JP6984368B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Description

この発明は、積層セラミックコンデンサに関する。

電子機器の小型化が一層進展している。これに伴い、電子機器に搭載される積層セラミックコンデンサにも更なる小型化が求められている。積層セラミックコンデンサの基本構造が、例えば、特開２０１１−５７５１１号公報（以下、「特許文献１」という。）に開示されている。特許文献１の積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体を有する。内部電極層は、各端面がコンデンサ素子本体の対向する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極は、コンデンサ素子本体の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。

特開２０１１−５７５１１号公報

積層セラミックコンデンサは、上記したように小型化が要求されているが、同時に高容量化も求められており、これに応じて、内部電極層の極大化が進められている。内部電極層が極大化された場合、内部電極層と外部との距離が短くなる。これにより、積層セラミックコンデンサの耐湿信頼性が低下してしまうという問題があった。また、内部電極層同士の幅方向のずれ量により、初期ショート不良が発生してしまうという問題も生じていた。

それゆえに、この発明の目的は、水分の浸入経路を減少させることで、実使用環境下での耐湿信頼性が改善され、且つ初期ショート不良が抑制された、積層セラミックコンデンサを提供することである。

この発明に係るセラミックコンデンサは、複数の誘電体層と、複数の第１の内部電極層と、複数の第２の内部電極層とが交互に積層されることにより直方体状に形成され、積層方向において相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面および第２の端面とを含む積層体と、第１の端面に形成されることにより、複数の第１の内部電極層に電気的に接続される第１の外部電極と、第２の端面に形成されることにより、複数の第２の内部電極層に電気的に接続される第２の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、複数の第１の内部電極層は、複数の誘電体層を介して複数の第２の内部電極層に対向する対向電極部と、対向電極部の第１の端面側の端部から第１の端面までの引出電極部とを有し、複数の第２の内部電極層は、複数の誘電体層を介して複数の第１の内部電極層に対向する対向電極部と、対向電極部の第２の端面側の端部から第２の端面までの引出電極部とを有し、積層体は、複数の第２の内部電極層におけるそれぞれの対向電極部と前記第１の端面との間に位置する第１の端部と、複数の第１の内部電極層におけるそれぞれの対向電極部と第２の端面との間に位置する第２の端部とを含み、第１の外部電極は、第１の端面から第１の主面、第２の主面、第１の側面および第２の側面それぞれの一部まで延長するように一体に形成される焼付け層を含み、且つ第２の外部電極は、第２の端面から第１の主面、第２の主面、第１の側面および第２の側面それぞれの一部まで延長するように一体に形成される焼付け層を含み、第１の外部電極の焼付け層および第２の外部電極の焼付け層のそれぞれは、少なくとも第２の主面側に形成された部分に積層方向へと突き出るように頂点が形成された突出部を有したものであることを特徴とする。
また、焼付け層の表面と突出部の頂点との積層方向に沿った寸法は、０．５μｍ以上３５μｍ以下である。
そして、第１の外部電極の焼付け層の第１の主面側に形成された部分に積層方向へと突き出るように頂点が形成された突出部の頂点は、第１の主面と第１の端面とが交わる稜線部に位置し、幅方向に沿って、第１の側面よりも幅方向の外側の位置から第２の側面よりも幅方向の外側の位置まで延在し、第２の外部電極の焼付け層の第１の主面側に形成された部分に積層方向へと突き出るように頂点が形成された突出部の頂点は、第１の主面と第２の端面とが交わる稜線部に位置し、幅方向に沿って、第１の側面よりも幅方向の外側の位置から第２の側面よりも幅方向の外側の位置まで延在し、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に積層方向へと突き出るように頂点が形成された突出部の頂点は、第２の主面と第１の端面とが交わる稜線部に位置し、幅方向に沿って、第１の側面よりも幅方向の外側の位置から第２の側面よりも幅方向の外側の位置まで延在し、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に積層方向へと突き出るように頂点が形成された突出部の頂点は、第２の主面と第２の端面とが交わる稜線部に位置し、幅方向に沿って、第１の側面よりも幅方向の外側の位置から第２の側面よりも幅方向の外側の位置まで延在し、第１の外部電極の焼付け層および第２の外部電極の焼付け層のそれぞれは、第１及び第２の側面側に形成された部分にも幅方向へと突き出した突出部を有し、第１の側面側に形成された部分にも幅方向へと突き出した突出部は、焼付け層の第１の主面側に形成された部分から突き出した突出部の第１の側面側の端部と、焼付け層の第２の主面側に形成された部分から突き出した突出部の第１の側面側の端部とを結ぶように積層方向に沿って延在し、第２の側面側に形成された部分にも幅方向へと突き出した突出部は、焼付け層の第１の主面側に形成された部分から突き出した突出部の第２の側面側の端部と、焼付け層の第２の主面側に形成された部分から突き出した突出部の第２の側面側の端部とを結ぶように積層方向に沿って延在することを特徴とする。
好ましくは、複数の第１の内部電極層および複数の第２の内部電極層それぞれはＮｉを含み、第１の内部電極層および第２の内部電極層と誘電体層との界面にＮｉ−Ｓｎ反応層が形成され、Ｎｉ−Ｓｎ反応層は、第１の内部電極層および第２の内部電極層それぞれの幅寸法の５０．０％ 以上１００．０％以下の長さで直線状に連続して形成され、且つ厚みが５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることを特徴とする。
好ましくは、複数の第１の内部電極層および複数の第２の内部電極層それぞれの誘電体層に隣接する部分にはＭｇが偏析していることを特徴とする。
好ましくは、最も外層側に位置する第１の内部電極層または第２の内部電極層それぞれのＭｇ偏析量が、元素比率Ｍｇ／Ｎｉで０．０５以下であることを特徴とする。
好ましくは、第１の内部電極層および第２の内部電極層それぞれの幅方向の端部には、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析していることを特徴とする。
好ましくは、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスの偏析している領域の幅方向に沿った寸法が、１．０００μｍ以下であることを特徴とする。
好ましくは、第１の外部電極が、第１の端面から第１の主面および第２の主面それぞれの一部まで延長するように形成される焼付け層を含み、且つ第２の外部電極が、第２の端面から第１の主面および第２の主面それぞれの一部まで延長するように形成される焼付け層を含み、第１の外部電極の焼付け層および第２の外部電極の焼付け層のそれぞれが、少なくとも第２の主面側に形成された部分に積層方向へと突き出るように形成された突出部を有し、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関して、第２の端面側の先端部と突出部の頂点とを結ぶ第１の直線を定義したとき、第１の直線に直交するように第１の直線から第２の主面側に形成された部分の表面まで引いた垂線が最も長くなる第２の主面側に形成された部分の表面上の点と、突出部の頂点との積層方向に沿った寸法が０．５μｍ以上３５μｍ以下であり、第２の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関して、第１の端面側の先端部と突出部の頂点とを結ぶ第２の直線を定義したとき、第２の直線に直交するように第２の直線から第２の主面側に形成された部分の表面まで引いた垂線が最も長くなる第２の主面側に形成された部分の表面上の点と、突出部の頂点との積層方向に沿った寸法が０．５μｍ以上３５μｍ以下であり、且つ、積層セラミックコンデンサの積層方向に沿った寸法が、０．１８ｍｍ以上０．７０ｍｍ以下であることを特徴とする。
好ましくは、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分の表面に関して、第２の端面側の先端部から第１の端面までの第１の外部電極の表面に沿った寸法をｄ₁とし、第２の端面側の先端部から第１の端面までの長さ方向に沿った寸法をｅ₁としたとき、ｄ₁／ｅ₁が１．００４５以上１．４以下であり、且つ、第２の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分の表面に関して、第１の端面側の先端部から第２の端面までの第２の外部電極の表面に沿った寸法をｄ₂とし、第１の端面側の先端部から第２の端面までの長さ方向に沿った寸法をｅ₂としたとき、ｄ₂／ｅ₂が１．００４５以上１．４以下であることを特徴とする。
好ましくは、積層方向の寸法が０．３００ｍｍ±０．０９０ｍｍであり、幅方向の寸法が０．３００ｍｍ±０．０９０ｍｍであり、長さ方向の寸法が０．６００ｍｍ±０．０９０ｍｍであり、誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が１００枚以上５００枚以下であることを特徴とする。
好ましくは、積層方向の寸法が０．２００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、幅方向の寸法が０．２００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、長さ方向の寸法が０．４００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が５０枚以上３００枚以下であることを特徴とする。
好ましくは、積層方向の寸法が０．３００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、幅方向の寸法が０．２００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、長さ方向の寸法が０．４００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が１００枚以上５００枚以下であることを特徴とする。
好ましくは、積層方向の寸法が０．３００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、幅方向の寸法が０．３００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、長さ方向の寸法が０．４００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が１００枚以上５００枚以下であることを特徴とする。
好ましくは、積層方向の寸法が０．２５０ｍｍ±０．０２５ｍｍであり、幅方向の寸法が０．２５０ｍｍ±０．０２５ｍｍであり、長さ方向の寸法が０．５００ｍｍ±０．０２５ｍｍであり、誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が１００枚以上５００枚以下であることを特徴とする。
好ましくは、積層方向の寸法が０．５００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、幅方向の寸法が０．５００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、長さ方向の寸法が０．８００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が２００枚以上１０００枚以下であることを特徴とする。
好ましくは、積層方向の寸法が０．６００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、幅方向の寸法が０．４５０ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、長さ方向の寸法が０．７５０ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が２００枚以上１０００枚以下であることを特徴とする。
好ましくは、積層方向の寸法が０．５００ｍｍ±０．２００ｍｍであり、幅方向の寸法が０．５００ｍｍ±０．２００ｍｍであり、長さ方向の寸法が１．０００ｍｍ±０．２００ｍｍであり、誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が２００枚以上１０００枚以下であることを特徴とする。

この発明によれば、水分の浸入経路を減少させることで、実使用環境下での耐湿信頼性が改善され、且つ初期ショート不良が抑制された、積層セラミックコンデンサを提供し得る。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴及び利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。 この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの長さ方向に沿った断面図である。 この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの積層方向における中央部での幅方向と長さ方向が交わる平面に沿った断面図である。 この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの幅方向に沿った断面図である。 （Ａ）は、この発明の一実施の形態に係る第１の外部電極のｔ₁を説明するための拡大断面図である。（Ｂ）は、この発明の一実施の形態に係る第１の外部電極のｄ₁／ｅ₁を説明するための拡大断面図である。 この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法の一例において作製される内部電極パターンが印刷されたセラミックシートの斜視図である。 この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法の一例において作製される内部電極パターンが印刷されたセラミックシートを積層する様子を示す斜視図である。 この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法の一例において作製される生の積層チップの斜視図である。 この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの実装構造を示す外観斜視図である。 この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの実装構造における好ましい半田の濡れ上がり態様を示す拡大断面図である。 半田の濡れ上がりが９０°以上となる好ましくない半田の濡れ上がり態様を示す拡大断面図である。

１．積層セラミックコンデンサ
以下、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサについて、図１〜５に基づいて説明する。図１は、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。図２は、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの長さ方向に沿った断面図である。図３は、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの積層方向における中央部での幅方向と長さ方向が交わる平面に沿った断面図である。図４は、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの幅方向に沿った断面図である。図５（Ａ）は、この発明の一実施の形態に係る第１の外部電極のｔ₁を説明するための拡大断面図である。図５（Ｂ）は、この発明の一実施の形態に係る第１の外部電極のｄ₁／ｅ₁を説明するための拡大断面図である。

この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状に形成された積層体２０と、積層体２０の表面に形成された第１の外部電極６０ａおよび第２の外部電極６０ｂとを備える。積層セラミックコンデンサ１０のＴ方向に沿った寸法（後述するＴ寸法）は、０．１８ｍｍ以上０．７０ｍｍ以下であることが好ましい。

