JP2021523530A - 共鳴エネルギー移動に基づく量子ドットled設計 - Google Patents
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Abstract
Description
[0001] 本出願は、量子ドット発光技術、及び量子ドットを用いた照明装置に関する。
[0002] バルク励起子ボーア半径よりも半径が小さい半導体ナノ微結晶(量子ドット)は、分子と物質のバルク形態との中間の材料の種類になる。3つすべての寸法での電子と正孔との両方の量子閉じ込めによって、微結晶サイズが減少するととともに、材料の有効バンドギャップが増加する。その結果、量子ドットの光の吸収と放出との両方は、ドットのサイズがより小さくなると、青色(より高いエネルギー)にシフトする。LCDなどの表示装置中に量子ドットを組み込むと、全体的な電力消費が減少しながら、非常に鮮明な色が得られることが示されている。量子ドットは、それらの少ない電力消費、低い製造コスト、及び非常に鮮明な光出力のために、望ましい特性が得られる。
[0004] 本出願の実施形態は、改善された量子収率と比較的低い動作電圧との両方を有する量子ドットを用いた装置に関する。
[0012] 本発明に組み込まれ本明細書の一部を形成する添付の図面によって、本明細書の実施形態が示され、本明細書の記述とともに、本明細書の実施形態の原理を説明し、関連技術の当業者による本明細書の実施形態の作製及び使用を可能にする役割を果たす。
[0024] 特定の構成及び配列について議論する場合があるが、これは単に説明を目的として行われることを理解されたい。本発明の意図及び範囲から逸脱することなく別の構成及び配列を使用できることを関連技術の当業者は理解するであろう。本発明は、本明細書に特に言及される用途以外の種々の別の用途にも使用できることが関連技術の当業者には明らかとなるであろう。
[0027] 実施形態において、「表示装置」という用語は、表示画面上のデータの可視表現を可能にする要素の配列を意味する。適切な表示画面としては、使用者に対して視覚的に情報を表示するための種々の平坦、湾曲、又はその他の形状のスクリーン、フィルム、シート、又はその他の構造を挙げることができる。本明細書に記載の表示装置は、例えば、液晶ディスプレイ(LCD)、テレビ、コンピュータ、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末(PDA)、ゲーム機、電子書籍端末、デジタルカメラ、タブレット、ウェアラブルデバイス、カーナビゲーションシステムなどを含む表示システム中に含まれてよい。
[0048] 本開示は、表示装置中に使用できるナノ構造ベースの発光ダイオード(LED)の種々の実施形態を提供する。幾つかの実施形態では、これらのLEDは、比較的低い動作電圧のLEDよりも比較的高い量子収率を示す量子ドット(QD)を含む。QD−LEDの構造及び製造方法の種々の実施形態が本明細書に記載される。
[0049] 図1は、発光媒体として発光性ナノ構造を用いる一例のLEDデバイス100を示している。LEDデバイス100は、量子ドットなどの複数の発光性ナノ構造を含むポリマー層に電圧を印加するための種々の層の積層構造を含む。量子ドットが発光性ナノ構造として使用される場合、LEDデバイス100はQD−LEDデバイスと呼ぶことができる。LEDデバイス100は、第1の伝導層102を含み、その上に追加の層のスタックが形成される。第1の伝導層102は、インジウムスズ酸化物(ITO)などの透明伝導性材料であってよい。第1の伝導層102は、追加の層の構成により、LEDデバイス100のアノード又はカソードのいずれかとして機能することができる。LEDデバイス100が第1の伝導層102上に電子輸送層104を含む例では、第1の伝導層102は、LEDデバイス100のカソードとして機能する。
[0073] 本明細書における実施形態で議論したように、照明装置は発光性ナノ構造の層を含むことができる。これらの発光性ナノ構造は、コロイド的に成長したコア−シェルQDなどのQDを含むことができる。
[0095] 種々の層からに対してスピンコーティングと熱蒸着との組み合わせを用いることによって、第1の実施例の照明装置を作製した。最初に、正孔注入材料(PEDOT−PSS)を、UV−オゾン処理されたITO基板の上に約50nmの厚さにスピンコーティングし、200Cで15分間焼き付けた。装置を不活性雰囲気に移行させ、次に、スピンコーティングによって約20nmの最終厚さに正孔輸送材料(TFB)を堆積し、135Cで20分間焼き付けた。次にInP/ZnSe/ZnS QDの1つの単層を、9mg/mLのオクタン溶液からのスピンコーティングによって堆積した。この装置中に使用したQDは、3〜4nmのInPコアを含み、6.5MLのZnSe及び3MLのZnSの名目上のシェル組成を有する。HTL/QD/ETLサンドイッチ構造で測定すると、このInP/ZnSe/ZnS QDは、約40%のフィルムのQYを有する。QD層の堆積後、スピンコーティングによって、ZnMgO電子輸送層をコロイドナノ結晶の溶液から約60nmの最終厚さに堆積した。次に、熱蒸着によって、Alカソードを約150nmの最終厚さに堆積し、キャップガラス、ゲッター、及びエポキシ樹脂を用いて装置を封入した。
