CN116171312A - 量子点膜层、量子点发光器件及其制作方法 - Google Patents
量子点膜层、量子点发光器件及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116171312A CN116171312A CN202180002660.1A CN202180002660A CN116171312A CN 116171312 A CN116171312 A CN 116171312A CN 202180002660 A CN202180002660 A CN 202180002660A CN 116171312 A CN116171312 A CN 116171312A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- layer
- group
- quantum
- ligand
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 297
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 14
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 126
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 11
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 6
- 125000002467 phosphate group Chemical group [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 claims description 6
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 6
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- -1 mercapto, hydroxyl Chemical group 0.000 claims description 4
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N sulfamic acid Chemical group NS(O)(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 5
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N hexane Substances CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 4
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- XVDBWWRIXBMVJV-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphanyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)P(N(C)C)N(C)C XVDBWWRIXBMVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- JKNHZOAONLKYQL-UHFFFAOYSA-K tribromoindigane Chemical compound Br[In](Br)Br JKNHZOAONLKYQL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- VNDYJBBGRKZCSX-UHFFFAOYSA-L zinc bromide Chemical compound Br[Zn]Br VNDYJBBGRKZCSX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本申请提供一种量子点膜层、量子点发光器件及其制作方法，用以改善载流子的平衡。其中，所述量子点膜层包括第一量子点层和第二量子点层。所述第一量子点层包括第一量子点以及连接在所述第一量子点表面的第一光敏性配体。所述第二量子点层包括第二量子点以及连接在所述第二量子点表面的第二非光敏性配体。所述第二量子点和所述第一量子点相同。
Description
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点膜层、量子点发光器件及其制作方法。
量子点(QDs)是一种零维半导体纳米材料，可分散于水或有机溶剂中形成胶体。量子点的尺寸接近甚至小于相应半导体体相材料的激子电子空穴对Bohr半径，受激发时产生的电子和空穴被限制在狭小的三维空间，因而表现出量子限制效应，具有独特的光学性质。
量子点发光二极管显示器(Quantum Dots Light Emitting Diode Display，QLED)是基于有机发光显示器的基础上发展起来的一种新型显示技术。而两者存在的区别是QLED里的发光层为量子点层，它的原理是：电子/空穴通过电子/空穴传输层注入到量子点层，电子和空穴在量子点层中复合发光。与有机发光二极管显示器件(OLED)相比，QLED具有发光峰窄，色彩饱和度高，色域宽等优点。
