CN112300784A - 量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件 - Google Patents

量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件，在量子点表面修饰的光解基团在紫外光照射下发生光解生成极性改变基团，极性改变基团与光解基团的极性不同，在制作图案化的量子点膜层时，利用含有光解基团的量子点材料制作量子点薄膜，利用掩模板的遮挡采用紫外光照射量子点薄膜的相应区域，使相应区域内的光解基团光解为极性改变基团，从而改变相应区域内的量子点材料溶解性，随后采用可以溶解具有光解基团的量子点材料的溶剂清洗量子点薄膜，未被照射区域内的量子点材料被溶解去除，而相应区域被保留形成量子点膜层的图案。上述量子点膜层的图形化方法，可以避免使用碱性溶液对量子点进行显影而对量子点薄膜造成破坏。

Description

量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件。
背景技术
半导体量子点是一种重要的荧光纳米材料。将量子点作为发光层材料，应用于平板照明和光电显示领域，越来越受到学术界和工业界的关注。截止目前，在器件性能方面，量子点发光二极管(QLED)的外量子效率(EQE)已经达到了20％以上。当前，量子点发光层的图形化工艺是决定全彩、高分辨QLED器件的关键步骤。目前已有转印，喷墨打印，以及光刻等方式实现量子点的图形化工艺。
发明内容
本发明实施例提供一种量子点材料、量子点膜层的图案化方法、量子点发光器件及显示装置，用以避免在量子点膜层的图案化过程中使用碱性溶液。
本发明实施例提供了一种量子点材料，所述量子点材料包括：量子点，以及与所述量子点连接的配体；其中，
所述配体包括：与所述量子点结合的配位基团，与所述配位基团连接的光解基团，所述光解基团在紫外光照射下发生光解生成极性改变基团，所述极性改变基团与所述光解基团的极性不同。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述量子点材料中，所述光解基团为油溶性基团，所述极性改变基团为水溶性基团。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述量子点材料中，所述光解基团包括以下至少之一：碳氧双键基团，碳碳双键基团和碳氮双键基团和双推电子基团。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述量子点材料中，所述双推电子基团包括以下至少之一：二甲氧基和二仲氨基。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述量子点材料中，所述配体还包括：与所述光解基团连接的淬灭基团。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述量子点材料中，所述淬灭基团包括以下至少之一：CL、Br、I、NHCOCH3、NO2、COOH、氧化石墨烯、重金属螯合物、CSN、金纳颗粒、钴络合有机物、锰络合有机物、镍络合有机化合物。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述量子点材料中，所述配位基团包括以下至少之一：氨基、多氨基、羟基、多羟基、巯基、多巯基、硫醚、多硫醚、膦和氧膦。
另一方面，本发明实施例还提供了一种量子点膜层的图案化方法，包括：
采用本发明实施例提供的上述量子点材料和溶剂形成量子点溶液；
在衬底基板上旋涂所述量子点溶液形成量子点薄膜；
利用掩模板遮挡所述量子点薄膜后，采用紫外光照射所述量子点薄膜的相应区域，使相应区域的量子点材料中配体的光解基团发生光解生成极性改变基团；
采用与所述量子点溶液相同极性的溶剂清洗所述量子点薄膜，形成量子点膜层的图案。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述图案化方法中，采用本发明实施例提供的上述量子点材料和匹配的溶剂形成量子点溶液，具体包括：
分别制备量子点和配体；
采用所述量子点和所述溶剂配置第一溶液，采用所述配体和所述溶剂配置第二溶液；
在所述第一溶液中注入所述第二溶液中反应设定时长后，经过清洗得到所述量子点溶液。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述图案化方法中，采用紫外光照射所述量子点薄膜的相应区域，具体包括：