（積層体２０）
積層体２０は、複数の誘電体層４０と、複数の第１の内部電極層５０ａと、複数の第２の内部電極層５０ｂとが交互に積層されることにより直方体状に形成される。そして、積層体２０は、積層方向（図１などに示すＴ方向）において相対する第１の主面２２ａおよび第２の主面２２ｂと、Ｔ方向に直交する幅方向（図１などに示すＷ方向）において相対する第１の側面２４ａおよび第２の側面２４ｂと、Ｔ方向およびＷ方向に直交する長さ方向（図１などに示すＬ方向）において相対する第１の端面２６ａおよび第２の端面２６ｂとを含む。積層体２０は、その角部および稜線部に丸みを付けられることが好ましい。ここで、積層体２０の角部とは、上記した積層体２０の主面、側面および端面のうちの３面が交わる部分である。また、積層体２０の稜線部とは、上記した積層体２０の主面および側面のうちの２面が交わる部分である。

（誘電体層４０）
誘電体層４０は、第１の内部電極層５０ａと第２の内部電極層５０ｂとの間に挟まれて積層される。誘電体層４０の１層あたりの厚みは、０．２μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましく、０．４μｍ以上０．８μｍ以下であることがより好ましい。誘電体層４０は、Ｂａ、Ｔｉ、Ｄｙ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｖ、Ａｌ、ＺｒおよびＣａを含む。

誘電体層４０には、Ｔｉ１００モル部に対してＤｙが０．２モル部以上０．５モル部以下含まれることが好ましい。Ｔｉ１００モル部に対してＤｙが０．２モル部未満である場合および０．５モル部よりも多い場合、積層セラミックコンデンサ１０の耐湿信頼性が不十分になる。なお、ここでいう耐湿信頼性は、積層セラミックコンデンサ１０に温度８５℃、湿度８５％の環境下で定格電圧の２倍に相当する電圧を１２時間印加し、抵抗値の劣化（抵抗値が初期値に対して急激に低下する劣化）が発生するか否かで判定することができる。具体的には、抵抗値が初期値の１／１０以下に低下した場合および積層セラミックコンデンサ１０が動作しなかった場合、耐湿信頼性が不十分であると判定する。

誘電体層４０には、Ｔｉ１００モル部に対してＶが０．２８８モル部以上０．３５モル部以下含まれることが好ましい。Ｔｉ１００モル部に対してＶが０．２８８モル部未満である場合および０．３５モル部よりも多い場合、積層セラミックコンデンサ１０の温度特性が不良になる。なお、温度特性は、Ｘ５Ｒを満たすか否かで判定した。

誘電体層４０には、Ｔｉ１００モル部に対してＺｒが０．０４モル部以下含まれることが好ましい。

上記した各元素の含有モル部は、溶剤を用いて溶解処理された積層体２０に対してＩＣＰ分析を行うことにより求めることができる。したがって、元素が積層体２０内のどこに存在するかには依存しない。すなわち、この発明に係る積層セラミックコンデンサ１０の他の態様としては、積層体２０の組成が上記した誘電体層４０の組成と同様に定められているものが挙げられる。また、この発明に係る積層セラミックコンデンサ１０のさらに他の態様としては、各元素の含有モル部が、溶剤を用いて積層体２０を溶液化したときの含有モル部として、上記した誘電体層４０に含まれる各元素の含有モル部と同様に定められているものが挙げられる。積層体２０を溶液化する方法としては、例えば、アルカリ溶融法を用いることができる。

複数の誘電体層４０は、第１の主面２２ａ側に位置する外層部と、第２の主面２２ｂ側に位置する外層部と、これらの外層部にＴ方向において挟まれた領域に位置する内層部とを含む。具体的には、第１の主面２２ａ側に位置する外層部とは、第１の主面２２ａと最も第１の主面２２ａに近い内部電極層（第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂ）との間に位置する誘電体層４０のことであり、第２の主面２２ｂ側に位置する外層部とは、第２の主面２２ｂと最も第２の主面２２ｂに近い内部電極層との間に位置する誘電体層４０のことであり、内層部とは、最も第１の主面２２ａに近い内部電極層と最も第２の主面２２ｂに近い内部電極層との間に位置する誘電体層４０のことである。第１の主面２２ａ側および第２の主面２２ｂ側それぞれの外層部のＴ方向に沿った厚みは、１０μｍ以上であることが好ましい。

（第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂ）
第１の内部電極層５０ａは、誘電体層４０の界面を平板状に延在し、その端部が積層体２０の第１の端面２６ａに露出する。一方、第２の内部電極層５０ｂは、誘電体層４０を介して第１の内部電極層５０ａと対向するように誘電体層４０の界面を平板状に延在し、その端部が積層体２０の第２の端面２６ｂに露出する。したがって、第１の内部電極層５０ａは、誘電体層４０を介して第２の内部電極層５０ｂに対向する対向電極部と、当該対向電極部の第１の端面２６ａ側の端部から第１の端面２６ａまでの引出電極部と、第１の端面２６ａから露出した露出部とを有する。同様に、第２の内部電極層５０ｂは、誘電体層４０を介して第１の内部電極層５０ａに対向する対向電極部と、当該対向電極部の第２の端面２６ｂ側の端部から第２の端面２６ｂまでの引出電極部と、第２の端面２６ｂから露出した露出部とを有する。第１の内部電極層５０ａの対向電極部と、第２の内部電極層５０ｂの対向電極部とが誘電体層４０を介して互いに対向することにより、静電容量が発生する。その結果、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、コンデンサとして機能する。

ここで、積層体２０のＷギャップおよびＬギャップについて説明する。積層体２０は、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれの対向電極部と第１の側面２４ａとの間に位置する第１の側部３４ａ（Ｗギャップ）と、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれの対向電極部と第２の側面２４ｂとの間に位置する第２の側部３４ｂ（同前）とを含む。なお、第１の側部３４ａおよび第２の側部３４ｂそれぞれのＷ方向に沿った寸法は、１０μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。また、積層体２０は、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれの対向電極部と第１の端面２６ａとの間に位置する第１の端部３６ａ（Ｌギャップ）と、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれの対向電極部と第２の端面２６ｂとの間に位置する第２の端部３６ｂ（同前）とを含む。なお、第１の端部３６ａおよび第２の端部３６ｂそれぞれのＬ方向に沿った寸法は、３０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。

第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂは、例えば、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどの金属を含有している。第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂは、誘電体層４０に含まれるセラミックスと同一組成系の誘電体粒子をさらに含有していてもよい。第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれの１層あたりの厚みは、０．３μｍ以上０．７μｍ以下であることが好ましい。第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれは、ＬＷ断面をＴ方向から見たとき、誘電体層４０を６０％以上８０％以下の割合で覆っていることが好ましい。第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂの枚数は、１５０枚以上４００枚以下であることが好ましい。

第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれは、Ｗ方向の中央部におけるカバレッジがＷ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジよりも低く、且つＷ方向のずれ量が０．０００μｍ以上１０．０００μｍ以下である。

なお、ここでいうカバレッジは、以下のように規定する。まず、第１の側部３４ａおよび第２の側部３４ｂ（すなわち、両側のＷギャップ）並びに第１の端部３６ａまたは第２の端部３６ｂ（すなわち、片側のＬギャップ）を研磨により除去する。次に、溶液を用いて第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂと誘電体層４０とを電解剥離し、Ｔ方向の中央部に位置していた第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂを露出させる。露出させた第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂについて、光学顕微鏡で観察箇所画像を取得する。そして、取得された観察箇所画像における観察する部分について、顕微鏡倍率を１０００倍とし、その１つの視野全体の面積に対して実際に第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂが存在する面積の比率を検出領域比率として算出する。観察する視野は、チップ数５個について、Ｔ方向の中央部に位置する第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂについて４面に対して行い、各面に対して５視野選択して、合計１００視野が選択され、観察される。そして、各視野について検出領域比率を算出し、その１００視野の平均値をカバレッジとして規定する。

好ましくは、第１の内部電極層５０ａは、第１の外部電極６０ａに接続されない側のＬ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジがＷ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジよりも低く、且つ第２の内部電極層５０ｂは、第２の外部電極６０ｂに接続されない側のＬ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジがＷ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジよりも低い。

ここでいうカバレッジの規定方法は、上記した第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂのＷ方向の中央部におけるカバレッジ、およびＷ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジの規定方法と同じであるため、その説明を繰り返さない。

好ましくは、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂと誘電体層４０との界面にＮｉ−Ｓｎ反応層が形成され、Ｎｉ−Ｓｎ反応層は、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれのＷ寸法の５０．０％以上１００．０％以下の長さで直線状に連続して形成され、且つ厚みが５ｍｍ以上２０ｍｍ以下である。その結果、Ｎｉ−Ｓｎ反応層が化学的なポテンシャル障壁となるため、積層セラミックコンデンサ１０の高温負荷寿命が改善される。なお、Ｎｉ−Ｓｎ反応層の連続性が第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれのＷ寸法の５０．０％よりも低い場合および厚みが５ｍｍよりも薄い場合、所望のポテンシャル障壁が得られないため、高温負荷寿命の改善が不十分になる。また、Ｎｉ−Ｓｎ反応層の連続性が第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれのＷ寸法の１００％よりも高い場合および厚みが２０ｍｍよりも厚い場合、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂのＮｉが玉化して信頼性が低下してしまう。

ここで、Ｎｉ−Ｓｎ反応層の連続性および厚みを定量化する方法について説明する。まず、積層セラミックコンデンサ１０を第１の端面２６ａまたは第２の端面２６ｂからＬ寸法の中央部まで研磨し、ＷＴ断面を露出させる。次に、露出させたＷＴ断面をイオンビーム加工（ＦＩＢ）により薄片化させる。さらに、薄片化させたＷＴ断面のＴ方向の中央部において、走査透過型電子顕微鏡−エネルギー分散型Ｘ線分光器（ＳＴＥＭ−ＥＤＳ）を用いて、Ｗ方向に沿ってランダムに２０点の視野を選択し、選択した視野それぞれについて元素分布マッピング観察を行う。このようにして、Ｎｉ−Ｓｎ反応層の連続性および厚みを定量化する。

好ましくは、複数の第１の内部電極層５０ａおよび複数の第２の内部電極層５０ｂそれぞれの誘電体層４０に隣接する部分にはＭｇが偏析している。また、最も外層側に位置する第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂそれぞれのＭｇ偏析量は、元素比率Ｍｇ／Ｎｉで０．０５以下である。このように、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、複数の内部電極層５０ａおよび複数の内部電極層５０ｂそれぞれの誘電体層４０に隣接する部分に偏析するＭｇの含有量を制御することで、高温信頼性が向上し、初期ショートの発生を抑制しうる。また、最も外層側に位置する第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂそれぞれのＭｇ偏析量を元素比率Ｍｇ／Ｎｉで０．０５以下とすることにより、耐湿信頼性が改善される。

ここで、Ｍｇ偏析の確認方法および元素比率Ｍｇ／Ｎｉの確認方法について説明する。まず、第１の端面２６ａまたは第２の端面２６ｂからＬ方向１／２の位置まで研磨し、ＷＴ断面を露出させる。次に、複数の第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれのＭｇの偏析を確認するために、露出させたＷＴ断面の当該内部電極層でランダムに１００点の視野を選択する。そして、走査型電子顕微鏡を用いて選択した１００点の視野を観察する。各視野について、走査型電子顕微鏡を用いて、スペクトルを取得し、元素比率Ｍｇ／Ｎｉを算出する。元素比率Ｍｇ／Ｎｉは、各視野における元素比率の１００点の平均値とする。このようにして、元素比率Ｍｇ／Ｎｉを確認することができる。

好ましくは、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれのＷ方向の端部には、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析している。その結果、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、さらに、積層体の側部に含まれるＭｇの含有量を制御して、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれのＷ方向の端部にＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスを偏析させることで、より確実に、高温信頼性を有する。

好ましくは、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析している領域のＷ方向に沿った寸法が１．０００μｍ以下である。その結果、この実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０は、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスの偏析している領域のＷ方向に沿った寸法を、１．０００μｍ以下となるように、Ｗギャップに含まれるＳｉの含有量を制御することで、高温信頼性を有し、さらに初期ショート率が改善されうる。

ここで、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析している領域の確認方法およびそのＷ方向に沿った寸法の測定方法について説明する。まず、積層セラミックコンデンサ１０を第１の端面２６ａまたは第２の端面２６ｂからＬ寸法の中央部まで研磨し、ＷＴ断面を露出させる。次に、走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＷＤＸ）を用いて、露出させたＷＴ断面の中央部付近に位置する第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂのスペクトルを取得し、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析している領域を同定する。そして、マッピング分析によって、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析している領域のＷ方向に沿った寸法を定量化する。当該寸法は、例えば、露出させたＷＴ断面において、第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂのＷ方向の端部をランダムに１００点選択し、選択した１００点において測定されたＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析している領域のＷ方向に沿った寸法の平均値を求めることにより算出することができる。なお、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂのＷ方向の端部とは、第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂのＷ方向の端部から３０．０００μｍ以内を指す。

（第１の外部電極６０ａおよび第２の外部電極６０ｂ）
第１の外部電極６０ａは、第１の端面２６ａに形成されることにより、第１の内部電極層５０ａと電気的に接続される。また、第１の外部電極６０ａは、第１の端面２６ａに形成された部分から延長されて、第１の主面２２ａ、第２の主面２２ｂ、第１の側面２４ａおよび第２の側面２４ｂそれぞれの一部まで至るように形成される。なお、第１の外部電極６０ａは、第１の端面２６ａにのみ形成されてもよい。一方、第２の外部電極６０ｂは、第２の端面２６ｂに形成されることにより、第２の内部電極層５０ｂと電気的に接続される。また、第２の外部電極６０ｂは、第２の端面２６ｂに形成された部分から延長されて、第１の主面２２ａ、第２の主面２２ｂ、第１の側面２４ａおよび第２の側面２４ｂそれぞれの一部まで至るように形成される。なお、第２の外部電極６０ｂは、第２の端面２６ｂにのみ形成されてもよい。

第１の外部電極６０ａは、積層体２０の表面に形成される第１の下地電極層と、第１の下地電極層の表面に形成される第１のめっき層とを含む。同様に、第２の外部電極６０ｂは、積層体２０の表面に形成される第２の下地電極層と、第２の下地電極層の表面に形成される第２のめっき層とを含む。

第１の下地電極層および第２の下地電極層それぞれは、焼付け層、樹脂層および薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含む。

好ましくは、第１の下地電極層は、第１の端面２６ａに形成された部分から延長されて、第１の主面２２ａ、第２の主面２２ｂ、第１の側面２４ａおよび第２の側面２４ｂそれぞれの一部まで至るように形成される焼付け層を含み、且つ第２の下地電極層は、第２の端面２６ｂに形成された部分から延長されて、第１の主面２２ａ、第２の主面２２ｂ、第１の側面２４ａおよび第２の側面２４ｂそれぞれの一部まで至るように形成される焼付け層を含む。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む。焼付け層のガラスとしては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金およびＡｕなどから選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体２０に塗布して焼き付けることにより形成される。このとき、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂと同時焼成することにより形成されてもよいし、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂを焼成した後に焼き付けることにより形成されてもよい。焼付け層は複数層であってもよい。焼付け層の最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。

樹脂層は焼付け層の表面に形成されてもよいし、焼付け層を形成せずに積層体２０の表面に直接形成されてもよい。樹脂層は、導電性粒子および熱硬化性樹脂を含んでもよい。樹脂層は複数層であってもよい。樹脂層は、第１の端面２６ａおよび第２の端面２６ｂにのみ形成されてもよいし、そこから延長されて、第１の主面２２ａ、第２の主面２２ｂ、第１の側面２４ａおよび第２の側面２４ｂそれぞれの一部まで至るように形成されてもよい。なお、樹脂層のうち、第１の主面２２ａ、第２の主面２２ｂ、第１の側面２４ａおよび第２の側面２４ｂそれぞれへの延長量は、焼付け層のそれよりも小さい。したがって、樹脂層が形成される場合であっても、第１の主面２２ａ、第２の主面２２ｂ、第１の側面２４ａおよび第２の側面２４ｂそれぞれの一部に形成された焼付け層の端部は、第１のめっき層または第２のめっき層に直接覆われる。

第１のめっき層は、第１の下地電極層を覆うように形成される。また、第２のめっき層は、第２の下地電極層を覆うように形成される。第１のめっき層は、第１の外部電極６０ａの焼付け層の一部である後述する突出部７０の突き出した形状に影響を与えないように、第１の下地電極層の表面に均一な厚みで形成されることが好ましい。同様に、第２のめっき層は、第２の外部電極６０ｂの焼付け層の一部である後述する突出部７０の突き出した形状に影響を与えないように、第２の下地電極層の表面に均一な厚みで形成されることが好ましい。第１のめっき層および第２のめっき層それぞれは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉおよびＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金により形成されることが好ましい。第１のめっき層および第２のめっき層それぞれの単位面積あたりの金属割合は９９％以上であることが好ましい。なお、第１のめっき層および第２のめっき層それぞれは、ガラスを含まないことが好ましい。

第１のめっき層および第２のめっき層それぞれは複数層であってもよい。第１のめっき層は、第１の下地電極層の表面に形成される下層めっきと、下層めっきの表面に形成される上層めっきとを含むことが好ましい。同様に、第２のめっき層は、第２の下地電極層の表面に形成される下層めっきと、下層めっきの表面に形成される上層めっきとを含むことが好ましい。例えば、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれがＮｉを用いて形成される場合、第１のめっき層および第２のめっき層それぞれの下層めっきは、当該Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。また、上層めっきは、半田濡れ性の良好なＳｎやＡｕを用いることが好ましい。なお、上層めっきは必要に応じて形成すればよく、第１のめっき層および第２のめっき層それぞれは下層めっきのみで構成されてもよい。また、上層めっきを最外層としてもよいし、上層めっきの表面にさらに他のめっき層を形成してもよい。

第１のめっき層および第２のめっき層それぞれは、Ｎｉめっき層と、Ｎｉ層めっき層の表面に形成されたＳｎめっき層とからなる２層構造であることが好ましい。第１の下地電極層の表面にＮｉめっき層を形成することにより、第１の下地電極層が半田に侵食されることを防止することができる。また、Ｎｉめっき層の表面にＳｎめっき層を形成することにより、半田の濡れ性が向上するため、実装作業が容易になる。なお、第２の下地電極層の表面に形成されるＮｉめっき層、および当該Ｎｉめっき層の表面に形成されるＳｎめっき層についても同様の効果を奏するため、ここではその説明を繰り返さない。第１のめっき層および第２のめっき層それぞれの１層あたりの厚みは、２μｍ以上６μｍ以下であることが好ましい。

第１の外部電極６０ａの焼付け層は、第２の主面２２ｂ側に形成された部分にＴ方向へと突き出るように形成された突出部７０を有する。当該突出部７０の頂点７２は、特にＬ方向において、第２の主面２２ｂと第１の端面２６ａとが交わる稜線部の近傍に位置し、且つＷ方向に沿って、第１の側面２４ａよりも僅かにＷ方向の外側の位置から第２の側面２４ｂよりも僅かにＷ方向の外側の位置まで延在する。第１の外部電極６０ａの焼付け層の第２の主面２２ｂ側に形成された部分に関して、第２の端面２６ｂ側の先端部６２と突出部７０の頂点７２とを結ぶ第１の直線ｘ₁を定義したとき、第１の直線ｘ₁に直交するように第１の直線ｘ₁から第２の主面２２ｂ側に形成された部分の表面まで引いた垂線が最も長くなる第２の主面２２ｂ側に形成された部分の表面上の点６４と、突出部７０の頂点７２とのＴ方向に沿った寸法ｔ₁が０．５μｍ以上３５μｍ以下であることが好ましい。

第２の外部電極６０ｂの焼付け層は、第２の主面２２ｂ側に形成された部分にＴ方向へと突き出るように形成された突出部７０を有する。当該突出部７０の頂点７２は、特にＬ方向において、第２の主面２２ｂと第２の端面２６ｂとが交わる稜線部の近傍に位置し、且つＷ方向に沿って、第１の側面２４ａよりも僅かにＷ方向の外側の位置から第２の側面２４ｂよりも僅かにＷ方向の外側の位置まで延在する。第２の外部電極６０ｂの焼付け層の第２の主面２２ｂ側に形成された部分に関して、第１の端面２６ａ側の先端部６２と突出部７０の頂点７２とを結ぶ第２の直線ｘ₂を定義したとき、第２の直線ｘ₂に直交するように第２の直線ｘ₂から第２の主面２２ｂ側に形成された部分の表面まで引いた垂線が最も長くなる第２の主面２２ｂ側に形成された部分の表面上の点６４と、突出部７０の頂点７２とのＴ方向に沿った寸法ｔ₂が０．５μｍ以上３５μｍ以下である。なお、当該部分の図示は、第１の外部電極６０ａの焼付け層の第２の主面２２ｂ側に形成された部分と同様であるため、ここでは繰り返さない。

この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、上記したように、第１の外部電極６０ａの第２の主面２２ｂ側に形成された部分、および第２の外部電極６０ｂの第２の主面２２ｂ側に形成された部分のそれぞれにＴ方向へと突き出るように形成された突出部７０を備える。また、上記した焼付け層の表面上の点６４と、突出部７０の頂点７２とのＴ方向に沿った寸法ｔ₁が０．５μｍ以上３５μｍ以下であることが好ましい。さらに、積層セラミックコンデンサ１０のＴ方向に沿った寸法（後述するＴ寸法）は、０．１８ｍｍ以上０．７０ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、突出部７０は、アンカーとして有効に作用し、積層セラミックコンデンサ１０と基板との固着力を向上させる。その結果、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、基板との実装性が改善される。

好ましくは、第１の外部電極６０ａの焼付け層の第２の主面２２ｂ側に形成された部分の表面に関して、第２の端面２６ｂ側の先端部６２から第１の端面２６ａまでの第１の外部電極６０ａの表面に沿った寸法をｄ₁とし、第２の端面２６ｂ側の先端部６２から第１の端面２６ａまでのＬ方向に沿った寸法をｅ₁としたとき、ｄ₁／ｅ₁が１．００４５以上１．４以下である。

好ましくは、第２の外部電極６０ｂの焼付け層の第２の主面２２ｂ側に形成された部分の表面に関して、第１の端面２６ａ側の先端部６２から第２の端面２６ｂまでの第２の外部電極６０ｂの表面に沿った寸法をｄ₂とし、第１の端面２６ａ側の先端部６２から第２の端面２６ｂまでのＬ方向に沿った寸法をｅ₂としたとき、ｄ₂／ｅ₂が１．００４５以上１．４以下である。なお、当該部分の図示は、第１の外部電極６０ａの焼付け層の第２の主面２２ｂ側に形成された部分と同様であるため、ここでは繰り返さない。

この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、第１の外部電極６０ａの第２の主面２２ｂ側に形成された部分および第２の外部電極６０ｂの第２の主面２２ｂ側に形成された部分のそれぞれが上記したような形状を有することにより、基板との実装性が一層改善される。

なお、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、第１の外部電極６０ａの焼付け層の第１の主面２２ａ側に形成された部分にも同様の突出部７０を有し、且つ第２の外部電極６０ｂの焼付け層の第１の主面２２ａ側に形成された部分にも同様の突出部７０を有する。これにより、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、Ｔ方向における方向性を考慮しなくてよくなるため、実装作業を容易に行うことが可能となる。

また、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、第１の外部電極６０ａの焼付け層の第１の側面２４ａ側に形成された部分にもＷ方向へと突き出した同様の突出部７０を有する。当該突出部７０は、同じ焼付け層の第１の主面２２ａ側に形成された部分から突き出した突出部７０の第１の側面２４ａ側の端部と、同じ焼付け層の第２の主面２２ｂ側に形成された部分から突き出した突出部７０の第１の側面２４ａ側の端部とを結ぶようにＴ方向に沿って延在する。同様に、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、第２の外部電極６０ｂの焼付け層の第１の側面２４ａ側に形成された部分にもＷ方向へと突き出した同様の突出部７０を有する。当該突出部７０は、同じ焼付け層の第１の主面２２ａ側に形成された部分から突き出した突出部７０の第１の側面２４ａ側の端部と、同じ焼付け層の第２の主面２２ｂ側に形成された部分から突き出した突出部７０の第１の側面２４ａ側の端部とを結ぶようにＴ方向に沿って延在する。

さらに、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、第１の外部電極６０ａの焼付け層の第２の側面２４ｂ側に形成された部分にもＷ方向へと突き出した同様の突出部７０を有する。当該突出部７０は、同じ焼付け層の第１の主面２２ａ側に形成された部分から突き出した突出部７０の第２の側面２４ｂ側の端部と、同じ焼付け層の第２の主面２２ｂ側に形成された部分から突き出した突出部７０の第２の側面２４ｂ側の端部とを結ぶようにＴ方向に沿って延在する。同様に、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、第２の外部電極６０ｂの焼付け層の第２の側面２４ｂ側に形成された部分にもＷ方向へと突き出した同様の突出部７０を有する。当該突出部７０は、同じ焼付け層の第１の主面２２ａ側に形成された部分から突き出した突出部７０の第２の側面２４ｂ側の端部と、同じ焼付け層の第２の主面２２ｂ側に形成された部分から突き出した突出部７０の第２の側面２４ｂ側の端部とを結ぶようにＴ方向に沿って延在する。

上記したように、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、第１の外部電極６０ａの焼付け層の第１の側面２４ａ側に形成された部分にもＷ方向へと突き出した同様の突出部７０を有し、且つ第２の外部電極６０ｂの焼付け層の第１の側面２４ａ側に形成された部分にもＷ方向へと突き出した同様の突出部７０を有する。同じく、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、第１の外部電極６０ａの焼付け層の第２の側面２４ｂ側に形成された部分にもＷ方向へと突き出した同様の突出部７０を有し、且つ第２の外部電極６０ｂの焼付け層の第２の側面２４ｂ側に形成された部分にもＷ方向へと突き出した同様の突出部７０を有する。これにより、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、Ｔ方向における方向性に加えて、Ｗ方向における方向性も考慮しなくてよくなるため、実装作業を一層容易に行うことが可能となる。

（好ましい寸法など）
この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０のＴ方向の寸法をＴ寸法とし、Ｗ方向の寸法をＷ寸法とし、Ｌ方向の寸法をＬ寸法とした場合、好ましい寸法は表１に示す通りである。表１では、Ｔ寸法、Ｗ寸法およびＬ寸法に加えて、誘電体層４０の１層あたりの厚みおよび内部電極層の枚数（第１の内部電極層５０ａと第２の内部電極層５０ｂの合計枚数）を適宜変更した、合計８パターンの好ましい積層セラミックコンデンサ１０を示してある。なお、積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、例えば、マイクロメータや光学顕微鏡を用いて測定することができる。

なお、誘電体層４０の１層あたりの厚みは、例えば、次のように測定される。まず、積層セラミックコンデンサ１０を第１の端面２６ａまたは第２の端面２６ｂからＬ寸法の中央部まで研磨し、ＷＴ断面を露出させる。次に、走査型電子顕微鏡を用いて露出させたＷＴ断面を観察し、Ｔ方向に延びるＷ方向の中心線上、および当該中心線からＷ方向の両側に等間隔で２本ずつ引いたＴ方向に延びる直線上（すなわち、合計５本の直線上）それぞれについて、Ｔ方向の中央部に位置する誘電体層４０の１層あたりの厚みを測定する。最後に、測定した合計５箇所の厚みの平均値を算出する。なお、より正確に誘電体層４０の厚みを測定するために、例えば、上記した５本の直線上それぞれの上部および下部に位置する誘電体層４０の１層あたりの厚みについても測定し、測定した合計１５箇所の厚みの平均値を算出するようにしてもよい。

（効果）
この発明の一実施の形態に係る第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれは、Ｗ方向の中央部におけるカバレッジがＷ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジよりも低い。これにより、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、耐湿信頼性が改善される。さらに、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、当該第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂのＷ方向のずれ量が０．０００μｍ以上１０．０００μｍ以下であることにより、初期ショート不良が抑制される。以上の通りであるため、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、水分の浸入経路を減少させることで、実使用環境下での耐湿信頼性が改善され、且つ初期ショート不良が抑制される。

好ましくは、この発明の一実施の形態において、第１の内部電極層５０ａは、第１の外部電極６０ａに接続されない側のＬ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジがＷ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジよりも低く、且つ第２の内部電極層５０ｂは、第２の外部電極６０ｂに接続されない側のＬ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジがＷ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジよりも低い。これにより、積層セラミックコンデンサ１０の耐湿信頼性が一層改善される。

（変形例）
上記した一実施の形態では、第１の外部電極６０ａの焼付け層および第２の外部電極６０ｂの焼付け層のそれぞれが、第１の主面２２ａ側に形成された部分、第２の主面２２ｂ側に形成された部分、第１の側面２４ａ側に形成された部分および第２の側面２４ｂ側に形成された部分の全てに突出部７０を有する場合について説明した。しかしながら、この場合に限定されず、第１の外部電極６０ａの焼付け層および第２の外部電極６０ｂの焼付け層のそれぞれは、少なくとも第２の主面２２ｂ側に形成された部分に突出部７０を有すればよい。すなわち、第１の外部電極６０ａの焼付け層および第２の外部電極６０ｂの焼付け層のそれぞれは、例えば、第２の主面２２ｂ側に形成された部分にのみ突出部７０を有してもよい。これにより、積層セラミックコンデンサ１０の寸法を小さくすることができるため、実装の自由度を向上させることができる。

上記した実施の形態では、第１の外部電極６０ａの焼付け層の第２の主面２２ｂ側に形成された部分の突出部７０がＷ方向に沿って、第１の側面２４ａよりも僅かにＷ方向の外側の位置から第２の側面２４ｂよりも僅かにＷ方向の外側の位置まで延在する場合について説明した。しかしながら、この場合に限定されず、当該突出部７０は、例えば、第２の主面２２ｂと第１の側面２４ａと第１の端面２６ａとが交わる角部およびその近傍と、第２の主面２２ｂと第２の側面２４ｂと第１の端面２６ａとが交わる角部およびその近傍にのみ形成されてもよい。なお、第１の外部電極６０ａの焼付け層の第１の主面２２ａ側に形成された部分の突出部７０、第２の外部電極６０ｂの焼付け層の第２の主面２２ｂ側に形成された部分の突出部７０、および第２の外部電極６０ｂの焼付け層の第１の主面２２ａ側に形成された部分の突出部７０のそれぞれについても同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。

なお、積層セラミックコンデンサ１０は突出部７０を備えなくてもよい。このような場合、例えば、第１の下地電極層および第２の下地電極層それぞれは、焼付け層を含まずに、樹脂層および薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含んでもよい。

２．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、この発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法の一例について、図６〜８に基づいて説明する。なお、ここでは上記した一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を量産する場合を例にして説明する。図６は、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法の一例において作製される内部電極パターンが印刷されたセラミックシートの斜視図である。図７は、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法の一例において作製される内部電極パターンが印刷されたセラミックシートを積層する様子を示す斜視図である。図８は、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法の一例において作製される生の積層チップの斜視図である。

まず、複数の誘電体層４０の外層部を構成するための外層用のセラミックグリーンシートと、複数の誘電体層４０の内層部を構成するための内層用のセラミックグリーンシートとが準備される。また、積層体２０のＷギャップを構成するための機能性シートであるセラミックグリーンシートが準備される。外層用のセラミックグリーンシートおよび内層用のセラミックグリーンシートの焼成前の厚みは、０．２μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましい。

また、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂを形成するための内部電極用導電性ペーストと、第１の外部電極６０ａおよび第２の外部電極６０ｂそれぞれの下地電極層を形成するための外部電極用導電性ペーストとが準備される。

内層用のセラミックグリーンシートの材料は、Ｂａ、Ｔｉ、Ｄｙ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｖ、Ａｌ、ＺｒおよびＣａを含む。ここで、Ｔｉ１００モル部に対してＤｙが０．２モル部以上０．５モル部以下含まれることが好ましい。また、Ｔｉ１００モル部に対してＶが０．２８８モル部以上０．３５モル部以下含まれることが好ましい。さらに、Ｔｉ１００モル部に対してＺｒが０．０４モル部以下であることが好ましい。また、これらの成分に、例えば、Ｍｎ化合物およびＭｇ化合物が副成分として含まれてもよい。副成分としては、Ｃａ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物またはＮｉ化合物などの化合物や希土類元素化合物を用いてもよい。

外層用のセラミックグリーンシートおよび機能性シートであるセラミックグリーンシートの材料は、Ｂａ、Ｔｉ、Ｄｙ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｚｒ、ＣａおよびＭｇを含む。Ｄｙ、ＶおよびＺｒのそれぞれの含有量は、内層用のセラミックグリーンシートの場合と同様であり、副成分についても同様である。

内部電極用導電性ペーストの材料は、主成分としてＮｉを含み、さらに、ＳｎＯ₂およびＭｇを含む。

外部電極用導電性ペーストの材料は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金およびＡｕなどから選ばれる少なくとも１つを含む。

なお、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストには、有機バインダおよび溶剤が含まれる。当該有機バインダおよび当該溶剤としては、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。また、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストの粘度は一定となるように調整される。

内部電極用導電性ペーストが主成分としてＮｉを含み、さらにＳｎＯ₂を含むことにより、上記した一実施の形態において説明したＮｉ−Ｓｎ反応層を形成することができる。当該内部電極用導電性ペーストに含まれるＳｎＯ₂の分散状態を変化させることで、Ｎｉ−Ｓｎ反応層の連続性を調整し、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれのＷ寸法の５０．０％以上１００．０％以下の長さで直線状に連続して形成することができる。また、当該内部電極用導電性ペーストに含まれるＳｎＯ₂の含有量を調整することで、Ｎｉ−Ｓｎ反応層の厚みを５ｍｍ以上２０ｍｍ以下にすることができる。

さらに、内部電極用導電性ペーストがＭｇを含むことにより、複数の第１の内部電極層５０ａおよび複数の第２の内部電極層５０ｂそれぞれの誘電体層４０に隣接する部分にＭｇを偏析させることができる。また、外層用のセラミックグリーンシートがＭｇを含むことにより、最も外層側に位置する第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂそれぞれにＭｇを偏析させることができる。そして、Ｍｇの含有量を制御することで、当該最も外層側に位置する第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂそれぞれのＭｇ偏析量を元素比率Ｍｇ／Ｎｉで０．０５以下にすることができる。

そして、機能性シートであるセラミックグリーンシートがＳｉを含み、内部電極用導電性ペーストが主成分としてＮｉを含み、Ｗギャップを構成するための機能性シートであるセラミックグリーンシートがＭｇを含み、且つ機能性シートであるセラミックグリーンシートがＭｎを含むことにより、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれのＷ方向の端部に、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスを偏析させることができる。Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析している領域のＷ方向に沿った寸法は、機能性シートであるセラミックグリーンシートに含まれるＳｉの含有量を制御することで調整することができる。

次に、図６に示すように、内層用のセラミックグリーンシート１１０上に、内部電極用導電性ペーストを印刷することによって、第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂとなる導電パターン１１２を長尺状に一定間隔で形成する。なお、内部電極用導電性ペーストの印刷方法は、例えば、スクリーン印刷法やグラビア印刷法などの各種印刷法により行うことができる。

そして、最初に導電パターン１１２が形成されていない外層用のセラミックグリーンシートをその厚みが０．５μｍ以上５μｍ以下となるように所定枚数積層する。次に、図７に示すように、導電パターン１１２が形成された複数枚の内層用のセラミックグリーンシート１１０を一定ピッチでずらして５枚以上１５００枚以下積層する。最後に、導電パターン１１２が形成されていない外層用のセラミックグリーンシートをその厚みが５μｍ以上１００μｍ以下となるように所定枚数積層する。

次に、剛体プレスもしくは静水圧プレスなどの手段を用いてＴ方向にプレスすることによって、各セラミックグリーンシートを所定の温度で圧着し、積層ブロックを作製する。このように、各セラミックグリーンシートを所定の温度で圧着することで、セラミックグリーンシート同士が接着する。なお、最外層に一定厚みの樹脂シートを配置することで導電パターン１１２が形成されていない部分に圧力が加わり、セラミックグリーンシート同士の接着力を高め得る。