目前的量子点发光二极管显示器在载流子平衡方面有进一步改善的空间。
发明内容
根据本申请实施例的第一方面，提供了一种量子点膜层，所述量子点膜层包括第一量子点层和第二量子点层，其中，
所述第一量子点层包括第一量子点，以及连接在所述第一量子点表面的第一光敏性配体；
所述第二量子点层包括第二量子点，以及连接在所述第二量子点表面 的第二非光敏性配体，所述第二量子点和所述第一量子点相同。
在一个实施例中，所述第一光敏性配体包括非光敏性的配位基团以及光敏基团，所述配位基团的一端连接所述第一量子点表面，所述配位基团的另一端连接所述光敏基团；
所述配位基团与所述第二非光敏性配体相同。
在一个实施例中，所述配位基团与所述第二非光敏性配体均包括巯基、羟基、氨基、磺酸基、羧基和磷酸基中的任意一种。
在一个实施例中，所述光敏基团具有如式II～IV所示的结构；
-R
5-N＝N-R
6- (III)；
-R
7-O-O-R
8- (IV)；
其中，R
1、R
2至R
8均选自氢、烷氧基、烷基或者芳香基。
在一个实施例中，所述第一光敏性配体的通式结构如通式I所示：
A-B (I)；
其中，A为配位基团，B为光敏基团；
所述配位基团包括巯基、羟基、氨基、磺酸基、羧基和磷酸基中的任意一种；
所述光敏基团具有如式II～IV所示的结构；
-R
5-N＝N-R
6- (III)；
-R
7-O-O-R
8- (IV)；
其中，R
1、R
2至R
8均选自氢、烷氧基、烷基或者芳香基。
在一个实施例中，所述第一量子点层还包括连接在所述第一量子点表面的第一烷基链配体；
所述第二量子点层还包括连接在所述第二量子点表面的第二烷基链配体。
在一个实施例中，所述第一烷基链配体和所述第二烷基链配体相同。
在一个实施例中，所述第一烷基链配体和所述第二烷基链配体均包括配位单元和C15～C50的支链烷基；
在所述支链烷基中每条支链的碳原子个数为6～12；
所述配位单元包括巯基、羟基、胺基、氨基、羧基、磷酸基、磷酯基和磺酸基中的任意一种。
根据本申请实施例的第二方面，提供了一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括空穴传输层、电子传输层，以及位于所述空穴传输层和所述电子传输层之间的、如前面所述的量子点膜层。
在一个实施例中，在多电子体系中，所述第二量子点层设置在所述第一量子点层远离所述电子传输层的一侧。
在一个实施例中，在多空穴体系中，所述第二量子点层设置在所述第一量子点层远离所述空穴传输层的一侧。
根据本申请实施例的第三方面，提供了一种量子点发光器件的制作方法，所述制作方法包括：
在基板上形成如前面所述的量子点膜层。
在一个实施例中，形成所述量子点膜层的步骤具体包括：
在基板上形成第二量子点前置层，所述第二量子点前置层包括第二量子点和连接在所述第二量子点表面的第二光敏性配体；
光照所述第二量子点前置层，使其中的第二光敏性配体发生裂解反应，所述第二量子点前置层转化为第二量子点层；
在所述第二量子点层上形成第一量子点层。
在一个实施例中，形成所述量子点膜层的步骤具体包括：
在基板上形成第一量子点层；
在所述第一量子点层上形成第二量子点前置层，所述第二量子点前置层包括第二量子点和连接在所述第二量子点表面的第二光敏性配体；
光照所述第二量子点前置层，使其中的第二光敏性配体发生裂解反应，所述第二量子点前置层转化为第二量子点层。
在一个实施例中，所述第一量子点层与所述第二量子点前置层由相同的材料制成；并且，所述第一量子点层与第二量子点前置层在同一步骤中形成。
图1是本申请一示例性实施例提供的量子点膜层的结构示意图；
图2和图3分别是图1中第一量子点颗粒、第二量子点颗粒的结构示意图；
图4至图6是本申请一示例性实施例提供的量子点发光器件制作方法的示意图；
图7至图9是本申请又一示例性实施例提供的量子点发光器件制作方法的示意图。
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似 的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一膜层也可以被称为第二膜层，类似地，第二膜层也可以被称为第一膜层。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。
下面结合附图，对本申请实施例中的量子点膜层、量子点发光器件及其制作方法进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。
本申请实施例公开了一种量子点膜层30，如图1，所述量子点膜层30包括层叠设置的第一量子点层32和第二量子点层34。其中，第一量子点层32可包括多个第一量子颗粒70，第二量子点层34可包括多个第二量子颗粒80。
请结合图2所示，第一量子点层32中的每一第一量子颗粒70可包括第一量子点72、以及连接在第一量子点72表面的第一光敏性配体74。具体的，第一量子点72可以是核壳结构。第一光敏性配体74可以是对紫外光敏感的配体，在紫外光照时，第一光敏性配体74会发生裂解反应，使得第一光 敏性配体74的一部分自第一量子点72表面脱落。在形成膜层前，第一量子颗粒70以溶液态存在，长链的第一光敏性配体74能够保证溶液的稳定性，避免第一量子颗粒70发生沉降。第一量子点层32虽是利用第一光敏性配体74形成的膜层，但其并未被紫外光直接照射，因而其中的第一光敏性配体74并未发生裂解反应。
在一些实施例中，第一光敏性配体74包括非光敏性的配位基团以及光敏基团，具有如通式I所示的结构：
A-B (I)；
其中，A为配位基团，B为光敏基团；
所述配位基团包括巯基、羟基、氨基、磺酸基、羧基和磷酸基中的任意一种；
所述光敏基团具有如式II～IV所示的结构；
-R
5-N＝N-R
6- (III)；
-R
7-O-O-R
8- (IV)；
其中，R
1、R
2至R
8均选自氢、烷氧基、烷基或者芳香基。
在上述实施例中，所述配位基团用于与第一量子点形成连接，所述光敏基团经过紫外光照射可发生裂解。所述配位基团对光不敏感，因而，即便经光照射仍可保持之前的结构。所述配位基团和光敏基团通过化学键连接，具体连接方式，本申请不作限制。
进一步地，所述第一量子点层32中的第一量子颗粒70还可包括连接在第一量子点72表面的第一烷基链配体76。所述第一烷基链配体76可钝化量子点表面缺陷，并可提高量子点在有机溶剂中的溶解度。
在一些实施例中，所述第一烷基链配体76包括配位单元和C15～C50的支链烷基；所述支链烷基中每条支链的碳原子个数为6～12。
所述第一烷基链配体76中，所述配位单元包括巯基、羟基、胺基、氨基、羧基、磷酸基、磷酯基和磺酸基中的任意一种。所述配位单元位于第一量子点72和所述支链烷基之间，用于与第一量子点72表面形成连接，将所述支链烷基与所述第一量子点72相连。所述第一烷基链配体76可增加量子点在有机溶剂中的溶解性，以便于形成含有量子点的混合液，用于涂覆形成量子点膜。
所述第一烷基链配体76可以为：
连接在第一量子点72表面的第一烷基链配体76可以是一种，也可以是多种。连接在第一量子点72表面的第一光敏性配体74可以是一种，也可以是多种。并且，第一烷基链配体76和第一光敏性配体74的含量可在量子点颗粒合成过程中进行灵活调控。
请结合图3所示，第二量子点层34中的每一第二量子颗粒80包括第二量子点82，以及连接在所述第二量子点82表面的第二非光敏性配体85。第二量子点层34中连接在第二量子点82表面的各配体的总含量小于第一量子点层32中连接在第一量子点72表面的各配体的总含量。这里所说的含量既包括单位体积中所包含配体的数量，也包括配体的长度。不管是配体的数量还是配体的长度都可影响载流子在对应膜层中的传输效率。配体相同时，通过减少配体的数量可降低配体的含量；在配体数量相当时，通过缩短配体的长度(链长)可降低配体的含量。上述设置，使得载流子在第二量子点层 34中的传输效率高于载流子在第一量子点层32中的传输效率。
第二量子点层34可通过光照第二量子点82和连接在所述第二量子点82表面的第二光敏性配体84而形成。
具体的，所述第二量子点层34可通过以下步骤形成：
执行步骤S12：形成第二量子点前置层34a，如图4所示，所述第二量子点前置层34a包括多个第二量子颗粒80a；
其中，请结合图3所示，第二量子点前置层34a中的每一第二量子颗粒80a可包括第二量子点82、以及连接在第二量子点82表面的第二光敏性配体84。具体的，第二量子点82可以是核壳结构。第二光敏性配体84可以是对紫外光敏感的配体，在紫外光照时，第二光敏性配体84会发生裂解反应，使得第二光敏性配体84的一部分自第二量子点82表面脱落。在形成膜层前，第二量子颗粒80a以溶液态存在，长链的第二光敏性配体84能够保证溶液的稳定性，避免第二量子颗粒80a发生沉降。
在一些实施例中，第二光敏性配体84包括非光敏性的配位基团以及光敏基团，具有如通式I所示的结构：
A-B (I)；
其中，A为配位基团，B为光敏基团；
所述配位基团包括巯基、羟基、氨基、磺酸基、羧基和磷酸基中的任意一种；
所述光敏基团具有如式II～IV所示的结构；
-R
5-N＝N-R
6- (III)；
-R
7-O-O-R
8- (IV)；
其中，R
1、R
2至R
8均选自氢、烷氧基、烷基或者芳香基。
在上述实施例中，所述配位基团用于与第二量子点形成连接，所述光敏基团经过紫外光照射可发生裂解。所述配位基团对光不敏感，因而，即便经光照射仍可保持之前的结构。所述配位基团和光敏基团通过化学键连接，具体连接方式，本申请不作限制。
进一步地，所述第二量子点前置层34a中的第二量子颗粒80a还可包括连接在第二量子点82表面的第二烷基链配体86。所述第二烷基链配体86可钝化量子点表面缺陷，并可提高量子点在有机溶剂中的溶解度。
在一些实施例中，所述第二烷基链配体86包括配位单元和C15～C50的支链烷基；所述支链烷基中每条支链的碳原子个数为6～12。
所述第二烷基链配体86中，所述配位单元包括巯基、羟基、胺基、氨基、羧基、磷酸基、磷酯基和磺酸基中的任意一种。所述配位单元位于第二量子点82和所述支链烷基之间，用于与第二量子点82表面形成连接，将所述支链烷基与所述第二量子点82相连。所述第二烷基链配体86可增加量子点在有机溶剂中的溶解性，以便于形成含有量子点的混合液，用于涂覆形成量子点膜。
所述第二烷基链配体86可以为：
连接在第二量子点82表面的第二烷基链配体86可以是一种，也可以是多种。连接在第二量子点82表面的第二光敏性配体84可以是一种，也可以是多种。并且，第二烷基链配体86和第二光敏性配体84的含量可在量子点颗粒合成过程中进行灵活调控。其中，第二光敏性配体84的含量越高，光 照后裂解的配体越多，载流子传输的性能越好。
执行步骤S14：光照第二量子点前置层34a，参图4和图5所示，第二光敏性配体84发生裂解反应，第二光敏性配体84的一部分(即，光敏基团)自第二量子点82表面脱落，第二光敏性配体84的另一部分(非光敏性的配位基团)保持连接在第二量子点82表面，成为第二非光敏性配体85。对应的，第二量子颗粒80a转变为第二量子颗粒80，第二量子点前置层34a转化为第二量子点层34。
