JP2015035630A - ３端子型コンデンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】実装基板に実装されるとき、位置ずれが生じ難く、実装基板との固着力も確保される３端子型コンデンサを提供する。
【解決手段】３端子型コンデンサ２００は、コンデンサ素子２０２の第１面２０２ａの長さ方向における一方端部に設けられた第２外部電極２０６が、第５面２０２ｅおよび第６面２０２ｆの第２折り返し部２０６ｂ、２０６ｂのうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、第３面２０２ｃの第３折り返し部２０６ｃの幅方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足している。第１面２０２ａの長さ方向における他方端部に設けられた第２外部電極２０８は、第５面２０２ｅおよび第６面２０２ｆの第２折り返し部２０８ｂ、２０８ｂのうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、第４面２０２ｄの第３折り返し部２０８ｃの幅方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足している。
【選択図】図１４
【解決手段】３端子型コンデンサ２００は、コンデンサ素子２０２の第１面２０２ａの長さ方向における一方端部に設けられた第２外部電極２０６が、第５面２０２ｅおよび第６面２０２ｆの第２折り返し部２０６ｂ、２０６ｂのうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、第３面２０２ｃの第３折り返し部２０６ｃの幅方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足している。第１面２０２ａの長さ方向における他方端部に設けられた第２外部電極２０８は、第５面２０２ｅおよび第６面２０２ｆの第２折り返し部２０８ｂ、２０８ｂのうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、第４面２０２ｄの第３折り返し部２０８ｃの幅方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足している。
【選択図】図１４
Description
本発明は、３端子型コンデンサに関する。
特許文献１（図８〜図１０）に示すように、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低くするために、コンデンサ素子表面の中央部に設けられた第１外部電極と、コンデンサ素子表面の両端部に第１外部電極を間に配置するようにそれぞれ設けられた第２外部電極と、を備えた３端子型コンデンサが知られている。特許文献１に示される３端子型コンデンサは、コンデンサ素子に埋設される導電体層の積層方向が実装基板に沿う方向と一致するように、換言すれば、導電体層の面方向が、実装基板と直交するようにして、実装基板に実装される。このような実装形態を、以後、垂直実装と呼ぶ。
特許文献１に示されるコンデンサ素子は、長さ方向および幅方向に沿って延びる第１面および第２面と、幅方向および厚み方向に沿って延びる第３面および第４面と、長さ方向および厚み方向に沿って延びる第５面および第６面とを有している。コンデンサ素子の一方の端部に設けられた第２外部電極は、第１面の長さ方向における一方端部と、第３面、第５面、第６面とにわたって設けられている。コンデンサ素子の他方の端部に設けられた第２外部電極は、第１面の長さ方向における他方端部と、第４面、第５面、第６面とにわたって設けられている。
しかしながら、この３端子型コンデンサは、実装基板に実装されるとき、コンデンサ素子の第３面および第４面（言い換えると、コンデンサ素子の端面）の第２外部電極に濡れ上がったはんだの引張応力によって、位置ずれが生じ易いという不具合があった。
そして、３端子型コンデンサの位置ずれが生じると、第２外部電極が実装基板上の本来接続されるべきでない隣接のランドに電気的に接続し、ショートする心配があった。
そして、３端子型コンデンサの位置ずれが生じると、第２外部電極が実装基板上の本来接続されるべきでない隣接のランドに電気的に接続し、ショートする心配があった。
それゆえに、本発明の目的は、実装基板に実装されるとき、位置ずれが生じ難く、さらに、実装基板との固着力も確保される３端子型コンデンサを提供することである。
本発明の３端子型コンデンサは、長さ方向および幅方向に沿って延びる第１面および第２面と、幅方向および厚み方向に沿って延びる第３面および第４面と、長さ方向および厚み方向に沿って延びる第５面および第６面とを有するコンデンサ素子と、第１面の長さ方向における一方端部、第３面、第５面、第６面に設けられた第２外部電極と、第１面の長さ方向における他方端部、第４面、第５面、第６面に設けられた第２外部電極と、第１面の長さ方向において、２つの第２外部電極の間に位置する部分、第５面、第６面に設けられた第１外部電極と、コンデンサ素子の内部に設けられ、第１外部電極に第１引出部を介して電気的に接続された複数の第１導電体層と、コンデンサ素子の内部に設けられ、第２外部電極に第２引出部を介して電気的に接続された複数の第２導電体層と、を備えた３端子型コンデンサであって、第１面の長さ方向における一方端部、第３面、第５面、第６面に設けられた第２外部電極において、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、第３面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足していること、を特徴とする、３端子型コンデンサである。
また、本発明の３端子型コンデンサは、第１面の長さ方向における他方端部と、第４面、第５面、第６面とにわたって設けられた第２外部電極において、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、第４面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足していること、を特徴とする、３端子型コンデンサであることが好ましい。
また、本発明の３端子型コンデンサは、長さ方向および幅方向に沿って延びる第１面および第２面と、幅方向および厚み方向に沿って延びる第３面および第４面と、長さ方向および厚み方向に沿って延びる第５面および第６面とを有するコンデンサ素子と、第１面の長さ方向における一方端部、第３面、第５面、第６面に設けられた第２外部電極と、第１面の長さ方向における他方端部、第４面、第５面、第６面に設けられた第２外部電極と、第２面の長さ方向における一方端部、第３面、第５面、第６面に設けられた第２外部電極と、第２面の長さ方向における他方端部、第４面、第５面、第６面に設けられた第２外部電極と、第１面の長さ方向において、２つの第２外部電極の間に位置する部分、第５面、第６面に設けられた第１外部電極と、第２面の長さ方向において、２つの第２外部電極の間に位置する部分、第５面、第６面に設けられた第１外部電極と、コンデンサ素子の内部に設けられ、第１外部電極に第１引出部を介して電気的に接続された複数の第１導電体層と、コンデンサ素子の内部に設けられ、第２外部電極に第２引出部を介して電気的に接続された複数の第２導電体層と、を備えた３端子型コンデンサであって、第１面の長さ方向における一方端部と、第３面、第５面、第６面とにわたって設けられた第２外部電極において、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、第３面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足し、第２面の長さ方向における一方端部と、第３面、第５面、第６面とにわたって設けられた第２外部電極において、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、第３面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足していること、を特徴とする、３端子型コンデンサであることが好ましい。
また、本発明の３端子型コンデンサは、第１面の長さ方向における他方端部と、第４面、第５面、第６面とにわたって設けられた第２外部電極において、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、第４面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足し、第２面の長さ方向における他方端部と、第４面、第５面、第６面とにわたって設けられた第２外部電極において、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、第４面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足していること、を特徴とする、３端子型コンデンサであることが好ましい。
また、本発明の３端子型コンデンサは、第１面の長さ方向における他方端部と、第４面、第５面、第６面とにわたって設けられた第２外部電極において、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、第４面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足していること、を特徴とする、３端子型コンデンサであることが好ましい。
また、本発明の３端子型コンデンサは、長さ方向および幅方向に沿って延びる第１面および第２面と、幅方向および厚み方向に沿って延びる第３面および第４面と、長さ方向および厚み方向に沿って延びる第５面および第６面とを有するコンデンサ素子と、第１面の長さ方向における一方端部、第３面、第５面、第６面に設けられた第２外部電極と、第１面の長さ方向における他方端部、第４面、第５面、第６面に設けられた第２外部電極と、第２面の長さ方向における一方端部、第３面、第５面、第６面に設けられた第２外部電極と、第２面の長さ方向における他方端部、第４面、第５面、第６面に設けられた第２外部電極と、第１面の長さ方向において、２つの第２外部電極の間に位置する部分、第５面、第６面に設けられた第１外部電極と、第２面の長さ方向において、２つの第２外部電極の間に位置する部分、第５面、第６面に設けられた第１外部電極と、コンデンサ素子の内部に設けられ、第１外部電極に第１引出部を介して電気的に接続された複数の第１導電体層と、コンデンサ素子の内部に設けられ、第２外部電極に第２引出部を介して電気的に接続された複数の第２導電体層と、を備えた３端子型コンデンサであって、第１面の長さ方向における一方端部と、第３面、第５面、第６面とにわたって設けられた第２外部電極において、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、第３面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足し、第２面の長さ方向における一方端部と、第３面、第５面、第６面とにわたって設けられた第２外部電極において、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、第３面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足していること、を特徴とする、３端子型コンデンサであることが好ましい。
また、本発明の３端子型コンデンサは、第１面の長さ方向における他方端部と、第４面、第５面、第６面とにわたって設けられた第２外部電極において、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、第４面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足し、第２面の長さ方向における他方端部と、第４面、第５面、第６面とにわたって設けられた第２外部電極において、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、第４面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足していること、を特徴とする、３端子型コンデンサであることが好ましい。
３端子型コンデンサが実装基板に実装されるとき、コンデンサ素子の第５面および第６面（言い換えると、コンデンサ素子の側面）の第２外部電極に濡れ上がるはんだは、３端子型コンデンサの位置ずれを抑制し、３端子型コンデンサと実装基板との固着力を確保する。一方、コンデンサ素子の第３面および第５面（言い換えると、コンデンサ素子の端面）の第２外部電極に濡れ上がるはんだは、３端子型コンデンサの位置ずれを促進する。
この発明にかかる３端子型コンデンサでは、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足しているため、コンデンサ素子の第５面または第６面（言い換えると、コンデンサ素子の側面）の第２外部電極に濡れ上がるはんだの量が、コンデンサ素子の第３面（言い換えると、コンデンサ素子の一方の端面）の第２外部電極に濡れ上がるはんだの量より多くなる。従って、３端子型コンデンサの位置ずれが抑制され、さらに、３端子型コンデンサと実装基板との固着力も確保される。
また、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、第４面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足していると、３端子型コンデンサを実装基板に実装するときに、コンデンサ素子の第５面または／および第６面（言い換えると、コンデンサ素子の側面）の第２外部電極に濡れ上がるはんだの量が、コンデンサ素子の第３面および第４面（言い換えると、コンデンサ素子の両端面）の第２外部電極に濡れ上がるはんだの量より多くなる。従って、３端子型コンデンサの位置ずれがより一層抑制され、さらに、３端子型コンデンサと実装基板との固着力もより一層確保される。
さらに、第１面および第２面のいずれにも、第１および第２外部電極が設けられ、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、第３面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足し、第２面の長さ方向における一方端部と、第３面、第５面、第６面とにわたって設けられた第２外部電極において、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、第３面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足していると、３端子型コンデンサの位置ずれが抑制され、さらに、３端子型コンデンサと実装基板との固着力も確保されると共に、第１面および第２面のいずれか一方の面が、３端子型コンデンサの実装面となるため、実装基板への実装の自由度が高くなる。
この発明にかかる３端子型コンデンサでは、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足しているため、コンデンサ素子の第５面または第６面（言い換えると、コンデンサ素子の側面）の第２外部電極に濡れ上がるはんだの量が、コンデンサ素子の第３面（言い換えると、コンデンサ素子の一方の端面）の第２外部電極に濡れ上がるはんだの量より多くなる。従って、３端子型コンデンサの位置ずれが抑制され、さらに、３端子型コンデンサと実装基板との固着力も確保される。
また、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、第４面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足していると、３端子型コンデンサを実装基板に実装するときに、コンデンサ素子の第５面または／および第６面（言い換えると、コンデンサ素子の側面）の第２外部電極に濡れ上がるはんだの量が、コンデンサ素子の第３面および第４面（言い換えると、コンデンサ素子の両端面）の第２外部電極に濡れ上がるはんだの量より多くなる。従って、３端子型コンデンサの位置ずれがより一層抑制され、さらに、３端子型コンデンサと実装基板との固着力もより一層確保される。
さらに、第１面および第２面のいずれにも、第１および第２外部電極が設けられ、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、第３面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足し、第２面の長さ方向における一方端部と、第３面、第５面、第６面とにわたって設けられた第２外部電極において、第５面および第６面の第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、第３面の第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足していると、３端子型コンデンサの位置ずれが抑制され、さらに、３端子型コンデンサと実装基板との固着力も確保されると共に、第１面および第２面のいずれか一方の面が、３端子型コンデンサの実装面となるため、実装基板への実装の自由度が高くなる。
本発明によれば、実装基板に実装されるとき、位置ずれが生じ難く、さらに、実装基板との固着力も確保される３端子型コンデンサを得ることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
１．３端子型コンデンサ
（１）第１の実施の形態
図１は、３端子型コンデンサ１００を示す外観斜視図である。図２は、図１に示したコンデンサ素子１０２の斜視図である。図３は、図２に示したコンデンサ素子１０２の分解斜視図である。
（１）第１の実施の形態
図１は、３端子型コンデンサ１００を示す外観斜視図である。図２は、図１に示したコンデンサ素子１０２の斜視図である。図３は、図２に示したコンデンサ素子１０２の分解斜視図である。