[0097] 種々の層からに対してスピンコーティングと熱蒸着との組み合わせを用いることによって、第2の実施例の照明装置を作製した。最初に、正孔注入材料(PEDOT−PSS)を、UV−オゾン処理されたITO基板の上に約50nmの厚さにスピンコーティングし、200Cで15分間焼き付けた。装置を不活性雰囲気に移行させ、次に、スピンコーティングによって約25nmの最終厚さに正孔輸送材料(HT2310)を堆積し、170Cで30分間焼き付けた。InP/ZnSe/ZnS QDの1つの単層を、0.09mg/mLのオクタン溶液からのスピンコーティングによって堆積した。この装置中に使用したQDは、3〜4nmのInPコアを含み、6.5MLのZnSe及び3MLのZnSの名目上のシェル組成を有する。HTL/QD/ETLサンドイッチ構造で測定すると、このInP/ZnSe/ZnS QDは、約40%のフィルムのQYを有する。QD層の堆積後、スピンコーティングによって、ZnMgO電子輸送層をコロイドナノ結晶の溶液から約60nmの最終厚さに堆積した。次に、熱蒸着によって、Alカソードを約150nmの最終厚さに堆積し、キャップガラス、ゲッター、及びエポキシ樹脂を用いて装置を封入した。
Claims (88)
- 照明装置であって、
第1の伝導層と、
第2の伝導層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置される正孔輸送層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置される電子輸送層と、
複数の発光性ナノ構造であって、前記複数の発光性ナノ構造が、前記電子輸送層と前記正孔輸送層との間の分離層中に配置され、前記正孔輸送層及び前記電子輸送層が複数の不連続部分において互いに接触するように、前記分離層が、前記分離層の厚さを通過する前記複数の不連続部分を有し、又は前記複数の発光性ナノ構造が、前記電子輸送層中に配置され、又は前記複数の発光性ナノ構造が、前記正孔輸送層中に配置され、又は前記複数の発光性ナノ構造が、前記正孔輸送層と前記電子輸送層との両方を含む混合層中に配置される、複数の発光性ナノ構造と、を含む照明装置。 - 前記複数の発光性ナノ構造が複数の量子ドットを含む、請求項1に記載の照明装置。
- 前記複数の量子ドットがコア−シェル構造を有する量子ドットを含み、前記コア−シェル構造のシェルが1ナノメートル〜5ナノメートルの間の厚さを有する、請求項2に記載の照明装置。
- 前記複数の量子ドットが、リン化インジウム(InP)の、前記コア−シェル構造のコア材料を有する量子ドットを含む、請求項3に記載の照明装置。
- 前記分離層が1つの単層の厚さを有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の照明装置。
- 前記複数の不連続部分が不規則なパターンを形成する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の照明装置。
- 前記複数の不連続部分が規則的なパターンを形成する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の照明装置。
- 前記第1の伝導層と前記正孔輸送層との間に配置された正孔注入層をさらに含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の照明装置。
- 前記電子輸送層が複数のZnMgOナノ結晶を含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の照明装置。
- 量子ドット発光ダイオード(QD−LED)デバイスであって、
層スタックであって、
第1の伝導層と、
第2の伝導層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置される正孔輸送層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置される電子輸送層と、
複数の量子ドットであって、前記複数の量子ドットが、前記電子輸送層と前記正孔輸送層との間の分離層中に配置され、前記正孔輸送層及び前記電子輸送層が複数の不連続部分において互いに接触するように、前記分離層が、前記分離層の厚さを通過する前記複数の不連続部分を有し、又は前記複数の量子ドットが、前記電子輸送層中に配置され、又は複数の発光性ナノ構造が、前記正孔輸送層中に配置され、又は前記複数の量子ドットが、前記正孔輸送層と前記電子輸送層との両方を含む混合層中に配置される、複数の量子ドットと、
を含む、層スタックと、
前記第1の伝導層に連結する第1の接点と、
前記第2の伝導層に連結する第2の接点と、
前記層スタックを取り囲むように構成される封入材料と、
を含む、量子ドット発光ダイオード(QD−LED)デバイス。 - 前記封入材料がエポキシ樹脂を含む、請求項10に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記複数の量子ドットがコア−シェル構造を有する量子ドットを含み、前記コア−シェル構造のシェルが1ナノメートル〜5ナノメートルの間の厚さを有する、請求項10又は11に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記複数の量子ドットが、リン化インジウム(InP)の、前記コア−シェル構造のコア材料を有する量子ドットを含む、請求項12に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記分離層が1つの単層の厚さを有する、請求項10〜13のいずれか一項に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記層スタックが、前記第1の伝導層と前記正孔輸送層との間に配置された正孔注入層をさらに含む、請求項10〜14のいずれか一項に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記電子輸送層が複数の酸化マグネシウム亜鉛(ZnMgO)ナノ結晶を含む、請求項10〜15のいずれか一項に記載のQD−LEDデバイス。
- 照明装置の形成方法であって、
伝導性基板の上に第1の材料を配置して第1の材料層を形成することであって、前記第1の材料層が正孔輸送層又は電子輸送層として構成されることと、
前記第1の材料層の上に発光性ナノ構造の層を配置することであって、前記発光性ナノ構造の層が、前記発光性ナノ構造の層の厚さの中に1つ以上の不連続部分を含むことと、
前記発光性ナノ構造の層の上に第2の材料を配置して第2の材料層を形成することであって、前記第2の材料が電子輸送層又は正孔輸送層として構成され、前記第2の材料層が、前記発光性ナノ構造の層の前記1つ以上の不連続部分において前記第1の材料層に接触することと、
前記第2の材料層の上に伝導性材料を配置することと、
を含む方法。 - 前記発光性ナノ構造の層を配置することが、複数の量子ドットを含む層を配置することを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記発光性ナノ構造の層を配置することが、スピンコーティングを用いて前記層を配置することを含む、請求項17又は18に記載の方法。
- 前記第2の材料を配置することが、複数のZnMgOナノ粒子を配置することを含む、請求項17〜19のいずれか一項に記載の方法。
- 前記伝導性基板を配置することが、インジウムスズ酸化物(ITO)を配置することを含む、請求項17〜20のいずれか一項に記載の方法。
- エポキシ樹脂を含む封入材料を配置することをさらに含む、請求項17〜21のいずれか一項に記載の方法。
- 照明装置であって、
第1の伝導層と、
第2の伝導層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置される正孔輸送層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置される電子輸送層と、
複数の発光性ナノ構造を含む分離層であって、前記分離層が、前記電子輸送層と前記正孔輸送層との間に配置され、前記正孔輸送層及び前記電子輸送層が複数の不連続部分において互いに接触するように、前記分離層が、前記分離層の厚さを通過する前記複数の不連続部分を有する、分離層と、
を含む照明装置。 - 前記複数の発光性ナノ構造が複数の量子ドットを含む、請求項23に記載の照明装置。
- 前記複数の量子ドットがコア−シェル構造を有する量子ドットを含み、前記コア−シェル構造のシェルが1ナノメートル〜5ナノメートルの間の厚さを有する、請求項24に記載の照明装置。
- 前記複数の量子ドットが、リン化インジウム(InP)の、前記コア−シェル構造のコア材料を有する量子ドットを含む、請求項25に記載の照明装置。
- 前記分離層が1つの単層の厚さを有する、請求項23〜26のいずれか一項に記載の照明装置。
- 前記複数の不連続部分が不規則なパターンを形成する、請求項23〜27のいずれか一項に記載の照明装置。
- 前記複数の不連続部分が規則的なパターンを形成する、請求項23〜28のいずれか一項に記載の照明装置。
- 前記第1の伝導層と前記正孔輸送層との間に配置された正孔注入層をさらに含む、請求項23〜29のいずれか一項に記載の照明装置。
- 前記電子輸送層が複数のZnMgOナノ結晶を含む、請求項23〜30のいずれか一項に記載の照明装置。
- 照明装置であって、
第1の伝導層と、
第2の伝導層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置される正孔輸送層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置され、複数の発光性ナノ構造を含む電子輸送層と、
を含む照明装置。 - 前記複数の発光性ナノ構造が複数の量子ドットを含む、請求項32に記載の照明装置。
- 前記複数の量子ドットがコア−シェル構造を有する量子ドットを含み、前記コア−シェル構造のシェルが1ナノメートル〜5ナノメートルの間の厚さを有する、請求項33に記載の照明装置。
- 前記複数の量子ドットが、リン化インジウム(InP)の、前記コア−シェル構造のコア材料を有する量子ドットを含む、請求項34に記載の照明装置。
- 前記第1の伝導層と前記正孔輸送層との間に配置された正孔注入層をさらに含む、請求項32〜35のいずれか一項に記載の照明装置。
- 前記電子輸送層が複数のZnMgOナノ結晶をさらに含む、請求項32〜36のいずれか一項に記載の照明装置。
- 照明装置であって、
第1の伝導層と、
第2の伝導層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置される混合層であって、前記混合層が、電子輸送材料、正孔輸送材料、及び複数の発光性ナノ構造を含む、混合層と、
を含む照明装置。 - 前記複数の発光性ナノ構造が複数の量子ドットを含む、請求項38に記載の照明装置。
- 前記複数の量子ドットがコア−シェル構造を有する量子ドットを含み、前記コア−シェル構造のシェルが1ナノメートル〜5ナノメートルの間の厚さを有する、請求項39に記載の照明装置。
- 前記複数の量子ドットが、リン化インジウム(InP)の、前記コア−シェル構造のコア材料を有する量子ドットを含む、請求項40に記載の照明装置。
- 前記第1の伝導層と正孔輸送層との間に配置された正孔注入層をさらに含む、請求項38〜41のいずれか一項に記載の照明装置。
- 前記電子輸送材料が複数のZnMgOナノ結晶を含む、請求項38〜42のいずれか一項に記載の照明装置。
- 量子ドット発光ダイオード(QD−LED)デバイスであって、
層スタックであって、
第1の伝導層と、
第2の伝導層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置される正孔輸送層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置される電子輸送層と、
複数の量子ドットを含む分離層であって、前記分離層が、前記電子輸送層と前記正孔輸送層との間に配置され、前記正孔輸送層及び前記電子輸送層が複数の不連続部分において互いに接触するように、前記分離層が、前記分離層の厚さを通過する前記複数の不連続部分を有する、分離層と、
を含む層スタックと、
前記第1の伝導層に連結する第1の接点と、
前記第2の伝導層に連結する第2の接点と、
前記層スタックを取り囲むように構成される封入材料と、
を含む、量子ドット発光ダイオード(QD−LED)デバイス。 - 前記封入材料がエポキシ樹脂を含む、請求項44に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記複数の量子ドットがコア−シェル構造を有する量子ドットを含み、前記コア−シェル構造のシェルが1ナノメートル〜5ナノメートルの間の厚さを有する、請求項44又は45に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記複数の量子ドットが、リン化インジウム(InP)の、前記コア−シェル構造のコア材料を有する量子ドットを含む、請求項46に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記分離層が1つの単層の厚さを有する、請求項44〜47のいずれか一項に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記複数の不連続部分が不規則なパターンを形成する、請求項44〜48のいずれか一項に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記複数の不連続部分が規則的なパターンを形成する、請求項44〜48のいずれか一項に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記層スタックが、前記第1の伝導層と前記正孔輸送層との間に配置された正孔注入層をさらに含む、請求項44又は45に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記電子輸送層が複数の酸化マグネシウム亜鉛(ZnMgO)ナノ結晶を含む、請求項44〜51のいずれか一項に記載のQD−LEDデバイス。
- 量子ドット発光ダイオード(QD−LED)デバイスであって、
層スタックであって、
第1の伝導層と、
第2の伝導層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置される正孔輸送層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置され、複数の量子ドットを含む電子輸送層と、
を含む、層スタックと、
前記第1の伝導層に連結する第1の接点と、
前記第2の伝導層に連結する第2の接点と、
前記層スタックを取り囲むように構成される封入材料と、
を含む、量子ドット発光ダイオード(QD−LED)デバイス。 - 前記封入材料がエポキシ樹脂を含む、請求項53に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記複数の量子ドットがコア−シェル構造を有する量子ドットを含み、前記コア−シェル構造のシェルが1ナノメートル〜5ナノメートルの間の厚さを有する、請求項53又は54に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記複数の量子ドットが、リン化インジウム(InP)の、前記コア−シェル構造のコア材料を有する量子ドットを含む、請求項55に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記層スタックが、前記第1の伝導層と前記正孔輸送層との間に配置された正孔注入層をさらに含む、請求項53〜56のいずれか一項に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記電子輸送層が複数の酸化マグネシウム亜鉛(ZnMgO)ナノ結晶を含む、請求項53〜57のいずれか一項に記載のQD−LEDデバイス。
- 量子ドット発光ダイオード(QD−LED)デバイスであって、
層スタックであって、
第1の伝導層と、
第2の伝導層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置される混合層であって、前記混合層が、電子輸送材料、正孔輸送材料、及び複数の量子ドットを含む、混合層と、
を含む、層スタックと、
前記第1の伝導層に連結する第1の接点と、
前記第2の伝導層に連結する第2の接点と、
前記層スタックを取り囲むように構成される封入材料と、
を含む、量子ドット発光ダイオード(QD−LED)デバイス。 - 前記封入材料がエポキシ樹脂を含む、請求項59に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記複数の量子ドットがコア−シェル構造を有する量子ドットを含み、前記コア−シェル構造のシェルが1ナノメートル〜5ナノメートルの間の厚さを有する、請求項59又は60に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記複数の量子ドットが、リン化インジウム(InP)の、前記コア−シェル構造のコア材料を有する量子ドットを含む、請求項61に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記層スタックが、前記第1の伝導層と正孔輸送層との間に配置された正孔注入層をさらに含む、請求項59〜62のいずれか一項に記載のQD−LEDデバイス。
- 電子輸送層が複数の酸化マグネシウム亜鉛(ZnMgO)ナノ結晶を含む、請求項59〜63のいずれか一項に記載のQD−LEDデバイス。
- 照明装置の形成方法であって、
伝導性基板の上に第1の材料を配置して第1の材料層を形成することであって、前記第1の材料層が正孔輸送層として構成されることと、
前記第1の材料層の上に第2の材料を配置して第2の材料層を形成することであって、前記第2の材料層が電子輸送層として構成され、前記第2の材料層が複数の発光性ナノ構造を含むことと、
