CN113314675A - 一种量子点发光器件及制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种量子点发光器件及制备方法、显示装置，器件包括：层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，量子点发光层包括异质二聚体量子点，异质二聚体量子点包括带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点，第一量子点和第二量子点的禁带宽度相同且导带价带的位置不同。根据本发明实施例的量子点发光器件，空穴从空穴传输层迁移至量子点发光层时会经过一个梯度的能级结构，有利于空穴注入，从而有利于电子与空穴的平衡，提高器件效率及寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，具体涉及一种量子点发光器件及制备方法、显示装置。
背景技术
QLED(Quantum dot light-emitting diode，量子点电致发光二极管)显示器件是一种电致发光器件，在外界电场的驱动下，空穴和电子克服界面障碍分别进入量子点发光层的价带能级和导带能级，当从激发态回到稳定的基态时，释放出光子。在QLED器件中，电子注入往往比空穴注入更有效，导致电子和空穴注入不平衡，影响器件的效率及寿命。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种量子点发光器件及制备方法、显示装置，用以解决在QLED器件中电子和空穴注入不平衡，影响器件的效率及寿命的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
第一方面，根据本发明实施例的量子点发光器件，包括：
层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述量子点发光层包括异质二聚体量子点，所述异质二聚体量子点包括带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点，所述第一量子点和所述第二量子点的禁带宽度相同且导带价带的位置不同。
其中，还包括衬底基板，沿远离所述衬底基板的方向，所述阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极依次层叠设置在所述衬底基板上；
或者，沿远离所述衬底基板的方向，所述阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极依次层叠设置在所述衬底基板上。
其中，所述第一量子点和所述第二量子点被配置为发射出相同波长范围的光。
其中，还包括：空穴注入层，设置于所述阳极与所述空穴传输层之间。
其中，所述第一量子点和所述第二量子点分别包括CdS/ZnS量子点、CdSe/ZnS量子点、CdS/ZnSe量子点、CdSe/ZnSe量子点、InP/ZnS量子点、PbS/ZnS量子点、CsPbCl3/ZnS量子点或CsPbBr3/ZnSe量子点中的一个或多个。
其中，所述量子点发光层中的所述第一量子点上带有阳离子表面活性剂，所述量子点发光层中的所述第二量子点上带有阴离子表面活性剂。
第二方面，根据本发明实施例的异质二聚体量子点的制备方法，包括：
获取第一量子点和第二量子点，所述第一量子点和所述第二量子点的禁带宽度相同且导带价带的位置不同；
所述第一量子点带上正电荷，所述第二量子点带上负电荷；
将带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点混合，得到异质二聚体量子点。
其中，所述第一量子点带上正电荷，所述第二量子点带上负电荷，包括：
形成所述第一量子点的胶体，并在所述第一量子点的胶体中加入阳离子表面活性剂，得到带有正电荷的所述第一量子点；
形成所述第二量子点的胶体，并在所述第二量子点的胶体中加入阴离子表面活性剂，得到带有负电荷的所述第二量子点。
第三方面，根据本发明实施例的量子点发光器件的制备方法，包括：
形成层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述量子点发光层包括异质二聚体量子点，所述异质二聚体量子点包括带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点，所述第一量子点和所述第二量子点的禁带宽度相同且导带价带的位置不同。
其中，所述形成层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极的步骤包括：
提供衬底基板，在所述衬底基板上依次形成阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；或者，
提供衬底基板，在所述衬底基板上依次形成阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极。
其中，所述第一量子点和所述第二量子点被配置为发射出相同波长范围的光。
其中，所述形成层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极的步骤包括：
依次形成层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；或者，
依次形成层叠设置的阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。
其中，所述第一量子点和所述第二量子点分别包括CdS/ZnS量子点、CdSe/ZnS量子点、CdS/ZnSe量子点、CdSe/ZnSe量子点、InP/ZnS量子点、PbS/ZnS量子点、CsPbCl3/ZnS量子点或CsPbBr3/ZnSe量子点中的一个或多个。
其中，所述量子点发光层中的所述第一量子点上带有阳离子表面活性剂，所述量子点发光层中的所述第二量子点上带有阴离子表面活性剂。
第四方面，根据本发明实施例的显示装置，包括如上述实施例中所述的量子点发光器件。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
根据本发明实施例的量子点发光器件，包括层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述量子点发光层包括异质二聚体量子点，所述异质二聚体量子点包括带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点，所述第一量子点和所述第二量子点的禁带宽度相同且导带价带的位置不同。根据本发明实施例的量子点发光器件，量子点发光层中的异质二聚体量子点包括带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点，第一量子点和第二量子点的禁带宽度相同且导带价带的位置不同，空穴从空穴传输层迁移至量子点发光层时会经过一个梯度的能级结构，使空穴注入得到缓冲，有利于空穴注入，从而有利于电子与空穴的平衡，提高器件效率及寿命。
附图说明
图1为本发明实施例的量子点发光器件的一个结构示意图；
图2为本发明实施例的量子点发光器件的另一个结构示意图；
图3为本发明实施例的量子点发光器件的一个能级结构示意图。
附图标记
阳极10；
空穴传输层20；
量子点发光层30；
电子传输层40；
阴极50；
空穴注入层60；
衬底基板70。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面具体描述根据本发明实施例的量子点发光器件。
如图1和图2所示，根据本发明实施例的量子点发光器件包括：层叠设置的阳极10、空穴传输层20、量子点发光层30、电子传输层40和阴极50，其中，量子点发光层30包括异质二聚体量子点，异质二聚体量子点包括带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点，第一量子点和第二量子点的禁带宽度相同且导带价带的位置不同。
也就是说，量子点发光器件主要由阳极10、空穴传输层20、量子点发光层30、电子传输层40和阴极50构成。其中，阳极10可以设置在衬底基板70上，衬底基板70的可以为透明玻璃，阳极10可以为氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)，通过阳极10可以产生空穴。空穴传输层20可以设置于阳极10上，量子点发光层30可以设置于空穴传输层20上，空穴经过空穴传输层20可以传输至量子点发光层30，电子传输层40可以设置于量子点发光层30上，电子传输层40可以为ZnO或ZnMgO材料，阴极50可以设置于电子传输层40上，阴极50可以为Al、Mg/Ag材料，通过阴极50产生电子，电子经过电子传输层40传输至量子点发光层30。
其中，量子点发光层30可以包括异质二聚体量子点，异质二聚体量子点可以包括带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点，第一量子点和第二量子点的禁带宽度相同，第一量子点和第二量子点可以被配置为发射出相同波长范围的光，且第一量子点和第二量子点的导带价带的位置不同，使得空穴从空穴传输层20迁移至量子点发光层30时会经过一个梯度的能级结构，使空穴注入得到缓冲，有利于空穴注入，从而有利于电子与空穴的平衡，提高器件效率及寿命。
在本发明的一些实施例中，量子点发光器件还可以包括衬底基板70，沿远离衬底基板70的方向，阳极10、空穴传输层20、量子点发光层30、电子传输层40和阴极50可以依次层叠设置在衬底基板70上；或者，沿远离衬底基板70的方向，阴极50、电子传输层40、量子点发光层30、空穴传输层20和阳极10可以依次层叠设置在衬底基板70上。
也即是，量子点发光器件还可以包括衬底基板70，如图1所示，阳极10可以设置在衬底基板70上，空穴传输层20设置于阳极10上，量子点发光层30设置于空穴传输层20上，电子传输层40设置于量子点发光层30上，阴极50设置于电子传输层40上；或者，如图2所示，阴极50可以设置在衬底基板70上，电子传输层40可以设置在阴极50，量子点发光层30可以设置于电子传输层40上，量子点发光层30上依次设置空穴传输层20、阳极10，便于选择不同的工艺顺序进行加工。上述图1和图2中的结构对应倒置，在量子点发光器件中，可以从底侧出光或顶侧出光。
在本发明的一些实施例中，第一量子点的直径可以为1-10nm，第二量子点的直径可以为1-10nm，第一量子点的直径和第二量子点的直径可以相同或不同，第一量子点的直径和第二量子点的直径大小可以接近，可以根据实际需要合理选择。
在本发明的实施例中，量子点发光器件还包括空穴注入层60，空穴注入层60可以为PEDOT(3，4-乙烯二氧噻吩单体的聚合物)：PSS(聚苯乙烯磺酸盐)空穴注入材料，空穴注入层60可以设置于阳极10与空穴传输层20之间。阳极10产生的空穴经过空穴注入层60迁移至空穴传输层20，经过空穴传输层20迁移至量子点发光层30中，通过空穴注入层60和空穴传输层20能够有效地将空穴迁移至发光层30中。
如图3所示，阳极10的功函数可以为-4.6eV，阴极50的功函数可以为-4.3eV，给器件加电后，电子从阴极50经过电子传输层40注入量子点发光层30，空穴从阳极10经过空穴注入层60和空穴传输层20迁移至量子点发光层30中，空穴和电子最终在量子点发光层30中复合发光，由于电子传输层40(比如氧化锌)的电子迁移率高，电子注入比空穴注入更有效。通过引入异质二聚体量子点，使得空穴传输层20与量子点之间具有梯度能级结构，有利于空穴注入，提高空穴注入性能，有利于电子与空穴的平衡，提高器件效率及寿命。