应用于电致发光器件中时，高含量的配体(包括光敏性配体和烷基链配体等)会阻碍载流子的注入，影响器件的电致发光性能。第二光敏性配体84的脱落，可明显降低配体的含量，提升载流子的注入效率。因而，第二量子点层34中载流子的注入或传输效率明显高于第一量子点层32。
利用具有第一量子点层32和第二量子点层34的量子点膜层30可调节和改善电致发光器件的载流子平衡。比如，在多电子体系，可将量子点膜层30作为有机发光材料层使用，并使第二量子点层34远离电子传输层而邻近空穴传输层，使第一量子点层32邻近电子传输层而远离空穴传输层。上述结构和结构有利于空穴的注入而不利于电子的注入，因此能够调节多电子体系的载流子平衡。
再如，在多空穴体系，可将量子点膜层30作为有机发光材料层使用，并使第二量子点层34远离空穴传输层而邻近电子传输层，使第一量子点层32邻近空穴传输层而远离电子传输层。上述结构和结构有利于电子的注入而不利于空穴的注入，因此能够调节多空穴体系的载流子平衡。
在一些实施例中，所述第一量子点层32和第二量子点层34由相同的原材料制作，唯一的区别在于，制得的所述第一量子点层32不经过光照，制得的所述第二量子点层34经过光照。两者具有相同的有机溶剂、量子点和配体等，有利于提高制作速度，节约制作成本。比如，制备包含量子点颗粒的 溶液后，将其中的一部分制作成第一量子点层32，将其中的另一部分制作成第二量子点层34。
在上述各实施例中，需要利用到量子点颗粒(比如，第一量子颗粒70、第二量子颗粒80a)的制备。理论上，可利用已有的各种方法来制作。对于具有两种或多种配体(其中至少一种为光敏性配体)的量子点可通过配体交换技术进行合成。即，先通过常规量子点合成方法制备具有普通烷基链配体的量子点，然后通过配体交换用光敏性配体部分置换烷基链配体，得到含有两种或多种配体(其中至少一种为光敏性配体)的量子点。
本申请使用的量子点颗粒包括但不限于CdS@ZnSZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl
3/ZnS、CsPbBr
3/ZnS、CsPbI
3/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdS@ZnSZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS/ZnO、PbS/ZnS、CsPbCl
3/ZnS、CsPbBr
3/ZnS、CsPbI
3/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnTe/ZnSe/ZnS、ZnSeTe/ZnSe/ZnS等量子点。
其中的量子点配体通常为长链烷烃配体，包括但不限于三辛基膦、三丁基膦、油酸、硬脂酸、油胺、长链烷基胺、长链烷基膦、长链烷基膦酸等。
光敏性配体为内段具有光敏性基团的配体，该小分子受到紫外光照后发生断键分解，光敏基团为羰基或双键。
在一些实施例中，所述量子点颗粒的制备方法具体如下：
首先，通过传统的量子点合成方法制备具有长链配体的量子点，以InP/ZnS为例：在手套箱真空环境中，用电子天平称量120.54mg的溴化铟(InBr3)和495.40mg的溴化锌(ZnBr2)加入至50ml的三口颈瓶中，再向其中加入5ml油胺(OLA)，抽真空30min(分钟)并加热至100℃，直至里面没有水蒸气之后通入氩气(Ar)，升温至215℃，向其中注射0.45ml三(二甲胺基)膦[(DMA)3P]和1.0ml油胺(OLA)的混合溶液，在此温度下恒温20min(分钟)。在适当的搅拌速度下使其充分反应，然后用注射器快速加入1.5ml 十二硫醇和6ml硬脂酸-ODE溶液(15g硬脂酸锌溶解在60ml ODE中)。之后将温度仪设置成300℃，并分别在10min，20min，30min，40min从反应器中取样，反应40min(分钟)后，停止加热，待溶液冷却至70℃至80℃后，加入一定量的正己烷在10000rpm(转每分)转速下离心，使硬脂酸锌沉降，再加入一定量的正己烷以及无水乙醇，在10000rpm下离心，使得InP/ZnS纳米晶沉降，之后用N
2吹干，得到的InP/ZnS纳米晶可以很好的溶解在正己烷溶液中，之后进行表征分析。在反应过程溶液颜色由无色透明变为褐色，然后逐渐变为黄绿色。
而后，通过在溶液中进行配体交换制备具有两种或多种配体(至少包括普通烷基链和光敏性配体)的量子点。
以油酸配体的CdSe/ZnS量子点为例，将其置换成具有两种或多种配体(其中至少一种为光敏性配体)的量子点的方法如下：
将用常规方法制备出的具有长链油酸配体的CdSe/ZnS量子点用乙醇进行离心洗涤，将上清液去除后将量子点重新分散在辛烷(也可采用正庚烷、正己烷)中，将溶解于乙醇(也可以是其它醇类)的光敏性配体加入到量子点胶体中，并在80℃下搅拌反应1h(小时)进行配体交换。
上述步骤中，离心洗涤的目的是去除在合成量子点时产生的副产物或者没有反应完全的杂质，还有就是尺寸不一致的量子点可以在此过程中分离，使量子点更纯，尺寸更均一，后续用于器件中效果更好。
上述实施例中所使用的油酸，其结构式可以是：CH
3(CH
2)
7CH＝CH(CH
2)
7COOH，也可表述为：
中国专利文献CN108192591A公开了通过配体交换方式制备具有两种 以上配体的量子点颗粒的方法，也可应用在本申请中。