それから、積層ブロックを切断することによって、積層ブロックから図８に示すような生の積層チップ１１４が形成される。積層ブロックの切断は、ダイシングや押し切りなどの種々の方法によって行うことができる。ここで、Ｗ方向において、内部電極の表面が露出する位置で導電パターン１１２を切断するため、内部電極のＷ方向の端部がＴ方向において揃った状態になる。なお、導電パターン１１２のＷ方向のみを切断することで、棒状のチップ集合体としてもよい。

図８に示すように、積層チップ１１４の両側面および両端面には、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂとなる導電パターン１１２が露出する。したがって、誘電体となる機能性シートとしてセラミックグリーンシートを積層チップ１１４の両側面それぞれに貼り付けることによって、露出した導電パターン１１２を覆う。なお、その後、バレル研磨などを行うことによって、角部および稜線部に丸みを付けてもよい。

そして、所定の温度プロファイルにより、生の積層チップ１１４の焼成を行う。この焼成工程において、誘電体層４０、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂが焼成される。焼成温度は、用いる誘電体材料や内部電極用導電性ペーストの種類により適宜設定することができるが、例えば、９００℃以上１３００℃以下にすることができる。このとき、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂについて、Ｗ方向の中央部におけるカバレッジがＷ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジよりも低くなるように、上記した所定の温度プロファイルの昇温速度を適宜調整する。また、第１の内部電極層５０ａについて、第１の外部電極６０ａに接続されない側のＬ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジがＷ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジよりも低くなるようにし、且つ第２の内部電極層５０ｂについて、第２の外部電極６０ｂに接続されない側のＬ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジがＷ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジよりも低くなるようにする場合についても、上記した所定の温度プロファイルの昇温速度を適宜調整することにより実現することができる。

それから、ディッピングによって、焼成後の積層チップの両端面それぞれに対して、外部電極用導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより、第１の外部電極６０ａおよび第２の外部電極６０ｂそれぞれの焼付け層が形成される。このときの焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。このとき、焼付け層と一体的に突出部が形成される。

最後に、必要に応じて、電解めっきにより下地電極層の表面にめっき層が形成される。このとき、焼成後の積層チップがめっき液に馴染むように、当該積層チップに親水処理を施しておくことが好ましい。また、当該積層チップの両側面にめっき層が過剰に濡れ上がることを防止するため、積層チップに撥油処理を施しておくことが好ましい。

以上のようにして、上記したこの発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０が製造される。

３．積層セラミックコンデンサの実装構造
次に、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの実装構造について、図９に基づいて説明する。なお、ここでは上記した一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を実装基板２１０に実装する場合を例にして説明する。図９は、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの実装構造を示す外観斜視図である。

この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの実装構造２００は、上記した一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０と、積層セラミックコンデンサ１０を実装するための実装基板２１０とを備える。積層セラミックコンデンサ１０は、その第１の外部電極６０ａが実装基板２１０上の第１のランド部２２０ａに接触するように、且つその第２の外部電極６０ｂが実装基板２１０上の第２のランド部２２０ｂに接触するように配置される。そして、第１の外部電極６０ａと第１のランド部２２０ａとが、半田によってなる第１のフィレット２３０ａにより、電気的に接続された状態で接合される。同様に、第２の外部電極６０ｂと第２のランド部２２０ｂとが、半田によってなる第２のフィレット２３０ｂにより、電気的に接続された状態で接合される。

４．実験例
以下、この発明の効果を確認するために発明者らが行った実験例について説明する。

（実験例１）
実験例１では、第１の内部電極層および第２の内部電極層について、Ｗ方向とＬ方向とが交わる平面に沿った断面におけるＷ方向の中央部、Ｗ方向の端部およびＬ方向の端部におけるカバレッジ、並びにＷ方向のずれ量が互いに異なる実施例１〜３および比較例１，２の試料（積層セラミックコンデンサ）をそれぞれ製造した。そして、これらの試料について、耐湿信頼性および初期ショートの試験を行うことにより評価した。

（実施例１〜３および比較例１，２）
上記した製造方法にしたがって、実施例１〜３および比較例１，２の試料（積層セラミックコンデンサ）を作製した。各試料に共通の仕様は次の通りである。

・積層セラミックコンデンサの寸法（Ｌ寸法×Ｗ寸法×Ｔ寸法）：０．６８ｍｍ×０．３８ｍｍ×０．３８ｍｍ
・誘電体材料：ＢａＴｉＯ₃（Ｔｉ１００モル部に対して、Ｄｙが０．４モル部含まれ、Ｍｎが０．４モル部含まれ、Ｓｉが１．０モル部含まれ、Ｖが０．３モル部含まれ、Ａｌが０．０１モル部含まれ、且つＺｒが０．０１モル部含まれる。）
・内部電極層：Ｎｉ
・外部電極の構造
焼付け層：Ｃｕ
めっき層：Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層

実施例１の試料は、第１の内部電極層または第２の内部電極層について、Ｗ方向とＬ方向とが交わる平面に沿った断面における、Ｗ方向の中央部におけるカバレッジ（以下単に「Ｗ方向中央部のカバレッジ」という）を８５％とし、Ｗ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジ（以下単に「Ｗ方向端部のカバレッジ」という）を９０％とし、Ｌ方向の端部から３０．０００μｍ以内におけるカバレッジ（以下単に「Ｌ方向端部のカバレッジ」という）を８０％とし、且つＷ方向のずれ量を５．０００μｍ以内とした。

実施例２の試料は、第１の内部電極層または第２の内部電極層について、Ｗ方向とＬ方向とが交わる平面に沿った断面における、Ｗ方向中央部のカバレッジを８５％とし、Ｗ方向端部のカバレッジを９０％とし、Ｌ方向端部のカバレッジを８０％とし、且つＷ方向のずれ量を１０．００００μｍ以内とした。

実施例３の試料は、第１の内部電極層または第２の内部電極層について、Ｗ方向とＬ方向とが交わる平面に沿った断面における、Ｗ方向中央部のカバレッジを８５％とし、Ｗ方向端部のカバレッジを９０％とし、Ｌ方向端部のカバレッジを８０％とした。

比較例１の試料は、第１の内部電極層または第２の内部電極層について、Ｗ方向とＬ方向とが交わる平面に沿った断面における、Ｗ方向中央部のカバレッジを８５％とし、Ｗ方向端部のカバレッジを８０％とし、Ｌ方向端部のカバレッジを８０％とした。

比較例２の試料は、第１の内部電極層または第２の内部電極層について、Ｗ方向とＬ方向とが交わる平面に沿った断面における、Ｗ方向中央部のカバレッジを８５％とし、Ｗ方向端部のカバレッジを９０％とし、Ｌ方向端部のカバレッジを９０％とし、且つＷ方向のずれ量を１０．００８μｍ以内とした。

（カバレッジの規定方法）
上記した試料それぞれのカバレッジは、以下のように規定した。まず、各試料について、第１の側部および第２の側部（すなわち、両側のＷギャップ）並びに第１の端部または第２の端部（すなわち、片側のＬギャップ）を研磨により除去した。次に、溶液を用いて第１の内部電極層または第２の内部電極層と誘電体層とを電解剥離し、Ｔ方向の中央部に位置していた第１の内部電極層または第２の内部電極層を露出させた。露出させた第１の内部電極層または第２の内部電極層について、光学顕微鏡で観察箇所画像を取得した。そして、取得された観察箇所画像における観察する部分について、顕微鏡倍率を１０００倍とし、その１つの視野全体の面積に対して実際に第１の内部電極層または第２の内部電極層が存在する面積の比率を検出領域比率として算出した。観察した視野は、チップ数５個について、Ｔ方向の中央部に位置する第１の内部電極層または第２の内部電極層について４面に対して行い、各面に対して５視野選択して、合計１００視野が選択され、観察された。そして、各視野について検出領域比率を算出し、その１００視野の平均値をカバレッジとして規定した。

（ずれ量の算出方法）
上記した各試料のＷ方向のずれ量は、以下のように算出した。まず、各試料について、第１の端面または第２の端面からＬ寸法の中央部まで研磨し、第１の内部電極層および第２の内部電極層を露出させた。そして、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、露出させた第１の内部電極層および第２の内部電極層の観察箇所画像を取得し、画像解析を行うことにより、Ｗ方向のずれ量を算出した。

（第１の耐湿信頼性試験）
耐湿信頼性を評価する試験は、各試料に対して、温度８５℃、湿度８５％の環境下で定格電圧の２倍に相当する電圧を１２時間印加し、抵抗値の劣化（抵抗値が初期値に対して急激に低下する劣化）が発生するか否かで判定した。具体的には、上記した環境下で、定格電圧を６．３Ｖとして、その２倍に相当する１２．６Ｖの電圧を１２時間印加し、抵抗値が初期値の１／１０以下に低下した試料および動作しなかった試料が不良品であると評価した。なお、第１の耐湿信頼性試験は、上記した製造方法にしたがって製造された各試料７２個ずつに対して行われた。

（初期ショート試験）
初期ショートを評価する試験は、各試料に対して、ＡＣ電圧（周波数１２０Ｈｚ、電圧０．５Ｖ）を印加し、ＬＣＲメータを用いて測定を行い、ｌｏｇＩＲ値が３．０Ω以下であった場合、初期ショートが発生したと判定し、その試料が不良品であると評価した。なお、当該初期ショート試験は、上記した製造方法にしたがって製造された各試料１００個ずつに対して行われた。

（実験結果）
実験例１の結果を表２に示す。

表２に示すように、実施例１および実施例２では、それぞれ、第１の耐湿信頼性試験および初期ショート試験において不良品であると評価された試料個数がいずれも０個であった。一方、比較例１では、第１の耐湿信頼性試験において不良品であると評価された試料個数が３個であった。また、比較例２では、第１の耐湿信頼性試験において不良であると評価された試料個数が０個であったが、初期ショート試験において不良品であると評価された試料個数が２個であった。以上の結果から、第１の内部電極層または第２の内部電極層について、Ｗ方向とＬ方向とが交わる平面に沿った断面におけるＷ方向中央部のカバレッジがＷ方向端部のカバレッジよりも低くされ、且つＷ方向のずれ量が０．０００μｍ以上１０．０００μｍ以下にされることにより、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、実使用環境下での耐湿信頼性が改善され、且つ初期ショート不良が抑制されていることを確認することができた。

（第２の耐湿信頼性試験）
さらに、第２の耐湿信頼性試験を行った。第２の耐湿信頼性試験は、上記した第１の耐湿信頼性試験と比較して、定格電圧の２．５倍に相当する電圧を印加する点のみが異なり、他の条件は同じである。したがって、同様となる説明は繰り返さない。第２の耐湿信頼性試験の結果を表３に示す。

表３に示すように、第２の耐湿信頼性試験において不良品であると評価された試料個数は、実施例１〜３がいずれも０個であり、比較例１が２３個であり、比較例２が３０個であった。ここで、比較例２の試料は、Ｗ方向中央部におけるカバレッジがＷ方向端部におけるカバレッジよりも低く、この点では実施例１〜３の試料と同様である。しかしながら、比較例２の試料は、Ｌ方向端部におけるカバレッジがＷ方向端部におけるカバレッジと同じであり、この点で実施例１〜３の試料と異なる。すなわち、この実験結果から、Ｗ方向とＬ方向とが交わる平面に沿った断面におけるＬ方向端部のカバレッジがＷ方向端部のカバレッジよりも低くされることにより、この発明に係る積層セラミックコンデンサの耐湿信頼性が一層改善されることを確認することができた。

５．参考実験例
以下、発明者らが行った参考実験例について説明する。

（参考実験例１）
参考実験例１では、第１の内部電極層および第２の内部電極層と誘電体層との界面に形成されるＮｉ−Ｓｎ反応層について、Ｔ方向とＷ方向とが交わる平面に沿った断面おける連続性および厚みが互いに異なり、最も外層側に位置する内部電極層（最外層部の内部電極層）のＭｇ偏析量（元素比率Ｍｇ／Ｎｉ）が互いに異なる参考例１〜７の試料（積層セラミックコンデンサ）をそれぞれ製造した。そして、これらの試料について、高温信頼性の試験を行うことにより評価した。

（参考例１〜７）
上記した製造方法にしたがって、参考例１〜７の試料（積層セラミックコンデンサ）を作製した。各試料に共通の仕様は上記した実験例１と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。

参考例１の試料は、第１の内部電極層および第２の内部電極層と誘電体層との界面に形成されるＮｉ−Ｓｎ反応層について、Ｔ方向とＷ方向とが交わる平面に沿った断面おける連続性を第１の内部電極層および第２の内部電極層それぞれのＷ寸法の５０．０％とし、厚みを５ｎｍとした。また、参考例１の試料は、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇ偏析量（元素比率Ｍｇ／Ｎｉ）を０．０３とした。

参考例２の試料は、第１の内部電極層および第２の内部電極層と誘電体層との界面に形成されるＮｉ−Ｓｎ反応層について、Ｔ方向とＷ方向とが交わる平面に沿った断面おける連続性を第１の内部電極層および第２の内部電極層それぞれのＷ寸法の５０．０％とし、厚みを２０ｎｍとした。また、参考例２の試料は、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇ偏析量（元素比率Ｍｇ／Ｎｉ）を０．０５とした。

参考例３の試料は、第１の内部電極層および第２の内部電極層と誘電体層との界面に形成されるＮｉ−Ｓｎ反応層について、Ｔ方向とＷ方向とが交わる平面に沿った断面おける連続性を第１の内部電極層および第２の内部電極層それぞれのＷ寸法の１００．０％とし、厚みを５ｎｍとした。また、参考例３の試料は、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇ偏析量（元素比率Ｍｇ／Ｎｉ）を０．０４とした。

参考例４の試料は、第１の内部電極層および第２の内部電極層と誘電体層との界面に形成されるＮｉ−Ｓｎ反応層について、Ｔ方向とＷ方向とが交わる平面に沿った断面おける連続性を第１の内部電極層および第２の内部電極層それぞれのＷ寸法の１００．０％とし、厚みを２０ｎｍとした。

参考例５の試料は、第１の内部電極層および第２の内部電極層と誘電体層との界面に形成されるＮｉ−Ｓｎ反応層について、Ｔ方向とＷ方向とが交わる平面に沿った断面おける連続性を第１の内部電極層および第２の内部電極層それぞれのＷ寸法の７５．０％とし、厚みを４ｎｍとした。また、参考例５の試料は、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇ偏析量（元素比率Ｍｇ／Ｎｉ）を０．０６とした。

参考例６の試料は、第１の内部電極層および第２の内部電極層と誘電体層との界面に形成されるＮｉ−Ｓｎ反応層について、Ｔ方向とＷ方向とが交わる平面に沿った断面おける連続性を第１の内部電極層および第２の内部電極層それぞれのＷ寸法の７５．０％とし、厚みを２１ｎｍとした。また、参考例６の試料は、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇ偏析量（元素比率Ｍｇ／Ｎｉ）を０．０４とした。

参考例７の試料は、第１の内部電極層および第２の内部電極層と誘電体層との界面に形成されるＮｉ−Ｓｎ反応層について、Ｔ方向とＷ方向とが交わる平面に沿った断面おける連続性を第１の内部電極層および第２の内部電極層それぞれのＷ寸法の４９．５％とし、厚みを１０ｎｍとした。また、参考例７の試料は、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇ偏析量（元素比率Ｍｇ／Ｎｉ）を０．０４とした。

（Ｎｉ−Ｓｎ反応層の連続性および厚みの定量化方法）
Ｎｉ−Ｓｎ反応層の連続性および厚みを定量化する方法について説明する。まず、積層セラミックコンデンサを第１の端面または第２の端面からＬ寸法の中央部まで研磨し、ＷＴ断面を露出させた。次に、露出させたＷＴ断面をイオンビーム加工（ＦＩＢ）により薄片化させた。さらに、薄片化させたＷＴ断面のＴ方向の中央部において、走査透過型電子顕微鏡−エネルギー分散型Ｘ線分光器（ＳＴＥＭ−ＥＤＳ）を用いて、Ｗ方向に沿ってランダムに２０点の視野を選択し、選択した視野それぞれについて元素分布マッピング観察を行った。このようにして、Ｎｉ−Ｓｎ反応層の連続性および厚みを定量化した。

（Ｍｇ偏析の確認）
最も外層側に位置する内部電極層のＭｇの偏析は、次のようにして確認した。各試料について、第１の端面または第２の端面からＬ方向１／２の位置まで研磨し、第１の内部電極層および第２の内部電極層を露出させた。次に、複数の内部電極層のうち最も外層側に配置されている内部電極層のＭｇの偏析を確認するために、露出させたＷＴ断面の当該内部電極層でランダムに１００点の視野を選択した。そして、走査型電子顕微鏡を用いて選択した１００点の視野を観察した。各視野について、走査型電子顕微鏡を用いて、スペクトルを取得し、元素比率Ｍｇ／Ｎｉを算出した。元素比率Ｍｇ／Ｎｉは、各視野における元素比率の１００点の平均値とした。

（高温信頼性試験）
高温信頼性を評価する試験は、各試料に対して、温度８５℃の環境下で定格電圧（ここでは６．３Ｖに設定）を２０００時間印加し、抵抗値の劣化（抵抗値が初期値に対して急激に低下する劣化）が発生するか否かで判定した。ここでは、抵抗値が初期値の１００００分の１以下に低下しなかった試料が良品（Ｇ）であると評価し、抵抗値が初期値の１００００分の１以下に低下した試料および動作しなかった試料が不良品（ＮＧ）であると評価した。なお、高温信頼性試験は、上記した製造方法にしたがって製造された各試料７２個ずつに対して行われた。

（耐湿信頼性試験）
さらに、耐湿信頼性を評価する試験を行った。耐湿信頼性を評価する試験は、各試料に対して、温度８５℃、湿度８５％の環境下で定格電圧（ここでは６．３Ｖに設定）の２倍に相当する電圧（すなわち、１２．６Ｖ）を１２時間印加し、抵抗値の劣化（抵抗値が初期値に対して急激に低下する劣化）が発生するか否かで判定した。ここでは、抵抗値が初期値の１／１０以下に低下しなかった試料が良品（Ｇ）であると評価し、抵抗値が初期値の１／１０以下に低下した試料および動作しなかった試料が不良品（ＮＧ）であると評価した。なお、耐湿信頼性試験は、上記した製造方法にしたがって製造された各試料７２個ずつに対して行われた。

（実験結果）
参考実験例１の高温信頼性試験についての結果を表４に示す。

表４に示すように、参考例１〜４の試料は、いずれも良品（Ｇ）であると評価された。一方、参考例５〜７の試料は、いずれも不良品（ＮＧ）であると評価された。なお、７２個の試料のうち１個の不良品もない場合を良品（Ｇ）とし、７２個の試料のうち１個でも不良品がある場合を不良品（ＮＧ）とした。以上の結果から、第１の内部電極層および第２の内部電極層と誘電体層との界面に形成されるＮｉ−Ｓｎ反応層について、Ｔ方向とＷ方向とが交わる平面に沿った断面おける連続性を第１の内部電極層および第２の内部電極層それぞれのＷ寸法の５０．０％以上１００．０％以下とし、且つ厚みを５ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることにより、積層セラミックコンデンサの高温負荷寿命が改善されることを確認することができた。

参考実験例１の耐湿信頼性試験についての結果を表５に示す。

表５に示すように、参考例１〜４、６および７の試料は、いずれも良品（Ｇ）であると評価された。一方、参考例５の試料のみが不良品（ＮＧ）であると評価された。なお、７２個の試料のうち１個の不良品もない場合を良品（Ｇ）とし、７２個の試料のうち１個でも不良品がある場合を不良品（ＮＧ）とした。以上の結果から、最も外層側に位置する第１の内部電極層または第２の内部電極層それぞれのＭｇ偏析量が元素比率Ｍｇ／Ｎｉで０．０５以下であることにより、耐湿信頼性が向上することを確認することができた。

（参考実験例２）
参考実験例２では、積層セラミックコンデンサの複数の内部電極層それぞれの誘電体層に隣接する部分に偏析するＭｇの有無、および最も外層側に位置する内部電極層（最外層部の内部電極層）のＭｇの偏析相量が互いに異なる参考例１〜３および参考例５〜１０の試料（積層セラミックコンデンサ）をそれぞれ製造した。これらの試料について、高温信頼性および初期ショートの試験を行うことにより評価した。

（参考例１〜３、参考例５〜１０および参考例１５）
上記した製造方法にしたがって、参考例１〜３、参考例５〜１０および参考例１５の試料（積層セラミックコンデンサ）を作製した。各試料に共通の仕様は上記した実験例１と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。

参考例１の試料は、複数の内部電極層それぞれの誘電体層に隣接する部分にＭｇの偏析を有し、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇの偏析は元素比率Ｎｉ／Ｍｇで０．０３であり、内部電極層のＷ方向の端部にＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析しており、このＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスの偏析している領域の幅方向に沿った寸法が、０．５００μｍである。

参考例２の試料は、複数の内部電極層それぞれの誘電体層に隣接する部分にＭｇの偏析を有し、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇの偏析は元素比率Ｎｉ／Ｍｇで０．０５であり、内部電極層のＷ方向の端部にＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析しており、このＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスの偏析している領域の幅方向に沿った寸法が、０．５００μｍである。

参考例３の試料は、複数の内部電極層それぞれの誘電体層に隣接する部分にＭｇの偏析を有し、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇの偏析は元素比率Ｎｉ／Ｍｇで０．０４であり、内部電極層のＷ方向の端部にＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析しており、このＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスの偏析している領域の幅方向に沿った寸法が、１．０００μｍである。

参考例５の試料は、複数の内部電極層それぞれの誘電体層に隣接する部分にＭｇの偏析を有し、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇの偏析は元素比率Ｎｉ／Ｍｇで０．０６であり、内部電極層のＷ方向の端部にＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析しており、このＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスの偏析している領域の幅方向に沿った寸法が、０．５００μｍである。

参考例６の試料は、複数の内部電極層それぞれの誘電体層に隣接する部分にＭｇの偏析を有し、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇの偏析は元素比率Ｎｉ／Ｍｇで０．０４であり、内部電極層のＷ方向の端部にＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析しており、このＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスの偏析している領域の幅方向に沿った寸法が、１．０５０μｍである。

参考例７の試料は、複数の内部電極層それぞれの誘電体層に隣接する部分にＭｇの偏析を有し、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇの偏析は元素比率Ｎｉ／Ｍｇで０．０４であり、内部電極層のＷ方向の端部にＮｉ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析しており、このＮｉ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスの偏析している領域の幅方向に沿った寸法が、０．５００μｍである。

参考例８の試料は、複数の内部電極層それぞれの誘電体層に隣接する部分にＭｇの偏析を有し、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇの偏析は元素比率Ｎｉ／Ｍｇで０．０４であり、内部電極層のＷ方向の端部にＭｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析しており、このＭｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスの偏析している領域の幅方向に沿った寸法が、０．５００μｍである。

参考例９の試料は、複数の内部電極層それぞれの誘電体層に隣接する部分にＭｇの偏析を有し、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇの偏析は元素比率Ｎｉ／Ｍｇで０．０４であり、内部電極層のＷ方向の端部にＮｉ−Ｍｇ−Ｏ系ガラスが偏析しており、このＮｉ−Ｍｇ−Ｏ系ガラスの偏析している領域の幅方向に沿った寸法が、０．５００μｍである。

参考例１０の試料は、複数の内部電極層それぞれの誘電体層に隣接する部分にＭｇの偏析を有し、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇの偏析は元素比率Ｎｉ／Ｍｇで０．０４であった。しかしながら、内部電極層のＷ方向の端部にガラスの偏析は確認されなかった。

参考例１５の試料は、複数の内部電極層それぞれの誘電体層に隣接する部分にＭｇの偏析がなく、最も外層側に位置する内部電極層のＭｇの偏析は元素比率Ｎｉ／Ｍｇで０．０５であり、内部電極層のＷ方向の端部にＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析しており、このＮｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスの偏析している領域の幅方向に沿った寸法が、０．５００μｍである。

（Ｍｇ偏析の確認）
Ｍｇの偏析の確認は、参考実験例１と同様の方法で行ったので、その説明は繰り返さない。

（ガラスの確認）
ガラス（Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラス、Ｎｉ−Ｍｎ−Ｏ系ガラス、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラス、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｏ系ガラス）が偏析している領域の確認およびそのＷ方向に沿った寸法の測定は以下に説明するように行った。まず、各試料をＬ方向に沿って研磨し、ＷＴ断面を露出させた。次に、走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＷＤＸ）を用いて、露出させたＷＴ断面の中央部付近に位置する内部電極層のスペクトルを取得し、ガラスが偏析している領域を同定した。そして、マッピング分析によって、ガラスが偏析している領域のＷ方向に沿った寸法を定量化した。当該寸法は、露出させたＷＴ断面において、内部電極層のＷ方向の端部をランダムに１００点選択し、選択した１００点において測定されたガラスが偏析している領域のＷ方向に沿った寸法の平均値を求めることにより算出した。なお、内部電極層のＷ方向の端部とは、第１の内部電極層５０ａまたは第２の内部電極層５０ｂのＷ方向の端部から３０．０００μｍ以内である。

（高温信頼性試験）
高温信頼性を評価する試験は、各試料に対して、温度８５℃の環境で定格電圧（ここでは６．３Ｖに設定）を２０００時間印加し、抵抗値の劣化（抵抗値が初期値に対して急激に低下する場合、より具体的には抵抗値が４乗以下に低減する場合）が１つでも発生した場合は高温信頼性が不十分であると判定し、その試料が不良であると評価した。なお、高温信頼性試験は、上記した製造方法にしたがって製造された各７２個ずつに対して行われた。

（初期ショート試験）
初期ショートを評価する試験は、各試料に対して、ＡＣ電圧（周波数１２０Ｈｚ、電圧０．５Ｖ）を印加し、ＬＣＲメータを用いて測定を行い、ｌｏｇＩＲ値が３．０Ω以下であった場合、初期ショートが発生したと判定し、その試料が不良であると評価した。なお、当該初期ショート試験は、上記した製造方法にしたがって、製造された各試料１００個ずつに対して行われた。

（実験結果）
参考実験例２の結果を表６に示す。

表６に示すように、参考例１〜３および参考例８〜１０では、それぞれ、高温信頼性において不良であると評価された試料がいずれも０個であり、参考例６および参考例７では、それぞれ、同試料個数が１個であった。一方、参考例５では同試料個数が４個であり、且つ参考例１５では、同試料個数が７０個であった。以上の結果から、参考例１〜３および参考例６〜１０の試料（積層セラミックコンデンサ）は、高温信頼性が向上していることを確認することができた。

また、表６が示すように、参考例１〜３では、内部電極層のＷ方向の端部に、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析しており、さらに、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスの偏析している領域のＷ方向に沿った寸法が、１．０００μｍ以下である場合には、初期ショート試験において不良であると評価された試料個数がいずれも０個であった。一方、参考例５では、初期ショート試験において不良であると評価された試料個数は０であったが、参考例１５では、９５個であった。以上の結果から、参考例１〜３の試料（積層セラミックコンデンサ）は、高温信頼性を有し、さらに、初期ショート不良が抑制されていることを確認することができた。

（参考実験例３）
参考実験例３では、図５（Ａ），（Ｂ）、図１０および図１１などを参照して説明する。図１０は、この発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの実装構造における好ましい半田の濡れ上がり態様を示す拡大断面図である。図１１は、半田の濡れ上がりが９０°以上となる好ましくない半田の濡れ上がり態様を示す拡大断面図である。

参考実験例３では、第１の外部電極および第２の外部電極の焼付け層の突出部について、図５を参照して、第１の外部電極の第２の主面側に形成された突出部についてのｔ₁およびｄ₁／ｅ₁、並びに積層セラミックコンデンサのＴ寸法が互いに異なる参考例１〜３および参考例５〜１０に係る試料（積層セラミックコンデンサ）をそれぞれ作製した。なお、参考例８の試料は、突出部が形成されない。各試料が、それぞれ１００個作製され、それらについて、以下に示すように、実装される基板との固着力および半田の濡れ上がり性の試験を行うことにより評価した。

（参考例１〜３、参考例５〜１０および参考例１２〜１４）
上記した製造方法にしたがって、参考例１〜３、参考例５〜１０および参考例１２〜１４の試料（積層セラミックコンデンサ）を作製した。各試料に共通の仕様は、積層セラミックコンデンサの寸法を除いて、上記した実験例１と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。

参考例１の試料では、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関して、上記寸法ｔ₁を０．５０００μｍとし、且つ上記ｄ₁／ｅ₁を１．００３５とした。また、第２の外部電極の焼付け層の上記寸法ｔ₂および上記ｄ₂／ｅ₂についても同様とした。さらに、積層セラミックコンデンサのＬ寸法×Ｗ寸法を０．６８ｍｍ×０．３８ｍｍとした。そして、積層セラミックコンデンサのＴ寸法を０．３８ｍｍとした。

参考例２の試料では、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関して、上記寸法ｔ₁を１０．０００μｍとし、且つ上記ｄ₁／ｅ₁を１．１５００とした。また、第２の外部電極の焼付け層の上記寸法ｔ₂および上記ｄ₂／ｅ₂についても同様とした。さらに、積層セラミックコンデンサのＬ寸法×Ｗ寸法を０．６８ｍｍ×０．３８ｍｍとした。そして、積層セラミックコンデンサのＴ寸法を０．３８ｍｍとした。

参考例３の試料では、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関して、上記寸法ｔ₁を３５．０００μｍとし、且つ上記ｄ₁／ｅ₁を１．４０００とした。また、第２の外部電極の焼付け層の上記寸法ｔ２および上記ｄ２／ｅ２についても同様とした。さらに、積層セラミックコンデンサのＬ寸法×Ｗ寸法を０．６８ｍｍ×０．３８ｍｍとした。そして、積層セラミックコンデンサのＴ寸法を０．３８ｍｍとした。

参考例５の試料では、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関して、上記寸法ｔ₁を０．４９６μｍとし、且つ上記ｄ₁／ｅ₁を１．０００１とした。また、第２の外部電極の焼付け層の上記寸法ｔ２および上記ｄ₂／ｅ₂についても同様とした。さらに、積層セラミックコンデンサのＬ寸法×Ｗ寸法を０．６８ｍｍ×０．３８ｍｍとした。そして、積層セラミックコンデンサのＴ寸法を０．３８ｍｍとした。

参考例６の試料では、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関して、上記寸法ｔ₁を３６．０００μｍとし、且つ上記ｄ₁／ｅ₁を１．４１００とした。また、第２の外部電極の焼付け層の上記寸法ｔ₂および上記ｄ₂／ｅ₂についても同様とした。さらに、積層セラミックコンデンサのＬ寸法×Ｗ寸法を０．６８ｍｍ×０．３８ｍｍとした。そして、積層セラミックコンデンサのＴ寸法を０．３８ｍｍとした。

参考例７の試料では、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関
して、上記寸法ｔ₁を３５．５μｍとし、且つ上記ｄ₁／ｅ₁を１．４０５０とした。また、第２の外部電極の焼付け層の上記寸法ｔ₂および上記ｄ₂／ｅ₂についても同様とした。さらに、積層セラミックコンデンサのＬ寸法×Ｗ寸法を０．６８ｍｍ×０．３８ｍｍとした。そして、積層セラミックコンデンサのＴ寸法を０．３８ｍｍとした。

参考例８の試料では、上記した通り突出部を形成しなかった。なお、上記ｄ₁／ｅ₁は、１．００４０とした。また、第２の外部電極についても同様とした。さらに、積層セラミックコンデンサのＬ寸法×Ｗ寸法を０．６８ｍｍ×０．３８ｍｍとした。そして、積層セラミックコンデンサのＴ寸法を０．３８ｍｍとした。

参考例９の試料では、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関して、上記寸法ｔ₁を０．５００μｍとし、且つ上記ｄ₁／ｅ₁を１．００５０とした。また、第２の外部電極の焼付け層の上記寸法ｔ₂および上記ｄ₂／ｅ₂についても同様とした。さらに、積層セラミックコンデンサのＬ寸法×Ｗ寸法を０．４ｍｍ×０．２ｍｍとした。そして、積層セラミックコンデンサのＴ寸法を０．１５ｍｍとした。

参考例１０の試料では、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関して、上記寸法ｔ₁を１０．０００μｍとし、且つ上記ｄ₁／ｅ₁を１．１５０とした。また、第２の外部電極の焼付け層の上記寸法ｔ₂および上記ｄ₂／ｅ₂についても同様とした。さらに、積層セラミックコンデンサのＬ寸法×Ｗ寸法を０．４ｍｍ×０．２ｍｍとした。そして、積層セラミックコンデンサのＴ寸法を０．１１ｍｍとした。

参考例１２の試料では、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関して、上記寸法ｔ₁を０．５００μｍとし、且つ上記ｄ₁／ｅ₁を１．００４５とした。また、第２の外部電極の焼付け層の上記寸法ｔ₂および上記ｄ₂／ｅ₂についても同様とした。さらに、積層セラミックコンデンサのＬ寸法×Ｗ寸法を０．６８ｍｍ×０．３８ｍｍとした。そして、積層セラミックコンデンサのＴ寸法を０．３８ｍｍとした。

参考例１３の試料では、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関して、上記寸法ｔ₁を１５．０００μｍとし、且つ上記ｄ₁／ｅ₁を１．２０００とした。また、第２の外部電極の焼付け層の上記寸法ｔ₂および上記ｄ₂／ｅ₂についても同様とした。さらに、積層セラミックコンデンサのＬ寸法×Ｗ寸法を１．２ｍｍ×０．７ｍｍとした。そして、積層セラミックコンデンサのＴ寸法を０．７ｍｍとした。

参考例１４の試料では、第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関して、上記寸法ｔ₁を３５．０００μｍとし、且つ上記ｄ₁／ｅ₁を１．４０００とした。また、第２の外部電極の焼付け層の上記寸法ｔ₂および上記ｄ₂／ｅ₂についても同様とした。さらに、積層セラミックコンデンサのＬ寸法×Ｗ寸法を０．４ｍｍ×０．２ｍｍとした。そして、積層セラミックコンデンサのＴ寸法を０．１８ｍｍとした。

（突出部の観察方法）
まず、各試料（積層セラミックコンデンサ）をＷ方向に沿って、当該積層セラミックコンデンサのＷ方向の厚みの１／２まで研磨し、ＬＴ断面を露出させる。次に、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、露出させたＬＴ断面において、第１の外部電極の突出部における寸法ｔ₁を測定した。この場合、各試料において、１００個の積層セラミックコンデンサについて、突出部における寸法ｔ₁を測定し、その平均値を突出部の寸法ｔ₁とした。なお、ｄ₁／ｅ₁についても寸法ｔ₁と同様に測定し、その平均値を算出した。

（基板との固着力の評価方法）
それから、各試料（積層セラミックコンデンサ）について、それぞれ、基板に実装した後、当該試料（積層セラミックコンデンサ）に第１の側面または第２の側面からＷ方向に沿った一定以上の力を加えて、基板との固着力を測定して評価した。この場合、５．０Ｎの力を加えても試料１００個全てが基板から外れなかった場合を基板との固着力が良好（Ｇ）であると判定した。さらに、６．０Ｎの力を加えても試料１００個全てが基板から外れなかった場合を基板との固着力が非常に良好（ＶＧ）であると判定した。一方、５．０Ｎの力を加えて、試料が１個でも基板から外れた場合を基板との固着力が不良（ＮＧ）である判定とした。また、５．０Ｎの力を加えたとき、素体強度が弱いため、素体側が破壊されてしまったものを測定不可と判定した。

（半田の濡れ上がり性の評価方法）
また、半田の濡れ上がりがあるか否かについても評価した。この場合、半田の濡れ上がりがある場合を良好（Ｇ）と判定し、濡れ上がりの無い不濡れの場合を不良（ＮＧ）と判定した。具体的には、図１０に示すように、半田の濡れ角が９０°未満の場合を良好（Ｇ）と判定した。また、図１１に示すように、半田の濡れ角が９０°以上の場合を不良（ＮＧ）と判定した。

（実験結果）
参考実験例３の結果を表７に示す。

表７に示すように、参考例１では、基板との固着力が良好であり、且つ半田の濡れ上がりも良好であった。また、参考例２、参考例３および参考例１２〜１４では、基板との固着力が非常に良好であり、且つ半田の濡れ上がりも良好であった。一方、参考例５〜８では、基板との固着力が不良であり、さらに、参考例６および参考例７では、半田の濡れ上がりも不良であった。また、参考例９および参考例１０では、素体強度が弱いため、素体側が破壊されてしまい、実装性が測定不可であった。

以上の結果から、ｔ₁が０．５μｍ以上３５μｍ以下であり、且つ積層セラミックコンデンサのＴ寸法が０．１８ｍｍ以上０．７０ｍｍ以下である場合、基板との固着力が非常に良好または良好となり、且つ半田の濡れ上がりが良好となることを確認することができた。すなわち、このような積層セラミックコンデンサは、基板との実装性が改善されることを確認することができた。さらに、ｄ₁／ｅ₁が１．００４５以上１．４以下である場合、基板との固着力が非常に良好となることを確認することができた。

なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。

１０ 積層セラミックコンデンサ
２０ 積層体
２２ａ 第１の主面
２２ｂ 第２の主面
２４ａ 第１の側面
２４ｂ 第２の側面
２６ａ 第１の端面
２６ｂ 第２の端面
３４ａ 第１の側部
３４ｂ 第２の側部
３６ａ 第１の端部
３６ｂ 第２の端部
４０ 誘電体層
５０ａ 第１の内部電極層
５０ｂ 第２の内部電極層
６０ａ 第１の外部電極
６０ｂ 第２の外部電極
６２ 先端部
６４ 垂線が最も長くなる点
７０ 突出部
７２ 頂点
１１０ 内層用のセラミックグリーンシート
１１２ 導電パターン
１１４ 積層チップ
２００ 実装構造
２１０ 実装基板
２２０ａ 第１のランド部
２２０ｂ 第２のランド部
２３０ａ 第１のフィレット
２３０ｂ 第２のフィレット
ｘ₁ 第１の直線
ｄ₁ 焼付け層の一部の表面に沿った寸法
ｅ₁ 焼付け層の一部のＬ方向に沿った寸法
ｔ₁ 焼付け層の一部のＴ方向に沿った寸法

Claims (16)

1. 複数の誘電体層と、複数の第１の内部電極層と、複数の第２の内部電極層とが交互に積層されることにより直方体状に形成され、積層方向において相対する第１の主面および第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面および第２の側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面および第２の端面とを含む積層体と、前記第１の端面に形成されることにより、前記複数の第１の内部電極層に電気的に接続される第１の外部電極と、前記第２の端面に形成されることにより、前記複数の第２の内部電極層に電気的に接続される第２の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、
   前記複数の第１の内部電極層は、前記複数の誘電体層を介して前記複数の第２の内部電極層に対向する対向電極部と、前記対向電極部の前記第１の端面側の端部から前記第１の端面までの引出電極部とを有し、
   前記複数の第２の内部電極層は、前記複数の誘電体層を介して前記複数の第１の内部電極層に対向する対向電極部と、前記対向電極部の前記第２の端面側の端部から前記第２の端面までの引出電極部とを有し、
   前記積層体は、前記複数の第２の内部電極層におけるそれぞれの前記対向電極部と前記第１の端面との間に位置する第１の端部と、前記複数の第１の内部電極層におけるそれぞれの前記対向電極部と前記第２の端面との間に位置する第２の端部とを含み、
   前記第１の外部電極は、前記第１の端面から前記第１の主面、前記第２の主面、前記第１の側面および前記第２の側面それぞれの一部まで延長するように一体に形成される焼付け層を含み、且つ前記第２の外部電極は、前記第２の端面から前記第１の主面、前記第２の主面、前記第１の側面および前記第２の側面それぞれの一部まで延長するように一体に形成される焼付け層を含み、
   前記第１の外部電極の焼付け層および前記第２の外部電極の焼付け層のそれぞれは、少なくとも前記第１及び第２の主面側に形成された部分に前記積層方向へと突き出るように頂点が形成された突出部を有し、
   前記焼付け層の表面と突出部の頂点との積層方向に沿った寸法は、０．５μｍ以上３５μｍ以下であり、
   前記第１の外部電極の焼付け層の前記第１の主面側に形成された部分に前記積層方向へと突き出るように頂点が形成された突出部の頂点は、前記第１の主面と前記第１の端面とが交わる稜線部に位置し、前記幅方向に沿って、前記第１の側面よりも前記幅方向の外側の位置から前記第２の側面よりも前記幅方向の外側の位置まで延在し、
   前記第２の外部電極の焼付け層の前記第１の主面側に形成された部分に前記積層方向へと突き出るように頂点が形成された前記突出部の頂点は、前記第１の主面と前記第２の端面とが交わる稜線部に位置し、前記幅方向に沿って、前記第１の側面よりも前記幅方向の外側の位置から前記第２の側面よりも前記幅方向の外側の位置まで延在し、
   前記第１の外部電極の焼付け層の前記第２の主面側に形成された部分に前記積層方向へと突き出るように頂点が形成された前記突出部の頂点は、前記第２の主面と前記第１の端面とが交わる稜線部に位置し、前記幅方向に沿って、前記第１の側面よりも前記幅方向の外側の位置から前記第２の側面よりも前記幅方向の外側の位置まで延在し、
   前記第２の外部電極の焼付け層の前記第２の主面側に形成された部分に前記積層方向へと突き出るように頂点が形成された前記突出部の頂点は、前記第２の主面と前記第２の端面とが交わる稜線部に位置し、前記幅方向に沿って、前記第１の側面よりも前記幅方向の外側の位置から前記第２の側面よりも前記幅方向の外側の位置まで延在し、
   前記第１の外部電極の焼付け層および前記第２の外部電極の焼付け層のそれぞれは、前記第１及び前記第２の側面側に形成された部分にも前記幅方向へと突き出した突出部を有し、
   前記第１の側面側に形成された部分にも前記幅方向へと突き出した前記突出部は、前記焼付け層の前記第１の主面側に形成された部分から突き出した前記突出部の前記第１の側面側の端部と、前記焼付け層の前記第２の主面側に形成された部分から突き出した前記突出部の前記第１の側面側の端部とを結ぶように積層方向に沿って延在し、
   前記第２の側面側に形成された部分にも前記幅方向へと突き出した前記突出部は、前記焼付け層の前記第１の主面側に形成された部分から突き出した前記突出部の前記第２の側面側の端部と、前記焼付け層の前記第２の主面側に形成された部分から突き出した前記突出部の前記第２の側面側の端部とを結ぶように前記積層方向に沿って延在することを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
2. 前記第１の外部電極の焼付け層および前記第２の外部電極の焼付け層のそれぞれは、少なくとも前記第２の主面側に形成された部分に前記積層方向へと突き出るように形成された突出部を有し、
   前記第１の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関して、前記第２の端面側の先端部と前記突出部の頂点とを結ぶ第１の直線を定義したとき、前記第１の直線に直交するように前記第１の直線から前記第２の主面側に形成された部分の表面まで引いた垂線が最も長くなる前記第２の主面側に形成された部分の表面上の点と、前記突出部の頂点との積層方向に沿った寸法が０．５μｍ以上３５μｍ以下であり、
   前記第２の外部電極の焼付け層の第２の主面側に形成された部分に関して、前記第１の端面側の先端部と前記突出部の頂点とを結ぶ第２の直線を定義したとき、前記第２の直線に直交するように前記第２の直線から前記第２の主面側に形成された部分の表面まで引いた垂線が最も長くなる前記第２の主面側に形成された部分の表面上の点と、前記突出部の頂点との積層方向に沿った寸法が０．５μｍ以上３５μｍ以下であり、且つ、
   前記積層セラミックコンデンサの積層方向に沿った寸法が、０．１８ｍｍ以上０．７０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 前記複数の第１の内部電極層および前記複数の第２の内部電極層それぞれはＮｉを含み、
   前記第１の内部電極層および前記第２の内部電極層と前記誘電体層との界面にＮｉ−Ｓｎ反応層が形成され、
   前記Ｎｉ−Ｓｎ反応層は、前記第１の内部電極層および前記第２の内部電極層それぞれの幅寸法の５０．０％以上１００．０％以下の長さで直線状に連続して形成され、且つ厚みが５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
4. 複数の前記第１の内部電極層および複数の前記第２の内部電極層それぞれの前記誘電体層に隣接する部分にはＭｇが偏析していることを特徴とする、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
5. 最も外層側に位置する前記第１の内部電極層または前記第２の内部電極層それぞれのＭｇ偏析量は、元素比率Ｍｇ／Ｎｉで０．０５以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
6. 前記第１の内部電極層および前記第２の内部電極層それぞれの幅方向の端部には、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスが偏析していることを特徴とする、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
7. 前記Ｎｉ−Ｍｇ−Ｍｎ−Ｏ系ガラスの偏析している領域の幅方向に沿った寸法が、１．０００μｍ以下であることを特徴とする、請求項６に記載の積層セラミックコンデンサ。
8. 前記第１の外部電極の焼付け層の前記第２の主面側に形成された部分の表面に関して、前記第２の端面側の先端部から前記第１の端面までの前記第１の外部電極の表面に沿った寸法をｄ₁とし、前記第２の端面側の先端部から前記第１の端面までの前記長さ方向に沿った寸法をｅ₁としたとき、ｄ₁／ｅ₁が１．００４５以上１．４以下であり、且つ、
   前記第２の外部電極の焼付け層の前記第２の主面側に形成された部分の表面に関して、前記第１の端面側の先端部から前記第２の端面までの前記第２の外部電極の表面に沿った寸法をｄ₂とし、前記第１の端面側の先端部から前記第２の端面までの前記長さ方向に沿った寸法をｅ₂としたとき、ｄ₂／ｅ₂が１．００４５以上１．４以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
9. 前記積層方向の寸法が０．３００ｍｍ±０．０９０ｍｍであり、
   前記幅方向の寸法が０．３００ｍｍ±０．０９０ｍｍであり、
   前記長さ方向の寸法が０．６００ｍｍ±０．０９０ｍｍであり、
   前記誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が１００枚以上５００枚以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
10. 前記積層方向の寸法が０．２００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記幅方向の寸法が０．２００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記長さ方向の寸法が０．４００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が５０枚以上３００枚以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
11. 前記積層方向の寸法が０．３００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記幅方向の寸法が０．２００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記長さ方向の寸法が０．４００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が１００枚以上５００枚以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
12. 前記積層方向の寸法が０．３００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記幅方向の寸法が０．３００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記長さ方向の寸法が０．４００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が１００枚以上５００枚以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
13. 前記積層方向の寸法が０．２５０ｍｍ±０．０２５ｍｍであり、
    前記幅方向の寸法が０．２５０ｍｍ±０．０２５ｍｍであり、
    前記長さ方向の寸法が０．５００ｍｍ±０．０２５ｍｍであり、
    前記誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が１００枚以上５００枚以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
14. 前記積層方向の寸法が０．５００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記幅方向の寸法が０．５００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記長さ方向の寸法が０．８００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が２００枚以上１０００枚以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
15. 前記積層方向の寸法が０．６００ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記幅方向の寸法が０．４５０ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記長さ方向の寸法が０．７５０ｍｍ±０．０５０ｍｍであり、
    前記誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が２００枚以上１０００枚以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
16. 前記積層方向の寸法が０．５００ｍｍ±０．２００ｍｍであり、
    前記幅方向の寸法が０．５００ｍｍ±０．２００ｍｍであり、
    前記長さ方向の寸法が１．０００ｍｍ±０．２００ｍｍであり、
    前記誘電体層について、厚みが０．４８μｍ±０．１０μｍであり、枚数が２００枚以上１０００枚以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。

Images