所述紫外光的波长为365nm或436nm，紫外光的光强为10mJ/cm2至200mJ/cm2。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述图案化方法中，采用与所述量子点溶液相同极性的溶剂清洗所述量子点薄膜，具体包括：
采用所述量子点溶液的溶剂清洗所述量子点薄膜。
另一方面，本发明实施例还提供了一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括：层叠设置的阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极；所述发光层包括多个单色的量子点膜层；各所述量子点膜层采用本发明实施例提供的上述图案化方法制作。
另一方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括本发明实施例提供的上述量子点发光器件。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的一种量子点材料、量子点膜层的图案化方法、量子点发光器件及显示装置，在量子点表面修饰的光解基团在紫外光照射下发生光解生成极性改变基团，极性改变基团与光解基团的极性不同，基于此，制作图案化的量子点膜层时，首先利用含有光解基团的量子点材料制作量子点薄膜，之后利用掩模板的遮挡采用紫外光照射量子点薄膜的相应区域，使相应区域内的光解基团光解为极性改变基团，从而改变相应区域内的量子点材料溶解性，随后采用可以溶解具有光解基团的量子点材料的溶剂清洗量子点薄膜，未被照射区域内的量子点材料被溶解去除，而相应区域内的量子点材料不溶解于该溶剂，得以保留形成量子点膜层的图案。采用上述量子点材料进行量子点膜层的图形化时，可以避免使用碱性溶液对量子点进行显影而对量子点薄膜造成破坏。
附图说明
图1为本发明实施例提供的量子点材料的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的量子点材料光解反应示意图；
图3为本发明实施例提供的量子点膜层的图案化方法的流程示意图；
图4为本发明实施例提供的量子点膜层的图案化方法中具体步骤的示意图；
图5为本发明实施例提供的量子点膜层的图案化方法中量子点溶液的制作流程示意图；
图6a为本公开实施例提供的量子点发光器件的结构示意图；
图6b为本公开实施例提供的量子点发光器件的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的量子点发光器件中制作发光层的各步骤示意图。
具体实施方式
在实际工业生产中，通常采用光刻方式实现量子点材料的图形化。光刻需要借助于光刻胶。光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。光刻胶工艺在应用中存在一些问题：负性光刻胶成本较低，但是显影液通常采用对二甲苯，含苯类有机溶剂有毒，并不利于环保。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率，且显影液为碱性水溶液，有利于环保。但是，碱性水溶液会破坏发光层量子点。
具体地，基于正性光刻胶的“lift-off”工艺实现量子点图形化，主要步骤为：“沉积光刻正胶-目标区域掩膜版曝光-显影-沉积量子点-全曝光-显影-目标区域引入图形化量子点层”的技术路线。如果制备全彩(红、绿、蓝)QLED器件，这需要将上述步骤重复3次。这其中，光刻胶的显影主要是借助于碱性水溶液(例如氨水溶液，或四甲基氢氧化铵水溶液等)。碱性水溶液会对量子点的表面配体状态有比较严重的破坏，具体表现在碱性水溶液中的氢氧根离子会破坏表面配体和纳米晶悬挂键的配位作用，进而使量子点的表面缺陷位点重新暴露，最终破坏发光层，降低器件效率。因此，发展更加亲和的显影工艺或更环保的图案化工艺，制备高分辨、全彩QLED已经成为量子点显示工艺研究的重点和难点。
基于此，本发明实施例提供的量子点材料可以避免光刻胶的使用，并提出了一种直接法量子点膜层的图案化方法，用于制备全彩、高分辨的量子点发光件和显示装置。
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供的一种量子点材料，如图1所示，包括：量子点，以及与量子点连接的配体；其中，
配体包括：与量子点结合的配位基团R1，与配位基团R1连接的光解基团R2，光解基团R2在紫外光照射下发生光解生成极性改变基团R4，极性改变基团R4与光解基团R2的极性不同。
