CN101662001A - 基于oled的植物生长光源及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基于OLED的植物生长光源及其制备方法。本光源包括基板，在基板的一侧配置阳极、阴极以及它们之间的发光层，在阳极和发光层之间配置空穴注入层和/或空穴传输层，在阴极和发光层之间配置电子注入层和/或电子传输层，发光层的材料能使光谱为400～480nm的蓝紫光区和600～680nm的红橙光区。本光源为分布式平面固体光源，重量轻、超薄、明亮、少阴影；能耗低，工作电压低，使用维护安全；能效高，寿命长；环保，无污染，不发热，仅有少量紫外和红外辐射。

Description

基于OLED的植物生长光源及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种基于OLED(Organic Light Emitting Device)的植物生长光源及其制备方法，其主要发出适合绿色植物叶绿素吸收的光(光谱为400～480nm的蓝紫光区和600～680nm的红橙光区)。

背景技术

目前，用于植物生长照明的光源主要有太阳光、白炽灯、荧光灯、LED等。

可达到地面的太阳光能量90％集中在290～3000nm之间，其中波长300nm以下的部分光线极易使作物产生病害。在冬季，有些地方的光照时间不够。室内自然光照不足以维持植物生长，故需设置人工光照来补充(参见图1，图2)。

常用的有白炽灯和荧光灯。二者的优缺点如下：前者灯的外形很多，可设计成光强的聚光灯。优点是光源集中，紧凑，安装价格低；体积小，种类多，红光多。缺点是能量功效低，光强常不能满足开花植物的要求；温度高，寿命短；光线分布不均匀等。故应宜与天然光或具蓝光的荧光灯混用，并要考虑与植物间的距离不要太近，以免灼伤。荧光灯是最好的人工光照。优点是能量功效大，比白炽灯放出的热量少，寿命长；光线分布均匀，光色多，蓝光较高，有利于植物生长。缺点是安装成本较高；光强不能聚在一起，灯管中间部分光效比两端高。此外，还有水银灯常用于高屋顶的商业环境，但成本很高。

近年来，LED灯也适用在植物照明上。现有的自光LED，最普遍的是使用蓝色核心，激发黄色荧光粉，由此复合产生视觉上的白光效果。能量分布上，在445nm的蓝色区和550nm的黄绿色区存在两个峰值。而植物所需的610～720nm的红光，则非常缺乏。

有机电致发光器件(Organic Light Emitting Device，OLED)由于具有高亮度、响应快、低功耗、效率高及制作简单等特性，可用于照明领域，其发光原理为在两个电极之间沉积非常薄的有机材料，对该有机发光材料通以直流电使其发光。为了改善光照条件，提高光能利用率，强化植物的光合作用，本发明提供一种基于OLED的植物生长光源，其主要发出适合绿色植物叶绿素吸收的光(光谱为400～480nm的蓝紫光区和600～680的红橙光区)，减少其他植物叶绿素不吸收波段的光。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于OLED的植物生长光源及其制备方法，其主要发出适合绿色植物叶绿素吸收的光(光谱为400～480nm的蓝紫光区和600～680nm的红橙光区)。

为了达成上述目的，经专心研究，结果发现：通过以特定厚度将由特定的有机化合物构成的有机薄膜层设置于有机电致发光元件的阳极与阴极之间，并且采用一些特殊的器件结构，可以达到上述目的，从而完成本发明。

根据上述研究，本发明采用下述技术方案：

一种基于OLED的植物生长光源，发出适合绿色植物叶绿素吸收的光，包括基板，其特征是：在基板的一侧配置阳极、阴极以及它们之间的发光层，在阳极和发光层之间配置空穴注入层和/或空穴传输层，在阴极和发光层之间配置电子注入层和/或电子传输层，发光层的材料能使光谱为400～480nm的蓝紫光区和600～680nm的红橙光区。

