JP7008842B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1における半導体装置の構成を示す断面図である。図2は、半導体装置の構成を示す斜視図である。図1は、図2に示されたA-A’における断面を示す。
実施の形態2における半導体装置および半導体装置の製造方法を説明する。なお、実施の形態1と同様の構成および機能については説明を省略する。
実施の形態3における半導体装置および半導体装置の製造方法を説明する。実施の形態3は実施の形態1の下位概念であり、実施の形態3における半導体装置は、実施の形態1における半導体装置の各構成を含む。なお、実施の形態1または2と同様の構成および機能については説明を省略する。
実施の形態4における半導体装置および半導体装置の製造方法を説明する。実施の形態4は実施の形態1の下位概念であり、実施の形態4における半導体装置は、実施の形態1における半導体装置の各構成を含む。なお、実施の形態1から3のいずれかと同様の構成および機能については説明を省略する。
実施の形態5における半導体装置および半導体装置の製造方法を説明する。なお、実施の形態1から4のいずれかと同様の構成および機能については説明を省略する。
実施の形態6における半導体装置および半導体装置の製造方法を説明する。実施の形態6は実施の形態1の下位概念であり、実施の形態6における半導体装置は、実施の形態1における半導体装置の各構成を含む。なお、実施の形態1から5のいずれかと同様の構成および機能については説明を省略する。
実施の形態7における半導体装置および半導体装置の製造方法を説明する。実施の形態7は実施の形態1の下位概念であり、実施の形態7における半導体装置は、実施の形態1における半導体装置の各構成を含む。なお、実施の形態1から6のいずれかと同様の構成および機能については説明を省略する。
実施の形態8における半導体装置および半導体装置の製造方法を説明する。実施の形態8は実施の形態1の下位概念であり、実施の形態8における半導体装置は、実施の形態1における半導体装置の各構成を含む。なお、実施の形態1から7のいずれかと同様の構成および機能については説明を省略する。
実施の形態9における半導体装置および半導体装置の製造方法を説明する。実施の形態9は実施の形態1の下位概念であり、実施の形態9における半導体装置は、実施の形態1における半導体装置の各構成を含む。なお、実施の形態1から8のいずれかと同様の構成および機能については説明を省略する。
Claims (28)
- 第1半導体パッケージと、
第2半導体パッケージと、を備え、
前記第1半導体パッケージは、
第1半導体チップに積層される第1金属ブロックの表面が露出する第1露出面と、
前記第1半導体チップに積層されていない第2金属ブロックの表面が、前記第1露出面と同じ側から、露出する第2露出面と、
前記第1露出面と前記第2露出面とに対向し、かつ、前記第1半導体チップと前記第1金属ブロックと前記第2金属ブロックとを含む内部構造から絶縁された第1放熱面と、を含み、
前記第2半導体パッケージは、
第2半導体チップに積層される第3金属ブロックの表面が露出する第3露出面と、
前記第2半導体チップに積層されていない第4金属ブロックの表面が、前記第3露出面と同じ側から、露出する第4露出面と、
前記第3露出面と前記第4露出面とに対向し、かつ、前記第2半導体チップと前記第3金属ブロックと前記第4金属ブロックとを含む内部構造から絶縁された第2放熱面と、を含み、
前記第2半導体パッケージは、前記第1半導体パッケージの前記第1露出面と前記第2半導体パッケージの前記第4露出面とが互いに対向して接続されるように、かつ、前記第1半導体パッケージの前記第2露出面と前記第2半導体パッケージの前記第3露出面とが互いに対向して接続されるように、前記第1半導体パッケージ上に接合されている、半導体装置。 - 前記第1半導体パッケージは、
表面に、前記第1半導体チップと前記第1金属ブロックとが順に積層された第1ヒートスプレッダと、
表面に、前記第1ヒートスプレッダと、前記第1ヒートスプレッダの隣に前記第2金属ブロックと、が設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜と前記第1ヒートスプレッダと前記第1半導体チップと前記第1金属ブロックと前記第2金属ブロックとを内包し、表面から前記第1金属ブロックの前記第1露出面と前記第2金属ブロックの前記第2露出面とが露出している第1樹脂部と、を含み、
前記第2半導体パッケージは、
表面に、前記第2半導体チップと前記第3金属ブロックとが順に積層された第2ヒートスプレッダと、
表面に、前記第2ヒートスプレッダと、前記第2ヒートスプレッダの隣に前記第4金属ブロックと、が設けられた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜と前記第2ヒートスプレッダと前記第2半導体チップと前記第3金属ブロックと前記第4金属ブロックとを内包し、表面から前記第3金属ブロックの前記第3露出面と前記第4金属ブロックの前記第4露出面とが露出している第2樹脂部と、を含む、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1半導体パッケージと、前記第1半導体パッケージ上に接合された前記第2半導体パッケージとを含む構造は、断面視において、2回対称の構造を有する、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体パッケージの前記第1ヒートスプレッダと前記第2金属ブロックとは、一体であり、
前記第2金属ブロックの前記第2露出面は、前記第1ヒートスプレッダの前記表面である、請求項2に記載の半導体装置。 - Auを含み、前記第1半導体パッケージの前記第1露出面と前記第2半導体パッケージの前記第4露出面との間、および、前記第1半導体パッケージの前記第2露出面と前記第2半導体パッケージの前記第3露出面との間を接合する接合層をさらに備える、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体パッケージの前記第1露出面と前記第2半導体パッケージの前記第4露出面との間、および、前記第1半導体パッケージの前記第2露出面と前記第2半導体パッケージの前記第3露出面との間を接合する低融点はんだをさらに備え、
前記低融点はんだの融点は、前記第1半導体パッケージの内部で前記第1半導体チップを固定するはんだ、または、前記第2半導体パッケージの内部で前記第2半導体チップを固定するはんだの融点よりも低い、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1半導体パッケージの前記第1露出面と前記第2半導体パッケージの前記第4露出面との間、および、前記第1半導体パッケージの前記第2露出面と前記第2半導体パッケージの前記第3露出面との間を接合する導電性グリースをさらに備える、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体パッケージの前記第1露出面と前記第2半導体パッケージの前記第4露出面との間、および、前記第1半導体パッケージの前記第2露出面と前記第2半導体パッケージの前記第3露出面との間を接合する銀ペーストをさらに備える、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体パッケージの前記第1露出面と前記第2露出面とは、同一の平面内に位置し、
前記第2半導体パッケージの前記第3露出面と前記第4露出面とは、同一の平面内に位置する、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1半導体チップと前記第2半導体チップとは、SiCを含む、請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体チップと前記第2半導体チップとは、RC-IGBT(Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor)を含む、請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体パッケージの前記第1放熱面にグリースを介して接合される第1冷却器と、
前記第2半導体パッケージの前記第2放熱面にグリースを介して接合され、前記第1冷却器にねじによって連結される第2冷却器と、をさらに備え、
前記ねじの締結により、前記第1冷却器と前記第1半導体パッケージとは、互いに圧力を加えながら接触しており、かつ、前記第2冷却器と前記第2半導体パッケージとは、互いに圧力を加えながら接触している、請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1半導体パッケージと、前記第2半導体パッケージとは、前記ねじが貫通する貫通穴を含む、請求項12に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体パッケージの前記第1放熱面にはんだ、もしくは、ろう材を介して接合される第1冷却器と、
前記第2半導体パッケージの前記第2放熱面にはんだ、もしくは、ろう材を介して接合される第2冷却器と、をさらに備える、請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 第1半導体チップに積層される第1金属ブロックの表面が露出する第1露出面と、前記第1半導体チップに積層されていない第2金属ブロックの表面が、前記第1露出面と同じ側から、露出する第2露出面と、前記第1露出面と前記第2露出面とに対向し、かつ、前記第1半導体チップと前記第1金属ブロックと前記第2金属ブロックとを含む内部構造から絶縁された第1放熱面と、を含む第1半導体パッケージを準備する工程と、
第2半導体チップに積層される第3金属ブロックの表面が露出する第3露出面と、前記第2半導体チップに積層されていない第4金属ブロックの表面が、前記第3露出面と同じ側から、露出する第4露出面と、前記第3露出面と前記第4露出面とに対向し、かつ、前記第2半導体チップと前記第3金属ブロックと前記第4金属ブロックとを含む内部構造から絶縁された第2放熱面と、を含む第2半導体パッケージを準備する工程と、
前記第1半導体パッケージの前記第1露出面と前記第2半導体パッケージの前記第4露出面とが互いに対向して接続されるように、かつ、前記第1半導体パッケージの前記第2露出面と前記第2半導体パッケージの前記第3露出面とが互いに対向して接続されるように、前記第2半導体パッケージを前記第1半導体パッケージ上に接合する工程と、を備える半導体装置の製造方法。 - 前記第1半導体パッケージを準備する工程は、
第1ヒートスプレッダの表面に、前記第1半導体チップと前記第1金属ブロックとを順に積層する工程と、
第1絶縁膜の表面に、前記第1ヒートスプレッダと、前記第1ヒートスプレッダの隣に前記第2金属ブロックとを配置する工程と、
前記第1絶縁膜と、前記第1ヒートスプレッダと、前記第1半導体チップと、前記第1金属ブロックと、前記第2金属ブロックとを、樹脂によって封止することにより、第1樹脂部を形成する工程と、
前記第1樹脂部の表面を除去することにより、前記第1樹脂部の前記表面から、前記第1金属ブロックの前記表面と前記第2金属ブロックの前記表面とを露出させ、前記第1露出面と前記第2露出面とを一括して形成する工程と、を含み、
前記第2半導体パッケージを準備する工程は、
第2ヒートスプレッダの表面に、前記第2半導体チップと前記第3金属ブロックとを順に積層する工程と、
第2絶縁膜の表面に、前記第2ヒートスプレッダと、前記第2ヒートスプレッダの隣に前記第4金属ブロックとを配置する工程と、
前記第2絶縁膜と、前記第2ヒートスプレッダと、前記第2半導体チップと、前記第3金属ブロックと、前記第4金属ブロックとを、樹脂によって封止することにより、第2樹脂部を形成する工程と、
前記第2樹脂部の表面を除去することにより、前記第2樹脂部の前記表面から、前記第3金属ブロックの前記表面と前記第4金属ブロックの前記表面とを露出させ、前記第3露出面と前記第4露出面とを一括して形成する工程と、を含む、請求項15に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1半導体パッケージと、前記第1半導体パッケージ上に接合された前記第2半導体パッケージとを含む構造は、断面視において、2回対称の構造を有する、請求項15または請求項16に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1半導体パッケージの前記第1ヒートスプレッダと前記第2金属ブロックとは、一体であり、
前記第2金属ブロックの前記第2露出面は、前記第1ヒートスプレッダの前記表面である、請求項16に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2半導体パッケージを前記第1半導体パッケージ上に接合する工程は、
前記第1半導体パッケージの前記第1露出面と前記第2露出面とに、Auを含む表面処理層を形成する工程と、
前記第2半導体パッケージの前記第3露出面と前記第4露出面とに、Auを含む表面処理層を形成する工程と、
前記第1半導体パッケージの前記第1露出面における前記表面処理層と、前記第2半導体パッケージの前記第4露出面における前記表面処理層とを接合し、かつ、前記第1半導体パッケージの前記第2露出面における前記表面処理層と、前記第2半導体パッケージの前記第3露出面における前記表面処理層とを接合する工程と、を含む、請求項15から請求項18のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2半導体パッケージを前記第1半導体パッケージ上に接合する工程は、
前記第1半導体パッケージの前記第1露出面と前記第2半導体パッケージの前記第4露出面との間、および、前記第1半導体パッケージの前記第2露出面と前記第2半導体パッケージの前記第3露出面との間を、低融点はんだによって接合する工程を含み、
前記低融点はんだの融点は、前記第1半導体パッケージの内部で前記第1半導体チップを固定するはんだ、または、前記第2半導体パッケージの内部で前記第2半導体チップを固定するはんだの融点よりも低い、請求項15から請求項19のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2半導体パッケージを前記第1半導体パッケージ上に接合する工程は、
前記第1半導体パッケージの前記第1露出面と前記第2半導体パッケージの前記第4露出面との間、および、前記第1半導体パッケージの前記第2露出面と前記第2半導体パッケージの前記第3露出面との間を、導電性グリースによって接合する工程を含む、請求項15から請求項19のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2半導体パッケージを前記第1半導体パッケージ上に接合する工程は、
前記第1半導体パッケージの前記第1露出面と前記第2半導体パッケージの前記第4露出面との間、および、前記第1半導体パッケージの前記第2露出面と前記第2半導体パッケージの前記第3露出面との間を、銀ペーストによって接合する工程を含み、
前記銀ペーストは、加圧されながら加熱されることにより焼結する、請求項15から請求項19のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1半導体パッケージの前記第1露出面と前記第2露出面とは、同一の平面内に位置し、
前記第2半導体パッケージの前記第3露出面と前記第4露出面とは、同一の平面内に位置する、請求項15から請求項22のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1半導体チップと前記第2半導体チップとは、SiCを含む、請求項15から請求項23のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1半導体チップと前記第2半導体チップとは、RC-IGBT(Reverse Conducting Insulated. Gate Bipolar Transistor)を含む、請求項15から請求項24のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1半導体パッケージの前記第1放熱面に第1冷却器をグリースによって接合する工程と、
前記第2半導体パッケージの前記第2放熱面に第2冷却器をグリースによって接合し、前記第2冷却器をねじによって前記第1冷却器に連結する工程と、をさらに備え、
前記ねじの締結により、前記第1冷却器と前記第1半導体パッケージとは、互いに圧力を加えながら接触しており、かつ、前記第2冷却器と前記第2半導体パッケージとは、互いに圧力を加えながら接触している、請求項15から請求項25のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1半導体パッケージと、前記第2半導体パッケージとは、前記ねじが貫通する貫通穴を含む、請求項26に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1半導体パッケージの前記第1放熱面に第1冷却器をはんだ、もしくは、ろう材によって接合する工程と、
前記第2半導体パッケージの前記第2放熱面に第2冷却器をはんだ、もしくは、ろう材によって接合する工程と、をさらに備える、請求項15から請求項27のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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