具体地，在本发明实施例提供的上述量子点材料中，在量子点表面修饰的光解基团R2在紫外光照射下发生光解生成极性改变基团R4，极性改变基团R4与光解基团R2的极性不同，基于此，制作图案化的量子点膜层时，首先利用含有光解基团R2的量子点材料制作量子点薄膜，之后利用掩模板的遮挡采用紫外光照射量子点薄膜的相应区域，使相应区域内的光解基团R2光解为极性改变基团R4，从而改变相应区域内的量子点材料溶解性，随后采用可以溶解具有光解基团R2的量子点材料的溶剂清洗量子点薄膜，未被照射区域内的量子点材料被溶解去除，而相应区域内的量子点材料不溶解于该溶剂，得以保留形成量子点膜层的图案。采用上述量子点材料进行量子点膜层的图形化时，可以避免使用碱性溶液对量子点进行显影而对量子点薄膜造成破坏。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点材料中，光解基团R2可以为油溶性基团，极性改变基团R4可以为水溶性基团。即包含光解基团R2的量子点材料在油性溶剂中溶解，在水性溶剂析出；包含极性改变基团R4的量子点材料在水性溶剂中溶解，在油性溶剂中析出。反之亦可。
这样，在进行量子点膜层的图案化时，可以采用由油性溶剂形成的量子点溶液制作量子点薄膜，在紫外光照射量子点薄膜的相应区域后，采用油性溶剂清洗量子点薄膜，使相应区域的水溶性基团析出得以保留形成量子点膜层的图案。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点材料中，如图1所示，配体R还可以包括：与光解基团R2连接的淬灭基团R3。
具体地，在量子点的配体中引入淬灭基团R3后该量子点材料不发光，在采用上述量子点材料进行量子点膜层的图形化时，在利用掩模板的遮挡采用紫外光照射量子点薄膜的相应区域时，相应区域内的光解基团R2光解为极性改变基团R4后，淬灭基团R3与光解基团R2断裂，即淬灭基团R3与量子点材料分离，保证在相应区域内的量子点材料可以正常发光，而在未被紫外光照射的区域，由于量子点材料含有淬灭基团R3，可以防止在清洗后残留的量子点材料发光而引起的混色问题，会在很大程度上提升量子点显示的色域。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点材料中，配位基团R1可以包括以下其中的至少一种：氨基、多氨基、羟基、多羟基、巯基、多巯基、硫醚、多硫醚、膦和氧膦等能与量子点表面进行结合的官能团或元素等。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点材料中，光解基团R2可以包括以下其中的至少一种：碳氧双键基团，碳碳双键基团和碳氮双键基团和双推电子基团等。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点材料中，双推电子基团可以包括以下其中的至少一种：二甲氧基和二仲氨基等。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点材料中，淬灭基团R3可以包括以下其中的至少一种：CL、Br、I、NHCOCH3、NO2、COOH、氧化石墨烯、重金属螯合物、CSN、金纳颗粒、钴络合有机物、锰络合有机物、镍络合有机化合物等。
具体地，在本发明实施例提供的上述量子点材料中，未被紫外光照射的配体的分子式可以如下：
Figure BDA0002748167620000071
其中，配位基团R1中的羧基与量子点结合，光解基团R2为二甲氧基断链基团，淬灭基团R3为Ni的金属螯合物，光解基团R2经过紫外光照射后分解生成的极性改变基团R4为羧基。上述配体被紫外光照射发生光解的反应式如图2所示，在UV光照之前的配体分子A可以溶解于正辛烷，光解后量子点材料的配体由配体分子A改性为配体分子B，由配体分子B修饰的量子点不在溶于正辛烷，随后，即可用正辛烷清洗基板，形成图案化的量子点。
可选地，本公开实施例提供的上述量子点材料中，量子点Q一般为无机量子点。无机量子点例如可以是硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)、锑化镉(CdTe)、硒化锌(ZnSe)、磷化铟(InP)、硫化铅(PbS)、硫铟铜(CuInS2)、氧化锌(ZnO)、氯化铯铅(CsPbCl3)、溴化铯铅(CsPbBr3)、碘化铯铅(CsPbI3)、硫化镉/硫化锌(CdS/ZnS)、硒化镉/硫化锌(CdSe/ZnS)、硒化锌(ZnSe)、磷化铟/硫化锌(InP/ZnS)、硫化铅/硫化锌(PbS/ZnS)、砷化铟(InAs)、砷镓铟(InGaAs)、铟镓氮(InGaN)、氮化镓(GaN)、碲化锌(ZnTe)、硅(Si)、锗(Ge)、碳(C)以及具有上述成分的其他纳米尺度材料，例如纳米棒材料。
具体地，如果从环保角度考虑，可选地，无机量子点为不含镉的量子点，从而可以避免重金属镉对环境和人体的危害，以及有效的避免重金属的污染问题。当然，在不需要考虑重金属污染问题的情况下，无机量子点也可以采用含镉的量子点，在此不做限定。
具体地，本公开实施例提供的上述量子点材料可以应用于半导体装置、显示装置、量子点显示装置、发光装置、磁感应和荧光感应装置等。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种量子点膜层的图案化方法，由于该方法解决问题的原理与前述一种量子点材料相似，因此该方法的实施可以参见量子点材料的实施，重复之处不再赘述。
具体地，本发明实施例提供的一种量子点膜层的图案化方法，如图3所示，具体包括：
S11、采用本发明实施例提供的上述量子点材料和溶剂形成量子点溶液。例如当光解基团R2为油溶性基团时，可以采用例如正辛烷等油溶性溶剂溶解量子点材料形成量子点溶液备用。
S12、在衬底基板上旋涂量子点溶液形成量子点薄膜。
S13、利用掩模板遮挡量子点薄膜后，采用紫外光照射量子点薄膜的相应区域，使相应区域的量子点材料中配体的光解基团发生光解生成极性改变基团。具体地，根据不同曝光机每秒的曝光量调节曝光时间，所用曝光的紫外光的波长为365nm或436nm，紫外光的光强为10mJ/cm2至200mJ/cm2。
S14、采用与量子点溶液相同极性的溶剂清洗量子点薄膜，形成量子点膜层的图案。具体地，可以采用量子点溶液的溶剂清洗量子点薄膜。例如当光解基团R2为油溶性基团时，可以采用例如正辛烷等油溶性溶剂进行清洗。
具体地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，首先利用含有光解基团R2的量子点材料制作量子点薄膜，之后如图4所示，利用掩模板的遮挡采用紫外光照射量子点薄膜的相应区域，使相应区域内的光解基团R2光解为极性改变基团R4，从而改变相应区域内的量子点材料溶解性，随后采用可以溶解具有光解基团R2的量子点材料的溶剂清洗量子点薄膜，未被照射区域内的量子点材料被溶解去除，而相应区域内的量子点材料不溶解于该溶剂，得以保留形成量子点膜层的图案。采用上述量子点膜层的图形化方法时，可以避免使用碱性溶液对量子点进行显影而对量子点薄膜造成破坏。
并且，在量子点的配体中引入淬灭基团R3时，在采用上述量子点膜层的图形化方法时，在利用掩模板的遮挡采用紫外光照射量子点薄膜的相应区域时，相应区域内的光解基团R2光解为极性改变基团R4后，淬灭基团R3与光解基团R2断裂，即淬灭基团R3与量子点材料分离，保证在相应区域内的量子点材料可以正常发光，而在未被紫外光照射的区域，由于量子点材料含有淬灭基团R3，可以防止在清洗后残留的量子点材料发光而引起的混色问题，会在很大程度上提升量子点显示的色域。
可选地，在本发明实施例提供的上述图案化方法中，采用本发明实施例提供的上述量子点材料和匹配的溶剂形成量子点溶液，如图5所示，可以具体包括以下步骤：
S21、分别制备量子点和配体。
具体地，制作量子点的过程可以如下：
(a)CdSe核的制备：将0.4mmol的CdO，3.2mmol的OA和10mL的ODE加入50mL的三颈圆底烧瓶，120℃加热后抽真空1h，通入氮气后升温至240℃，三颈圆底烧瓶内的溶液呈澄清透明状态。加入1g的TOP和3g十六胺后降温至150℃，抽真空30min后通入氮气，升温至280℃。快速注入TOP-Se澄清溶液(2mmol的Se，2mL的TOP和2.5mL的ODE在手套箱中搅拌至黄色透明液体)，保温3min后迅速降至室温，用体积比为3:1的甲醇/氯仿溶液多次萃取，得到量子点分散于氯仿中待用。
(b)ZnS壳层前驱体的制备：在三颈圆底烧瓶中加入0.3mmoL的Zn(Ac)2，1mmol的DDT，6mL的ODE和4mL的OLA，在90℃下搅拌加热抽真空-通氮气三次后，备用。
(c)壳层包覆过程：在三颈圆底烧瓶中加入2mL的CdSe氯仿溶液，2mL的ODE和200μL的OA，120℃抽真空-换氮气三次后，升温至240℃，以1.5mL/h的速度将ZnS壳层前驱体转移至主反应体系。
(d)清洗过程：为了彻底清除游离配体，清洗过程分为三步：①将100mL体积比为7:3的丙酮/甲醇混合溶液加入装有量子点溶液的三颈圆底烧瓶中，60℃下磁力搅拌10min后，离心得到沉淀；②在三颈圆底烧瓶中，将沉淀完全分散于20mL甲苯，再加入100mL体积比为3:7的丙酮/甲醇混合溶液，60℃下磁力搅拌10min后，离心得到沉淀；③将沉淀完全分散于20mL甲苯，加入三颈圆底烧瓶中，再加入20mL冰醋酸和70mL甲醇，70℃下搅拌10min后，离心得到沉淀，将沉淀放入真空干燥箱中60℃烘干，研钵研磨成粉末备用。
S22、采用量子点和溶剂配置第一溶液，采用配体和溶剂配置第二溶液；
S23、在第一溶液中注入第二溶液中反应设定时长后，经过清洗得到量子点溶液。例如：在三颈圆底烧瓶中配制20mg/ml的5ml正辛烷量子点溶液，在80℃下搅拌加热抽真空-通氮气三次后，注入5ml的60mg/ml的配体分子的正辛烷溶液，反应4个小时，随后，为了彻底清除游离配体，重复(d)步骤进行清洗，溶解在正辛烷成中备用。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种量子点发光器件，量子点发光器件如图6a和图6b所示，包括：层叠设置的阴极500、电子传输层400、发光层300、空穴传输层200和阳极100；发光层300包括多个单色的量子点膜层RGB，各量子点膜层采用本发明实施例提供的上述图案化方法制作。即各量子点膜层RGB内的量子点材料的配体包括：与量子点结合的配位基团R1，与配位基团R1连接的极性改变基团R4。
其中，图6a为正置器件结构，即在衬底上依次形成阳极100、空穴传输层200、发光层300、电子传输层400和阴极500；图6b为倒置器件结构，即在衬底上依次形成阴极500、电子传输层400、发光层300、空穴传输层200和阳极100。并且，本公开实施例提供的上述量子点发光器件中还可以包含其他功能膜层，例如空穴注入层等，在此不作详述。
下面以倒置器件结构为例，详细说明量子点发光器件的制作过程，包括如下步骤：
(1)清洗形成有阳极层的衬底。具体地，可以将导电玻璃(ITO或FTO等)分别采用水，异丙醇，丙酮，超声清洗，并紫外照射处理5分钟-10分钟。
(2)制作电子传输层。具体地，可以在导电玻璃上制作氧化锌纳米粒子薄膜或氧化锌薄膜等。
具体地，制备氧化锌纳米粒子薄膜的过程为：旋涂氧化锌纳米粒子，之后在80℃-120℃加热成膜。匀胶机转速设置为500rpm-2500rpm，以调整膜层的厚度。电子传输层材料还可以选择离子掺杂型氧化锌纳米粒子，如Mg，In，Al，Ga掺杂氧化锌纳米粒子等。
具体地，制备氧化锌薄膜的过程为：将1g醋酸锌(或者硝酸锌等)溶于5mL乙醇胺和正丁醇的混合溶液中。将上述导电玻璃置于匀胶机，将90μL-120μL锌的前驱体溶液滴加到导电玻璃上旋涂。将上述导电玻璃置于250℃-300℃的热台上，加热并挥发溶剂。
(3)制作发光层。具体地，如图7所示，在导电玻璃上形成作为电子传输层的氧化锌基底后，可以通过旋涂、蒸镀或喷墨打印等方式，利用含有光解基团R2的量子点材料制备红色量子点薄膜。之后利用掩模板的遮挡采用紫外光照射红色量子点薄膜的相应区域，使相应区域内的光解基团R2光解为极性改变基团R4，从而改变相应区域内的红色量子点材料溶解性，随后采用可以溶解具有光解基团R2的量子点材料的溶剂清洗红色量子点薄膜，未被照射区域内的红色量子点材料被溶解去除，而相应区域内的红色量子点材料不溶解于该溶剂，得以保留形成红色量子点膜层的图案。
之后，利用含有光解基团R2的量子点材料制备绿色量子点薄膜，接着利用掩模板的遮挡采用紫外光照射绿色量子点薄膜的相应区域，使相应区域内的光解基团R2光解为极性改变基团R4，从而改变相应区域内的绿色量子点材料溶解性，随后采用可以溶解具有光解基团R2的量子点材料的溶剂清洗绿色量子点薄膜，未被照射区域内的绿色量子点材料被溶解去除，而相应区域内的绿色量子点材料不溶解于该溶剂，得以保留形成绿色量子点膜层的图案。
重复上述步骤，得到蓝色量子点膜层的图案。
当量子点材料的配体含有淬灭基团R4时，在绿色量子点膜层图案下方残留的红色量子点材料因含有淬灭基团R4而不发光，在蓝色量子点膜层图案下方残留的红色量子点材料和绿色量子点材料因淬灭基团R4而不发光，可以防止在清洗后残留的量子点材料发光而引起的混色问题，会在很大程度上提升量子点显示的色域。
(4)制作空穴传输层。具体地，可以在导电玻璃上通过旋涂、蒸镀或喷墨打印等方式制备空穴传输层。
(5)制作空穴注入层。具体地，可以在导电玻璃上通过旋涂、蒸镀或喷墨打印等方式制备空穴注入层。空穴注入层可以选择PEDOT:PSS 4083(聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)或者其它化合物。其中，PEDOT的成膜温度为130℃-150℃，匀胶机的转速设置为500rpm-2500rpm，以调整膜层的厚度。
(6)制作阴极。具体地，可以蒸镀Al膜或溅射IZO膜形成阴极。
(7)封装。在紫外等激发下，加盖封装盖板，引入紫外固化胶对量子点发光器件进行封装。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述量子点发光器件，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述量子点发光器件的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的上述量子点材料、量子点膜层的图案化方法、量子点发光器件及显示装置，在量子点表面修饰的光解基团在紫外光照射下发生光解生成极性改变基团，极性改变基团与光解基团的极性不同，基于此，制作图案化的量子点膜层时，首先利用含有光解基团的量子点材料制作量子点薄膜，之后利用掩模板的遮挡采用紫外光照射量子点薄膜的相应区域，使相应区域内的光解基团光解为极性改变基团，从而改变相应区域内的量子点材料溶解性，随后采用可以溶解具有光解基团的量子点材料的溶剂清洗量子点薄膜，未被照射区域内的量子点材料被溶解去除，而相应区域内的量子点材料不溶解于该溶剂，得以保留形成量子点膜层的图案。采用上述量子点材料进行量子点膜层的图形化时，可以避免使用碱性溶液对量子点进行显影而对量子点薄膜造成破坏。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种量子点材料，其特征在于，所述量子点材料包括：量子点，以及与所述量子点连接的配体；其中，
所述配体包括：与所述量子点结合的配位基团，与所述配位基团连接的光解基团，所述光解基团在紫外光照射下发生光解生成极性改变基团，所述极性改变基团与所述光解基团的极性不同。
2.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述光解基团为油溶性基团，所述极性改变基团为水溶性基团。
3.如权利要求2所述的量子点材料，其特征在于，所述光解基团包括以下至少之一：碳氧双键基团，碳碳双键基团和碳氮双键基团和双推电子基团。
4.如权利要求3所述的量子点材料，其特征在于，所述双推电子基团包括以下至少之一：二甲氧基和二仲氨基。
5.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述配体还包括：与所述光解基团连接的淬灭基团。
6.如权利要求5所述的量子点材料，其特征在于，所述淬灭基团包括以下至少之一：CL、Br、I、NHCOCH3、NO2、COOH、氧化石墨烯、重金属螯合物、CSN、金纳颗粒、钴络合有机物、锰络合有机物、镍络合有机化合物。
7.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述配位基团包括以下至少之一：氨基、多氨基、羟基、多羟基、巯基、多巯基、硫醚、多硫醚、膦和氧膦。
8.一种量子点膜层的图案化方法，其特征在于，包括：
采用如权利要求1-7任一项所述的量子点材料和溶剂形成量子点溶液；
在衬底基板上旋涂所述量子点溶液形成量子点薄膜；
利用掩模板遮挡所述量子点薄膜后，采用紫外光照射所述量子点薄膜的相应区域，使相应区域的量子点材料中配体的光解基团发生光解生成极性改变基团；
采用与所述量子点溶液相同极性的溶剂清洗所述量子点薄膜，形成量子点膜层的图案。
9.如权利要求8所述的图案化方法，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的量子点材料和匹配的溶剂形成量子点溶液，具体包括：
分别制备量子点和配体；
采用所述量子点和所述溶剂配置第一溶液，采用所述配体和所述溶剂配置第二溶液；
在所述第一溶液中注入所述第二溶液中反应设定时长后，经过清洗得到所述量子点溶液。
10.如权利要求8所述的图案化方法，其特征在于，采用紫外光照射所述量子点薄膜的相应区域，具体包括：
所述紫外光的波长为365nm或436nm，紫外光的光强为10mJ/cm2至200mJ/cm2。
11.如权利要求8至10任一项所述的图案化方法，其特征在于，采用与所述量子点溶液相同极性的溶剂清洗所述量子点薄膜，具体包括：
采用所述量子点溶液的溶剂清洗所述量子点薄膜。
12.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括：层叠设置的阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极；所述发光层包括多个单色的量子点膜层；各所述量子点膜层采用如权利要求8-11任一项所述的图案化方法制作。
13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求12所述的量子点发光器件。
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