在本发明的一些实施例中，所述第一量子点和所述第二量子点分别包括CdS/ZnS量子点、CdSe/ZnS量子点、CdS/ZnSe量子点、CdSe/ZnSe量子点、InP/ZnS量子点、PbS/ZnS量子点、CsPbCl3/ZnS量子点或CsPbBr3/ZnSe量子点中的一个或多个。比如，第一量子点为CdS/ZnS量子点，第二量子点为CdSe/ZnS量子点；第一量子点为CdS/ZnSe量子点，第二量子点为CdSe/ZnS量子点；第一量子点为CdS/ZnS量子点，第二量子点为CdSe/ZnSe量子点；第一量子点为CdS/ZnS量子点，第二量子点为CdS/ZnS量子点；第一量子点为InP/ZnS量子点，第二量子点为InP/ZnS量子点；第一量子点为PbS/ZnS量子点，第二量子点为CdS/ZnSe量子点；第一量子点为CsPbCl3/ZnS量子点，第二量子点为CsPbBr3/ZnSe量子点，第一量子点和第二量子点可以根据实际需要合理选择。
在本发明的另一些实施例中，量子点发光层30中的第一量子点上可以带有阳离子表面活性剂，通过阳离子表面活性剂使得量子点发光层30中的第一量子点上可以带有正电荷，量子点发光层30中的第二量子点上可以带有阴离子表面活性剂，通过阴离子表面活性剂使得量子点发光层30中的第二量子点上可以带有负电荷，通过离子表面活性剂使得第一量子点和第二量子点带电，易于实现，离子表面活性剂易于清洗，通过正电荷和负电荷使得第一量子点和第二量子点吸引在一起。
本发明实施例提供一种异质二聚体量子点的制备方法，异质二聚体量子点的制备方法包括：
获取第一量子点和第二量子点，第一量子点和第二量子点的禁带宽度相同且导带价带的位置不同；第一量子点带上正电荷，第二量子点带上负电荷；将带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点混合，得到异质二聚体量子点。根据本发明实施例的异质二聚体量子点的制备方法，制备的异质二聚体量子点可以包括带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点，第一量子点和第二量子点的禁带宽度相同且导带价带的位置不同，将异质二聚体量子点应用于量子点发光器件，能够使得空穴从空穴传输层迁移至量子点发光层时会经过一个梯度的能级结构，使空穴注入得到缓冲，有利于空穴注入，从而有利于电子与空穴的平衡，提高器件效率及寿命。
在本发明的一些实施例中，所述第一量子点带上正电荷，所述第二量子点带上负电荷，可以包括：
形成第一量子点的胶体，并在第一量子点的胶体中加入阳离子表面活性剂，得到带有正电荷的第一量子点；
形成第二量子点的胶体，并在第二量子点的胶体中加入阴离子表面活性剂，得到带有负电荷的第二量子点。其中，阳离子表面活性剂可以为十八烷基三甲基氯化铵、溴化二甲基苄基十二烷基铵或N,N二甲基十二烷基胺中的一种或多种，阴离子表面活性剂可以为脂肪醇醚硫酸钠或乙氧基化脂肪酸甲酯的磺酸盐中的一种或多种，阳离子表面活性剂和阴离子表面活性剂还可以根据需要选择为其他的离子表面活性剂。
在实际过程中，量子点可以在现有的CdSe/ZnS等核壳量子点的基础上进行制备。可以通过现有的量子点合成方法合成第一量子点和第二量子点，通过调控合成条件及量子点组成成分，控制第一量子点和第二量子点具有相同的禁带宽度，且具有不同的导带价带位置，第一量子点和第二量子点可以具有相同或者不同的元素组成，可以根据实际需要合理选择。
制备过程中，可以先形成第一量子点的胶体，并在第一量子点的胶体中加入阳离子表面活性剂，得到带有正电荷的第一量子点；再形成第二量子点的胶体，并在第二量子点的胶体中加入阴离子表面活性剂，得到带有负电荷的第二量子点。将两种带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点按一定比例转移至烧瓶中，磁力搅拌一定时间，使得带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点充分混合均匀，由于正负电荷的相互吸引，使得第一量子点和和第二量子点吸引在一起。在量子点上带有电荷过程中，异质二聚体量子点上带有表面活性剂，应用于器件制备时可以对异质二聚体量子点进行离心洗涤和提纯，以清除异质二聚体量子点中多余的离子表面活性剂。
本发明实施例提供一种量子点发光器件的制备方法，量子点发光器件的制备方法包括：
形成层叠设置的阳极10、空穴传输层20、量子点发光层30、电子传输层40和阴极50，其中，量子点发光层30包括异质二聚体量子点，异质二聚体量子点包括带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点，第一量子点和第二量子点的禁带宽度相同且导带价带的位置不同。在本发明实施例的制备方法中，第一量子点和第二量子点的禁带宽度相同，第一量子点和第二量子点可以被配置为发射出相同波长范围的光，且第一量子点和第二量子点的导带价带的位置不同，使得空穴从空穴传输层20迁移至量子点发光层30时会经过一个梯度的能级结构，使空穴注入得到缓冲，有利于空穴注入，从而有利于电子与空穴的平衡，提高器件效率及寿命。
在本发明的一些实施例中，形成层叠设置的阳极10、空穴传输层20、量子点发光层30、电子传输层40和阴极50的步骤可以包括：
提供衬底基板70，在衬底基板70上依次形成阳极10、空穴传输层20、量子点发光层30、电子传输层40和阴极50；或者，提供衬底基板70，在衬底基板70上依次形成阴极50、电子传输层40、量子点发光层30、空穴传输层20和阳极10。也即是，可以通过不同的工艺顺序制备量子点发光器件，比如，在一些实施例中，先提供衬底基板70，然后在衬底基板70上依次形成阳极10、空穴传输层20、量子点发光层30、电子传输层40和阴极50；或者，在另一些实施例中，可以先提供衬底基板70，然后在衬底基板70上依次形成阴极50、电子传输层40、量子点发光层30、空穴传输层20和阳极10，在实际过程中，便于根据实际需要选择不同的制备方法。
其中，使用衬底基板70之前，可以先清洗以及干燥衬底基板70，衬底基板70可以为透明状，比如可以为透明玻璃。阳极10可以为氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)，通过阳极10可以产生空穴。可以分别通过旋涂工艺形成空穴传输层20、量子点发光层30和电子传输层40，电子传输层40可以为ZnO纳米颗粒材料层；可以通过蒸镀来形成阴极50，阴极50可采用Al材料层，阴极50的厚度可以为500-1000nm，蒸镀形成阴极50之后可以进行封装。另外，形成空穴传输层20、量子点发光层30、电子传输层40和阴极50均可使用喷墨打印方式进行制备，还可以根据需要选择其他的工艺。
在本发明的实施例中，形成层叠设置的阳极10、空穴传输层20、量子点发光层30、电子传输层40和阴极50的步骤可以包括：
依次形成层叠设置的阳极10、空穴注入层60、空穴传输层20、量子点发光层30、电子传输层40和阴极50；或者，依次形成层叠设置的阴极50、电子传输层40、量子点发光层30、空穴传输层20、空穴注入层60和阳极10，根据不同的制备方法在阳极10和空穴传输层20之间形成空穴注入层60，有利于空穴经过空穴注入层60和空穴传输层20迁移至量子点发光层30。其中，可以采用旋涂工艺制备空穴注入层60，空穴注入层60可以为PEDOT(3，4-乙烯二氧噻吩单体的聚合物)：PSS(聚苯乙烯磺酸盐)空穴注入材料。
在一些实施例中，第一量子点和第二量子点可以被配置为发射出相同波长范围的光。第一量子点的直径尺寸可以为1-10nm，第二量子点的直径尺寸可以为1-10nm，具体尺寸可以根据实际需要合理选择。空穴注入层60、量子点发光层30、电子传输层40和阴极50均可使用喷墨打印方式进行制备，还可以根据需要选择其他的工艺。
在本发明的一些实施例中，第一量子点和第二量子点分别包括CdS/ZnS量子点、CdSe/ZnS量子点、CdS/ZnSe量子点、CdSe/ZnSe量子点、InP/ZnS量子点、PbS/ZnS量子点、CsPbCl3/ZnS量子点或CsPbBr3/ZnSe量子点中的一个或多个。比如，第一量子点为CdS/ZnS量子点，第二量子点为CdSe/ZnS量子点；第一量子点为CdS/ZnSe量子点，第二量子点为CdSe/ZnS量子点；第一量子点为CdS/ZnS量子点，第二量子点为CdSe/ZnSe量子点；第一量子点为CdS/ZnS量子点，第二量子点为CdS/ZnS量子点；第一量子点为InP/ZnS量子点，第二量子点为InP/ZnS量子点；第一量子点为PbS/ZnS量子点，第二量子点为CdS/ZnSe量子点；第一量子点为CsPbCl3/ZnS量子点，第二量子点为CsPbBr3/ZnSe量子点，第一量子点和第二量子点可以根据实际需要合理选择。
在本发明的另一些实施例中，量子点发光层30中的第一量子点上可以带有阳离子表面活性剂，通过阳离子表面活性剂使得量子点发光层30中的第一量子点上可以带有正电荷，量子点发光层30中的第二量子点上可以带有阴离子表面活性剂，通过阴离子表面活性剂使得量子点发光层30中的第二量子点上可以带有负电荷，通过离子表面活性剂使得第一量子点和第二量子点带电，易于实现，离子表面活性剂易于清洗，通过正电荷和负电荷使得第一量子点和第二量子点吸引在一起。
本发明实施例提供一种显示装置，显示装置包括如上述实施例中所述的量子点发光器件。本发明的显示装置具有量子点发光器件，能够提高器件的效率，延长器件的寿命，进而提高显示装置的效率和寿命。
除非另作定义，本发明中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (15)
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：
层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述量子点发光层包括异质二聚体量子点，所述异质二聚体量子点包括带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点，所述第一量子点和所述第二量子点的禁带宽度相同且导带价带的位置不同。
2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，还包括衬底基板，沿远离所述衬底基板的方向，所述阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极依次层叠设置在所述衬底基板上；
或者，沿远离所述衬底基板的方向，所述阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极依次层叠设置在所述衬底基板上。
3.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一量子点和所述第二量子点被配置为发射出相同波长范围的光。
4.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，还包括：
空穴注入层，设置于所述阳极与所述空穴传输层之间。
5.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一量子点和所述第二量子点分别包括CdS/ZnS量子点、CdSe/ZnS量子点、CdS/ZnSe量子点、CdSe/ZnSe量子点、InP/ZnS量子点、PbS/ZnS量子点、CsPbCl3/ZnS量子点或CsPbBr3/ZnSe量子点中的一个或多个。
6.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光层中的所述第一量子点上带有阳离子表面活性剂，所述量子点发光层中的所述第二量子点上带有阴离子表面活性剂。
7.一种异质二聚体量子点的制备方法，其特征在于，包括：
获取第一量子点和第二量子点，所述第一量子点和所述第二量子点的禁带宽度相同且导带价带的位置不同；
所述第一量子点带上正电荷，所述第二量子点带上负电荷；
将带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点混合，得到异质二聚体量子点。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一量子点带上正电荷，所述第二量子点带上负电荷，包括：
形成所述第一量子点的胶体，并在所述第一量子点的胶体中加入阳离子表面活性剂，得到带有正电荷的所述第一量子点；
形成所述第二量子点的胶体，并在所述第二量子点的胶体中加入阴离子表面活性剂，得到带有负电荷的所述第二量子点。
9.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
形成层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述量子点发光层包括异质二聚体量子点，所述异质二聚体量子点包括带有正电荷的第一量子点和带有负电荷的第二量子点，所述第一量子点和所述第二量子点的禁带宽度相同且导带价带的位置不同。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述形成层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极的步骤包括：
提供衬底基板，在所述衬底基板上依次形成阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；或者，
提供衬底基板，在所述衬底基板上依次形成阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极。
11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一量子点和所述第二量子点被配置为发射出相同波长范围的光。
12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述形成层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极的步骤包括：
依次形成层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；或者，
依次形成层叠设置的阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。
13.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一量子点和所述第二量子点分别包括CdS/ZnS量子点、CdSe/ZnS量子点、CdS/ZnSe量子点、CdSe/ZnSe量子点、InP/ZnS量子点、PbS/ZnS量子点、CsPbCl3/ZnS量子点或CsPbBr3/ZnSe量子点中的一个或多个。
14.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层中的所述第一量子点上带有阳离子表面活性剂，所述量子点发光层中的所述第二量子点上带有阴离子表面活性剂。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的量子点发光器件。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116171312A (zh) * | 2021-09-24 | 2023-05-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点膜层、量子点发光器件及其制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101834277A (zh) * | 2009-02-23 | 2010-09-15 | 三星电子株式会社 | 具有量子点多层的量子点发光器件及其形成方法 |
| CN106816539A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-06-09 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 量子点发光二极管装置及其制造方法 |
| CN107833976A (zh) * | 2017-10-24 | 2018-03-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Qled器件的制作方法及qled器件 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1989745A1 (en) | 2006-02-17 | 2008-11-12 | Solexant Corporation | Nanostructured electroluminescent device and display |
| WO2007123998A2 (en) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting devices |
| CN101884620B (zh) * | 2010-05-28 | 2012-12-05 | 同济大学 | 负载量子点的活性炭颗粒及其制备方法和用途 |
| US20120132891A1 (en) * | 2010-07-14 | 2012-05-31 | University Of Utah Research Foundation | Precision quantum dot clusters |