本申请实施例还提供一种量子点发光器件的制作方法，其可用于制备前面所述的量子点发光器件。所述制作方法可包括：
在基板上形成如前面所述的量子点膜层。
在一些实施例中，形成所述量子点膜层的步骤包括：
如图4，在基板S上形成第二量子点前置层34a，所述第二量子点前置层34a包括第二量子点和连接在所述第二量子点表面的第二光敏性配体；
如图5，光照所述第二量子点前置层34a，使其中的第二光敏性配体发生裂解反应，所述第二量子点前置层转化为第二量子点层34；
如图6，在所述第二量子点层34上形成第一量子点层32。
在上述实施例中，形成的第一量子点层32可能会溶解掉下方的第二量子点层34一部分厚度。为此，在形成第二量子点层34时，可多形成一定的厚度，使得其即便在被溶解掉部分后剩余的厚度也足够合用。
在一些实施例中，形成所述量子点膜层的步骤包括：
如图7，在基板S上形成第一量子点层32；
如图8，在所述第一量子点层32上形成第二量子点前置层34a，所述第二量子点前置层34a包括第二量子点和连接在所述第二量子点表面的第二光敏性配体；
如图9，光照所述第二量子点前置层34a，使其中的第二光敏性配体发生裂解反应，所述第二量子点前置层34a转化为第二量子点层34。
在上述实施例中，通过控制光照的深度，可使光仅仅到达、照射上层的第二量子点前置层34a，而不照射到下方的第一量子点层32，以避免第一量子点层32内的第一量子点颗粒70发生裂解反应。
在上述实施例中，形成的第二量子点层34可能会溶解掉下方的第一量 子点层32一部分厚度。为此，在形成第一量子点层32时，可多形成一定的厚度，使得其即便被溶解掉部分后剩余的厚度也足够合用。
在上述实施例中，所述第一量子点层32与所述第二量子点前置层34a可由相同的材料制成。对应的，所述第一量子点层与第二量子点前置层可在同一步骤中形成。比如，先在基板S上通过旋涂、打印或印刷的方式形成足够厚的量子点材料层；而后，利用光照所述量子点材料层，在光照过程中，精确控制光照的深度，使其仅照射到部分厚度。其中，被光照射到的部分发生反应而形成第二量子点层，未被照射到的部分作为第一量子点层。
所形成的量子点发光器件既可以是正置结构，也可以是倒置结构。
在正置结构中，所述量子点发光器件可包括：位于基板上的阳极；位于阳极上的空穴传输层；位于空穴传输层上的、如前面所述的量子点膜层；位于量子点膜层上的电子传输层；以及位于电子传输层上的阴极。
在倒置结构中，所述量子点发光器件可包括：位于基板上的阴极；位于阴极上的电子传输层；位于电子传输层上的、如前面所述的量子点膜层；位于量子点膜层上的空穴传输层；以及位于空穴传输层上的阳极。
在上述各实施例中，空穴传输层与阳极之间还可设置空穴注入层。空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和量子点膜层均可通过旋涂、打印或喷墨的方式形成。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (15)
- 一种量子点膜层，其特征在于，所述量子点膜层包括层叠设置的第一量子点层和第二量子点层，其中，所述第一量子点层包括第一量子点，以及连接在所述第一量子点表面的第一光敏性配体；所述第二量子点层包括第二量子点，以及连接在所述第二量子点表面的第二非光敏性配体，所述第二量子点和所述第一量子点相同。
- 如权利要求1所述的量子点膜层，其特征在于，所述第一光敏性配体包括非光敏性的配位基团以及光敏基团，所述配位基团的一端连接所述第一量子点表面，所述配位基团的另一端连接所述光敏基团；所述配位基团与所述第二非光敏性配体相同。
- 如权利要求2所述的量子点膜层，其特征在于，所述配位基团与所述第二非光敏性配体均包括巯基、羟基、氨基、磺酸基、羧基和磷酸基中的任意一种。
- 如权利要求2所述的量子点膜层，其特征在于，所述光敏基团具有如式II～IV所示的结构；
-R 5-N＝N-R 6- (III)；-R 7-O-O-R 8- (IV)；其中，R 1、R 2至R 8均选自氢、烷氧基、烷基或者芳香基。 - 如权利要求1所述的量子点膜层，其特征在于，所述第一光敏性配体的通式结构如通式I所示：A-B (I)；其中，A为配位基团，B为光敏基团；所述配位基团包括巯基、羟基、氨基、磺酸基、羧基和磷酸基中的 任意一种；所述光敏基团具有如式II～IV所示的结构；
-R 5-N＝N-R 6- (III)；-R 7-O-O-R 8- (IV)；其中，R 1、R 2至R 8均选自氢、烷氧基、烷基或者芳香基。 - 如权利要求1所述的量子点膜层，其特征在于，所述第一量子点层还包括连接在所述第一量子点表面的第一烷基链配体；所述第二量子点层还包括连接在所述第二量子点表面的第二烷基链配体。
- 如权利要求6所述的量子点膜层，其特征在于，所述第一烷基链配体和所述第二烷基链配体相同。
- 如权利要求6所述的量子点膜层，其特征在于，所述第一烷基链配体和所述第二烷基链配体均包括配位单元和C15～C50的支链烷基；在所述支链烷基中每条支链的碳原子个数为6～12；所述配位单元包括巯基、羟基、胺基、氨基、羧基、磷酸基、磷酯基和磺酸基中的任意一种。
- 一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括空穴传输层、电子传输层，以及位于所述空穴传输层和所述电子传输层之间的、如权利要求1至8任一项所述的量子点膜层。
- 如权利要求9所述的量子点发光器件，其特征在于，在多电子体系中，所述第二量子点层设置在所述第一量子点层远离所述电子传输层的一侧。
