CN105304832B - 电致发光器件的制备方法 - Google Patents

电致发光器件的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105304832B
CN105304832B CN201510732963.5A CN201510732963A CN105304832B CN 105304832 B CN105304832 B CN 105304832B CN 201510732963 A CN201510732963 A CN 201510732963A CN 105304832 B CN105304832 B CN 105304832B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode
functional film
film layer
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510732963.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105304832A (zh
Inventor
周凯锋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201510732963.5A priority Critical patent/CN105304832B/zh
Priority to US14/908,118 priority patent/US9899597B2/en
Priority to PCT/CN2016/071479 priority patent/WO2017075914A1/zh
Publication of CN105304832A publication Critical patent/CN105304832A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105304832B publication Critical patent/CN105304832B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/125—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using electrolytic deposition e.g. in-situ electropolymerisation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/821—Patterning of a layer by embossing, e.g. stamping to form trenches in an insulating layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：提供第一电极；在所述第一电极上电沉积第一载流子注入层，形成第一电极组件；采用多次转印的方法在所述第一电极组件上制作依次层叠的多个功能膜层，每一次所述转印的方法对应制作一个所述功能膜层；以及在距离所述第一载流子注入层最远的所述功能膜层上设置第二电极。所述制备方法可制造多层功能膜层的电致发光器件，且材料利用率高，成本低廉。

Description

电致发光器件的制备方法
技术领域
本发明涉及电子器件领域，尤其涉及一种电致发光器件的制备方法。
背景技术
电致发光器件是将电能转化为光能的一类电子器件，电致发光器件的典型结构通常是透明基板上依次设置透明阳极、发光层和阴极。为了提高电致发光器件的发光效率以及降低电致发光器件的开启电压，现有技术中通常在电极和发光层之间加入其他各种功能膜层，例如，电极表面修饰层、载流子注入层、载流子传输层、阻挡层以及缓冲层等，载流子注入层通常是电子注入层或空穴注入层，载流子传输层则通常是电子传输层或空穴传输层。随着各种功能膜层的增加，电致发光器件的制备难度增大，成本增高。
现有技术中，电致发光器件尤其是有机电致发光器件通常采用干法和湿法制作。干法如蒸镀、溅镀等容易实现多层器件结构，获得较佳的器件性能，但是需要精细掩膜和高真空设备，且材料利用率低，会浪费大量材料，导致制作成本居高不下；湿法如电化学沉积法、旋涂法和喷墨打印法等制备工艺简单，材料利用率高，易于连续生产，但是难以制备多层器件结构，器件发光效率较低。其中，电化学沉积技术是利用具有电化学活性的有机分子在电极/溶液接触界面发生的氧化或还原偶联反应形成聚合物薄膜的方法，其特点是工艺简单、成本低廉；薄膜的形貌、厚度、聚集态结构等性质可以通过对电沉积方法及条件的选择精确调控，重要的是电沉积技术可以一步完成有机聚合物分子的合成和定向沉积成膜。现有的电化学沉积技术中，通常是在电致发光器件的阳极上直接电沉积功能膜层，然而，由于电沉积了第一层功能膜层后，第二层功能膜层与阳极难以接触，因而难以形成良好的电沉积膜层，难以制得多层功能膜层的电致发光器件，从而导致电致发光器件发光效率低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种电致发光器件的制备方法，所述制备方法可制造多层功能膜层的电致发光器件，且材料利用率高，成本低廉。
为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
本发明提供一种电致发光器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
提供第一电极；
在所述第一电极上电沉积第一载流子注入层，形成第一电极组件；
采用多次转印的方法在所述第一电极组件上制作依次层叠的多个功能膜层，每一次所述转印的方法对应制作一个所述功能膜层，所述转印的方法包括如下步骤：
提供模板电极；
在所述模板电极上设置牺牲层；
在所述牺牲层上电沉积所述功能膜层；
将带有所述功能膜层的模板电极贴合于所述第一电极组件的设置有所述第一载流子注入层的一侧，所述功能膜层朝向所述第一载流子注入层，形成一中间组件；及
将所述中间组件浸入一溶剂中，使所述牺牲层溶解或剥离，将所述模板电极与所述功能膜层分离；及
在距离所述第一载流子注入层最远的所述功能膜层上设置第二电极。
其中，所述牺牲层具有导电性，且所述牺牲层的厚度小于10nm。
其中，所述牺牲层为单分子层。
其中，所述牺牲层的材质为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸。
其中，所述多个功能膜层包括依次层叠于所述第一载流子注入层的第一载流子传输层和发光层。
其中，所述多个功能膜层还包括依次层叠于所述发光层的第二载流子传输层和第二载流子注入层。
其中，所述第一电极为所述电致发光器件的阳极，所述第二电极为所述电致发光器件的阴极，所述第一载流子注入层为空穴注入层，所述第二载流子注入层为电子注入层，所述第二电极设置于所述电子注入层上。
其中，所述第一电极为所述电致发光器件的阴极，所述第二电极为所述电致发光器件的阳极，所述第一载流子注入层为电子注入层，所述第二载流子注入层为空穴注入层，所述第二电极设置于所述空穴注入层上。
其中，所述步骤“在所述牺牲层上电沉积所述功能膜层”具体为：在电解质溶液中安装Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，并将带有所述牺牲层的所述模板电极浸入所述电解质溶液中作为工作电极，并施加工作电压，在牺牲层上电沉积一层所述功能膜层。
其中，所述发光层为三(8-羟基喹啉)铝或聚对苯撑乙烯的衍生物。
与现有技术相比，本发明的技术方案至少具有以下有益效果：本发明的电致发光器件的制备方法中，模板电极上设置有牺牲层，利用模板电极通过电沉积法制备功能膜层后，将功能膜层转移到电致发光器件的第一电极上，通过牺牲层的溶解或剥离分离模板电极，从而重复利用模板电极，再次在模板电极上设置牺牲层，通过电沉积法制备另一功能膜层，如此循环，可制得多层功能膜层的电致发光器件，牺牲层既用于分离功能膜层和模板电极，又对模板电极的表面起到修饰作用，减少模板电极的表面缺陷；由于每制备一层功能膜层后都将其转移到电致发光器件的第一电极上，故而每次电沉积都是制备单一一层功能膜层，使功能膜层的成膜性能良好，从而提升电致发光器件的发光效率；同时，避免使用干法中所使用的精细掩膜和高真空设备，且材料利用率高，成本低廉，工艺简单。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明中电致发光器的制备方法的流程图；
图2是本发明的实施例中电致发光器的第一电极的叠层示意图；
图3是本发明的实施例中电沉积第一载流子注入层时电致发光器的叠层示意图；
图4是本发明的实施例中模板电极的结构示意图；
图5是本发明的实施例中在模板电极上设置牺牲层的叠层示意图；
图6a、图6b和图6c是本发明的实施例中制备电致发光器件的第一功能膜层的过程示意图；
图7a、图7b和图7c是本发明的实施例中制备电致发光器件的第二功能膜层的过程示意图；
图8是本发明的实施例中制备第三功能膜层后电致发光器件的的叠层示意图；
图9是本发明的实施例中制备第四功能膜层后电致发光器件的的叠层示意图；
图10是本发明的实施例中制备第二电极后电致发光器件的的叠层示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚地描述。
请参阅图1，图1是本发明中电致发光器的制备方法的流程图。本发明的电致发光器件的制备方法包括步骤S1、S2、S3和S4。
关于步骤S1，请参阅图2，图2是本发明的实施例中电致发光器的基板和第一电极的叠层示意图。
步骤S1：提供第一电极10；
第一电极10包括透明基板11和设置在透明基板11上的透明导电层20。
在本发明的实施例中，透明基板11作为电致发光器件的基板，透明基板11可以是玻璃基板、蓝宝石、类金刚石或透明高分子聚合物薄膜，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜或聚酰亚胺薄膜；在透明基板11上设置透明导电层12，透明导电层12可以通过涂覆或溅镀等方式设置于透明基板11上，透明导电层12是透明电极；透明导电层12的厚度可以在100nm至500nm的范围内。
关于步骤S2，请参阅图3，图3是本发明的实施例中电沉积第一载流子注入层时电致发光器的叠层示意图。
步骤S2：在所述第一电极10的透明导电层12上电沉积第一载流子注入层30，形成第一电极组件A。
第一载流子注入层30的材质可以是聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)，其厚度在20nm至60nm的范围内。
关于步骤S3，请参阅图4至图9，图4是本发明的实施例中模板电极的结构示意图；图5是本发明的实施例中在模板电极上设置牺牲层的叠层示意图；图6a、图6b和图6c是本发明的实施例中制备第一功能膜层的过程示意图；图7a、图7b和图7c是本发明的实施例中制备第二功能膜层的过程示意图；图8是本发明的实施例中制备第三功能膜层后电致发光器件的的叠层示意图；图9是本发明的实施例中制备第四功能膜层后电致发光器件的的叠层示意图。
步骤S3：采用多次转印的方法在第一电极10上制作依次层叠的多个功能膜层40，每一次所述转印的方法对应制作一个所述功能膜层，所述转印的方法包括步骤S01、S02、S03、S04、S05、S06和S07：
步骤S01：提供模板电极。请参阅图4。
在本发明的实施例中，模板电极60包括模板基底61和工作电极62，工作电极62可以是铟锡氧化物、铝、金或其它金属，工作电极的厚度可以在100nm至500nm范围内；工作电极60可以根据电致发光器的结构或功能需要而图案化，使电致发光器的相应功能膜层图案化。
S02：在所述模板电极60上设置牺牲层70。请参阅图5。
牺牲层70具有导电性，且牺牲层的厚度小于10nm，优选地，牺牲层70的厚度为单分子层厚度，即牺牲层70是单分子层，优选地，牺牲层70的材质为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸；牺牲层70可以通过自组装或旋涂方式设置于模板电极60上；由于牺牲层70厚度很小，不但不会阻碍电沉积，而且牺牲层70对模板电极60起到修饰的作用，可减少模板电极60上的工作电极62的表面缺陷，从而提高在其上面电沉积而成的薄膜的质量；牺牲层70可以溶于醇或水醇混合的溶剂中，牺牲层70在水醇溶剂中可以溶解或剥离。
关于步骤S03、S04和S05，请参阅图6a、图6b和图6c，图6a、图6b和图6c是本发明的实施例中制备第一功能膜层的过程示意图。
S03：在所述牺牲层70上电沉积第一功能膜层41。
在电解质溶液中安装Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，并将带有牺牲层70的模板电极70浸入所述电解质溶液中作为电沉积的工作电极，并施加工作电压，在牺牲层70上进行电沉积，形成第一功能膜层41；所述电解质溶液中的电解质是所述第一功能膜层41的前聚体，例如，第一功能膜层是电致发光器件的空穴注入层，其材质为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)，则电解质溶液中的电解质为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)的前聚体：3，4-乙撑二氧噻吩单体；所述电解质溶液的浓度可以在1mg/mL～100mg/mL的范围内，所述工作电压在-5V～5V范围内，其可根据需求调节。
S04将带有第一功能膜层41的模板电极60贴合于所述第一电极组件的设置有第一载流子注入层30的一侧，第一功能膜层41朝向所述第一载流子注入层30，形成一中间组件B。
也就是说，第一功能膜层41直接贴合于第一电极组件A上的第一载流子注入层30；带有第一功能膜层41的模板电极60与带有第一载流子注入层30的第一电极组件A相贴合的方式可以是在真空或氮气条件下通过机械压合，避免水、氧对材料的破坏，当然也可以通过其它方式贴合，例如液体光学胶。
步骤S05：将所述中间组件B浸入一溶剂中，使所述牺牲层70溶解或剥离，将模板电极60与第一功能膜层41分离。
所述溶剂为醇类溶剂或水与醇混合形成的溶剂，牺牲层70在所述溶剂中溶解，或剥离而脱落，使模板电极60上的工作电极62和第一电极组件A上的第一功能膜层41之间无物质连接，从而使模板电极60与第一功能膜层41分离，如此，第一功能膜层41成功转移到第一电极组件A上的第一载流子注入层30的表面，形成第一电极组件C。
关于步骤S06，请参阅图7a、图7b、图7c、图8及图9。图7a、图7b和图7c是本发明的实施例中制备第二功能膜层的过程示意图；图8是本发明的实施例中制备第三功能膜层后电致发光器件的的叠层示意图；图9是本发明的实施例中制备第四功能膜层后电致发光器件的的叠层示意图。
步骤S06：多次重复步骤S01到步骤S05，得到依次层叠于第一电极组件C上的第一功能膜层41的第二功能膜层42、第三功能膜层43和第四功能膜层44。该步骤具体如下：
将步骤S05中分离的模板电极60清洗后，在模板电极60上再次涂覆牺牲层70，并将涂有牺牲层70的模板电极60放入设置有参考电极和对电极的电解质溶液中进行电沉积，从而在牺牲层70上形成第二功能膜层42；将带有第二功能膜层42的模板电极60与带有第一功能膜层41的第一电极组件C贴合，使第二功能膜层42直接贴合于第一功能膜层41，并将其放入水和醇混合而成的溶剂中，使牺牲层70溶解或剥落，从而使第二功能膜层42与模板电极60间无物质连接，从而将第二功能膜层42与模板电极60分离。如此，成功将模板电极60上的第二功能膜层42转移到第一电极组件C的第一功能膜层41表面。在本发明的实施例中，在重复制备功能膜层时，模板电极60可以重复利用，也可以在制备不用功能膜层时选取不同的模板电极。
再次重复步骤S01到步骤S05，将第三功能膜层43叠加到第二功能膜层42上面；又一次重复步骤S01到步骤S05，将第四功能膜层44叠加到第三功能膜层43上面。如此重复步骤S01到步骤S05，可以得到多层功能膜层40，制得电致发光器件的多层功能膜层结构，所得功能膜层质量良好，可提高发光效率，且材料利用率高。本实施例中，功能膜层40的层数为4层，而在其它实施例中，功能膜层40的层数可以比4层更少或更多。
关于步骤S4，请参阅图10，图10是本发明的实施例中制备第二电极后电致发光器件的的叠层示意图。