３端子型コンデンサ１００は、略直方体のコンデンサ素子１０２と、コンデンサ素子１０２の表面の中央部に形成された第１外部電極１０４，１０５と、コンデンサ素子１０２の表面の左右の端部に形成された第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９とを備えている。
コンデンサ素子１０２は、上下の高さＴ方向に、第１面１０２ａと、第１面１０２ａに対向する第２面１０２ｂとを有している。また、コンデンサ素子１０２は、左右の長さＬ方向に、第３面１０２ｃと、第３面１０２ｃに対向する第４面１０２ｄとを有している。さらに、コンデンサ素子１０２は、前後の幅Ｗ方向に、第５面１０２ｅと、第５面１０２ｅに対向する第６面１０２ｆとを有している。
３端子型コンデンサ１００は、例えば長さＬ方向の寸法が２．００ｍｍ以上２．１０ｍｍ以下であることが好ましく、高さＴ方向の寸法が０．７ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが好ましく、幅Ｗ方向の寸法が１．２０ｍｍ以上１．４０ｍｍ以下であることが好ましい。
なお、３端子型コンデンサ１００の長さＬ方向の寸法、高さＴ方向の寸法、幅Ｗ方向の寸法は、ミツトヨ製のマイクロメーターＭＤＣ−２５ＭＸを用いて測定することができる。
３端子型コンデンサ１００は、例えば長さＬ方向の寸法が２．００ｍｍ以上２．１０ｍｍ以下であることが好ましく、高さＴ方向の寸法が０．７ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが好ましく、幅Ｗ方向の寸法が１．２０ｍｍ以上１．４０ｍｍ以下であることが好ましい。
なお、３端子型コンデンサ１００の長さＬ方向の寸法、高さＴ方向の寸法、幅Ｗ方向の寸法は、ミツトヨ製のマイクロメーターＭＤＣ−２５ＭＸを用いて測定することができる。
第１外部電極１０４は、第１面１０２ａの長さ方向における中央部から、第５面１０２ｅ、第６面１０２ｆにわたって形成されている。また、第１外部電極１０５は、第２面１０２ｂの長さ方向における中央部から、第５面１０２ｅ、第６面１０２ｆにわたって形成されている。
第１外部電極１０４は、後述する第１導電体層１２０の第１引出部１３２と電気的に接続される第１外部電極本体部１０４ａと、第１外部電極本体部１０４ａの両端に延在して形成される第１折り返し部１０４ｂ，１０４ｂとを有する。したがって、第１外部電極本体部１０４ａは、第１面１０２ａに形成されており、第１折り返し部１０４ｂ，１０４ｂは、第５面１０２ｅ、第６面１０２ｆにそれぞれ形成されている。
同様に、第１外部電極１０５は、後述する第１導電体層１２０の第１引出部１３３と電気的に接続される第１外部電極本体部１０５ａと、第１外部電極本体部１０５ａの両端に延在して形成される第１折り返し部１０５ｂ，１０５ｂとを有する。したがって、第１外部電極本体部１０５ａは、第２面１０２ｂに形成されており、第１折り返し部１０５ｂ，１０５ｂは、第５面１０２ｅ、第６面１０２ｆにそれぞれ形成されている。
第２外部電極１０６，１０８は、第１面１０２ａの左右の両端部に、第１外部電極１０４を間に配置するように、それぞれ設けられている。
より詳細に説明すると、第２外部電極１０６は、第１面１０２ａの長さ方向における一方端から、第３面１０２ｃ、第５面１０２ｅ、第６面１０２ｆにわたって形成されている。また、第２外部電極１０８は、第１面１０２ａの長さ方向における他方端から、第４面１０２ｄ、第５面１０２ｅ、第６面１０２ｆにわたって形成されている。
より詳細に説明すると、第２外部電極１０６は、第１面１０２ａの長さ方向における一方端から、第３面１０２ｃ、第５面１０２ｅ、第６面１０２ｆにわたって形成されている。また、第２外部電極１０８は、第１面１０２ａの長さ方向における他方端から、第４面１０２ｄ、第５面１０２ｅ、第６面１０２ｆにわたって形成されている。
また、第２外部電極１０６は、後述する第２導電体層１２２の第２引出部１３４と電気的に接続される第２外部電極本体部１０６ａと、第２外部電極本体部１０６ａの両端に延在して形成される第２折り返し部１０６ｂ，１０６ｂと、第２外部電極本体部１０６ａの一方側縁に延在して形成される第３折り返し部１０６ｃとを有する。したがって、第２外部電極本体部１０６ａは、第１面１０２ａに形成されており、第２折り返し部１０６ｂ，１０６ｂは、第５面１０２ｅおよび第６面１０２ｆに形成され、第３折り返し部１０６ｃは、第３面１０２ｃに形成されている。
同様に、第２外部電極１０８は、後述する第２導電体層１２２の第２引出部１３６と電気的に接続される第２外部電極本体部１０８ａと、第２外部電極本体部１０８ａの両端に延在して形成される第２折り返し部１０８ｂ，１０８ｂと、第２外部電極本体部１０８ａの他方側縁に延在して形成される第３折り返し部１０８ｃとを有する。したがって、第２外部電極本体部１０８ａは、第１面１０２ａに形成されており、第２折り返し部１０８ｂ，１０８ｂは、第５面１０２ｅおよび第６面１０２ｆに形成され、第３折り返し部１０８ｃは、第４面１０２ｄに形成されている。
第２外部電極１０７，１０９は、第２面１０２ｂの左右の両端部に、第１外部電極１０５を間に配置するように、それぞれ設けられている。
より詳細に説明すると、第２外部電極１０７は、第２面１０２ｂの長さ方向における一方端から、第３面１０２ｃ、第５面１０２ｅ、第６面１０２ｆにわたって形成されている。また、第２外部電極１０９は、第２面１０２ｂの長さ方向における他方端から、第４面１０２ｄ、第５面１０２ｅ、第６面１０２ｆにわたって形成されている。
より詳細に説明すると、第２外部電極１０７は、第２面１０２ｂの長さ方向における一方端から、第３面１０２ｃ、第５面１０２ｅ、第６面１０２ｆにわたって形成されている。また、第２外部電極１０９は、第２面１０２ｂの長さ方向における他方端から、第４面１０２ｄ、第５面１０２ｅ、第６面１０２ｆにわたって形成されている。
また、第２外部電極１０７は、後述する第２導電体層１２２の第２引出部１３５と電気的に接続される第２外部電極本体部１０７ａと、第２外部電極本体部１０７ａの両端に延在して形成される第２折り返し部１０７ｂ，１０７ｂと、第２外部電極本体部１０７ａの一方側縁に延在して形成される第３折り返し部１０７ｃとを有する。したがって、第２外部電極本体部１０７ａは、第２面１０２ｂに形成されており、第２折り返し部１０７ｂ，１０７ｂは、第５面１０２ｅおよび第６面１０２ｆに形成され、第３折り返し部１０７ｃは、第３面１０２ｃに形成されている。
同様に、第２外部電極１０９は、後述する第２導電体層１２２の第２引出部１３７と電気的に接続される第２外部電極本体部１０９ａと、第２外部電極本体部１０９ａの両端に延在して形成される第２折り返し部１０９ｂ，１０９ｂと、第２外部電極本体部１０９の他方側縁に延在して形成される第３折り返し部１０９ｃとを有する。したがって、第２外部電極本体部１０９ａは、第２面１０２ｂに形成されており、第２折り返し部１０９ｂ，１０９ｂは、第５面１０２ｅおよび第６面１０２ｆに形成され、第３折り返し部１０９ｃは、第４面１０２ｄに形成されている。
従って、第１面１０２ａおよび第２面１０２ｂのいずれか一方の面が、３端子型コンデンサ１００の実装面となる。
ここで、第１外部電極１０４，１０５の幅Ｂは、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の幅Ａより大きく設定されている。より具体的には、第１外部電極１０４，１０５の幅Ｂは、０．６３ｍｍ以上０．６７ｍｍ以下である。第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の幅Ａは、０．３５ｍｍ以上０．４５ｍｍ以下である。
なお、第１の外部電極１０４，１０５、第２の外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の幅は、ＮＩＫＯＮ製の測定顕微鏡ＭＭ−６０にて２０倍の倍率で３端子型コンデンサ１００の第１面１０２ａまたは第２面１０２ｂを投影して測定することができる。
なお、第１の外部電極１０４，１０５、第２の外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の幅は、ＮＩＫＯＮ製の測定顕微鏡ＭＭ−６０にて２０倍の倍率で３端子型コンデンサ１００の第１面１０２ａまたは第２面１０２ｂを投影して測定することができる。
そして、第１外部電極１０４，１０５は、それぞれ外部電極ペーストを１回塗布することにより厚膜形成されている。また、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９は、それぞれ外部電極ペーストを２回塗布することにより厚膜形成されている。これにより、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の電極厚は第１外部電極１０４，１０５の電極厚より大きくなっている。
