子像素的颜色的量子点发光二极管，和设置在该量子发光二极管背离出光侧的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)，TFT连接量子点发光二极管以驱动量子点发光二极管发光。显示面板还包括多条沿行方向延伸的扫描线gate，以及多条沿列方向延伸的数据线data，一条扫描线连接一行子像素的TFT，一条数据线连接一列子像素的TFT。
如图1、图3所示，图3为图1沿C-D方向剖切的剖面图，显示面板包括基底11，基底11上设置有缓冲层12，缓冲层12背离基底11一侧设置有各个子像素的TFT的膜层，以一个像素单元(包括红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B)的层结构为例，缓冲层12背离基底11一侧设置有分别对应红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的三个TFT。TFT的膜层具体包括设置在缓冲层12背离基底一侧的有源层001、设置在有源层001背离基底11一侧的栅极002，设置在栅极002与有源层001之间的栅极绝缘层13、设置在栅极002背离基底11一侧的源极003和漏极004，源极003和漏极004同层设置，设置在源极003和漏极004所在层与栅极002之间的层间绝缘层14。在TFT的膜层背离基底11一侧，也即源极003和漏极004所在层背离基底11一侧还设置有保护层(PVX)15，以保护TFT的膜层结构，在保护层15背离基底11一侧设置有平坦层(PLN)16。平坦层16背离基底11一侧设置有各个子像素的量子点发光二极管，以一个像素单元为例，平坦层16背离基底11一侧设置有分别对应红色子像素R的红色量子点发光二极管171，对应绿色子像素G的绿色量子点发光二极管172和对应蓝色子像素B的蓝色量子点发光二极管173，各个量子点发光二极管(171、172、173)之间设置有像素界定层(PDL)174。
进一步地，各个颜色的量子点发光二极管(171、172、173)都包括第一电极层、第二电极层、设置在第一电极层和第二电极层之间的量子点层，第一电极层靠近基底11设置，且第一电极层通过设置在平坦层16和保护层15中的过孔与TFT的漏极004相连。以红色量子点发光二极管171为例，红色量子点发光二极管171包括设置在平坦层16背离基底11一侧的第一电极层1711、设置在第一电极层1711背离基底一侧的红色量子点层1713、设置在红色量子点层1713背离基底一侧的第二电极层1712。此外，红色量子点发光二极管171还包括设置在第一电极层1711与红色量子点层1713之间的空穴注入层HI，空穴传输层HT，以及设置在红色量子点层1713与第二电极层1712之间的电子传输层ET。绿色量子点发光二极管172、蓝色量子点发光二极管173的层结构同红色量子点发光二极管171，只是中间的量子点层为对应不同颜色的量子点层，绿色量子点发光二极管172包括绿色量子点层1723，蓝色量子点发光二极管包括蓝色量子点层1733。其中，各个量子点发光二极管(171、172、173)中的量子点层(1713、1723、1733)包括多个对应该量子点发光二极管的出光颜色的量子点QD和多个吡咯类单体分子01，由于在量子点层加入吡咯类单体分子，因此若在量子点发光二极管之上的封装层(图中未示出)产生裂纹，氧气和水汽透过封装层的裂纹接触到量子点层，量子点层中的吡咯类单体分子会与氧气作用，发生聚合反应生成聚合物，多个聚合物相穿插形成保护膜，以隔绝水汽和氧气，避免水汽和氧气接触到量子点致使量子点的性能下降。
实施例二、
如图2、图4所示，图4为沿图2中E-F剖切的剖面图。显示面板为应用了量子点彩色滤光片的显示面板，显示面板包括多个阵列排布的子像素，沿行方向每三个相邻的子像素分别为红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。在本实施例中，每个子像素(红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B中的任一个)中的量子点显示结构包括量子点彩色滤光片，量子点彩色滤光片具有滤光区，量子点层设置在滤光区中，例如，以一个像素单元为例，红色子像素R具有红色量子点滤光片，红色量子点滤光片的滤光区中设置有红色量子点层251，红色量子点层251所在区域即为红色量子点滤光片251的滤光区；绿色子像素G具有绿色量子点滤光片，绿色量子点滤光片的滤光区中设置有绿色量子点层252，绿色量子点层252所在区域即为绿色量子点滤光片252的滤光区；蓝色子像素B具有蓝色量子点滤光片，蓝色量子点滤光片的滤光区中设置有蓝色量子点层253，蓝色量子点层253所在区域即为蓝色量子点滤光片的滤光区，各个量子点彩色滤光片的滤光区之间设置有遮光结构254，以防止相邻的量子点彩色滤光片之间的光发生串扰。其中，各个量子点彩色滤光片中的量子点层(251、252、253)包括多个对应该量子点彩色滤光片的颜色的量子点QD和多个吡咯类单体分子01，由于在量子点层加入吡咯类单体分子，因此若在量子点彩色滤光片之上的封装层(图中未示出)产生裂纹，氧气和水汽透过封装层的裂纹接触到量子点层，量子点层中的吡咯类单体分子会与氧气作用，发生聚合反应生成聚合物，多个聚合物相穿插形成保护膜，以隔绝水汽和氧气，避免水汽和氧气接触到量子点致使量子点的性能下降。
进一步地，参见图4，显示面板包括基底21，基底21上设置有背光模组，背光模组包括像素电路22和发光器件阵列23，发光器件阵列23中的发光器件在像素电路22的驱动下发出蓝色的光，多个量子点彩色滤光片设置在背光模组的出光侧，量子点彩色滤光片的量子点层中的量子点在蓝色的光的激发下发出对应各个子像素的颜色的光。每个子像素(红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B)中的量子点显示结构即包括该子像素对应的量子点彩色滤光片，以及量子点彩色滤光片之下的背光模组对应该量子点彩色滤光片的部分。
可选地，如图4所示，在背光模组背离基底21一侧，也即发光器件阵列23背离基底一侧设置有发光器件封装层24，用于保护发光器件阵列23中的各发光器件。
可选地，参见图5，在一些实施例中，由于背光模组(像素电路22和发光器件阵列23)发出的光为蓝色，因此蓝色子像素B所在的区域的量子点彩色滤光片的滤光区处可以不设置蓝色量子点层，而采用镂空结构，使背光模组发出的蓝色的光直接透过镂空结构出射，作为蓝色子像素B的出光。
当然，实施例一和实施例二仅为本实施例提供的显示面板的示例，本实施例提供的显示面板还可以为其他类型的显示面板，在此不做限定。
进一步地，如图6所示，显示面板的量子点层中加入多个吡咯类单体分子01，若封装层产生裂纹，则水汽和氧气透过裂纹处进入量子点显示结构接触量子点层，图中以水汽和氧气通过封装层的上侧、左侧和右侧的裂纹接触量子层，则在裂纹所在处(上侧、左侧和右侧)的吡咯类单体分子01会与氧气O2产生聚合反应，在量子点层对于裂纹所在处的上侧、左侧和右侧位置生成聚合物02，吡咯类单体分子01在发生聚合反应的时候消耗部分氧气，减少了进入量子点层的氧气量，并且，聚合反应生成的聚合物为立体结构，聚合物相互穿插形成三维网状结构的保护膜(对应A1、A2、A3的位置)，该保护膜中聚合物之间的空隙非常小，水分子和氧分子无法透过空隙，从而阻隔了水汽和氧气接触量子点。可选地，参见图7，吡咯类单体分子可以包括多种吡咯类化合物，例如，吡咯类单体分子可以为N-乙烯基吡咯烷酮(N-Vinyl-Pyrrolidinone，NVP)，分子式为C6H9NO，其分子结构式如图7所示。
可选地，参见图8，NVP与氧气反应生产聚合物[C5H7NO2]n，该聚合物的分子结构式如图8所示，该聚合物的分子量约为30000。
可选地，参见图9，与氧气O2发生聚合反应生成聚合物[C5H7NO2]n的过程如图9所示，图9中(a)-(f)表示每一步参与的化学物，需要说明的是，整个聚合反应过程，也即图9(a)-(f)的过程都在紫外线(Ultraviolet，UV光照下进行。参见图9(a)-(b)，先用UV照射具有NVP的量子点层，使NVP在碳链最外侧上产生自由基；参见图9(b)-(c)，在氧气环境下，NVP的碳链上的自由基接触到氧气后与氧气中的两个氧原子相结合，最外侧的氧原子上具有自由基；参见图9(c)-(d)，连接了两个氧原子的NVP与未发生反应的NVP相连接，生成图9(d)所示的化合物C10H16N2O4；参见图9(d)-(e)，C10H16N2O4中间的两个氧原子相连处，由于过氧键的不稳定性，在UV光照下会断裂分为两个如图9(e)所示的C5H8NO2，C5H8NO2最外侧的氧原子上具有自由基，与未反应的NVP(例如图9(a))相连，上述过程重复，最终生成如图9(f)所示的聚合物[C5H7NO2]n。需要说明的是，紫外线的波长例如可以为365nm。
若吡咯类单体分子应用在QLED中，由于吡咯类单体分子以及其聚合物中都含有极性基团羰基，羰基具有调节分子偶极矩的作用，在量子点发光二极管中，电子可能会累积在量子点层与电子传输层之间，或量子点层与空穴传输层之间，若电荷积累过多可能会造成膜层击穿。而由于吡咯类单体分子以及其聚合物中都具有羰基，羰基中的氧原子和碳原子的极性不均，电子会聚积在氧原子处，且使电子的极性方向由碳原子指向氧原子，从而可以调节其偶极矩，通过量子点层中的羰基基团调节整个膜层的偶极矩，引导电子从量子点层与电子传输层之间，或量子点层与空穴传输层之间返回量子点层进行复合，从而可以提升量子点发光二极管的性能。
可选地，在本实施例提供的显示面板中，量子点层包括多个量子点QD和多个吡咯类单体分子01，在一些示例中，参见图6，吡咯类单体分子01可以与多个量子点QD混合，使吡咯类单体分子01分布在多个量子点QD之间。在一些示例中，吡咯类单体分子01作为量子点的配体，与量子点相连。例如，参见图10，以吡咯类单体分子01为N-乙烯基吡咯烷酮为例，N-乙烯基吡咯烷酮能够通过烷基链(C4H8SO)03与量子点QD进行配位，N-乙烯基吡咯烷酮作为量子点QD的配体与量子点QD相连。其中，烷基链03具有一定的长度，能够增加作为配体的N-乙烯基吡咯烷酮的溶解性。当然，吡咯类单体分子01也可以直接与QD相连，或通过其他化学物与QD相连，在此不做限制。
第二方面，本实施例提供一种显示面板的制作方法，显示面板包括多个子像素，多个子像素呈阵列排布，每个所述子像素包括量子点显示结构。如图11所示，该制作方法包括以下步骤：
S1、制作基底。
具体地，制作基底，例如可以制作玻璃基底，之后可以在基底上制作前序膜层，前序膜层即为基底到量子点显示结构之间的膜层，例如，如图11所示，若显示面板为QLED显示面板，制作前序膜层包括依次在基底11上制作依次制作缓冲层12、有源层001、栅极002、栅极绝缘层13、源极003和漏极004、层间绝缘层14、保护层(PVX)15、平坦层(PLN)16。
S2、在基底上制作子像素，在每个子像素中制作量子点显示结构，制作量子点显示结构包括制作量子点层，其中，量子点层中具有吡咯类单体分子。
具体地，量子点层中包括量子点和吡咯类单体分子，在一些示例中，制作量子点层可以将吡咯类单体分子与多个量子点进行共混，形成吡咯类单体分子与量子点混合的溶液作为量子点层的材料。在另一些示例中，制作量子点层可以将吡咯类单体分子也作为量子点的配体，与量子点进行配位，使吡咯类单体分子与量子点相连。以下皆以将吡咯类单体分子与多个量子点进行共混为例进行说明。
可选地，若显示面板为QLED显示面板，则量子点显示结构为QLED。QLED包括第一电极层、第二电极层和设置在第一电极层和第二电极层之间的量子点层。第一电极层与量子点层之间还具有空穴注入层HI，空穴传输层HT，以及量子点层与第二电极层之间具有电子传输层ET。则如图12所示，S2中在每个子像素中制作量子点显示结构，包括制作量子点层，具体包括：
S21、制作第一电极层。
具体地，以图3所示的QLED显示面板为例，制作基底11，在基底11上制作基底11与量子点发光二极管(171、172、173)之间的前序膜层，再在前序膜层上(具体在平坦层16背离基底11一侧)且在真空环境下蒸镀第一电极层(例如1711)的材料，再通过刻蚀形成各个量子点发光二级管所对应的第一电极。
S22、在第一电极层上制作量子点层。
如图13所示，S22具体包括：
S221、将量子点、吡咯类单体分子在甲苯溶液中进行混合形成量子点层材料。
具体地，量子点例如可以为油酸配体的合金量子点，例如镉硒/硫化锌(CdSe/ZnS)量子点，对应不同颜色的量子点发光二极管，CdSe/ZnS量子点可以为红色、绿色、蓝色的CdSe/ZnS量子点。将CdSe/ZnS量子点与吡咯类单体分子在甲苯溶液中进行共混，形成吡咯百分数为10％，浓度为15mg/ml的溶液，该溶液为量子点层的材料。
需要说明的是，不同颜色的QLED的量子点层所采用的量子点受激发后发出的光不同，例如，绿色QLED的量子点位绿色CdSe/ZnS。
S222、将量子点层材料旋涂在第一电极层上，再经过退火工艺形成量子点层。
具体地，在第一电极层上旋涂量子点层前，先在第一电极层上旋涂空穴注入层的材料，旋涂转速为2000rpm，旋涂时间为45s，再经过温度为200度的退火工艺形成空穴注入层。之后在空穴注入层上旋涂S221中形成的溶液，旋涂转速为2500rpm，旋涂时间为45s，再经过温度为80度的退火工艺形成量子点层。之后还包括在量子点层上旋涂浓度为30mg/ml的氧化锌纳米粒子溶液，旋涂转速为3000rpm，旋涂时间为45s，再经过温度为120度的退火工艺形成电子传输层。
S23、在量子点层背离第一电极层一侧制作第二电极层。
具体地，可以在真空环境下在量子点层(具体为电子传输层)背离基底一侧蒸镀第二电极层的材料，再通过刻蚀形成各个量子点发光二级管所对应的第二电极。
可选地，量子点显示结构包括量子点彩色滤光片，量子点彩色滤光片具有滤光区，量子点层设置在滤光区中。显示面板还包括背光模组，背光模组发出蓝色的光。多个量子点彩色滤光片设置在背光模组的出光侧。如图14所示，S2中在每个子像素中制作量子点显示结构，包括制作量子点层，具体包括：
S21＇、制作背光模组。
具体地，以图5所示的显示面板为例，制作背光模组包括制作基底21，在基底21上制作背光模组，制作背光模组包括在基底21上制作像素电路22，在像素电路22上制作发光器件阵列23，在发光器件阵列24背离基底一侧设置发光器件封装层24对发光器件进行封装。发光器件阵列23中的发光器件在像素电路22的驱动下发出蓝色的光，多个量子点彩色滤光片设置在背光模组的出光侧，量子点彩色滤光片的量子点层中的量子点在蓝色的光的激发下发出对应各个子像素的颜色的光。
S22＇、制作量子点彩色滤光片。
S22＇具体包括：
S221＇、将量子点、吡咯类单体分子和光刻胶相混合形成量子点层材料。
具体地，量子点可以为二氧化硅的醇溶性CdSe/ZnS量子点，对应不同颜色的滤光片，CdSe/ZnS量子点可以为红色、绿色、蓝色的CdSe/ZnS量子点，蓝色子像素部分可以直接镂空，因此可以不需要蓝色的CdSe/ZnS量子点。首先，将CdSe/ZnS量子点和正性光刻胶进行共混，正性光刻胶例如可以为丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)溶液，之后在室温下搅拌10小时，使CdSe/ZnS量子点均匀的分散在正光刻胶中。再加入一定量的吡咯类单体分子(例如N-乙烯基吡咯烷酮)，将三者都搅拌均匀后将混合后的溶液作为量子点层的材料。混合后的溶液中，N-乙烯基吡咯烷酮占比约为15％，CdSe/ZnS量子点的占比约为10％，正性光刻胶占比为75％。
S222＇、在氮气环境中，将量子点层材料涂覆在背光模组上。
具体地，将上述混合后的溶液(即量子点层材料)旋涂在前序膜层(具体为发光器件封装层24)背离基底21一侧，旋涂转速为4000rpm，时间为45s。
可选地，可以利用六甲基二硅氮烷(HMDS)对发光器件封装层24进行处理，HMDS可以增加膜层间的粘附力，使量子点层能够与发光器件封装层24紧密贴合。
S233＇、对量子点层材料进行烘烤、曝光、显影后形成量子点层。
具体地，可以对量子点层材料进行前烘和后烘，第一次烘烤采用90度温度烘烤90s，通过曝光量为60mj/cm2的曝光后，使用浓度为2.45％的四甲基氢氧化铵(TMAH)进行时长90s的显影，显影完成后进行第二次烘烤，第二次烘烤采用120度烘烤120s，完成图形化的量子点层。之后在不同的子像素所对应的量子点层之间设置遮光结构。
第三方面，本实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种显示面板，包括多个子像素，其特征在于，每个所述子像素包括量子点显示结构，每个所述量子点显示结构包括量子点层，所述量子点层中具有吡咯类单体分子；
所述量子点层包括多个量子点和多个吡咯类单体分子，所述吡咯类单体分子分布在多个所述量子点之间；
或者，所述吡咯类单体分子作为所述量子点的配体，与所述量子点相连。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述量子点显示结构为量子点发光二极管；所述量子点发光二极管还包括：第一电极层、第二电极层；所述量子点层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述量子点显示结构包括量子点彩色滤光片，所述量子点彩色滤光片具有滤光区，所述量子点层设置在所述滤光区中；所述显示面板还包括背光模组，所述背光模组发出蓝色的光；多个所述量子点彩色滤光片设置在所述背光模组的出光侧。
4.根据权利要求1-3任一所述的显示面板，其特征在于，所述吡咯类单体分子为N-乙烯基吡咯烷酮。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述吡咯类单体分子与氧气反应生产聚合物，所述聚合物的分子量为30000。
6.一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括多个子像素，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
在每个所述子像素中制作量子点显示结构，包括制作量子点层；其中，所述量子点层中具有吡咯类单体分子；
所述量子点层包括多个量子点和多个吡咯类单体分子，所述吡咯类单体分子分布在多个所述量子点之间；
或者，所述吡咯类单体分子作为所述量子点的配体，与所述量子点相连。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述量子点显示结构为量子点发光二极管；所述量子点发光二极管还包括：第一电极层、第二电极层；所述量子点层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间；所述在每个所述子像素中制作量子点显示结构，包括制作量子点层，具体包括：
制作第一电极层；
在所述第一电极层上制作所述量子点层；
在所述量子点层背离所述第一电极层一侧制作第二电极层；
所述在所述第一电极层上制作所述量子点层，包括：
将量子点、吡咯类单体分子在甲苯溶液中进行混合形成量子点层材料；
将所述量子点层材料旋涂在所述第一电极层上，再经过退火工艺形成所述量子点层。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述量子点显示结构包括量子点彩色滤光片，所述量子点彩色滤光片具有滤光区，所述量子点层设置在所述滤光区中；所述显示面板还包括背光模组，所述背光模组发出蓝色的光；多个所述量子点彩色滤光片设置在所述背光模组的出光侧；所述在每个所述子像素中制作量子点显示结构，包括制作量子点层，具体包括：
制作所述背光模组；
制作所述量子点彩色滤光片，包括：
将量子点、吡咯类单体分子和光刻胶相混合形成量子点层材料；
在氮气环境中，将所述量子点层材料涂覆在所述背光模组上；
对所述量子点层材料进行烘烤、曝光、显影后形成所述量子点层。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一所述的显示面板。
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