- 如权利要求9所述的量子点发光器件，其特征在于，在多空穴体系中，所述第二量子点层设置在所述第一量子点层远离所述空穴传输 层的一侧。
- 一种量子点发光器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在基板上形成如权利要求1至8任一项所述的量子点膜层。
- 如权利要求12所述的制作方法，其特征在于，形成所述量子点膜层的步骤具体包括：在基板上形成第二量子点前置层，所述第二量子点前置层包括第二量子点和连接在所述第二量子点表面的第二光敏性配体；光照所述第二量子点前置层，使其中的第二光敏性配体发生裂解反应，所述第二量子点前置层转化为第二量子点层；在所述第二量子点层上形成第一量子点层。
- 如权利要求12所述的制作方法，其特征在于，形成所述量子点膜层的步骤具体包括：在基板上形成第一量子点层；在所述第一量子点层上形成第二量子点前置层，所述第二量子点前置层包括第二量子点和连接在所述第二量子点表面的第二光敏性配体；光照所述第二量子点前置层，使其中的第二光敏性配体发生裂解反应，所述第二量子点前置层转化为第二量子点层。
- 如权利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述第一量子点层与所述第二量子点前置层由相同的材料制成；并且，所述第一量子点层与第二量子点前置层在同一步骤中形成。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2021/120421 WO2023044788A1 (zh) | 2021-09-24 | 2021-09-24 | 量子点膜层、量子点发光器件及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116171312A true CN116171312A (zh) | 2023-05-26 |
Family
ID=85719249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202180002660.1A Pending CN116171312A (zh) | 2021-09-24 | 2021-09-24 | 量子点膜层、量子点发光器件及其制作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116171312A (zh) |
| WO (1) | WO2023044788A1 (zh) |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105278153A (zh) * | 2015-11-13 | 2016-01-27 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点彩膜基板的制备方法及量子点彩膜基板 |
| CN105684555A (zh) * | 2013-10-17 | 2016-06-15 | 株式会社村田制作所 | 纳米粒子材料以及发光器件 |
| CN106970505A (zh) * | 2015-10-26 | 2017-07-21 | 三星电子株式会社 | 具有聚合物外层的量子点复合体、含其的光敏组合物、量子点聚合物复合物图案和电子器件 |
| CN108550707A (zh) * | 2018-04-12 | 2018-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管、液晶显示设备 |
| CN109266350A (zh) * | 2017-07-17 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 配体修饰量子点组合物及其制备方法、量子点发光二极管 |
| JP2020161442A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 国立大学法人山形大学 | ペロブスカイト量子ドット発光デバイスおよびその製造方法 |
| WO2021051279A1 (zh) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点配体、量子点材料以及量子点发光器件 |
| WO2021063166A1 (zh) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 配体、配位量子点、量子点层及其图案化方法 |
| CN112736207A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | Qled器件、qled器件的制备方法及显示装置 |
| CN113088279A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点材料、发光二极管基板及制作方法、显示装置 |
| CN113140683A (zh) * | 2020-01-20 | 2021-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板 |
| CN113285024A (zh) * | 2020-01-31 | 2021-08-20 | 佳能株式会社 | 具有量子点的半导体器件、显示装置、成像系统、和移动体 |