步骤S4：在距离第一载流子注入层30最远的功能膜层上设置第二电极50。
在本实施例中，距离第一载流子注入层30最远的功能膜层是第四功能膜层44，因而在第四功能膜层44上设置第二电极50。
在本发明的一个实施例中，所述第一功能膜层41为第一载流子传输层，第二功能膜层42为发光层，第三功能膜层43为第二载流子传输层，第四功能膜层44为第二载流子注入层。具体地，第一电极10是所述电致发光器件的阳极，即所述阳极是透明电极，所述第一载流子注入层30为空穴注入层，所述第一载流子传输层为空穴传输层，所述第二载流子注入层为电子注入层，所述第二载流子传输层为电子传输层，第二电极50为所述电致发光器件的阴极。因此，本实施例的制备方法所制得的电致发光器件的层叠结构为：阳极20、空穴注入层30、空穴传输层41、发光层42、电子传输层43、电子注入层44及阴极50依次层叠，如图10所示意。
在本发明的另一个实施例中，所述第一功能膜层41为第一载流子传输层，第二功能膜层42为发光层，第三功能膜层43为第二载流子传输层，第四功能膜层44为第二载流子注入层。具体地，所述第一电极10是所述电致发光器件的阴极，即所述阴极为透明电极，所述第一载流子注入层30为电子注入层，所述第一载流子传输层为电子传输层，所述第二载流子注入层为空穴注入层，所述第二载流子传输层为空穴传输层，第二电极50为所述电致发光器件的阳极。因此，本实施例的制备方法所制得的电致发光器件的层叠结构为：阴极20、电子注入层30、电子传输层41、发光层42、空穴传输层43、空穴注入层44及阳极50依次层叠，如图10所示意。
在本发明的一个实施例中，所述阳极的材质可以是厚度为100nm至500nm范围内的铟锡氧化物(ITO)，或者是厚度为10nm至50nm那么范围内的Al和/或Au；所述阴极的材质可以是厚度为100nm至500nm范围内的Al、Ag或Mg。所述空穴注入层和所述空穴传输层为厚度在20nm至60nm范围内的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)；所述电子注入层和所述电子传输层可以是厚度在1nm至20nm范围内的LiF或TPBI。所述发光层为厚度在20nm至100nm范围内的可进行电化学聚合的电致发光材料，例如，三(8-羟基喹啉)铝、聚对苯撑乙烯(poly(p-phenyl vinyl))的衍生物、TCPC、TCBzC或TCNzC。
本发明的实施例中，由于模板电极上设置有牺牲层，利用模板电极通过电沉积法制备功能膜层后，将功能膜层转移到电致发光器件的第一电极组件上，通过牺牲层的溶解或剥离分离模板电极，从而重复利用模板电极，再次在模板电极上设置牺牲层，通过电沉积法制备另一功能膜层，如此循环，可制得多层功能膜层的电致发光器件，牺牲层厚度小于10nm，甚至为一单分子层，既用于分离功能膜层和模板电极，又对模板电极的表面起到修饰作用，减少模板电极的表面缺陷；由于每制备一层功能膜层后都将其转移到电致发光器件的第一电极上，故而每次电沉积都是制备单一一层功能膜层，使功能膜层的成膜性能良好，从而提升电致发光器件的发光效率；同时，避免使用干法中所使用的精细掩膜和高真空设备，且材料利用率高，成本低廉，工艺简单。
以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供第一电极；
在所述第一电极上电沉积第一载流子注入层，形成第一电极组件；
采用多次转印的方法在所述第一电极组件上制作依次层叠的多个功能膜层，每一次所述转印的方法对应制作一个所述功能膜层，所述转印的方法包括如下步骤：
提供模板电极；
在所述模板电极上设置牺牲层；
在所述牺牲层上电沉积所述功能膜层；
将带有所述功能膜层的模板电极贴合于所述第一电极组件的设置有所述第一载流子注入层的一侧，所述功能膜层朝向所述第一载流子注入层，形成一中间组件；及
将所述中间组件浸入一溶剂中，使所述牺牲层溶解或剥离，将所述模板电极与所述功能膜层分离；及
在距离所述第一载流子注入层最远的所述功能膜层上设置第二电极。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层具有导电性，且所述牺牲层的厚度小于10nm。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层为单分子层。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的材质为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸。
5.如权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述多个功能膜层包括依次层叠于所述第一载流子注入层的第一载流子传输层和发光层。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述多个功能膜层还包括依次层叠于所述发光层的第二载流子传输层和第二载流子注入层。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极为所述电致发光器件的阳极，所述第二电极为所述电致发光器件的阴极，所述第一载流子注入层为空穴注入层，所述第二载流子注入层为电子注入层，所述第二电极设置于所述电子注入层上。
8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极为所述电致发光器件的阴极，所述第二电极为所述电致发光器件的阳极，所述第一载流子注入层为电子注入层，所述第二载流子注入层为空穴注入层，所述第二电极设置于所述空穴注入层上。
9.如权利要求1至4及6至8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤“在所述牺牲层上电沉积所述功能膜层”具体为：在电解质溶液中安装Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，并将带有所述牺牲层的所述模板电极浸入所述电解质溶液中作为工作电极，并施加工作电压，在牺牲层上电沉积一层所述功能膜层。
10.如权利要求6至8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述发光层为三(8-羟基喹啉)铝或聚对苯撑乙烯的衍生物。
CN201510732963.5A 2015-11-02 2015-11-02 电致发光器件的制备方法 Active CN105304832B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510732963.5A CN105304832B (zh) 2015-11-02 2015-11-02 电致发光器件的制备方法
US14/908,118 US9899597B2 (en) 2015-11-02 2016-01-20 Manufacturing methods of electroluminescent devices
PCT/CN2016/071479 WO2017075914A1 (zh) 2015-11-02 2016-01-20 电致发光器件的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510732963.5A CN105304832B (zh) 2015-11-02 2015-11-02 电致发光器件的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105304832A CN105304832A (zh) 2016-02-03
CN105304832B true CN105304832B (zh) 2017-07-25

Family

ID=55201822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510732963.5A Active CN105304832B (zh) 2015-11-02 2015-11-02 电致发光器件的制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9899597B2 (zh)
CN (1) CN105304832B (zh)
WO (1) WO2017075914A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10353228B2 (en) 2016-10-18 2019-07-16 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for manufacturing flexible display substrate
CN106449520A (zh) * 2016-10-18 2017-02-22 深圳市华星光电技术有限公司 柔性显示基板制作方法
CN109300880A (zh) 2018-09-26 2019-02-01 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种传感器中电容结构的制备方法、传感器
CN109742263B (zh) * 2018-12-24 2020-11-24 惠科股份有限公司 一种电致发光器件的制备方法和制作设备

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7662659B2 (en) * 2004-08-04 2010-02-16 Banpil Photonics, Inc. Methods of forming arrays of nanoscale building blocks
CN100463249C (zh) * 2006-01-24 2009-02-18 吉林大学 电化学沉积制备有机发光薄膜的方法及在发光器件中的应用
DE102007016995A1 (de) * 2007-04-11 2008-10-16 Beyer, André Verfahren zum Übertragen einer Nanoschicht
CN101533182A (zh) 2008-03-12 2009-09-16 上海广电Nec液晶显示器有限公司 背光源装置
US8193010B2 (en) * 2009-06-29 2012-06-05 Board Of Regents, The University Of Texas System Uniform transfer of luminescent quantum dots onto a substrate
CN101662001A (zh) * 2009-09-25 2010-03-03 上海大学 基于oled的植物生长光源及其制备方法
CN102005539A (zh) * 2010-09-27 2011-04-06 电子科技大学 一种白光有机电致发光器件及其制备方法
EP2687304B1 (en) * 2011-03-17 2019-01-23 Sumitomo Chemical Company Limited Metal complex compositions and mixture thereof
US10723112B2 (en) * 2011-05-23 2020-07-28 National University Of Singapore Method of transferring thin film
KR101822500B1 (ko) * 2011-09-06 2018-01-29 삼성전자주식회사 양자점층 제조 방법 및 양자점층을 포함한 양자점 광전자소자
CN104752460B (zh) 2013-12-25 2018-05-01 清华大学 有机发光二极管阵列的制备方法
CN104752459B (zh) * 2013-12-25 2018-04-03 清华大学 有机发光二极管阵列
CN104742551B (zh) 2013-12-27 2017-08-04 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机发光显示器上的有机材料转印方法
CN105098100B (zh) 2015-06-24 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示器件及其制备方法、显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105304832A (zh) 2016-02-03
WO2017075914A1 (zh) 2017-05-11
US20170271593A1 (en) 2017-09-21
US9899597B2 (en) 2018-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Li et al. Recent progress in silver nanowire networks for flexible organic electronics
JP4600284B2 (ja) 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス
US10886485B2 (en) Quantum dot light emitting diode (QLED) and manufacture method thereof, display panel
CN105304832B (zh) 电致发光器件的制备方法
KR102034366B1 (ko) 유기 박막 적층체 및 유기 일렉트로루미네센스 소자
CN103081118B (zh) 太阳能电池
CN108023020A (zh) 粘结型钙钛矿太阳能电池制备方法
WO2014089708A1 (en) Conducting nanocomposite matrix and uses thereof
US6949403B2 (en) Non-vacuum methods for the fabrication of organic semiconductor devices
CN105206761B (zh) 一种发光二极管及其制备方法
Zeng et al. Solution-processed OLEDs for printing displays
KR101023021B1 (ko) 인버티드 유기 태양전지 및 인버티드 유기 태양전지 제조방법
JP2015522947A (ja) 第１の電極、活性層、および第２の電極を含むタイプのスタックを構成する方法
KR101170919B1 (ko) 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 태양전지
CN104821374A (zh) 基于共轭聚电解质的有机光电器件阴极界面层的制备方法及应用
US20220098354A1 (en) Dispersion liquid, conductive film and production method thereof, electrode, and solar cell
CN109285947A (zh) 印刷用led薄膜led衬底、led薄膜led器件及其制备方法
JP2015534219A (ja) 電気光学デバイス積層体
JP5298961B2 (ja) 有機光電変換素子の製造方法
US20070236138A1 (en) Organic light-emitting diodes with nanostructure film electrode(s)
US8329505B2 (en) Method for deposition of cathodes for polymer optoelectronic devices
KR20170113194A (ko) 유기 태양전지 및 그 제조 방법
JP2022049017A (ja) 積層体および有機系太陽電池の製造方法
WO2009133792A1 (ja) 有機光電変換素子およびその製造方法
CN111048674A (zh) 发光器件的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant