JP6990544B2

JP6990544B2 - 研削ホイール及び研削装置

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Publication number: JP6990544B2
Application number: JP2017175310A
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Inventors: ペキジャデジャン
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Description

本発明は、研削ホイール及び研削装置に関する。

ウエーハを研削する研削装置は、複数のセグメント砥石を環状に配設した研削ホイールを回転させ、ウエーハの研削面をセグメント砥石で研削している。従来、研削対象となるウエーハの中心部を片減りすることなく均一に、高精度で研削を行う研削砥石を備えた研削ホイールが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載の研削ホイールにおいては、研削ホイールの端面に環状に取り付けられる研削砥石に、研削ホイールの中心側に接近して配置される接近部分と、研削ホイールの中心から離間して配置される離間部分とを交互に設け、これらを研削ホイールの中心を挟んでそれぞれ点対称に配置している。これにより、ウエーハの回転中心部に対する砥石体の常時接触を回避してウエーハの表面全体を均一に研削すると共に、安定状態で研削ホイールを回転させて高精度の研削を確保している。

特開２００１－０９６４６７号公報

しかしながら、上述した特許文献１に記載の研削ホイールでは、接近部分の研削砥石と離間部分の研削砥石とが、ウエーハの被研削面上の異なる位置を研削する。このため、被研削面に対する食い付き性能を十分に確保することができない事態が発生し得る。特に、このように食い付き性能が不十分になる問題は、ＳｉＣやサファイアのように硬い材質で構成されるウエーハに発生し易い。

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、被研削面に対する食い付き性能を改善することができる研削ホイール及び研削装置を提供することを目的の１つとする。

本発明の一態様の研削ホイールは、ウエーハを研削するためにセグメント砥石を環状に配設した研削ホイールであって、少なくとも該研削ホイールの径方向に厚みが異なる３つの該セグメント砥石を備え、該厚みが異なる３つのセグメント砥石を厚みの小さいセグメント砥石から厚みの大きいセグメント砥石の順に内周をそろえて環状に配設し隣どうしの該セグメント砥石に均等な隙間を備えることを特徴とする。

また、本発明の一態様の研削装置は、ウエーハを保持する保持面を有する保持テーブルと、該保持テーブルを所定の回転方向に回転させる保持テーブル回転手段と、上述した研削ホイールを装着して該保持テーブルの回転方向と同一方向に回転させるスピンドルユニットを有し該保持テーブルが保持したウエーハを研削する研削手段と、該研削手段を該保持面に対して垂直方向に移動させる研削送り手段と、該保持テーブルと該研削手段とを相対的に該保持面方向に移動させて保持テーブルが保持したウエーハの中心を該セグメント砥石が通過する位置関係に位置づける位置づけ手段とを備えた研削装置であって、該位置づけ手段により、該保持テーブルが保持したウエーハの中心を該研削ホイールの内周から最外周までの環状エリア内に位置づけ、ウエーハの上面を該セグメント砥石が研削する研削加工エリアは、該セグメント砥石の回転軌道でのウエーハの外周から中心までであって、該セグメント砥石の並び順は、該研削ホイールの回転方向の前方側から後方側に向けて、該研削ホイールの径方向にもっとも厚みの小さい該セグメント砥石からもっとも厚みの大きい該セグメント砥石への順に内周をそろえて配設されていて、該保持テーブルが保持したウエーハの外周から該セグメント砥石を進入させウエーハを研削することを特徴とする。

この構成によれば、厚みの異なる３つのセグメント砥石が、厚みの小さいセグメント砥石から厚みの大きいセグメント砥石の順に内周をそろえて環状に配設され、厚みの小さいセグメント砥石から順に研削加工エリアに進入する。これにより、被研削面に食い込み易い最薄のセグメント砥石で研削加工を行った後、最薄のセグメント砥石で研削された領域に対し、より厚みの大きなセグメント砥石を追随させて研削加工を行うことができる。この結果、同一の厚み寸法を有するセグメント砥石で研削加工を行う場合に比べて、被研削面に対する食い付き性能を改善することができる。

本発明によれば、被研削面に対する食い付き性能を改善することができる。

本実施の形態の係る研削装置の斜視図である。本実施の形態に係る研削装置が有する研削ホイールとウエーハとの関係の説明図である。本実施の形態に係る研削装置により研削されるウエーハの被研削面の拡大図である。本実施の形態に係る研削装置により研削されるウエーハの被研削面の拡大図である。本実施の形態に係る研削装置により研削されるウエーハの被研削面の拡大図である。本実施の形態に係る研削装置により研削されるウエーハの被研削面の拡大図である。

以下、添付図面を参照して、本実施の形態の研削装置について説明する。図１は、本実施の形態の係る研削装置の斜視図である。なお、研削装置は、図１に示すように研削加工専用の装置構成に限定されず、例えば、研削加工、研磨加工、洗浄加工等の一連の加工が全自動で実施されるフルオートタイプの加工装置に組み込まれてもよい。

図１に示すように、研削装置１は、多数のセグメント砥石４７を円環状に配置した研削ホイール４６を用いて、チャックテーブル（保持テーブル）２０に保持されたウエーハＷを研削するように構成されている。ウエーハＷは、保護テープＴが貼着された状態で研削装置１に搬入され、チャックテーブル２０の保持面２１に保持される。なお、ウエーハＷは、研削対象となる板状部材であればよく、シリコン、ガリウム砒素等の半導体ウエーハでもよいし、セラミック、ガラス、サファイア等の光デバイスウエーハでもよいし、デバイスパターン形成前のアズスライスウエーハでもよい。

研削装置１の基台１０の上面には、Ｘ軸方向に延在する矩形状の開口が形成され、この開口はチャックテーブル２０と共に移動可能な移動板１１及び蛇腹状の防水カバー１２に覆われている。防水カバー１２の下方には、チャックテーブル２０をＸ軸方向に移動させるボールねじ式の進退手段５０が設けられている。進退手段５０は、チャックテーブル２０と後述する研削手段４０とを相対的に保持面２１方向（Ｘ軸方向）に移動させて、チャックテーブル２０が保持したウエーハＷの中心をセグメント砥石４７が通過する位置関係に位置づける位置づけ手段を構成する。

進退手段５０は、基台１０内に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール５１と、一対のガイドレール５１にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル５２とを有している。Ｘ軸テーブル５２の下面側には図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールねじ５３が螺合されている。ボールねじ５３の一端部に連結された駆動モータ５４によりボールねじ５３が回転駆動されることで、Ｘ軸テーブル５２がガイドレール５１に沿ってＸ軸方向に移動される。

進退手段５０のＸ軸テーブル５２には、テーブル回転手段２２が設けられている。チャックテーブル２０は、このテーブル回転手段２２の上方側に連結される。テーブル回転手段２２は、図示しない回転駆動機構に接続され、チャックテーブル２０を所定の回転方向に回転させる保持テーブル回転手段を構成する。チャックテーブル２０は、テーブル回転手段２２の駆動によってウエーハＷの中心を軸に回転可能に構成されている。

チャックテーブル２０の上面には、多孔質のポーラス材によってウエーハＷを吸引保持する保持面２１が形成されている。チャックテーブル２０の内部には、吸引源（不図示）に連なる連通路（不図示）が形成されている。連通路が保持面２１に連通されることで、保持面２１の上面には、吸引源の負圧によってウエーハＷが吸引保持される。なお、保持面２１は、チャックテーブル２０の回転中心（保持面２１の中心）を頂点とし、外周側が僅かに低く傾斜した傾斜面を有する。ウエーハＷは、円錐状に傾斜する保持面２１に吸引保持されると、保持面２１の形状に沿って緩傾斜の円錐状に変形する。

基台１０上のコラム１５には、研削手段４０をチャックテーブル２０（より具体的には、保持面２１）に対して接近及び離反させる方向（Ｚ軸方向（垂直方向））に研削送りする研削送り手段３０が設けられている。研削送り手段３０は、コラム１５に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール３１と、一対のガイドレール３１にスライド可能に設置されたモータ駆動のＺ軸テーブル３２とを有している。Ｚ軸テーブル３２の背面側には図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールねじ３３が螺合されている。ボールねじ３３の一端部に連結された駆動モータ３４によりボールねじ３３が回転駆動されることで、研削手段４０がガイドレール３１に沿ってＺ軸方向に移動される。

研削手段４０は、ハウジング４１を介してＺ軸テーブル３２の前面に取り付けられており、スピンドルユニット４２で研削ホイール４６を中心軸回りに回転させるように構成されている。スピンドルユニット４２は、いわゆるエアスピンドルであり、ケーシングの内側で高圧エアを介してスピンドル軸４４を回転可能に支持している。スピンドルユニット４２は、研削ホイール４６をチャックテーブル２０の回転方向と同一方向に回転させる。

スピンドル軸４４の先端にはマウント４５が連結されており、マウント４５にはセグメント砥石４７を環状に備えた研削ホイール４６が装着されている。セグメント砥石４７は、例えば、所定砥粒径のダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで結合して構成される。なお、セグメント砥石４７は、これに限定されず、ダイヤモンド砥粒をメタルボンドやレジンボンド等の結合剤で固めて形成してもよい。詳細について後述するように、研削ホイール４６には、径方向に厚みの異なる３種類のセグメント砥石４７が配設されている。

ここで、本実施の形態に係る研削ホイール４６の構成と、研削ホイール４６とウエーハＷとの関係について、図２を参照して説明する。図２は、本実施の形態に係る研削装置１が有する研削ホイール４６とウエーハＷとの関係の説明図である。図２においては、進退手段５０により、チャックテーブル２０が保持したウエーハＷの中心Ｗｃをセグメント砥石４７が通過する位置関係に位置づけられた状態を示している。

本実施の形態に係る研削装置１において、チャックテーブル２０及び研削ホイール４６は、同一方向（図２に示す反時計回り方向）に回転する。チャックテーブル２０及び研削ホイール４６の回転速度は、研削ホイール４６の方がチャックテーブル２０よりも速く設定されることを前提として任意に設定することができる。

図２に示すように、研削ホイール４６には、径方向に厚みの異なる３種類のセグメント砥石４７１、４７２、４７３が配設されている。セグメント砥石４７１は、最も厚みが小さく構成され、セグメント砥石４７３は、最も厚みが大きく構成される。セグメント砥石４７２は、セグメント砥石４７１、４７３の中間の厚み寸法を有している。例えば、セグメント砥石４７１、４７２、４７３は、それぞれ研削ホイール４６の径方向に２ｍｍ、３ｍｍ、４ｍｍの厚み寸法に設定されるが、これに限定されるものではなく適宜変更が可能である。

セグメント砥石４７は、研削ホイール４６の回転方向の前方側から後方側に向けて、セグメント砥石４７１、４７２、４７３の順に配設されている。これらのセグメント砥石４７１、４７２、４７３は、それぞれの内周をそろえて環状に配設されている。研削ホイール４６には、このように配列されたセグメント砥石４７１、４７２、４７３で構成される砥石群４７０が周方向に沿って複数配置されている。セグメント砥石４７３における研削ホイール４６の回転方向の後方側には、隣り合う砥石群４７０のセグメント砥石４７１が配置される。隣り合うセグメント砥石４７との間には、均等な隙間が配置される。すなわち、セグメント砥石４７は、均等な隙間を挟んで研削ホイール４６の周方向に環状に配設されている。

進退手段５０は、チャックテーブル２０が保持したウエーハＷの中心Ｗｃを、セグメント砥石４７の内周（より具体的には、セグメント砥石４７１～４７３の内周）４７ｉからセグメント砥石４７の最外周（より具体的には、セグメント砥石４７３の外周）４７ｏまでの環状エリア（すなわち、帯状の環状エリア）内に位置づける。このとき、ウエーハＷの中心Ｗｃは、セグメント砥石４７の内周４７ｉとセグメント砥石４７の最外周４７ｏとの中間を通る、図２に一点鎖線Ａで示す円周上に配置される。一方、研削ホイール４６の中心４６ｃは、ウエーハＷの外周と重なる位置に配置されている。

上述したように、ウエーハＷは、保持面２１に吸引保持された状態で保持面２１の形状に沿って緩傾斜の円錐状に変形している。このため、研削ホイール４６による研削加工エリアＧＰは、セグメント砥石４７の回転軌道でウエーハＷの外周から中心Ｗｃまでの領域に形成される。なお、研削ホイール４６におけるセグメント砥石４７の内側には、所定の間隔で研削水供給口４６１が形成されている。研削ホイール４６による研削加工時には、研削水供給口４６１から研削水が供給される。

このように構成される研削装置１においては、チャックテーブル２０が保持したウエーハＷの外周から研削加工エリアＧＰにセグメント砥石４７を進入させてウエーハＷの被研削面（上面）の研削加工を行う。このとき、セグメント砥石４７は、厚み寸法が次第に大きくなるように、セグメント砥石４７１、４７２、４７３の順に研削加工エリアＧＰに進入する。

ところで、厚み寸法が同一のセグメント砥石を備える研削ホイールでウエーハに対する研削加工を行う場合には、セグメント砥石の研削加工面積が同一であり、ウエーハの被研削面に対する食い付き性能を十分に確保できない事態が発生する。例えば、ウエーハがＳｉＣやサファイアのように硬い材質で構成される場合や、研削ホイールの回転速度が高速である場合（研削加工条件が厳しい場合）などにこのような食い付き性能の問題が発生し易い。

本発明者は、同一の厚み寸法のセグメント砥石による研削加工が、研削加工の条件によって食い付き性能が不十分となり得ることに着目した。そして、異なる厚み寸法を有するセグメント砥石を備え、厚み寸法が次第に大きくなるように研削加工を施すことが被研削面に対する食い付き性能の改善に寄与することを見出し、本発明に想到した。

すなわち、本発明の骨子は、ウエーハＷを研削するためにセグメント砥石４７を環状に配設した研削ホイール４６において、少なくとも厚みが異なる３つのセグメント砥石４７（４７１～４７３）を備え、これらの３つのセグメント砥石４７を、厚みの小さいセグメント砥石４７１から厚みの大きいセグメント砥石４７３の順に内周をそろえて環状に配設することである。これにより、被研削面に食い込み易い最薄のセグメント砥石４７１で研削加工を行った後、このセグメント砥石４７１で研削された領域に対し、より厚みの大きなセグメント砥石４７２、４７３を重複させて研削加工を行うことができる。この結果、同一の厚み寸法を有するセグメント砥石で研削加工を行う場合に比べて、被研削面に対する食い付き性能を改善することができる。

以下、本実施の形態に係る研削装置１の研削工程におけるウエーハＷの被研削面の研削状態について、図３～図６を参照して説明する。図３～図６は、本実施の形態に係る研削装置１により研削されるウエーハＷの被研削面の拡大図である。図３～図６においては、ウエーハＷにおける研削加工エリアＧＰの周辺を拡大して示し、説明の便宜上、単一の砥石群４７０を構成するセグメント砥石４７１～４７３のみを示している。

図３においては、研削加工エリアＧＰにセグメント砥石４７１が進入した直後の状態を示している。ウエーハＷの外周から研削加工エリアＧＰにセグメント砥石４７１が進入すると、図３に示すように、セグメント砥石４７１の厚み寸法に応じてウエーハＷの被研削面が研削される。このとき、セグメント砥石４７１は、厚み寸法が十分に小さい。このため、被研削面に対して食い込み易く、良好な食い付き性能を有した状態でウエーハＷに対して研削加工を行うことができる。なお、図３においては、セグメント砥石４７１による研削痕ＳＭ１を破線で示している。図４以降についても同様である。

図３に示す状態からウエーハＷ及び研削ホイール４６が回転すると、後続するセグメント砥石４７２がウエーハＷの外周から研削加工エリアＧＰに進入する。図４においては、研削加工エリアＧＰにセグメント砥石４７２が進入した直後の状態を示している。研削加工エリアＧＰにセグメント砥石４７２が進入すると、図４に示すように、セグメント砥石４７２の厚み寸法に応じてウエーハＷの被研削面が研削される。なお、図４においては、セグメント砥石４７２による研削痕ＳＭ２を一点鎖線で示している。図５以降についても同様である。

このとき、セグメント砥石４７１による研削痕ＳＭ１は、図４に示すように、現在のセグメント砥石４７１の位置からウエーハＷの外周側に向けて拡がるように形成されている。このように研削痕ＳＭ１が拡がるように形成されるのは、ウエーハＷと研削ホイール４６とが同時に回転することに起因する。

研削加工エリアＧＰに進入したセグメント砥石４７２は、このようにセグメント砥石４７１により研削された領域（研削痕ＳＭ１の領域）の一部と重複して研削を行う。当該領域（研削痕ＳＭ１の領域）に対する研削を行うと同時に、セグメント砥石４７２は、セグメント砥石４７１に追従してセグメント砥石４７１が研削していない部分（研削痕ＳＭ１に重複しない部分）の研削を行う。

また、研削ホイール４６の回転速度がウエーハＷの回転速度より速い場合には、セグメント砥石４７１により研削された領域（研削痕ＳＭ１の領域）の一部と重複して研削する領域が大きくなる。さらに、研削ホイール４６の回転速度が速いほど、またはチャックテーブル２０の回転が遅いほど、研削痕ＳＭ１の広がりは小さくなり、後続のセグメント砥石４７２が研削痕ＳＭ１を重複研削する割合も小さくなる。よってセグメント砥石４７２が食い込み易くなり回転速度を速くする事ができる。

図４に示す状態からウエーハＷ及び研削ホイール４６が回転すると、後続するセグメント砥石４７３がウエーハＷの外周から研削加工エリアＧＰに進入する。図５においては、研削加工エリアＧＰにセグメント砥石４７３が進入した直後の状態を示している。研削加工エリアＧＰにセグメント砥石４７３が進入すると、図５に示すように、セグメント砥石４７３の厚み寸法に応じてウエーハＷの被研削面が研削される。なお、図５においては、セグメント砥石４７３による研削痕ＳＭ３を二点鎖線で示している。図６についても同様である。

このとき、セグメント砥石４７２による研削痕ＳＭ２は、図５に示すように、現在のセグメント砥石４７２の位置からウエーハＷの外周側に向けて拡がるように形成されている。また、セグメント砥石４７１による研削痕ＳＭ１は、図４に示す状態からウエーハＷの外周側に向けて更に拡がって形成されている。

研削加工エリアＧＰに進入したセグメント砥石４７３は、このようにセグメント砥石４７２により研削された領域（研削痕ＳＭ２の領域）の一部と重複して研削を行う。当該領域（研削痕ＳＭ２の領域）に対する研削を行うと同時に、セグメント砥石４７３は、セグメント砥石４７２に追従してセグメント砥石４７２が研削していない部分（研削痕ＳＭ２に重複しない部分）の研削を行う。

図５に示す状態からウエーハＷ及び研削ホイール４６が回転すると、セグメント砥石４７１～４７３が研削加工エリアＧＰを研削ホイール４６の回転方向の前方側（下流側）に進む。図６においては、図５に示す状態から更にセグメント砥石４７１～４７３が回転した状態を示している。このとき、図６に示すように、セグメント砥石４７２は、セグメント砥石４７１が研削した領域と一部が重複する位置を継続して研削し、セグメント砥石４７３は、セグメント砥石４７１、４７２が研削した領域と一部が重複する位置を継続して研削していく。

ウエーハＷの被研削面に対しては、ウエーハＷ及び研削ホイール４６の回転に伴い、まず、セグメント砥石４７１が食い込むことで、切っ掛けとなる研削加工を行う。そして、後続するセグメント砥石４７２、４７３は、セグメント砥石４７１が研削した領域を徐々に拡大しながら研削していく。これにより、ウエーハＷがＳｉＣやサファイアのように硬い材質で構成される場合や、研削ホイール４６の回転速度が高速である場合（研削加工条件が厳しい場合）であってもウエーハＷを効果的に研削することができる。

このように本実施の形態に係る研削装置１においては、厚みの異なる３つのセグメント砥石４７１～４７３が、厚みの小さいセグメント砥石４７１から厚みの大きいセグメント砥石４７３の順に内周をそろえて環状に配設され、厚みの小さいセグメント砥石４７１から順に研削加工エリアＧＰにウエーハＷの外周から進入する。これにより、被研削面に食い込み易い最薄のセグメント砥石４７１で研削加工を行った後、このセグメント砥石４７１で研削された領域に対し、セグメント砥石４７１より厚みの大きなセグメント砥石４７２、４７３を追随させてセグメント砥石４７１で研削された領域に重なってセグメント砥石４７２で研削された領域、さらにセグメント砥石４７２で研削された領域に重なってセグメント砥石４７３で研削された領域となるように研削加工を行うことができる。この結果、同一の厚み寸法を有するセグメント砥石で研削加工を行う場合に比べて、被研削面に対する食い付き性能を改善することができる。

特に、厚みの異なる３つのセグメント砥石４７１～４７３は、内周４７ｉ（図２参照）を揃えて環状に配置されている。これにより、先行するセグメント砥石４７（例えば、セグメント砥石４７１）が研削した領域のうち、後続するセグメント砥石４７（例えば、セグメント砥石４７２）が重複して研削する領域を大きく確保できるので、より食い付き特性に優れた研削加工を行うことができる。また、もっとも厚みが大きいセグメント砥石４７３の後続にセグメント砥石４７１がウエーハＷの外周から進入する。セグメント砥石４７１は厚みが小さいので食い込み易い反面磨耗が大きく、狭い幅の研削痕ＳＭ１はキズのように形成される。そして、後続のセグメント砥石４７２、４７３は、厚みが大きいほど磨耗が小さく、厚みが大きいほど綺麗な研削痕が形成される。つまり、ウエーハＷの被研削面は、磨耗がもっとも少ないセグメント砥石４７３で形成されることで、従来と同様の研削痕を形成することができる。

なお、本発明の実施の形態は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。

例えば、上記実施の形態においては、研削ホイール４６に厚みの異なる３つのセグメント砥石４７（４７１～４７３）を備える場合について説明している。しかしながら、セグメント砥石４７の厚み寸法の種類は、３つに限定されるものではなく適宜変更が可能である。ウエーハＷの被研削面を適切に研削することを前提として、４つ以上のセグメント砥石４７を研削ホイール４６に備えるようにしてもよい。

さらに、上記実施の形態においては、厚みの異なる３つのセグメント砥石４７の内周を揃えて環状に配設する場合について説明している。しかしながら、セグメント砥石４７の配置は、適宜変更が可能である。ウエーハＷの被研削面に対する食い付き性能を確保すると共に、先行するセグメント砥石４７により研削された領域を後続するセグメント砥石４７が重複して研削することを条件として、任意の位置に配置することができる。

さらに、加工対象として、加工の種類に応じて、例えば、半導体デバイスウエーハ、光デバイスウエーハ、パッケージ基板、半導体基板、無機材料基板、酸化物ウエーハ、生セラミックス基板、圧電基板等の各種ワークが用いられてもよい。半導体デバイスウエーハとしては、デバイス形成後のシリコンウエーハや化合物半導体ウエーハが用いられてもよい。光デバイスウエーハとしては、デバイス形成後のサファイアウエーハやシリコンカーバイドウエーハが用いられてもよい。また、パッケージ基板としてはＣＳＰ（Chip Size Package）基板、半導体基板としてはシリコンやガリウム砒素等、無機材料基板としてはサファイア、セラミックス、ガラス等が用いられてもよい。さらに、酸化物ウエーハとしては、デバイス形成後又はデバイス形成前のリチウムタンタレート、リチウムナイオベートが用いられてもよい。

以上説明したように、本発明は、被研削面に対する食い付き性能を改善することができるという効果を有し、特に、ウエーハの表面を研削する研削ホイール及び研削装置に有用である。

１研削装置
２０チャックテーブル
２１保持面
２２テーブル回転手段
４０研削手段
４２スピンドルユニット
４５マウント
４６研削ホイール
４７、４７１～４７３セグメント砥石
５０進退手段
Ｗウエーハ

Claims

ウエーハを研削するためにセグメント砥石を環状に配設した研削ホイールであって、
少なくとも該研削ホイールの径方向に厚みが異なる３つの該セグメント砥石を備え、該厚みが異なる３つのセグメント砥石を厚みの小さいセグメント砥石から厚みの大きいセグメント砥石の順に内周をそろえて環状に配設し隣どうしの該セグメント砥石に均等な隙間を備えたことを特徴とする研削ホイール。
ウエーハを保持する保持面を有する保持テーブルと、該保持テーブルを所定の回転方向に回転させる保持テーブル回転手段と、請求項１記載の研削ホイールを装着して該保持テーブルの回転方向と同一方向に回転させるスピンドルユニットを有し該保持テーブルが保持したウエーハを研削する研削手段と、該研削手段を該保持面に対して垂直方向に移動させる研削送り手段と、該保持テーブルと該研削手段とを相対的に該保持面方向に移動させて保持テーブルが保持したウエーハの中心を該セグメント砥石が通過する位置関係に位置づける位置づけ手段とを備えた研削装置であって、
該位置づけ手段により、該保持テーブルが保持したウエーハの中心を該研削ホイールの内周から最外周までの環状エリア内に位置づけ、
ウエーハの上面を該セグメント砥石が研削する研削加工エリアは、該セグメント砥石の回転軌道でのウエーハの外周から中心までであって、
該セグメント砥石の並び順は、該研削ホイールの回転方向の前方側から後方側に向けて、該研削ホイールの径方向にもっとも厚みの小さい該セグメント砥石からもっとも厚みの大きい該セグメント砥石への順に内周をそろえて配設されていて、該保持テーブルが保持したウエーハの外周から該セグメント砥石を進入させウエーハを研削することを特徴とする研削装置。