CN112614951A - 混合物、发光器件及其制备方法、以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种混合物、发光器件及其制备方法、以及显示装置。其中，所述混合物用于制备发光器件的空穴传输层，所述混合物包括空穴传输材料和光引发剂。通过引入光引发剂，并与空穴传输材料进行光交联反应，制备得到了溶剂稳定的空穴传输层，从而使制备发光层时不会对空穴传输层溶解破坏，进而使最终制得的发光器件的性能较好。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置技术领域，特别涉及一种混合物、发光器件及其制备方法、以及显示装置。
背景技术
发光器件应用广泛，以量子点发光二极管(QLED)为例，量子点发光二极管(QLED)具有出射光颜色饱和，波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高。在QLED器件制备过程中，各功能层形貌均匀，界面清晰不互相渗透是保证器件高性能的必须条件。目前QLED器件中量子点发光层只能通过溶液法来沉积，且采用全溶液法(包括旋涂、喷墨打印等)来制备QLED器件能够显著地简化器件的制备过程，降低生产成本，但在全溶液法制备QLED器件中，各相邻功能层的溶剂正交才能保证在制备上层功能层时不对下层功能层溶解破坏。
在QLED器件结构中，量子点发光层一般沉积在空穴传输层上，而芳香烃，如甲苯、氯苯等为量子点的良性溶剂，由其制备的量子点薄膜较佳，但是，芳香烃通常也是空穴传输层的良性溶剂，因此，在沉积量子点发光层时，容易对下层的空穴传输层造成溶解破坏，使QLED器件的性能较低。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种混合物、发光器件及其制备方法、以及显示装置，旨在解决现有制备量子点发光层时会对空穴传输层造成溶解破坏的问题。
为实现上述目的，本发明提出一种混合物，所述混合物包括空穴传输材料和光引发剂。
可选地，所述光引发剂包括α，α′—双(叔丁过氧基)二异丙苯。
可选地，所述空穴传输材料包括聚(茚并芴-三苯胺)聚合物及其衍生物和TFB中的至少一种
可选地，所述空穴传输材料与所述光引发剂的质量比为20：1～1：1。
可选地，所述空穴传输材料与所述光引发剂的质量比为12：1～8：1。
进一步地，本发明还提出一种发光器件，包括空穴传输层，所述空穴传输层的材质包括如上所述的混合物。
可选地，所述发光器件包括量子点发光二极管。
本发明还提出一种如上所述的发光器件的制备方法，包括以下步骤：
将光引发剂溶解于第一有机溶剂中，得到溶液A；
将空穴传输材料溶解于第二有机溶剂中，得到溶液B；
将所述溶液A和所述溶液B混合，得到混合溶液；
涂设所述混合溶液，在光照作用下使所述光引发剂和空穴传输材料发生光交联反应，在保护气体的保护下进行干燥，形成空穴传输薄膜。
可选地，所述第一有机溶剂包括氯苯；和/或，
所述第二有机溶剂包括氯苯；和/或，
所述光照包括紫外光照射；和/或，
所述干燥的干燥温度为100～130℃，干燥时间为5～30min。
此外，本发明还提出一种显示装置，包括如上所述的发光器件。
本发明提供的技术方案中，混合物包括空穴传输材料和光引发剂，通过引入光引发剂，并与空穴传输材料进行光交联反应，制备得到了溶剂稳定的空穴传输层，从而使制备发光层时不会对空穴传输层溶解破坏，进而使最终制得的发光器件的性能较好。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅为本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明提供的发光器件的一实施例的结构示意图；
图2为本发明实施例1制得的空穴传输层对甲苯的抗溶剂特性测试结果；
图3为本发明对比例1制得的空穴传输层对甲苯的抗溶剂特性测试结果；
图4为本发明实施例1制得的空穴传输层上的量子点发光层的AFM图；
图5为本发明对比例1制得的空穴传输层上的量子点发光层的AFM图。
附图标号说明：
| 标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
| 10 | 衬底 | 50 | 发光层 |
| 20 | 第一电极 | 60 | 电子传输层 |
| 30 | 空穴注入层 | 70 | 第二电极 |
| 40 | 空穴传输层 |
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
本发明提出一种混合物，旨在提供一种用于制备发光器件的空穴传输层的材料，所述混合物包括空穴传输材料和光引发剂。
本发明提供的技术方案中，混合物包括空穴传输材料和光引发剂，通过引入光引发剂，并与空穴传输材料进行光交联反应，制备得到了溶剂稳定的空穴传输层，从而使制备发光层时不会对空穴传输层溶解破坏，进而使最终制得的发光器件的性能较好。
本发明不限制所述光引发剂和空穴传输材料的具体种类，只要所述空穴传输材料具有空穴传输功能，且所述空穴传输材料能与所述光引发剂反应，制备得到溶剂稳定的空穴传输薄膜即可。在本实施例中，所述光引发剂包括聚α，α′—双(叔丁过氧基)二异丙苯中。需要说明的是，α，α′—双(叔丁过氧基)二异丙苯的简称为BP-BP，也叫双BP分子。
进一步地，较优地，所述空穴传输材料包括TFB(2,4,4'-三氟苯甲酮)和聚(茚并芴-三苯胺)聚合物及其衍生物中的至少一种。TFB和聚(茚并芴-三苯胺) 聚合物及其衍生物均为效果较好的空穴传输材料，且具有反应活性大的苄基，更容易与双BP分子反应。具体地，所述TFB的结构如结构式(I)所示，所述聚(茚并芴-三苯胺)聚合物的结构如结构式(II)所示。
在一实施例中，所述光引发剂为BP-BP，空穴传输材料为TFB时，具体反应如下：
在紫外光照下，BP分子会部分跟TFB上的C-H基团反应，尤其和苄基或三级碳上的氢反应，反应后可以形成稳定的自由基，生成的自由基可以通过自由基耦合进行交联反应，BP-BP为BP的双分子结构，BP-BP分子中能够发生交联的官能团为两个苯环之间的酮羰基。由于在TFB分子中存在四种不同的氢质子：分别为位于苯环上的H、位于苄基上的H、位于支链上甲基上的H以及位于支链上亚甲基上的H，每种质子的反应活性不一样，处于支链苄基碳的氢质子由于活性最大，更容易生成稳定的自由基基团，因此BP-BP上的C＝O首先与该处的氢质子进行自由基耦合反应。另外，由于BP-BP分子上存在两个C＝O官能团，理论上一个BP-BP分子可以交联两条TFB分子链。因此在紫外灯照射下，BP-BP分子会和C-H上的H反应并生成两个自由基，两个自由基通过自由基耦合进行交联反应。需要说明的是，此处不限制紫外光的波长，只要是紫外光线(UV)即可。
如此，BP-BP与TFB在紫外光照作用下，进行光交联反应，制备得到溶剂稳定的TFB薄膜，在此基础上，制备发光层，不会对空穴传输层溶解破坏，从而使最终制得的发光器件的性能较好。
为了使所述光引发剂与所述空穴传输材料的反应较为充分，在本实施例中，所述空穴传输材料与所述光引发剂的质量比为20：1～1：1。也即，可以为20：1、19：1、12：1、10：1、8：1、1：1。优选为12：1～8：1。
本发明还提出一种发光器件，包括空穴传输层，所述空穴传输层包括如上所述的混合物。
本发明对所述发光器件的具体种类不做限制，可以为量子点发光二极管(QLED)，可以为有机发光二极管(OLED)。图1为本发明提供的发光器件的一实施例的结构示意图。请参阅图1，所述发光器件包括从下往上依次设置的衬底10、第一电极20、空穴注入层30、空穴传输层40、发光层50、电子传输层60及第二电极70，具体地，在本发明实施例中，第一电极为阳极，第二电极为阴极。优选地，所述发光器件为量子点发光二极管，对应的，所述量子点发光二极管包括从下往上依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极。
本发明对所述衬底的具体材质不做限制，可以为刚性衬底，可以为柔性衬底。其中，刚性衬底可以为玻璃，柔性衬底可以为PI膜。
所述阳极可以为常用的阳极材料，如ITO(掺锡氧化铟)，IZO(氧化铟锌)，Au等高功函数金属及金属氧化物。
所述空穴注入层可以为PEDOT:PSS，NiOx，WO3，CuPc(聚酯碳酸)， HATCN(hexaazatriphenylene hexacarbonitrile)，m-MTDATA(4,4',4'-三(N-3- 甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)，F4-TCQN(C12N4F4)、MoO3中的任意一种。其中，PEDOT:PSS是一种高分子聚合物的水溶液，其由PEDOT和PSS两种物质构成，PEDOT是EDOT(3，4-乙撑二氧噻吩单体)的聚合物，PSS是聚苯乙烯磺酸盐，这两种物质在一起极大的提高了PEDOT的溶解性。
所述空穴传输层的材质为本发明如上所述的混合物。所述混合物包括光引发剂和空穴传输材料。其中，所述空穴传输材料包括聚(茚并芴-三苯胺)聚合物及其衍生物和TFB中的至少一种，所述光引发剂包括α，α′—双(叔丁过氧基)二异丙苯(BP-BP)。将光引发剂和空穴传输材料按20:1～1:1的比例混合，再通过旋涂或者喷墨打印沉积在空穴注入层上时，进行紫外光(UV)处理，会发生光交联反应，形成溶剂稳定的空穴传输层，再在上制备量子点发光层，不会溶解破坏空穴传输层。
需要说明的是，本发明上述提供的混合物可以作为用以制作空穴传输层的材料使用，既可以单独制备形成空穴传输层，也可以与其他材料共同制备形成空穴传输层。
所述量子点发光层的材质包括Ⅱ-Ⅵ族化合物、Ⅲ-Ⅴ族化合物、Ⅱ-Ⅴ族化合物、Ⅲ-Ⅵ族化合物、Ⅳ-Ⅵ族化合物、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物、Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ族化合物或Ⅳ族单质中的一种或多种，采用核壳结构材料，核材料包括但不仅限于CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、 CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、 CdZnSeSTe、InP、InAs、InAsP中的至少一种，还可以包括其他材料；壳材料包括但不仅限于CdS、ZnSe、ZnS、CdSeS和ZnSeS中的至少一种，还可以包括其他材料。
所述电子传输层包括ZnO、BaO、TiO2中的任意一种。。
所述阴极可以为Al，Ag，MgAg合金等。
本发明还提出一种如上所述的发光器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤S10、将光引发剂溶解于第一有机溶剂中，得到溶液A；
所述光引发剂包括BP-BP。其中，BP-BP可以购买所得，也可以为自己制备得到。在一实施例中，合成BP-BP分子的步骤为：将12mg的3-苯甲酰苯甲酸溶解于40ml二氯甲烷和10ml乙醚的混合溶剂中，并在氮气环境下剧烈搅拌得溶液E。随后，将12mg的4-吡咯烷基吡啶和12mg的二环己基碳二亚胺溶解在10ml的二氯甲烷中得溶液F。将溶液F用恒压滴液漏斗逐滴滴入溶液E中，滴加完全后，将混合溶液搅拌15min。随后加入6ml的乙二醇，并将溶液在30℃下搅拌4h后逆流12h。冷却过后的滤液依次通过水、5％的乙二酸溶液、水、氯化钠的饱和水溶液进行清洗，然后在真空干燥箱中去除残留溶剂。最后将产物在乙醇/乙酸乙酯比为3:1的混合溶剂中进行重结晶，并将产物在真空干燥箱中烘干得所需产物，产物为白色絮状物，即BP-BP。在使用前，需要重新在真空干燥烘箱中处理8h。
本发明对所述第一有机溶剂的具体种类不做限制，可以为氯苯、甲苯或乙醇，优选为氯苯。此外，本发明不限制所述氯苯的浓度，只要最终满足所述空穴传输材料与所述光引发剂的质量比即可，在本实施例中，浓度为 8mg/mL。如此，将上述制备好的BP-BP溶解于氯苯中，得到BP-BP溶液，且浓度为8mg/L，即为溶液A。
步骤S20、将空穴传输材料溶解于第二有机溶剂中，得到溶液B；
所述空穴传输材料包括聚(茚并芴-三苯胺)聚合物及其衍生物和TFB中的至少一种。本发明对所述第二有机溶剂的具体种类不做限制，可以为氯苯、甲苯或乙醇，优选为氯苯。所述空穴传输材料包括TFB。在一实施例中，将 TFB溶解于氯苯，得到TFB溶液，且浓度为8mg/mL。
需要说明的是，在本发明实施例中，第一溶剂和第二溶剂的选择相互独立，两者可以是相同的，也可以是不同的，本发明对此不做限制。此外，步骤S10和步骤S20之间没有先后顺序，也即，可以先制备溶液A，也可以先制备溶液B。
步骤S30、将所述溶液A和所述溶液B混合，得到混合溶液。
步骤S40、涂设所述混合溶液，在光照作用下使所述光引发剂和空穴传输材料发生光交联反应，在保护气体的保护下进行干燥，形成空穴传输薄膜；
本发明对光照的具体条件不做限制，只要可以使所述空穴传输材料和所述光引发剂发生光交联反应，形成稳定的空穴传输层即可。优选地，所述光照为紫外光照射。所述保护其他优选为氮气和惰性气体中的任意一种。
进一步地，在光交联反应之后，需要进行干燥处理以将所述空穴传输层多余的溶剂去除，为了使制备的空穴传输层的成膜均匀，粗糙度低，所述干燥的干燥温度为100～130℃，干燥时间为5～30min，其具体干燥温度和干燥时间根据制备空穴传输层的具体材料而定。在一实施例中，将混合溶液通过旋涂于空穴注入层上，UV处理(365nm)2min后，静置5min，再在氮气氛围下 100℃烘烤5min去除多余的溶剂，即可得到稳定的空穴传输层，厚度为25nm。
此外，所述混合溶液可以为旋涂、喷墨打印等方式涂设于空穴注入层。
此外，本发明进一步提出一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的发光器件。所述发光器件优选为QLED器件，所述QLED器件的空穴传输层的材质包括混合物，所述混合物的具体组成参照上述实施例，由于本发明显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
以下结合具体实施例和附图对本发明的技术方案作进一步详细说明，应当理解，以下实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
(1)在玻璃衬底制备ITO阳极，将PEDOT:PSS旋涂于阳极上，干燥成膜后，150℃退火20min，制成厚度为65nm的空穴注入层；
(2)将BP-BP溶解于氯苯中，得到8mg/mL的BP-BP溶液；
(3)将TFB溶解于氯苯中，得到8mg/mL的TFB溶液；
(4)将上述TFB溶液与BP-BP溶液按10:1(TFB：BP-BP)混合，得到混合溶液；
(5)将上述混合溶液涂设于空穴注入层上，然后在紫外光(365nm)处理2min后，静置5min，再在氮气氛围下100℃烘烤5min，得到厚度为25nm 的空穴传输层；
(6)将CdSe@ZnS绿色量子点墨水通过旋涂于空穴传输层上，真空干燥成膜后，100℃退火10min，得到厚度为15nm的量子点发光层；
(7)将ZnO墨水通过旋涂于量子点发光层上，真空干燥成膜后，120℃退火15min，得到厚度为40nm的电子传输层；
(8)将Al蒸镀于电子传输层上，形成厚度为150nm的阴极；
(9)封装，得到量子点发光二极管。
实施例2
(1)在玻璃衬底制备ITO阳极，将PEDOT:PSS旋涂于阳极上，干燥成膜后，150℃退火20min，制成厚度为65nm的空穴注入层；
(2)将BP-BP溶解于氯苯中，得到7mg/mL的BP-BP溶液；
(3)将聚(茚并芴-三苯胺)聚合物溶解于氯苯中，得到7mg/mL的溶液B；
(4)将上述溶液B与BP-BP溶液按8:1(聚(茚并芴-三苯胺)聚合物： BP-BP)混合，得到混合溶液；
(5)将上述混合溶液涂设于空穴注入层上，然后在紫外光(300nm)处理2min后，静置5min，再在氦气氛围下150℃烘烤10min，得到厚度为40nm 的空穴传输层；
(6)将CdSe@ZnS绿色量子点墨水通过旋涂于空穴传输层上，真空干燥成膜后，100℃退火10min，得到厚度为15nm的量子点发光层；
(7)将ZnO墨水通过旋涂于量子点发光层上，真空干燥成膜后，120℃退火15min，得到厚度为40nm的电子传输层；
(8)将Al蒸镀于电子传输层上，形成厚度为150nm的阴极；
(9)封装，得到量子点发光二极管。
实施例3
(1)在玻璃衬底制备ITO阳极，将PEDOT:PSS旋涂于阳极上，干燥成膜后，150℃退火20min，制成厚度为65nm的空穴注入层；
(2)将BP-BP溶解于氯苯中，得到9mg/mL的BP-BP溶液；
(3)将聚(茚并芴-三苯胺)聚合物的衍生物溶解于氯苯中，得到9mg/mL 的溶液C；
(4)将上述溶液C与BP-BP溶液按20:1(聚(茚并芴-三苯胺)聚合物： BP-BP)混合，得到混合溶液；
(5)将上述混合溶液涂设于空穴注入层上，然后在紫外光(350nm)处理2min后，静置5min，再在氦气氛围下130℃烘烤15min，得到厚度为20nm 的空穴传输层；
(6)将CdSe@ZnS绿色量子点墨水通过旋涂于空穴传输层上，真空干燥成膜后，100℃退火10min，得到厚度为15nm的量子点发光层；
(7)将ZnO墨水通过旋涂于量子点发光层上，真空干燥成膜后，120℃退火15min，得到厚度为40nm的电子传输层；
(8)将Al蒸镀于电子传输层上，形成厚度为150nm的阴极；
(9)封装，得到量子点发光二极管。
实施例4
(1)在玻璃衬底制备ITO阳极，将PEDOT:PSS旋涂于阳极上，干燥成膜后，150℃退火20min，制成厚度为65nm的空穴注入层；
(2)将BP-BP溶解于氯苯中，得到8mg/mL的BP-BP溶液；
(3)将TFB和聚(茚并芴-三苯胺)聚合物溶解于氯苯中，得到8mg/mL的溶液C；
(4)将上述溶液C与BP-BP溶液按1:1(TFB和聚(茚并芴-三苯胺)聚合物：BP-BP)混合，得到混合溶液；
(5)将上述混合溶液涂设于空穴注入层上，然后在紫外光(365nm)处理2min后，静置5min，再在氦气氛围下110℃烘烤30min，得到厚度为25nm 的空穴传输层；
(6)将CdSe@ZnS绿色量子点墨水通过旋涂于空穴传输层上，真空干燥成膜后，100℃退火10min，得到厚度为15nm的量子点发光层；
(7)将ZnO墨水通过旋涂于量子点发光层上，真空干燥成膜后，120℃退火15min，得到厚度为40nm的电子传输层；
(8)将Al蒸镀于电子传输层上，形成厚度为150nm的阴极；
(9)封装，得到量子点发光二极管。
对比例1
(1)在玻璃衬底制备ITO阳极，将PEDOT:PSS旋涂于阳极上，干燥成膜后，150℃退火20min，制成厚度为65nm的空穴注入层；
(2)将TFB溶液通过旋涂于空穴传输层上，200℃退火30min，厚度为 25nm；
(3)将CdSe@ZnS绿色量子点墨水通过旋涂于空穴传输层上，真空干燥成膜后，100℃退火10min，得到厚度为15nm的量子点发光层；
(4)将ZnO墨水通过旋涂于量子点发光层上，真空干燥成膜后，120℃退火15min，得到厚度为40nm的电子传输层；
(5)将Al蒸镀于电子传输层上，形成厚度为150nm的阴极；
(6)封装，得到量子点发光二极管。
(一)分别测试实施例1和对比例1制得的空穴传输层对甲苯的抗溶剂特性，结果如图2(实施例1)和图3(对比例1)所示：
由图2和图3可以看出，实施例1制备的空穴传输层(经过光交联反应的TFB薄膜)在经过甲苯旋涂后吸收强度没有降低，而对比例1制备的空穴传输层(未经过交联的纯TFB薄膜)在经过甲苯旋涂后吸收强度大幅度衰减 (reference为没有经过甲苯旋涂的参比样)。由此可以看出，本发明实施例1 制备的空穴传输层具有良好的抗甲苯溶剂特性。
(二)分别测试了实施例1和对比例1制得的空穴传输层上的量子点发光层的AFM(原子力显微镜)图，结果如图4(实施例1)和图5(对比例1) 所示：
由图4和图5可以得出，实施例1制得的量子点发光层的Rq(粗糙度) 为1.31rm，而对比例1制得的量子点发光层的Rq(粗糙度)为1.78rm。由此，可以看出，量子点发光层在本发明制备的空穴传输层上的成膜均匀，粗糙度低。
(三)分别对实施例1和对比例1制得的量子点发光二极管(QLED器件)进行性能测试，其结果如表1(表1中，寿命为恒电流情况下，从1000nit 下降至95％的亮度所用的时间)所示：
表1性能测试结果
由表1中的测试结果可以看出，本发明实施例1制得的QLED器件比对比例1制得的QLED器件具有更好的电流效率和最大外量子效率以及更长的寿命。
由于实施例2至4与实施例1的原理等相似，因此其制得的空穴传输层以及QLED器件的效果也与实施例1差不多，均比对比例1制得的QLED器件的效果较好，在此不做赘述。
综上所述，本发明提供的混合物制得的空穴传输层，在空穴传输层上制备量子点发光层时所用的量子点溶剂对其无影响，同时制备的量子点发光层成膜均匀，粗糙程度小，且最终制得的QLED器件的性能较好。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种混合物，其特征在于，所述混合物包括空穴传输材料和光引发剂。
2.如权利要求1所述的混合物，其特征在于，所述光引发剂包括α，α′—双(叔丁过氧基)二异丙苯。
3.如权利要求1所述的混合物，其特征在于，所述空穴传输材料包括聚(茚并芴-三苯胺)聚合物及其衍生物和TFB中的至少一种。
4.如权利要求1所述的混合物，其特征在于，所述空穴传输材料与所述光引发剂的质量比为20：1～1：1。
5.如权利要求4所述的混合物，其特征在于，所述空穴传输材料与所述光引发剂的质量比为12：1～8：1。
6.一种发光器件，其特征在于，包括空穴传输层，所述空穴传输层的材料包括如权利要求1至5任意一项所述的混合物。
7.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件包括量子点发光二极管。
8.一种如权利要求6或7所述的发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将光引发剂溶解于第一有机溶剂中，得到溶液A；
将空穴传输材料溶解于第二有机溶剂中，得到溶液B；
将所述溶液A和所述溶液B混合，得到混合溶液；
涂设所述混合溶液，在光照作用下使所述光引发剂和空穴传输材料发生光交联反应，在保护气体的保护下进行干燥，形成空穴传输薄膜。
9.如权利要求8所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一有机溶剂包括氯苯；和/或，
所述第二有机溶剂包括氯苯；和/或，
所述光照包括紫外光照射；和/或，
所述干燥的干燥温度为100～130℃，干燥时间为5～30min。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6或7所述的发光器件。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210406 |