| KR101724032B1 (ko) | 2015-05-27 | 2017-04-07 | 한국과학기술연구원 | 다색 양자점 패턴의 형성 방법 및 그 방법에 따라 형성된 다색 양자점 패턴, 양자점 발광소자 |
| CN105316697B (zh) * | 2015-12-09 | 2017-07-04 | 青岛大学 | 一种固态碳量子点的制备方法 |
| SG11202002561SA (en) * | 2017-10-13 | 2020-04-29 | 10644137 Canada Inc | Multiple-layer quantum-dot led and method of fabricating same |
| KR102618343B1 (ko) * | 2018-08-14 | 2023-12-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 양자점 발광소자 |
| EP3613826B1 (en) * | 2018-08-24 | 2022-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device and display device including the same |
| US20220115613A1 (en) * | 2019-04-12 | 2022-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting element, display device, and method of manufacturing light-emitting element |
| US11271190B2 (en) * | 2019-04-26 | 2022-03-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device and display device including the same |
| WO2020245924A1 (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光デバイス |
| US20220359845A1 (en) * | 2019-07-04 | 2022-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing light-emitting element |
| WO2021059472A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| WO2021100104A1 (ja) * | 2019-11-19 | 2021-05-27 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光デバイス |
| US11818943B2 (en) * | 2020-06-25 | 2023-11-14 | Novocure Gmbh | Fabricating organic light emitting diodes (OLEDs) using tubulin |
| US11730008B2 (en) * | 2021-02-16 | 2023-08-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting layer including quantum dots with improved charge carrier mobility |
-
2020
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-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101834277A (zh) * | 2009-02-23 | 2010-09-15 | 三星电子株式会社 | 具有量子点多层的量子点发光器件及其形成方法 |
| CN106816539A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-06-09 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 量子点发光二极管装置及其制造方法 |
| CN107833976A (zh) * | 2017-10-24 | 2018-03-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Qled器件的制作方法及qled器件 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116171312A (zh) * | 2021-09-24 | 2023-05-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点膜层、量子点发光器件及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220006033A1 (en) | 2022-01-06 |
| WO2021170044A1 (zh) | 2021-09-02 |
| US12082432B2 (en) | 2024-09-03 |
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| GR01 | Patent grant | ||
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