| CN113314675A (zh) * | 2020-02-27 | 2021-08-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种量子点发光器件及制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112018270B (zh) * | 2019-05-31 | 2021-09-10 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法 |
-
2021
- 2021-09-24 CN CN202180002660.1A patent/CN116171312A/zh active Pending
- 2021-09-24 WO PCT/CN2021/120421 patent/WO2023044788A1/zh unknown
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105684555A (zh) * | 2013-10-17 | 2016-06-15 | 株式会社村田制作所 | 纳米粒子材料以及发光器件 |
| CN106970505A (zh) * | 2015-10-26 | 2017-07-21 | 三星电子株式会社 | 具有聚合物外层的量子点复合体、含其的光敏组合物、量子点聚合物复合物图案和电子器件 |
| CN105278153A (zh) * | 2015-11-13 | 2016-01-27 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点彩膜基板的制备方法及量子点彩膜基板 |
| CN109266350A (zh) * | 2017-07-17 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 配体修饰量子点组合物及其制备方法、量子点发光二极管 |
| CN108550707A (zh) * | 2018-04-12 | 2018-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管、液晶显示设备 |
| WO2019196778A1 (zh) * | 2018-04-12 | 2019-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制作方法、显示设备 |
| JP2020161442A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 国立大学法人山形大学 | ペロブスカイト量子ドット発光デバイスおよびその製造方法 |
| WO2021051279A1 (zh) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点配体、量子点材料以及量子点发光器件 |
| WO2021063166A1 (zh) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 配体、配位量子点、量子点层及其图案化方法 |
| CN113140683A (zh) * | 2020-01-20 | 2021-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板 |
| WO2021147739A1 (zh) * | 2020-01-20 | 2021-07-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法、显示面板 |
| CN113285024A (zh) * | 2020-01-31 | 2021-08-20 | 佳能株式会社 | 具有量子点的半导体器件、显示装置、成像系统、和移动体 |
| CN113314675A (zh) * | 2020-02-27 | 2021-08-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种量子点发光器件及制备方法、显示装置 |
| CN112736207A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | Qled器件、qled器件的制备方法及显示装置 |
| CN113088279A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点材料、发光二极管基板及制作方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023044788A1 (zh) | 2023-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3656832B1 (en) | Ligand-modified quantum dot composition, ligand-modified quantum dot layer, preparation method therefor, and quantum dot light-emitting diode | |
| US8963119B2 (en) | Semiconductor nanocrystal, method of manufacture thereof and articles including the same | |