一种基于OLED的植物生长光源制备方法，其特征是：工艺步骤如下：

(1)制备基板；

(2)通过溅射法、或离子电镀法、或真空蒸镀法、或旋涂法、或电子束蒸镀法，在基板上形成阳极材料的薄膜，构成阳极层；

(3)通过溅射法、或离子电镀法、或真空蒸镀法、或旋涂法、或电子束蒸镀法，使空穴注入材料和/或空穴传输材料在阳极层上成膜，形成空穴注入层和/或空穴传输层；

(4)通过溅射法、或离子电镀法、或真空共蒸镀法、或旋涂法、或电子束共蒸镀法，使发光材料在所述的空穴注入层和/或空穴传输层上成膜形成发光层；

(5)通过溅射法、或离子电镀法、或真空蒸镀法、或旋涂法、或电子束蒸镀法，使电子传输材料和/或电子注入材料在发光层上成膜，形成电子传输层和/或电子注入层；

(6)通过真空蒸镀法、或溅射法、或离子蒸镀法、或离子电镀法、或电子束蒸镀法，将阴极材料在所述的电子传输层和/或电子注入层上成膜形成阴极层。

同现有的植物生长光源相比，本发明显而易见的突出实质性特点和显著优点：本发明基于OLED的植物生长光源不是点光源，而是分布式(散布式)平面固体光源，它重量轻、超薄、明亮、少阴影；能耗低、工作电压低(3-5V)，使用与维护安全；能效高、寿命长，没有灯丝断裂而耐用；环保，无污染，不发热，仅有少量紫外与红外辐射。

附图说明

图1：叶绿素的吸收光谱和植物吸收光谱；

图2：其他光源的发射光谱；

图3：本发明的第一、第二实例的制备方法；

图4：本发明的第三实例的制备方法。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的优选实施例如下：

实施例一：参见图3和图4。本基于OLED的植物生长光源，发出适合绿色植物叶绿素吸收的光，包括基板1，其特征是：在基板1的一侧配置阳极2、阴极6以及它们之间的发光层4，在阳极2和发光层4之间配置空穴注入层和/或空穴传输层3，在阴极6和发光层4之间配置电子注入层和/或电子传输层5，发光层4的材料能使光谱为400～480nm的蓝紫光区和600～680nm的红橙光区。

实施例二：参见图3和图4。本基于OLED的植物生长光源制备方法，工艺步骤如下：

(1)制备基板1；

(2)通过溅射法、或离子电镀法、或真空蒸镀法、或旋涂法、或电子束蒸镀法，在基板1上形成阳极材料的薄膜，构成阳极层2；

(3)通过溅射法、或离子电镀法、或真空蒸镀法、或旋涂法、或电子束蒸镀法，使空穴注入材料和/或空穴传输材料在阳极层2上成膜，形成空穴注入层和/或空穴传输层3；

(4)通过溅射法、或离子电镀法、或真空共蒸镀法、或旋涂法、或电子束共蒸镀法，使发光材料在所述的空穴注入层和/或空穴传输层3上成膜形成发光层4；

(5)通过溅射法、或离子电镀法、或真空蒸镀法、或旋涂法、或电子束蒸镀法，使电子传输材料和/或电子注入材料在发光层4上成膜，形成电子传输层和/或电子注入层5；

(6)通过真空蒸镀法、或溅射法、或离子蒸镀法、或离子电镀法、或电子束蒸镀法，将阴极材料在所述的电子传输层和/或电子注入层5上成膜形成阴极层6。

各层材料及制备方法如下：

[基板]

基板1用于支撑有机EL元件，为板状部件。

基板1优选具有平面平滑型的材料。

基板1位于发光侧，相对于发出的光为透明。

基板1应具有上述性能，可以使用公知的基板，如玻璃基板、硅基板或石英基板，也可以使用在金属基板或支撑体上形成金属箔的基板，还可以使用有多支基板组合而成的复合片材的基板。

[阳极]

阳极2是向本发明的有机EL元件中注入空穴的电极。因此，形成阳极2的材料只要使阳极2具有该性质的材料即可，通常选择金属、合金、导电化合物等公知的材料。

形成阳极2的材料例如有：氧化铟锡(ITO)、IZO、氧化锡、氧化锌、氮化钛、锌铝氧化物等金属氧化物或金属氮化物；金、银、铜、铝、铂、镍、钻、铅、铬、铂、钨等金属；这些金属的合金或碘化铜的合金等；聚苯胺、聚苯撑乙烯、聚吡咯、聚噻吩、聚苯硫醚等导电性高分子等。

阳极2可以只有一种上述材料形成，也可以将多种混合形成。还可以是含有相同组成或不同组成的多个层的多层结构。

阳极2可以使用上述材料，通过溅射法、离子电镀法、真空蒸镀法、旋涂法、电子束蒸镀法等公知的薄膜形成法，在基板1上形成。

可以将阳极2的表面用UV臭氧洗涤，或用等离子体洗涤。为抑制有机EL元件的短路或缺陷的发生，可以通过使粒径微小化的方法或成膜后研磨的方法，将表面粗糙度的均方值控制在20nm以下。

[空穴注入层和/或空穴传输层]

3可以是空穴注入层，也可以是空穴传输层，还可以既有空穴注入层，也有空穴传输层，当两层都有时，空穴注入层应在阳极和空穴传输层之间。

空穴注入层可以设置在阳极2和后述的空穴传输层或发光层4之间。空穴注入层是将阳极2注入的空穴传输到空穴传输层或发光层4的层。因此，形成空穴注入层的材料只要是使空穴注入层具有该性质的材料即可。

可用于空穴注入层的材料例如有：酞菁等衍生物、聚硫酮衍生物、聚苯撑乙烯衍生物、星放射型胺衍生物、聚苯胺衍生物等，其中优选铜酞菁、无金属酞菁等。

空穴注入层可以如下制备：使用溅射法、离子电镀法、真空蒸镀法、旋涂法、电子束蒸镀法等公知的成膜方法，将这些材料在阳极2上成膜。

空穴传输层可以设置在阳极2或空穴注入层与后述发光层4之间，空穴传输层是将由阳极2或空穴注入层注入的空穴传输到发光层4的层。因此，形成空穴传输层的材料只要是使空穴传输层具有该性质的材料即可。

可用于空穴传输层的材料是下面材料中的一种：三胺衍生物、四胺衍生物、联苯胺衍生物、三芳基胺衍生物、芳撑二胺衍生物、苯二胺衍生物、对苯二胺衍生物、间苯二胺衍生物、1，1-双(4-二芳基氨基苯基)环己烷衍生物、4，4’-二(二芳基氨基)联苯衍生物、双口一(二芳基氨基)苯基}甲烷衍生物、4，4”-二(二芳基氨基)三联苯衍生物、4，4’-二(二芳基氨基)二苯醚衍生物、4，4’-二(二芳基氨基)二苯基硫烷衍生物、双[4-(二芳基氨基)苯基]二甲基甲烷衍生物、双[4-(二芳基氨基)苯基]-二(三氟甲基)甲烷衍生物等，其中优选芳基-二(4-二芳基氨基苯基)胺衍生物、三苯胺的二聚体、三聚体、四聚体等。

空穴传输层可以使用溅射法、离子电镀法、真空蒸镀法、旋涂法、电子束蒸镀法等公知的成膜方法，将这些材料在阳极2或空穴注入层上成膜。

[发光层]

上述阳极2、空穴注入层和/或空穴传输层3上设置发光层4，所述的发光层有蓝色发光层和红色发光层。

[蓝色发光层]

蓝色发光层设置于阳极2、空穴注入层和/或空穴传输层3与后述电子传输层和/或电子注入层5之间。由阳极2和阴极6分别注入的空穴和电子复合，形成受激态，其恢复至基态时发出蓝色光。可用于蓝色发光层的材料可以从具有蓝色发光功能的公知的材料等中选择使用。

蓝色发光层的材料是下面发光材料中的一种：二芳香基蒽、二苯乙烯芳香族、芘的衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、三芳基胺衍生物、双(2-甲基-8-羚基喹啉)(4-苯代苯酚)合铝等羟基喹啉系金属络合物、4，4’-双(2，2-二芳基乙烯基)联苯衍生物等发光波峰在430nm～450nm的蓝光主体材料，以及在主体材料中掺杂有深蓝光发光客体材料的掺杂物。客体材料为下面材料中的一种：8-羟基喹啉硼化锂、联奈衍生物(如4”，4”’-N，N-diphenylamine-4，4’-diphenyl-1，1’-binaphthyl)、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、菲衍生物、二苯乙烯基胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、二乙烯基亚芳基衍生物、三苯乙烯基亚芳基衍生物、三芳基乙烯衍生物、四芳基丁二烯衍生物等。主体材料和客体材料的重量配比为1％～3％。

蓝色发光层可以如下制作：使用溅射法、离子电镀法、真空共蒸镀法、旋涂法、电子束共蒸镀法等公知的成膜方法，将这些材料在空穴注入层和/或空穴传输层3上成膜。

[红色发光层]

红色发光层设置于阳极2、空穴注入层和/或空穴传输层3与后述电子传输层和/或电子注入层5之间。由阳极2和阴极6分别注入的空穴和电子复合，形成受激态，其恢复至基态时发出红色光。可用于红色发光层的材料可以从具有红色发光功能的公知的材料等中选择使用。

红色发光层的材料是下面发光材料中的一种：罗丹明类染料掺杂物、咔啉类及其稀有金属配合物、多环芳香族碳氢化合物、铱金属错合物(Iridium quinoxaline complexes)、三胺衍生物、四胺衍生物、联苯胺衍生物、三芳基胺衍生物、芳撑二胺衍生物、苯二胺衍生物、对苯二胺衍生物、间苯二胺衍生物、1，1-双(4-二芳基氨基苯基)环己烷衍生物、4，4’-二(二芳基氨基)联苯衍生物、双[4-(二芳基氨基)苯基]甲烷衍生物、4，4”-二(二芳基氨基)三联苯衍生物、4，4”’-二(二芳基氨基)四联苯衍生物、4，4’-二(二芳基氨基)二苯醚衍生物、4，4’-二(二芳基氨基)二苯基硫烷衍生物、双[4-(二芳基氨基)苯基]二甲基甲烷衍生物、双[4-(二芳基氨基)苯基]-二(三氟甲基)甲烷衍生物等发光波峰在660nm～680nm的红光荧光或红光磷光材料，以及在主体材料中掺杂有红光发光客体材料的掺杂物。客体材料为下面材料中的一种：并四苯衍生物、并五苯衍生物、芘衍生物、铕等的金属络合物、苯并哔喃衍生物、4-(两个吸电子基取代的亚甲基)-4H-吡喃衍生物、4-(两个吸电子基取代的亚甲基)-4H-噻喃衍生物、罗丹明衍生物、苯并噻吨衍生物、卟琳衍生物、perifranthene衍生物，其中，优选[2-叔丁基-6-[反式-2-(2，3，5，6-四氢-1，1，7，7-四甲基苯并[i，j]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基]-1，3-丙二腈、[2-甲基-6-[反式-2-(2，3，5，6-四氢-1，1，7，7-四甲基苯并[[i，j]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基]-1，3-丙二腈、二苯并四苯基呋喃等。还优选双(2-苯基吡啶)(乙酰基丙酮酸)合铱(III)，2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉合铂((II)等磷光物质。主体材料和客体材料的重量配比为1％～10％。

红色发光层可以如下制作：使用溅射法、离子电镀法、真空共蒸镀法、旋涂法、电子束共蒸镀法等公知的成膜方法，将这些材料在空穴注入层和/或空穴传输层3上成膜。

[电子传输层和/或电子注入层]

层5可以是电子传输层，也可以是电子注入层，还可以既有电子传输层，也有电子注入层，当两层都有时，电子传输层应在发光层和电子注入层之间。

电子传输层可以是单层结构，从减少电子传输性材料和发光层材料的激基复合物或CT络合物形成等的相互作用的角度考虑，优选为双层结构。由此，可以提高有机EL元件的发光效率，延长元件寿命。

电子传输层可如下制备：使用溅射法、离子电镀法、真空蒸镀法、旋涂法、电子束蒸镀法等公知的成膜方法，将上述材料在发光层4上成膜。

可用于电子注入层的材料只要是使电子注入层具有上述性能的物质即可，没有特别限制，例如有：锂、钠、铯等碱金属，钙、镁、锶等碱土金属，氟化锂、氟化钡、氟化镁、氧化锂、氟化钙、氟化锶等碱金属化合物、碱土金属的氟化物、氧化物、氯化物、硫化物等，其中优选氟化锂。电子注入层可以由单独的材料形成，也可以由多种材料形成。

电子注入层可如下制备：通过溅射法、离子电镀法、真空蒸镀法、旋涂法、电子束蒸镀法等公知的成膜方法，将上述材料在电子传输层上成膜。

[阴极]

阴极6是向上述发光层4、电子传输层和/或电子注入层5注入电子的电极，为提高电子注入效率，采用功函数例如低于4.5eV的金属或合金、导电性化合物以及它们的混合物作为电极物质。

所述阴极材料例如有：锂、钠、钙、锡、钛、锰、铬、铝、铟、镁、银、铜、铝-钙合金、铝-镁合金、铝-锂合金、镁-铟合金、锂-铟合金、钠-钾合金、镁-银合金、镁/铜混合物、铝/氧化铝混合物等。还可以使用作为阳极2所采用的材料。

阴极6可以由上述材料单独形成，也可以由多种材料形成。

阴极6可通过真空蒸镀法、溅射法、离子蒸镀法、离子电镀法、电子束蒸镀法等公知的薄膜成膜法，在电子传输层和/或电子注入层5或上述保护层上形成。

除上述设置外，还可以适当设定上述以外的层。

下面给出三个实例的制备方法：

[实例一]：参见图3。

(1)在透明玻璃的一个面上形成膜厚为150nm的ITO层阳极层2，即准备基板1，将该基板进行洗涤。基板洗涤依次进行碱洗涤、去离子水洗涤，干燥后进行紫外线臭氧洗涤。

(2)在进行了基板洗涤的玻璃的阳极上，通过真空蒸镀装置(石英坩埚、蒸镀速度0.06~0.1nm/秒、真空度约为5.0×10^-5Pa)，制作膜厚为10~60nm的HI层，将该层作为空穴注入层。

用真空蒸镀装置(石英坩埚、蒸镀速度0.06~0.1nm/秒、真空度约为5.0×10^-5Pa)，在空穴注入层上制作膜厚为10~50nm的HT层，将该层作为空穴传输层。

(3)将上述以已蒸镀的空穴传输层用挡板挡住一部分，在未遮挡部分上用真空蒸镀装置(碳坩埚、真空度约5.0×10^-5Pa)，在空穴传输层上制作膜厚为10~20nm、将蓝光基质材料和蓝色掺杂剂(蓝色掺杂剂相对于蓝色发光层全体为1％~3％重量)共蒸镀的层，将该层作为蓝色发光层。该共蒸镀以蓝光基质材料的蒸镀速度0.5nm/秒、蓝色掺杂剂的蒸镀速度0.005nm/秒进行。

(4)将挡板从空穴传输层下移开，并遮挡住已蒸镀好的蓝色发光层，用真空蒸镀装置(碳坩埚、真空度约5.0×10^-5Pa)，在空穴传输层上制作膜厚为10~20nm、将红光基质材料和红色掺杂剂(红色掺杂剂相对于红色发光层全体为1％~10％重量)进行共蒸镀的层，将该层作为红色发光层。该共蒸镀是以红光基质材料的蒸镀速度0.5nm/秒、红色掺杂剂的蒸镀速度0.005nm/秒进行的。蒸镀完红光发光层后，将挡板移开。

(5)用真空蒸镀装置(碳坩埚、蒸镀速度0.1nm/秒、5.0×10^-5Pa)，在发光层上形成膜厚为30~50nm的ET层，将该层作为电子传输层。

用真空蒸镀装置(氮化硼坩埚、蒸镀速度0.1nm/秒、5.0×10^-5Pa)，在电子传输层上形成膜厚为0.5nm的电子注入层。

(6)用钨皿(蒸镀速度1nm/秒、5.0×10^-5Pa)，在电子注入层上形成膜厚为200nm的金属层6，以该层作为阴极，制作本发明的有机EL元件。

[实例二]：参见图3。

(1)在透明玻璃的一个面上形成膜厚为150nm的ITO层阳极，即准备基板1，将该基板进行洗涤。基板洗涤依次进行碱洗涤、去离子水洗涤，干燥后进行紫外线臭氧洗涤。

(2)在进行了基板洗涤的玻璃的阳极上，通过真空蒸镀装置(石英坩埚、蒸镀速度0.06~0.1nm/秒、真空度约为5.0×10^-5Pa)，制作膜厚为10~60nm的HI层，将该层作为空穴注入层。

用真空蒸镀装置(石英坩埚、蒸镀速度0.06~0.1nm/秒、真空度约为5.0×10^-5Pa)，在空穴注入层上制作膜厚为10~50nm的HT层，将该层作为空穴传输层。

(3)用真空蒸镀装置(碳坩埚、真空度约5.0×10^-5Pa)，在空穴传输层上制作膜厚为10~30nm、将蓝光基质材料和蓝色掺杂剂(蓝色掺杂剂相对于蓝色发光层全体为1％~3％重量)共蒸镀的层，将该层作为蓝色发光层。该共蒸镀以蓝光基质材料的蒸镀速度0.5nm/秒、蓝色掺杂剂的蒸镀速度0.005nm/秒进行。

(4)用真空蒸镀装置(碳坩埚、真空度约5.0×10^-5Pa)，在蓝色发光层上制作膜厚为5nm、将红光基质材料和红色掺杂剂(红色掺杂剂相对于红色发光层全体为1％~10％重量)共蒸镀的层，将该层作为红色发光层。该共蒸镀是以红光基质材料的蒸镀速度0.5nm/秒、红色掺杂剂的蒸镀速度0.005nm/秒进行的。

(5)用真空蒸镀装置(碳坩埚、蒸镀速度0.1nm/秒、5.0×10^-5Pa)，在发光层上形成膜厚为30~50nm的ET层，将该层作为电子传输层。

用真空蒸镀装置(氮化硼坩埚、蒸镀速度0.1nm/秒、5.0×10^-5Pa)，在电子传输层上形成膜厚为0.5nm的电子注入层。

(6)用钨皿(蒸镀速度1nm/秒、5.0×10^-5Pa)，在电子注入层上形成膜厚为200nm的金属电极层6，以该层作为阴极，制作本发明的EL元件。

[实例三]：参见图4。

(1)在透明玻璃的一个面上形成膜厚为110nm的ITO层阳极，即准备基板1，将该基板进行洗涤。基板洗涤依次进行碱洗涤、去离子水洗涤，干燥后进行紫外线臭氧洗涤。

(2)在与氧化铟锡(ITO)玻璃基板相反的一面涂上红色转换层7，材料是荧光效率较高的有机或者无机染料，发射光谱在640~680nm之间。根据植物生长需要调整膜厚，膜厚通过染料溶液的浓度和甩胶速率来控制。

(3)在制备了红色转换层的玻璃的阳极上，通过真空蒸镀装置(石英坩埚、蒸镀速度0.06~0.1nm/秒、真空度约为5.0×10^-5Pa)，制作膜厚为10~60nm的HI层，将该层作为空穴注入层。

用真空蒸镀装置(石英坩埚、蒸镀速度0.06~0.1nm/秒、真空度约为5.0×10^-5Pa)，在空穴注入层上制作膜厚为10~50nm的HT层，将该层作为空穴传输层。

(4)用真空蒸镀装置(碳坩埚、真空度约5.0×10^-5Pa)，在空穴传输层上制作膜厚为10~30nm、将蓝光基质材料和蓝色掺杂剂(蓝色掺杂剂相对于蓝色发光层全体为1％~3％重量)共蒸镀的层，将该层作为蓝色发光层。该共蒸镀以蓝光基质材料的蒸镀速度0.5nm/秒、蓝色掺杂剂的蒸镀速度0.005nm/秒进行。

(5)用真空蒸镀装置(碳坩埚、蒸镀速度0.1nm/秒、5.0×10^-5Pa)，在蓝色发光层上形成膜厚为30~50nm的ET层，将该层作为电子传输层。

用真空蒸镀装置(氮化硼坩埚、蒸镀速度0.1nm/秒、5.0×10^-5Pa)，在电子传输层上形成膜厚为0.5nm的电子注入层。

(6)用钨皿(蒸镀速度1nm/秒、5.0×10^-5Pa)，在电子注入层上形成膜厚为200nm的金属电极层6，以该层作为阴极，制作本发明的EL元件。

Claims (7)

1、一种基于OLED的植物生长光源，发出适合绿色植物叶绿素吸收的光，包括基板(1)，其特征是：在基板(1)的一侧配置阳极(2)、阴极(6)以及它们之间的发光层(4)，在阳极(2)和发光层(4)之间配置空穴注入层和/或空穴传输层(3)，在阴极(6)和发光层(4)之间配置电子注入层和/或电子传输层(5)，发光层(4)的材料能使光谱为400～480nm的蓝紫光区和600～680nm的红橙光区。

2、根据权利要求1所述的基于OLED的植物生长光源，其特征是：所述发光层(4)由蓝光材料层和红光材料层并列同一层构成。

3、根据权利要求1所述的基于OLED的植物生长光源，其特征是：所述在发光层(4)为先配置一层蓝光材料层，再配置一层红光材料层。

4、根据权利要求1所述的基于OLED的植物生长光源，其特征是：所述发光层(4)为一层蓝光材料层；在所述基板(1)与阳极(2)相反的一侧配置一层红色转换层(7)，该红色转换层(7)能将部分蓝光转换为红光，其材料为红光材料。

5、根据权利要求2、或3、或4所述的基于OLED的植物生长光源，其特征是：所述蓝光层的材料是以下材料中的任一种：二芳香基蒽、二苯乙烯芳香族、芘的衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、三芳基胺衍生物、双(2-甲基-8-羚基喹啉)(4-苯代苯酚)合铝等羟基喹啉系金属络合物、4，4’-双(2，2-二芳基乙烯基)联苯衍生物等发光波峰在430nm～450nm的蓝光主体材料，以及在主体材料中掺杂有深蓝光发光客体材料的掺杂物。客体材料为下面材料中的一种：8-羟基喹啉硼化锂、联奈衍生物(如4”，4”’-N，N-diphenylamine-4，4’-diphenyl-1，1’-binaphthyl)、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、菲衍生物、二苯乙烯基胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、二乙烯基亚芳基衍生物、三苯乙烯基亚芳基衍生物、三芳基乙烯衍生物、四芳基丁二烯衍生物等。主体材料和客体材料的重量配比为1％～3％。

6、根据权利要求2、或3所述的基于OLED的植物生长光源，其特征是：所述红光材料层的材料是以下材料中的任一种：罗丹明类染料掺杂物、咔啉类及其稀有金属配合物、多环芳香族碳氢化合物、铱金属错合物(Iridium quinoxaline complexes)、三胺衍生物、四胺衍生物、联苯胺衍生物、三芳基胺衍生物、芳撑二胺衍生物、苯二胺衍生物、对苯二胺衍生物、间苯二胺衍生物、1，1-双(4-二芳基氨基苯基)环己烷衍生物、4，4’-二(二芳基氨基)联苯衍生物、双[4-(二芳基氨基)苯基]甲烷衍生物、4，4”-二(二芳基氨基)三联苯衍生物、4，4”’-二(二芳基氨基)四联苯衍生物、4，4’-二(二芳基氨基)二苯醚衍生物、4，4’-二(二芳基氨基)二苯基硫烷衍生物、双[4-(二芳基氨基)苯基]二甲基甲烷衍生物、双[4-(二芳基氨基)苯基]-二(三氟甲基)甲烷衍生物等发光波峰在660nm～680nm的红光荧光或红光磷光材料，以及在主体材料中掺杂有红光发光客体材料的掺杂物。客体材料为下面材料中的一种：并四苯衍生物、并五苯衍生物、芘衍生物、铕等的金属络合物、苯并哔喃衍生物、4-(两个吸电子基取代的亚甲基)-4H-吡喃衍生物、4-(两个吸电子基取代的亚甲基)-4H-噻喃衍生物、罗丹明衍生物、苯并噻吨衍生物、卟琳衍生物、perifranthene衍生物。主体材料和客体材料的重量配比为1％～10％。

7、一种基于OLED的植物生长光源及其制备方法，其特征是：工艺步骤如下：

a.制备基板(1)；

b.通过溅射法、或离子电镀法、或真空蒸镀法、或旋涂法、或电子束蒸镀法，在基板(1)上形成阳极材料的薄膜，构成阳极层(2)；

c.通过溅射法、或离子电镀法、或真空蒸镀法、或旋涂法、或电子束蒸镀法，使空穴注入材料和/或空穴传输材料在阳极层(2)上成膜，形成空穴注入层和/或空穴传输层(3)；

d.通过溅射法、或离子电镀法、或真空共蒸镀法、或旋涂法、或电子束共蒸镀法，使发光材料在所述的空穴注入层和/或空穴传输层(3)上成膜形成发光层(4)；

e.通过溅射法、或离子电镀法、或真空蒸镀法、或旋涂法、或电子束蒸镀法，使电子传输材料和/或电子注入材料在发光层(4)上成膜，形成电子传输层和/或电子注入层(5)；

f.通过真空蒸镀法、或溅射法、或离子蒸镀法、或离子电镀法、或电子束蒸镀法，将阴极材料在所述的电子传输层和/或电子注入层(5)上成膜形成阴极层(6)。

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