前記第2の材料層の上に伝導性材料を配置することと、
を含む方法。 - 前記第2の材料を配置することが、複数の量子ドットを含む第2の材料を配置することを含む、請求項65に記載の方法。
- 前記第2の材料を配置することが、スピンコーティングを用いて前記第2の材料を配置することを含む、請求項65又は66に記載の方法。
- 前記第2の材料を配置することが、複数のZnMgOナノ粒子を配置することを含む、請求項65〜67のいずれか一項に記載の方法。
- 前記伝導性基板を配置することが、インジウムスズ酸化物(ITO)を配置することを含む、請求項65〜68のいずれか一項に記載の方法。
- エポキシ樹脂を含む封入材料を配置することをさらに含む、請求項65〜69のいずれか一項に記載の方法。
- 照明装置の形成方法であって、
伝導性基板の上に混合材料層を配置することであって、前記混合材料層が、電子輸送材料、正孔輸送材料、及び複数の発光性ナノ構造を含むことと、
前記混合材料層の上に伝導性材料を配置することと、
を含む方法。 - 前記混合材料層を配置することが、複数の量子ドットを含む前記混合材料層を配置することを含む、請求項71に記載の方法。
- 前記混合材料層を配置することが、スピンコーティングを用いて前記混合材料層を配置することを含む、請求項71又は72に記載の方法。
- 前記混合材料層を配置することが、複数のZnMgOナノ粒子を配置することを含む、請求項71〜73のいずれか一項に記載の方法。
- 前記伝導性基板を配置することが、インジウムスズ酸化物(ITO)を配置することを含む、請求項71〜74のいずれか一項に記載の方法。
- エポキシ樹脂を含む封入材料を配置することをさらに含む、請求項71〜75のいずれか一項に記載の方法。
- 照明装置であって、
第1の伝導層と、
第2の伝導層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置され、複数の発光性ナノ構造を含む正孔輸送層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置される電子輸送層と、
を含む照明装置。 - 前記複数の発光性ナノ構造が複数の量子ドットを含む、請求項77に記載の照明装置。
- 前記複数の量子ドットがコア−シェル構造を有する量子ドットを含み、前記コア−シェル構造のシェルが1ナノメートル〜5ナノメートルの間の厚さを有する、請求項78に記載の照明装置。
- 前記複数の量子ドットが、リン化インジウム(InP)の、前記コア−シェル構造のコア材料を有する量子ドットを含む、請求項79に記載の照明装置。
- 前記第1の伝導層と前記正孔輸送層との間に配置された正孔注入層をさらに含む、請求項77〜79のいずれか一項に記載の照明装置。
- 前記電子輸送層が複数のZnMgOナノ結晶をさらに含む、請求項77〜81のいずれか一項に記載の照明装置。
- 量子ドット発光ダイオード(QD−LED)デバイスであって、
層スタックであって、
第1の伝導層と、
第2の伝導層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置され、複数の量子ドットを含む正孔輸送層と、
前記第1の伝導層と前記第2の伝導層との間に配置される電子輸送層と、
を含む層スタックと、
前記第1の伝導層に連結する第1の接点と、
前記第2の伝導層に連結する第2の接点と、
前記層スタックを取り囲むように構成される封入材料と、
を含む、量子ドット発光ダイオード(QD−LED)デバイス。 - 前記封入材料がエポキシ樹脂を含む、請求項83に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記複数の量子ドットがコア−シェル構造を有する量子ドットを含み、前記コア−シェル構造のシェルが1ナノメートル〜5ナノメートルの間の厚さを有する、請求項83又は84に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記複数の量子ドットが、リン化インジウム(InP)の、前記コア−シェル構造のコア材料を有する量子ドットを含む、請求項85に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記層スタックが、前記第1の伝導層と前記正孔輸送層との間に配置された正孔注入層をさらに含む、請求項83〜86のいずれか一項に記載のQD−LEDデバイス。
- 前記電子輸送層が複数の酸化マグネシウム亜鉛(ZnMgO)ナノ結晶を含む、請求項83〜87のいずれか一項に記載のQD−LEDデバイス。
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