| JP5043848B2 (ja) | 量子ドット発光層 | |
| JP2018153915A (ja) | 有機配位子を有する量子ドット及びその用途 | |
| KR102601649B1 (ko) | 양자점, 그 제조 방법, 이를 포함한 복합체 및 전자 소자 | |
| Li et al. | Highly luminescent water-soluble InP/ZnS nanocrystals prepared via reactive phase transfer and photochemical processing | |
| KR20140121217A (ko) | 양자점과 그의 제조방법 | |
| KR101501644B1 (ko) | 나노 입자의 제조 방법, 발광 소자의 제조 방법 및 표시 기판의 제조 방법 | |
| Yang et al. | Inkjet-printed blue InP/ZnS/ZnS quantum dot light-emitting diodes | |
| KR20200122717A (ko) | 리튬 함유 무카드뮴 양자점, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 전자 소자 | |
| JP2021128341A (ja) | 量子ドット、前記量子ドットを含む量子ドット分散液、光変換硬化性組成物、量子ドット発光ダイオード、量子ドットフィルム、前記組成物を用いて形成される硬化膜および前記硬化膜を含む画像表示装置 | |
| US11840655B2 (en) | Yellow-red spectral quantum dot, synthesis method therefor and application thereof | |
| Yadav et al. | Synthesis, properties, and applications of II–VI semiconductor core/shell quantum dots | |
| Srivastava et al. | Freestanding high-resolution quantum dot color converters with small pixel sizes | |
| CN116171312A (zh) | 量子点膜层、量子点发光器件及其制作方法 | |
| KR102488237B1 (ko) | 양자점, 이를 포함하는 양자점 발광다이오드, 양자점 필름, 광 변환 수지 조성물, 상기 광 변환 수지 조성물을 이용하여 형성되는 컬러필터, 광 변환 적층기재 및 상기 컬러필터 또는 상기 광 변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치 | |
| KR101311688B1 (ko) | 인 시튜 공정에 의한 양자점/실리카 복합체의 제조방법 | |
| Lee et al. | High-Resolution Multicolor Patterning of InP Quantum Dot Films by Atomic Layer Deposition of ZnO | |
| KR102563061B1 (ko) | 양자점, 이를 포함하는 양자점 발광다이오드, 양자점 필름, 광 변환 수지 조성물, 상기 광 변환 수지 조성물을 이용하여 형성되는 컬러필터, 광 변환 적층기재 및 상기 컬러필터 또는 상기 광 변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치 | |
| CN109929545A (zh) | 一种量子点组合物及其制备方法 | |
| CN113272973A (zh) | 发光元件、发光装置、发光元件的制造方法 | |
| KR102563058B1 (ko) | 양자점, 이를 포함하는 양자점 발광다이오드, 양자점 필름, 광 변환 수지 조성물, 상기 광 변환 수지 조성물을 이용하여 형성되는 컬러필터, 광 변환 적층기재 및 상기 컬러필터 또는 상기 광 변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치 | |
| KR102563071B1 (ko) | 양자점, 이를 포함하는 양자점 발광다이오드, 양자점 필름, 광 변환 수지 조성물, 상기 광 변환 수지 조성물을 이용하여 형성되는 컬러필터, 광 변환 적층기재 및 상기 컬러필터 또는 상기 광 변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치 | |
| KR102564054B1 (ko) | 양자점, 이를 포함하는 양자점 발광다이오드, 양자점 필름, 광 변환 수지 조성물, 상기 광 변환 수지 조성물을 이용하여 형성되는 컬러필터, 광 변환 적층기재 및 상기 컬러필터 또는 상기 광 변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치 | |
| CN113943410A (zh) | 量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |