CN113659102B - 一种qled器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种QLED器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供阳极基板；在阳极基板上形成空穴注入层；在空穴注入层上形成空穴传输层；在空穴传输层上喷墨打印量子点墨水，形成量子点层；在量子点层上形成电子传输层；在电子传输层上形成阴极层；其中，空穴传输层使用交联型材料成膜后进行交联反应形成；量子点墨水的溶剂材料适于溶解未完全交联的交联型材料；形成量子点层的步骤在交联材料的交联度在80％～90％时进行。

Description

一种QLED器件的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种QLED器件的制造方法。
背景技术
QLED(量子点发光二极管)是一种新型的显示技术，具有超薄柔性、宽视角、高对比度、低能耗等特点。喷墨打印技术被认为是制备QLED显示面板的量产制备技术，具有速度快、材料利用率高等特点。
在喷墨打印QLED器件的制备过程中，量子点层的打印尤为重要，打印成膜的均匀性会影响到器件的性能。如果量子点墨水在下层功能层(一般为空穴传输层)上铺展成膜效果不佳，则会严重影响器件性能。
发明内容
因此，本发明提供一种QLED器件的制造方法，以解决量子点墨水铺展效果不佳的问题。
本发明提供一种QLED器件的制造方法，包括以下步骤：提供阳极基板；在阳极基板上形成空穴注入层；在基板上形成空穴传输层；在形成的空穴传输层上喷墨打印量子点墨水，形成量子点层；在量子点层上形成电子传输层；在电子传输层上形成阴极层；其中，空穴传输层使用交联型材料成膜后进行交联反应形成；量子点墨水的溶剂材料适于溶解未完全交联的交联型材料；形成量子点层的步骤在交联型材料的交联度在80％～90％时进行。
可选的，形成量子点层的步骤，在交联反应中交联型材料完全交联的时间点的60％～90％时开始进行。
可选的，交联反应的反应温度为150℃～250℃，交联反应中的交联型材料的完全交联时间为15min～90min。
可选的，形成量子点层的步骤中在交联反应进行至10min～80min时开始进行，反应温度为交联型材料能够发生交联反应的最低反应温度。
可选的，量子点墨水的溶剂材料适于溶解未发生交联反应的所述交联型材料。
可选的，量子点材料为镉基量子点材料、含InP量子点材料、钙钛矿量子点材料。。
本发明技术方案，具有如下优点：
1.本发明提供的QLED器件的制造方法，由于量子点墨水在交联反应未完全进行完成，即交联型材料交联度未达100％时开始进行量子点层的打印，使得量子点墨水能够一定程度上溶解少量的交联型材料，如此可以有效的提升量子点层本身与空穴传输层之间的亲和性，使得量子点层能够更好的实现铺展。此外，由于量子点层中混入少量的空穴传输层材料，一定程度上提高了向量子点层注入空穴的能力，可一定程度上提高量子点层中的电子空穴复合程度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的QLED器件的制造方法一实施例的流程示意图；
图2～图4为本发明的QLED器件的制造方法一实施例中空穴传输层在交联反应经过不同时间后使用溶剂润洗后和未经过润洗的紫外吸收光谱对比图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
本实施例提供一种QLED器件的制造方法，包括以下步骤：
提供阳极基板；
在阳极基板上形成空穴注入层；
在基板上形成空穴传输层；
在形成的空穴传输层上喷墨打印量子点墨水，形成量子点层；
在量子点层上形成电子传输层；
在电子传输层上形成阴极层；
其中，
空穴传输层使用交联型材料进行交联反应后形成；量子点墨水的溶剂材料适于溶解未完全交联的交联型材料；形成量子点层的步骤在交联型材料的交联度在80％～90％时进行。
交联度是指，发生交联反应后已完成交联的交联型材料的质量占全部交联型材料的质量的百分比。
进一步的，形成量子点层的步骤，在交联反应中交联型材料完全交联的时间点的60％～90％时开始进行。
交联型材料发生交联反应的反应温度为150℃～250℃，在此温度范围内，交联反应中的交联型材料的完全交联时间为15min～90min。
形成量子点层的步骤中在所述交联反应进行至10min～80min时开始进行，反应温度为所选择的交联型材料能够发生交联反应的最低反应温度。
量子点墨水的量子点墨水的溶剂材料适于溶解未发生交联反应的交联型材料。
量子点墨水中的量子点材料包括：镉基量子点材料、含InP量子点材料、钙钛矿量子点材料。
在一个具体的实施例中，交联反应的反应温度为200℃，交联反应中的交联型材料的完全交联时间为45min。
形成量子点层的步骤中在交联反应进行至30min时开始进行，反应温度为200℃。
为了进一步说明，在交联反应的不同时间点对使用交联型材料成膜后的空穴传输层进行交联反应中的各个时间点进行溶剂润洗，再检测其中不同时间点的空穴传输层的紫外吸收光谱。其中润洗液使用包含氯苯的溶液。需说明的是，润洗仅仅为检测说明使用，实际制造过程中不包含润洗步骤。
图2～图4为本实施例中空穴传输层在交联反应经过不同时间后使用溶剂润洗后和未经过润洗的紫外吸收光谱对比图。具体的，
图2为交联反应未开始时使用溶剂润洗前和润洗后的紫外吸收光谱对比图；
图3为交联反应完全结束后使用溶剂润洗前和润洗后的紫外吸收光谱对比图；
图4为开始形成量子点层的时间点，空穴传输层使用溶剂润洗前和润洗后的紫外吸收光谱对比图。
如图2所示，润洗后与润洗前发生很大偏移，因此时未进行交联反应，材料成膜但未交联，易溶于溶剂，在润洗中发生较大损失，因此紫外光谱吸收强度大幅下降。
如图3所示，润洗后与润洗前几乎没有变化，因此时交联反应已进行完成(在本实施例中为进行45min)，空穴传输层的材料完全交联，抗溶剂性能极强，不会在润洗中被洗液带走而造成损失，因此紫外光谱吸收强度几乎没有变化。
如图4所示，润洗后与润洗前发生偏移，但偏移程度很小。因此时交联反应已进行过半，但未完全交联(本实施例中为进行30min)，大部分交联型材料已完成交联，不会被洗液带走；而少部分交联型材料仍未完成交联，会溶于溶剂，因此造成空穴传输层本身的交联型材料有少量的减少，造成紫外吸收光谱的下降偏移。
在此状态下，开始喷墨打印量子点墨水，以形成量子点层。在形成量子点层的过程中，由于量子点墨水在交联反应未完全进行完成，即交联型材料交联度未达100％时开始进行，使得量子点墨水能够一定程度上溶解少量的交联型材料，如此可以有效的提升量子点层本身与空穴传输层之间的亲和性，使得量子点层能够更好的实现铺展。此外，由于量子点层中混入少量的空穴传输层材料，一定程度上提高了向量子点层注入空穴的能力，可一定程度上提高量子点层中的电子空穴复合程度。
本发明已通过实施例说明如上，相信本领域技术人员已可通过上述实施例了解本发明。显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (6)

1.一种QLED器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供阳极基板；
在所述阳极基板上形成空穴注入层；
在所述空穴注入层上形成空穴传输层；
在所述空穴传输层上喷墨打印量子点墨水，形成量子点层；
在所述量子点层上形成电子传输层；
在所述电子传输层上形成阴极层；
其中，
所述空穴传输层使用交联型材料成膜后进行交联反应形成；所述量子点墨水的溶剂材料适于溶解完成交联反应前的所述交联型材料；所述形成量子点层的步骤在所述交联型材料的交联度在80％～90％时进行。
2.根据权利要求1所述的QLED器件的制造方法，其特征在于，
所述形成量子点层的步骤，在所述交联反应中所述交联型材料完全交联的时间点的60％～90％时开始进行。
3.根据权利要求2所述的QLED器件的制造方法，其特征在于，
所述交联型材料发生所述交联反应的反应温度为150℃～250℃，所述交联反应中的所述交联型材料的完全交联时间为15min～90min。
4.根据权利要求3所述的QLED器件的制造方法，其特征在于，
所述形成量子点层的步骤中在所述交联反应进行至10min～80min时开始进行，反应温度为所述交联型材料能够发生交联反应的最低反应温度。
5.根据权利要求3所述的QLED器件的制造方法，其特征在于，
所述量子点墨水的溶剂材料适于溶解未发生交联反应的所述交联型材料。
6.根据权利要求5所述的QLED器件的制造方法，其特征在于，
所述量子点墨水中的量子点材料包括：镉基量子点材料、含InP量子点材料、钙钛矿量子点材料。
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