なお、第１外部電極１０４，１０５、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の厚みは、３端子型コンデンサ１００の第５面２ｅの表面から幅方向の中央に向かって研磨することによって、第１外部電極１０４，１０５、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の断面を露出させ、そして、研磨によるダレを除去した後に、第１外部電極１０４，１０５、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の断面に投影することによって測定することができる。
なお、第１外部電極１０４，１０５、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の厚みは、３端子型コンデンサ１００の第５面２ｅの表面から幅方向の中央に向かって研磨することによって、第１外部電極１０４，１０５、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の断面を露出させ、そして、研磨によるダレを除去した後に、第１外部電極１０４，１０５、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の断面に投影することによって測定することができる。
このように、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の電極厚みが、第１外部電極１０４，１０５の電極厚みより大きくなるように形成されると、３端子型コンデンサ１００が実装基板に対して略平行になるように実装することができる。この結果、３端子型コンデンサ１００は、実装基板に実装後の見掛け上の高さを抑制することができる。
ここで、図４は、本発明に係る３端子型コンデンサの変形例を示す外観斜視図である。
図４に示すように、第１外部電極１０４，１０５の第１折り返し部１０４ｂ，１０５ｂの幅Ｂ’は、第１外部電極１０４，１０５の第外部電極１本体部１０４ａ，１０５ａの幅Ｂよりも大きく形成されていてもよい。同様に、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の第２折り返し部１０６ｂ，１０７ｂ，１０８ｂ，１０９ｂの幅Ａ’は、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の第２外部電極本体部１０６ａ，１０７ａ，１０８ａ，１０９ａの幅Ａよりも大きく形成されていてもよい。すなわち、第１外部電極１０４，１０５の第１折り返し部１０４ｂ，１０５ｂの幅Ｂ’および第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の第２折り返し部１０６ｂ，１０７ｂ，１０８ｂ，１０９ｂの幅Ａ’は、第１外部電極１０４，１０５の第１外部電極本体部１０４ａ，１０５ａの幅Ｂおよび第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の第２外部電極本体部１０６ａ，１０７ａ，１０８ａ，１０９ａの幅Ａに比べて、長さＬ方向に伸ばした形状である。
このとき、第１外部電極１０４の第１折り返し部１０４ｂの幅Ｂ’は、第１面１０２ａと第５面１０２ｅとが交差する境界部１０３ａおよび第１面１０２ａと第６面１０２ｆとが交差する境界部１０３ｂにおいて最も大きくなる。同様に、第２外部電極１０６，１０８の第２折り返し部１０６ｂ，１０８ｂの幅Ａ’は、境界部１０３ａおよび境界部１０３ｂにおいて最も大きくなる。
また、第１外部電極１０５の第１折り返し部１０５ｂの幅Ｂ’は、第２面１０２ｂと第５面１０２ｅとが交差する境界部１０３ｃおよび第２面１０２ｂと第６面１０２ｆとが交差する境界部１０３ｄにおいて最も大きくなる。同様に、第２外部電極１０７，１０９の第２折り返し部１０７ｂ，１０９ｂの幅Ａ’は、境界部１０３ｃおよび境界部１０３ｄにおいて最も大きくなる。
このように、第１外部電極１０４，１０５の第１折り返し部１０４ｂ，１０５ｂの幅Ｂ’が、第１外部電極１０４，１０５の第１外部電極本体部１０４ａ，１０５ａの幅Ｂよりも大きく形成され、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の第２折り返し部１０６ｂ，１０７ｂ，１０８ｂ，１０９ｂの幅Ａ’が、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の第２外部電極本体部１０６ａ，１０７ａ，１０８ａ，１０９ａの幅Ａよりも大きく形成されている場合は、第１外部電極１０４，１０５の第１折り返し部１０４ｂ，１０５ｂおよび第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の第２折り返し部１０６ｂ，１０７ｂ，１０８ｂ，１０９ｂに対して濡れ上がるはんだの量を、従来に比べ増加させることできる。したがって、３端子型コンデンサ１００と実装基板との固着力を確保しつつ、従来に比べ、実装基板のランドにおけるはんだのフィレットの面積を小さくすることができる。そのため、３端子型コンデンサ１００を実装基板に実装することにより、実装基板のランドの面積を削減することができる。
また、第１面１０２ａの長さＬ方向における一方端部に設けられた第２外部電極１０６は、第５面１０２ｅおよび第６面１０２ｆの第２折り返し部１０６ｂ，１０６ｂのうち、長さＬ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、第３面１０２ｃの第３折り返し部１０６ｃの幅Ｗ方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足している。
さらに、第１面１０２ａの長さＬ方向における他方端部に設けられた第２外部電極１０８は、第５面１０２ｅおよび第６面１０２ｆの第２折り返し部１０８ｂ，１０８ｂのうち、長さＬ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、第４面１０２ｄの第３折り返し部１０８ｃの幅Ｗ方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足している。
また、第２面１０２ｂの長さＬ方向における一方端部に設けられた第２外部電極１０７は、第５面１０２ｅおよび第６面１０２ｆの第２折り返し部１０７ｂ，１０７ｂのうち、長さＬ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、第３面１０２ｃの第３折り返し部１０７ｃの幅Ｗ方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足している。
さらに、第２面１０２ｂの長さＬ方向における他方端部に設けられた第２外部電極１０９は、第５面１０２ｅおよび第６面１０２ｆの第２折り返し部１０９ｂ，１０９ｂのうち、長さＬ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、第４面１０２ｄの第３折り返し部１０９ｃの幅Ｗ方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足している。
第１外部電極１０４，１０５および第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、または、これら金属の合金などからなる。さらに、第１外部電極１０４，１０５および第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９は、それぞれ、その表面にめっき皮膜が形成されている。めっき皮膜は、第１外部電極１０４，１０５および第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９を保護し、かつ、第１外部電極１０４，１０５および第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９のはんだ付け性を良好にする。
また、第１外部電極１０４，１０５がグランド側電極で、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９が信号側電極であってもよいし、第１外部電極１０４，１０５が信号側電極で、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９がグランド側電極であってもよい。
コンデンサ素子１０２は、幅Ｗ方向（積層方向）において、複数の内層用誘電体層１１０と、複数の内層用誘電体層１１０同士の界面に配設された複数の第１導電体層１２０および第２導電体層１２２と、複数の内層用誘電体層１１０を挟むように前後に一対の最外導電体層１２４，１２６が配設され、さらに、最外導電体層１２４，１２６を挟むように前後に配設された一対の外層用誘電体層１１２とで構成された積層体構造を有している。一対の最外導電体層１２４，１２６は、複数の第１導電体層１２０および複数の第２導電体層１２２のうち、高さＴ方向の最も外側に位置している。
第１導電体層１２０は、第１対向部１２８と、第１対向部１２８の中央部から上下の高さＴ方向にそれぞれ延在している第１引出部１３２，１３３とを有している。第１引出部１３２は、コンデンサ素子１０２の第１面１０２ａの中央部に引き出されて第１外部電極１０４に電気的に接続されている。第１引出部１３３は、コンデンサ素子１０２の第２面１０２ｂの中央部に引き出されて第１外部電極１０５に電気的に接続されている。
第２導電体層１２２は、第２対向部１３０と、第２対向部１３０の左側端部から上下の高さＴ方向にそれぞれ延在している第２引出部１３４，１３５と、第２対向部１３０の右側端部から上下の高さＴ方向にそれぞれ延在している第２引出部１３６，１３７とを有している。第２引出部１３４は、コンデンサ素子１０２の第１面１０２ａの左側端部に引き出されて第２外部電極１０６に電気的に接続されている。第２引出部１３５は、コンデンサ素子１０２の第２面１０２ｂの左側端部に引き出されて第２外部電極１０７に電気的に接続されている。第２引出部１３６は、コンデンサ素子１０２の第１面１０２ａの右側端部に引き出されて第２外部電極１０８に電気的に接続されている。第２引出部１３７は、コンデンサ素子１０２の第２面１０２ｂの右側端部に引き出されて第２外部電極１０９に電気的に接続されている。
ここで、図５は、図２に示したコンデンサ素子の変形例の斜視図である。図６は、図５に示したコンデンサ素子の実装面における内部電極の引出部を示す模式図である。図７は、図５に示したコンデンサ素子の第１内部電極および第１引出部を説明するための説明図である。図８は、図５に示したコンデンサ素子の第２内部電極および第２引出部を説明するための説明図である。
図７（Ｉ）は、図５（斜視図）および図６（正面図）のＩ−Ｉの位置（コンデンサ素子１０２の最外層の近傍の位置）の第１導電体層１２０および第１引出部１３２，１３３を示す。図７（ＩＩ）は、図５および図６のＩＩ−ＩＩの位置（コンデンサ素子１０２の最外層から幅Ｗの１／４に配設された層（以下、１／４層と称する）の近傍の位置）の第１導電体層１２０および第１引出部１３２，１３３を示す。図７（ＩＩＩ）は、図５および図６のＩＩＩ−ＩＩＩの位置（コンデンサ素子１０２の最外層から幅Ｗの１／２に配設された層（以下、中央層と称する）の近傍の位置）の第１導電体層１２０および第１引出部１３２，１３３を示す。
第１面１０２ａ、第２面１０２ｂに露出する、コンデンサ素子１０２の中央層近傍に配設されている第１導電体層１２０の第１引出部１３２，１３３の先端の幅Ｅは、コンデンサ素子１０２の最外層近傍に配設されている第１導電体層１２０の第１引出部１３２，１３３の先端の幅Ｆより大きく設定されている。そして、最外層近傍の位置から中央層近傍の位置に向かって、第１引出部１３２，１３３の先端の幅が徐々に大きくなっている。
図８（Ｉ）は、図５および図６のＩ−Ｉの位置の第２導電体層１２２および第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７を示す。図８（ＩＩ）は、図５および図６のＩＩ−ＩＩの位置の第２導電体層１２２および第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７を示す。図８（ＩＩＩ）は、図５および図６のＩＩＩ−ＩＩＩの位置の第２導電体層１２２および第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７を示す。
第１面１０２ａ、第２面１０２ｂに露出する、コンデンサ素子１０２の中央層近傍に配設されている第２導電体層１２２の第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７の先端の幅Ｇは、コンデンサ素子１０２の最外層近傍に配設されている第２導電体層１２２の第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７の先端の幅Ｈより大きく設定されている。そして、最外層近傍の位置から中央層近傍の位置に向かって、第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７の先端の幅が徐々に大きくなっている。
さらに、図６に示すように、第１面１０２ａ、第２面１０２ｂに露出する、コンデンサ素子１０２の中央層近傍に配設されている第２導電体層１２２の第２引出部１３４，１３５の先端は、コンデンサ素子２の第３面（端面）１０２ｃから距離Ｃを有している。同様に、コンデンサ素子１０２の中央層近傍に配設されている第２導電体層１２２の第２引出部１３６，１３７の先端も、コンデンサ素子１０２の第４面（端面）１０２ｄから距離Ｃを有している。また、コンデンサ素子１０２の最外層近傍に配設されている第２導電体層１２２の第２引出部１３４，１３５の先端は、コンデンサ素子１０２の第３面１０２ｃから距離Ｄを有している。同様に、コンデンサ素子２の最外層近傍に配設されている第２導電体層１２２の第２引出部１３６，１３７の先端も、コンデンサ素子１０２の第４面１０２ｄから距離Ｄを有している。そして、距離Ｄが距離Ｃより大きく設定されている。
ここで、距離Ｄが距離Ｃより大きくなるようにするため、コンデンサ素子１０２の最外層近傍に配設されている第２導電体層１２２の第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７は傾斜部１２９を有しており、先端の位置が中央寄りになっている。そして、最外層近傍の位置から中央層近傍の位置に向かって、第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７の傾斜部１２９の傾斜角度を大きくすることによって、先端の位置が徐々に外側になっている。
表１は、Ｉ−Ｉの位置（最外層近傍の位置）、ＩＩ−ＩＩの位置およびＩＩＩ−ＩＩＩの位置（中央層近傍の位置）での、第２引出部１３４，１３５（第２引出部１３６，１３７）の先端とコンデンサ素子１０２の第３面１０２ｃ（第４面１０２ｄ）との間の距離、第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７の先端の幅および第１引出部１３２，１３３の先端の幅の具体的数値の一例を示す。なお、表１中のαは、中央層近傍での第２引出部１３４，１３５（第２引出部１３６，１３７）の先端とコンデンサ素子１０２の第３面１０２ｃ（第４面１０２ｄ）との間の距離Ｃと等しい数値である。
このように、距離Ｄが距離Ｃより大きく設定されている場合は、コンデンサ素子１０２の最外層近傍にクラックが発生し難い３端子型コンデンサ１００を得ることができる。
また、コンデンサ素子１０２の中央層近傍に配設されている第２導電体層１２２の第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７の先端の幅Ｇが、コンデンサ素子１０２の最外層近傍に配設されている第２導電体層１２２の第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７の先端の幅Ｈより大きく設定されている場合は、コンデンサ素子１０２の最外層近傍にクラックがより一層発生し難くなる。
さらに、コンデンサ素子１０２の中央層近傍に配設されている第１導電体層１２０の第１引出部１３２，１３３の先端の幅Ｅが、コンデンサ素子１０２の最外層近傍に配設されている第１導電体層１２０の第１引出部１３２，１３３の先端の幅Ｆより大きく設定される場合は、コンデンサ素子１０２の中央層近傍における第１外部電極１０４，１０５と第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９との間の電気的距離が短くなり、コンデンサ素子１０２の最外層近傍における第１外部電極１０４，１０５と第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９との間の電気的距離とが略等しくなる。この結果、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）の均一化がなされると共に、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）が低減される。
また、図９は、図１に示す３端子型コンデンサのさらなる変形例における模式的断面図である。
図９（ａ）に示すように、第１引出部１３２は、第１対向部１２８側が第２引出部１３４側および第２引出部１３６側の２方向に傾斜している両側傾斜部１７０ａを有し、第１面１０２ａ側が直線部１７０ｂを有していてもよい。また、第１引出部１３３は、第１対向部１２８側が第２引出部１３５側および第２引出部１３７側の２方向に傾斜している両側傾斜部１７１ａを有し、第２面１０２ｂ側が直線部１７１ｂを有していてもよい。
また、図９（ｂ）に示すように、第２引出部１３４は、第２対向部１３０側が第１引出部１３２側の１方向に傾斜している片側傾斜部１７２ａを有し、第１面１０２ａ側が直線部１７２ｂを有している。第２引出部１３５は、第２対向部１３０側が第１引出部１３３側の１方向に傾斜している片側傾斜部１７３ａを有し、第２面１０２ｂ側が直線部１７３ｂを有している。第２引出部１３６は、第２対向部１３０側が第１引出部１３２側の１方向に傾斜している片側傾斜部１７４ａを有し、第１面１０２ａ側が直線部１７４ｂを有している。第２引出部１３７は、第２対向部１３０側が第１引出部１３３側の１方向に傾斜している片側傾斜部１７５ａを有し、第２面１０２ｂ側が直線部１７５ｂを有している。
そうすると、第１引出部１３２，１３３および第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７の第１対向部１２８側および第２対向部１３０側が他方の引出部側に傾斜している傾斜部１７０ａ〜１７５ａを有しているので、第１外部電極１０４，１０５と第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９との間の電気的距離（例えば、第１外部電極１０４→第１引出部１３２→第１導電体層１２０→誘電体層１１０→第２導電体層１２２→第２引出部１３６→第２外部電極１０８の距離）が短くなる。従って、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低くすることができる。
さらに、第１引出部１３２，１３３および第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７が直線部１７０ｂ〜１７５ｂを有しているので、外形をカットする際に、カット位置が高さＴ方向にずれても、第１引出部１３２，１３３および第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７の先端の幅は変わらず、広くならない。従って、第１引出部１３２，１３３および第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７の先端が、第１外部電極１３２，１３３および第２外部電極１３４，１３５，１３６，１３７の電極厚の薄い部分に接続されるようにはならない。その結果、第１外部電極１３２，１３３形成部分および第２外部電極１３４，１３５，１３６，１３７形成部分で、水分が３端子型コンデンサ１００の内部に浸入し難くなる。
第１導電体層１２０と第２導電体層１２２とは、幅Ｗ方向において、誘電体材料からなる内層用誘電体層１１０を介して対向している。この第１導電体層１２０と第２導電体層１２２とが、内層用誘電体層１１０を介して対向している部分（第１導電体層１２０の第１対向部１２８と第２導電体層１２２の第２対向部１３０とが対向している部分）に静電容量が形成されている。第１導電体層１２０および第２導電体層１２２は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、または、これら金属の合金などからなる。また、内層用誘電体層１１０および外層用誘電体層１１２は、チタン酸バリウム系材料、チタン酸ストロンチウム系材料などからなる。第１導電体層１２０および第２導電体層１２２の厚みは、平均で１．０ｍｍ以下である。なお、電気的導通を確保するためには、第１導電体層１２０および第２導電体層１２２の厚みは、平均で０．３ｍｍ以上である。
図１０は、本発明に係る３端子型コンデンサのさらなる変形例における第５面の模式的正面図である。また、図１１（ａ）は、図１０の線ＩＶ−ＩＶにおける模式的断面図であり、図１１（ｂ）は、図１０の線Ｖ−Ｖにおける模式的断面図である。図１２は、境界層が形成された外層用誘電体層と最外導電体層との界面を示す図解図である。
最外導電体層１２４，１２６の厚みは、幅Ｗ方向の中央に最も近くに位置する第１導電体層１２０あるいは第２導電体層１２２の厚みよりも小さい。最外導電体層１２４，１２６の厚みは、中央部で０．８ｍｍ以下である。なお、電気的導通を確保するためには、最外導電体層１２４，１２６の厚みは、平均で０．３ｍｍ以上である。
最外導電体層１２４，１２６のカバレッジは、幅Ｗ方向の中央から両側面方向に向かって徐々に薄くなる傾向を示す。なお、カバレッジは、（導電体粒子断面の長さの総和）／（導電体層断面の全長）、によって定義される。
好ましくは、最外導電体層１２４，１２６のカバレッジは、高さＴ方向における中央付近の第１導電体層１２０あるいは第２導電体層１２２のカバレッジの０．４以上０．８５以下である。すなわち、このように導体粒子が断続的に集合し、カバレッジが低下するので、図１１に示すように、欠損部１２６ａが形成される。高さＴ方向における中央付近の第１導電体層１２０あるいは第２導電体層１２２のカバレッジ０．４より小さいと電気的導通性の確保が困難となり、０．８５より大きいと層間密着力が十分に向上しない。
なお、欠損部１２６ａには最外導電体層１２４，１２６を挟んで誘電体層１１０同士を結合する柱が形成され、この柱は、Ｓｉ偏析物、Ａｌ偏析物、ＢａＴｉＯ3（チタン酸バリウム）のうちの少なくともいずれか１つが含まれる。
好ましくは、最外導電体層１２４，１２６のカバレッジは、高さＴ方向における中央付近の第１導電体層１２０あるいは第２導電体層１２２のカバレッジの０．４以上０．８５以下である。すなわち、このように導体粒子が断続的に集合し、カバレッジが低下するので、図１１に示すように、欠損部１２６ａが形成される。高さＴ方向における中央付近の第１導電体層１２０あるいは第２導電体層１２２のカバレッジ０．４より小さいと電気的導通性の確保が困難となり、０．８５より大きいと層間密着力が十分に向上しない。
なお、欠損部１２６ａには最外導電体層１２４，１２６を挟んで誘電体層１１０同士を結合する柱が形成され、この柱は、Ｓｉ偏析物、Ａｌ偏析物、ＢａＴｉＯ3（チタン酸バリウム）のうちの少なくともいずれか１つが含まれる。
なお、内層用誘電体層１１０同士の結合する柱の形成を促進するために、内層用誘電体層１１０にＳｉＯ2を添加することが好ましい。内層用誘電体層１１０は、Ｔｉに対するＳｉが１．３ｍｏｌ％以上が好ましく、コンデンサとしての機能を確保するために３．０ｍｏｌ％以下が好ましい。誘電体層同士を結合する柱の形成を促進するために、誘電体層にＡｌを添加することが好ましい。また、誘電体層同士を結合する柱の形成を促進するために、導電体層に共材としてＢａＴｉＯ3（チタン酸バリウム）を添加することが好ましい。欠損部１２６ａに上記柱を形成するためには、さらにＳｉＯ2、ＡｌＢａＴｉＯ3のいずれかが偏析しやすい温度、雰囲気で誘電体層および導電体層を焼成する。
また、最外導電体層１２４は、内層用誘電体層１１０を介して隣接する第１導電体層１２０と共通する第１外部電極１０４，１０５に接続される。また、最外導電体層１２６は、内層用誘電体層１１０を介して隣接する第２導電体層１２２と共通する第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９に接続される。
また、最外の誘電体層の最外導電体層１２４，１２６と隣接する境界層１２７にＭｇおよびＭｎが偏析するようにして形成される、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｎｉの共存領域を含む。
好ましくは、外層用誘電体層１１２と最外導電体層１２４，１２６との境界の６９％以上に境界層１２７が存在している。境界層の存在割合（％）＝（Ｍｇ、Ｍｎが存在する境界層の長さの合計）／（導電体層の長さ）×１００により算出される。なお、式中の「導電体層の長さ」は、ボイドやＳｉの偏析などで、導電体層が欠損している部分を除いた長さである。
Ｍｇ−Ｍｎ−Ｎｉ共存領域は、（Ｍｇ，Ｍｎ）／Ｎｉモル比が０．１以上となる面積比率が３０％以上であることが好ましく、７０％以上であることが好ましい。
好ましくは、外層用誘電体層１１２と最外導電体層１２４，１２６との境界の６９％以上に境界層１２７が存在している。境界層の存在割合（％）＝（Ｍｇ、Ｍｎが存在する境界層の長さの合計）／（導電体層の長さ）×１００により算出される。なお、式中の「導電体層の長さ」は、ボイドやＳｉの偏析などで、導電体層が欠損している部分を除いた長さである。
Ｍｇ−Ｍｎ−Ｎｉ共存領域は、（Ｍｇ，Ｍｎ）／Ｎｉモル比が０．１以上となる面積比率が３０％以上であることが好ましく、７０％以上であることが好ましい。
このように、最外導電体層１２４，１２６の厚みが、第１導電体層１２０あるいは第２導電体層１２２の厚みよりも小さい場合には、最外導電体層１２４，１２６の両側に隣接して積層された誘電体層の間の層間密着力が向上する。その結果、クラックの発生を防ぎ、コンデンサ機能の低下を抑制することができる。
また、最外導電体層１２４，１２６のカバレッジが、高さＴ方向における中央付近の導電体層のカバレッジの０．４以上０．８５以下である場合には、導体粒子が断続的に集合し、カバレッジが低下し、図１１に示すように、欠損部１２６ａが形成される。この欠損部１２６ａには、チタン酸バリウムやシリカ等の誘電体層により柱が形成され、最外導電体層１２４，１２６の粒子間において、最外導電体層１２４，１２６の両側に隣接して積層された誘電体層が結びつきやすくなり、層間密着力が向上する。結果、よりクラックの発生を防ぎ、コンデンサ機能の低下を抑制することができる。
また、最外導電体層１２４，１２６のカバレッジが、高さＴ方向における中央付近の導電体層のカバレッジの０．４以上０．８５以下である場合には、導体粒子が断続的に集合し、カバレッジが低下し、図１１に示すように、欠損部１２６ａが形成される。この欠損部１２６ａには、チタン酸バリウムやシリカ等の誘電体層により柱が形成され、最外導電体層１２４，１２６の粒子間において、最外導電体層１２４，１２６の両側に隣接して積層された誘電体層が結びつきやすくなり、層間密着力が向上する。結果、よりクラックの発生を防ぎ、コンデンサ機能の低下を抑制することができる。
また、最外導電体層１２４は、内層用誘電体層１１０を介して隣接する第１導電体層１２０と共通する第１外部電極１０４，１０５に接続される。また、最外導電体層１２６は、内層用誘電体層１１０を介して隣接する第２導電体層１２２と共通する第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９に接続される場合には、最外導電体層１２４，１２６は、実質的に静電容量の発現に寄与しない。したがって、最外導電体層１２４，１２６付近においてクラックが生じても、コンデンサ機能の低下を防止することが可能となる。
さらに、図１２に示すように、外層用誘電体層１１２の最外導電体層１２４，１２６と隣接する境界層１２７にＭｇおよびＭｎが偏析するようにして形成される、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｎｉの共存領域を含む場合には、Ｍｇ、ＭｎおよびＮｉの酸化化合物を含む境界層１２７は、誘電体層との接合力に優れる。その結果、クラックの発生を防ぎ、コンデンサ機能の低下を抑制することができる。
図１３は、本発明に係る３端子型コンデンサにおける模式的断面図である。なお、第２面１０２ｂ側に形成される第１外部電極１０５および第２外部電極１０７，１０９については、第１面１０２ａと同様であるので、省略する。
第２外部電極１０６の長さＬ方向における長さをＥ１、第１外部電極１０４の長さＬ方向における長さをＥ２、第２外部電極１０８の長さＬ方向における長さをＥ３とする。第２外部電極１０６と第１外部電極１０４との距離をＭＥ１とし、第１外部電極１０４と第２外部電極１０８との距離をＭＥ２とする。第２引出部１３４の第３面１０２ｃ側における端縁から第３面２ｃまでの幅をＭ１Ｌとし、第２引出部１３４の第４面１０２ｄ側の端縁から第１面１０２ａ上の第２外部電極１０６における端縁までの幅をＭ１Ｒとする。第１引出部１３２の第３面１０２ｃ側の端縁から第１面１０２ａ上の第１外部電極１０４における第３面１０２ｃ側の端縁までの幅をＭ２Ｌとし、第１引出部１３２の第４面１０２ｄ側の端縁から第１面１０２ａ上の第１外部電極１０４における第４面１０２ｄ側の端縁までの幅をＭ２Ｒとする。第２引出部１３６の第３面１０２ｃ側の端縁から第１面１０２ａ上の第２外部電極１０８における端縁までの幅をＭ３Ｌとし、第２引出部１３６の第４面１０２ｄ側における端縁から第４面１０２ｄまでの幅をＭ３Ｒとする。
このとき、３端子型コンデンサ１００は、Ｅ１＋ＭＥ１＋Ｅ２＋ＭＥ２＋Ｅ３＞コンデンサ素子の長さＬ方向の寸法（以下、Ｌ寸という）であり、第２外部電極１０６は、第３面１０２ｃに第３折り返し部１０６ｃが形成され、第２外部電極１０８は、第４面１０２ｄに第３折り返し部１０８ｃが形成され、｜ＭＥ１−ＭＥ２｜＜５０μｍを満たし、さらに、Ｍ２Ｌ＜Ｍ２Ｒ、かつ、Ｍ１Ｒ＞Ｍ１Ｌ、もしくは、Ｍ２Ｌ＞Ｍ２Ｒ、かつ、Ｍ１Ｒ＜Ｍ１Ｌ、を満たす。
また、Ｍ１Ｒ／Ｌ寸、Ｍ２Ｌ／Ｌ寸、Ｍ２Ｒ／Ｌ寸、Ｍ３Ｌ／Ｌ寸は、１．５％以上であることが好ましい。
なお、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、ＭＥ１、ＭＥ２、Ｍ１Ｌ、Ｍ１Ｒ、Ｍ２Ｌ、Ｍ２Ｒ、Ｍ３Ｌ、Ｍ３Ｒのそれぞれの寸法は、次のようにして測定する。まず、３端子型コンデンサ１００における長さＬ方向および高さＴ方向とで囲まれた側面（ＬＴ面）が露出するような態様で、３端子型コンデンサ１００の周囲を固める。そして、研磨機により、３端子型コンデンサ１００を幅Ｗ方向に沿って、１／２の深さまで研磨を行い、第１導電体層１２０および第２導電体層１２２を露出させる。そして、研磨による第１導電体層１２０および第２導電体層１２２のダレをなくすように研磨表面を加工し、その断面を、光学顕微鏡を用いて３端子型コンデンサ１００の第５面１０２ｅ側から観察し、各寸法を測定することができる。
このように、Ｅ１＋ＭＥ１＋Ｅ２＋ＭＥ２＋Ｅ３＞コンデンサ素子の長さＬ方向の寸法であり、第２外部電極１０６は、第３面１０２ｃに第３折り返し部１０６ｃが形成され、第２外部電極１０８は、第４面１０２ｄに第３折り返し部１０８ｃが形成され、｜ＭＥ１−ＭＥ２｜＜５０μｍを満たし、さらに、Ｍ２Ｌ＜Ｍ２Ｒ、かつ、Ｍ１Ｒ＞Ｍ１Ｌ、もしくは、Ｍ２Ｌ＞Ｍ２Ｒ、かつ、Ｍ１Ｒ＜Ｍ１Ｌ、を満たす場合は、第１外部電極１０４および第２外部電極１０６，１０８のずれが、常に一定端面側に偏っており、外部電極間のショートを防止することができる。
また、この３端子型コンデンサ１００では、Ｍ１Ｒ／コンデンサ素子の長さＬ方向の寸法、Ｍ２Ｌ／コンデンサ素子の長さＬ方向の寸法、Ｍ２Ｒ／コンデンサ素子の長さＬ方向の寸法、Ｍ３Ｌ／コンデンサ素子の長さＬ方向の寸法は、１．５％以上であると、より確実に、第１引出部１３２および第１３４，１３６を第１外部電極１０４および第２外部電極１０６，１０８により確実に覆うことができるので、より外部電極間のショートを防止することができる。
以上の構成からなる３端子型コンデンサ１００では、第１導電体層１２０および第２導電体層１２２が３端子型コンデンサ１００の第１面１０２ａまたは第２面１０２ｂ（言い換えると、実装面）に垂直に配置されており、積層方向が第１面１０２ａまたは第２面１０２ｂ（言い換えると、実装面）に対して平行である。
（２）第２の実施の形態
図１４は、積層セラミック電子部品である３端子型コンデンサ２００を示す外観斜視図である。図１５は、図１４に示したコンデンサ素子２０２の斜視図である。図１６は、図１５に示したコンデンサ素子２０２の分解斜視図である。
図１４は、積層セラミック電子部品である３端子型コンデンサ２００を示す外観斜視図である。図１５は、図１４に示したコンデンサ素子２０２の斜視図である。図１６は、図１５に示したコンデンサ素子２０２の分解斜視図である。
３端子型コンデンサ２００は、前記第１の実施の形態の３端子型コンデンサ１００において、第１導電体層１２０の第１引出部１３３および第２導電体層１２２の第２引出部１３５，１３７を省略したものと同様のものである。したがって、３端子型コンデンサ２００は、３端子型コンデンサ１００において、第１外部電極１０５および第２外部電極１０７，１０９を省略したものと同様のものである。
３端子型コンデンサ２００は、略直方体のコンデンサ素子２０２と、コンデンサ素子２０２の表面の中央部に形成された第１外部電極２０４と、コンデンサ素子２０２の表面の左右の端部に形成された第２外部電極２０６，２０８とを備えている。
コンデンサ素子２０２は、上下の高さＴ方向に、第１面２０２ａと、第１面２０２ａに対向する第２面２０２ｂとを有している。また、コンデンサ素子２０２は、左右の長さＬ方向に、第３面２０２ｃと、第３面２０２ｃに対向する第４面２０２ｄとを有している。さらに、コンデンサ素子２０２は、前後の幅Ｗ方向に、第５面２０２ｅと、第５面２０２ｅに対向する第６面２０２ｆとを有している。
３端子型コンデンサ２００は、例えば長さＬ方向の寸法が２．００ｍｍ以上２．１０ｍｍ以下であることが好ましく、高さＴ方向の寸法が０．７ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが好ましく、幅Ｗ方向の寸法が１．２０ｍｍ以上１．４０ｍｍ以下であることが好ましい。
なお、３端子型コンデンサ２００の長さＬ方向の寸法、高さＴ方向の寸法、幅Ｗ方向の寸法は、ミツトヨ製のマイクロメーターＭＤＣ−２５ＭＸを用いて測定することができる。
３端子型コンデンサ２００は、例えば長さＬ方向の寸法が２．００ｍｍ以上２．１０ｍｍ以下であることが好ましく、高さＴ方向の寸法が０．７ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが好ましく、幅Ｗ方向の寸法が１．２０ｍｍ以上１．４０ｍｍ以下であることが好ましい。
なお、３端子型コンデンサ２００の長さＬ方向の寸法、高さＴ方向の寸法、幅Ｗ方向の寸法は、ミツトヨ製のマイクロメーターＭＤＣ−２５ＭＸを用いて測定することができる。
第１外部電極２０４は、第１面２０２ａの長さ方向における中央部と、第５面２０２ｅ、第６面２０２ｆとにわたって形成されている。
第１外部電極２０４は、後述する第１導電体層２２０の第１引出部２３２と電気的に接続される第１外部電極本体部２０４ａと、第１外部電極本体部２０４ａの両端に延在して形成される第１折り返し部２０４ｂ，２０４ｂとを有する。したがって、第１外部電極本体部２０４ａは、第１面２０２ａに形成されており、第１折り返し部２０４ｂ，２０４ｂは、第５面２０２ｅ、第６面２０２ｆにそれぞれに形成されている。
第２外部電極２０６，２０８は、第１面２０２ａの左右の両端部に、第１外部電極２０４を間に配置するように、それぞれ設けられている。
より詳細に説明すると、第２外部電極２０６は、第１面２０２ａの長さ方向における一方端から、第３面２０２ｃ、第５面２０２ｅ、第６面２０２ｆにわたって形成されている。また、第２外部電極２０８は、第１面２０２ａの長さ方向における他方端から、第４面２０２ｄ、第５面２０２ｅ、第６面２０２ｆにわたって形成されている。
より詳細に説明すると、第２外部電極２０６は、第１面２０２ａの長さ方向における一方端から、第３面２０２ｃ、第５面２０２ｅ、第６面２０２ｆにわたって形成されている。また、第２外部電極２０８は、第１面２０２ａの長さ方向における他方端から、第４面２０２ｄ、第５面２０２ｅ、第６面２０２ｆにわたって形成されている。
また、第２外部電極２０６は、後述する第２導電体層２２２の第２引出部２３４と電気的に接続される第２外部電極本体部２０６ａと、第２外部電極本体部２０６ａの両端に延在して形成される第２折り返し部２０６ｂ，２０６ｂと、第２外部電極本体部２０６ａの一方側縁に延在して形成される第３折り返し部２０６ｃとを有する。したがって、第２外部電極本体部２０６ａは、第１面２０２ａに形成されており、第２折り返し部２０６ｂ，２０６ｂは、第５面２０２ｅおよび第６面２０２ｆに形成され、第３折り返し部２０６ｃは、第３面２０２ｃに形成されている。
同様に、第２外部電極２０８は、後述する第２導電体層２２２の第２引出部２３６と電気的に接続される第２外部電極本体部２０８ａと、第２外部電極本体部２０８ａの両端に延在して形成される第２折り返し部２０８ｂ，２０８ｂと、第２外部電極本体部２０８ａの他方側縁に延在して形成される第３折り返し部２０８ｃとを有する。したがって、第２外部電極本体部２０８ａは、第１面２０２ａに形成されており、第２折り返し部２０８ｂ，２０８ｂは、第５面２０２ｅおよび第６面２０２ｆに形成され、第３折り返し部２０８ｃは、第４面２０２ｄに形成されている。
従って、第１面２０２ａが、３端子型コンデンサ２００の実装面となる。
ここで、第１外部電極２０４の幅Ｂは、第２外部電極２０６，２０８の幅Ａより大きく設定されている。
そして、第１外部電極２０４は、外部電極ペーストを１回塗布することにより形成されている。また、第２外部電極２０６，２０８は、それぞれ外部電極ペーストを２回塗布することにより形成されている。これにより、第２外部電極２０６，２０８の電極厚は第１外部電極２０４の電極厚より大きくなっている。
第１外部電極２０４および第２外部電極２０６，２０８は、それぞれ、その表面にめっき皮膜が形成されている。
ここで、図１７は、図１４に示した３端子型コンデンサの変形例を示す外観斜視図である。
図１７に示す３端子型コンデンサ２００の上面である第２面２０２ｂは、長さＬ方向の稜線部２０３ａ，２０３ｂの角部がＲ形状に研磨され、そのＲ量が７０μｍ以下であってもよい。そして、より好ましくは、Ｒ量は３０μｍ以上７０μｍ以下であってもよい。
図１７に示す３端子型コンデンサ２００の上面である第２面２０２ｂは、長さＬ方向の稜線部２０３ａ，２０３ｂの角部がＲ形状に研磨され、そのＲ量が７０μｍ以下であってもよい。そして、より好ましくは、Ｒ量は３０μｍ以上７０μｍ以下であってもよい。
このように、３端子型コンデンサ２００の上面（第２面２０２ｂ）の長さＬ方向の稜線部２０３ａ，２０３ｂのＲ量が７０μｍ以下である場合は、吸着ノズルによる吸着に必要な吸着面積が上面（第２面２０２ｂ）に確実に確保される。この結果、実装基板への実装時などに、吸着ノズルが３端子型コンデンサ２００の上面（第２面２０２ｂ）を吸着し易く、吸着ノズルによる吸着ミスを低減することができる。
また、３端子型コンデンサ２００の上面（第２面２０２ｂ）の長さＬ方向の稜線部２０３ａ，２０３ｂのＲ量を３０μｍ以上である場合は、稜線部２０３ａ，２０３ｂが角張らず、機械的衝撃が稜線部２０３ａ，２０３ｂに加わっても、稜線部２０３ａ，２０３ｂが欠けるなどの不具合が生じ難くすることができる。
コンデンサ素子２０２は、幅Ｗ方向（積層方向）において、複数の内層用誘電体層２１０と、複数の内層用誘電体層２１０同士の界面に配設された複数の第１導電体層２２０および第２導電体層２２２と、複数の内層用誘電体層２１０を挟むように前後に一対の最外導電体層２２４，２２６が配設され、さらに、最外導電体層２２４，２２６を挟むように前後に配設された一対の外層用誘電体層２１２とで構成された積層体構造を有している。一対の最外導電体層２２４，２２６は、複数の第１導電体層２２０および複数の第２導電体層２２２のうち、高さＴ方向の最も外側に位置している。
第１導電体層２２０は、第１対向部２２８と、第１対向部２２８の中央部から高さＴ方向の下方に延在している第１引出部２３２とを有している。第１引出部２３２は、コンデンサ素子２０２の第１面１０２ａの中央部に引き出されて第１外部電極２０４に電気的に接続されている。
第２導電体層２２２は、第２対向部２３０と、第２対向部２３０の左側端部から高さＴ方向の下方に延在している第２引出部２３４と、第２対向部２３０の右側端部から高さＴ方向の下方に延在している第２引出部２３６とを有している。第２引出部２３４は、コンデンサ素子２０２の第１面２０２ａの左側端部に引き出されて第２外部電極２０６に電気的に接続されている。第２引出部２３６は、コンデンサ素子２０２の第１面２０２ａの右側端部に引き出されて第２外部電極２０８に電気的に接続されている。
ここで、図１８は、図１５に示したコンデンサ素子の変形例の斜視図である。図１９は、図１８に示したコンデンサ素子の第１内部電極および第１引出部を説明するための説明図である。図２０は、図１８に示したコンデンサ素子の第２内部電極および第２引出部を説明するための説明図である。
図１９（Ｉ）は、図１８のＩ−Ｉの位置（コンデンサ素子２０２の最外層の近傍の位置）の第１導電体層２２０および第１引出部２３２を示す。図１９（ＩＩ）は、図１８のＩＩ−ＩＩの位置（コンデンサ素子２０２の１／４層の近傍の位置）の第１導電体層２２０および第１引出部２３２を示す。図１９（ＩＩＩ）は、図１８のＩＩＩ−ＩＩＩの位置（コンデンサ素子２０２の中央層の近傍の位置）の第１導電体層２２０および第１引出部２３２を示す。
第１面２０２ａに露出する、コンデンサ素子２０２の中央層近傍に配設されている第１導電体層２２０の第１引出部２３２の先端の幅Ｅは、コンデンサ素子２０２の最外層近傍に配設されている第１導電体層２２０の第１引出部２３２の先端の幅Ｆより大きく設定されている。そして、最外層近傍の位置から中央層近傍の位置に向かって、第１引出部２３２の先端の幅が徐々に大きくなっている。
図２０（Ｉ）は、図１８のＩ−Ｉの位置の第２導電体層２２２および第２引出部２３４，２３６を示す。図２０（ＩＩ）は、図１８のＩＩ−ＩＩの位置の第２導電体層２２２および第２引出部２３４，２３６を示す。図２０（ＩＩＩ）は、図１８のＩＩＩ−ＩＩＩの位置の第２導電体層２２２および第２引出部２３４，２３６を示す。
第１面２０２ａに露出する、コンデンサ素子２０２の中央層近傍に配設されている第２導電体層２２２の第２引出部２３４，２３６の先端の幅Ｇは、コンデンサ素子２０２の最外層近傍に配設されている第２導電体層２２２の第２引出部２３４，２３６の先端の幅Ｂより大きく設定されている。そして、最外層近傍の位置から中央層近傍の位置に向かって、第２引出部２３４，２３６の先端の幅が徐々に大きくなっている。
さらに、前記第１実施の形態の図６を流用して説明する。第１面２０２ａに露出する、コンデンサ素子２０２の中央層近傍に配設されている第２導電体層２２２の第２引出部２３４の先端は、コンデンサ素子２０２の第３面（端面）２０２ｃから距離Ｃを有している。同様に、コンデンサ素子２０２の中央層近傍に配設されている第２導電体層２２２の第２引出部２３６の先端も、コンデンサ素子２０２の第４面（端面）２ｄから距離Ｃを有している。また、コンデンサ素子２の最外層近傍に配設されている第２導電体層２２２の第２引出部２３４の先端は、コンデンサ素子２０２の第３面２０２ｃから距離Ｄを有している。同様に、コンデンサ素子２０２の最外層近傍に配設されている第２導電体層２２２の第２引出部２３６の先端も、コンデンサ素子２０２の第４面２０２ｄから距離Ｄを有している。そして、距離Ｄが距離Ｃより大きく設定されている。
ここで、距離Ｄが距離Ｃより大きくなるようにするため、コンデンサ素子２０２の最外層近傍に配設されている第２導電体２２２の第２引出部２３４，２３６は傾斜部２２９を有しており、先端の位置が中央寄りになっている。そして、最外層近傍の位置から中央層近傍の位置に向かって、第２引出部２３４，２３６の傾斜部２２９の傾斜角度を大きくすることによって、先端の位置が徐々に外側になっている。
図２１は、図１４に示す３端子型コンデンサのさらなる変形例における模式的断面図である。
図２１（ａ）に示すように、第１引出部２３２は、第１対向部２２８側が第２引出部２３４側および第２引出部２３６側の２方向に傾斜している両側傾斜部２７０ａを有し、第１面２０２ａ側が直線部２７０ｂを有していてもよい。
また、図２１（ｂ）に示すように、第２引出部２３４は、第２対向部２３０側が第１引出部２３２側の１方向に傾斜している片側傾斜部２７２ａを有し、第１面２０２ａ側が直線部２７２ｂを有していてもよい。第２引出部２３６は、第２対向部２３０側が第１引出部２３２側の１方向に傾斜している片側傾斜部２７４ａを有し、第１面２０２ａ側が直線部２７４ｂを有していてもよい。
第１導電体層２２０と第２導電体層２２２とは、幅Ｗ方向において、誘電体材料からなる内層用誘電体層２１０を介して対向している。この第１導電体層２２０と第２導電体層２２２とが、内層用誘電体層２１０を介して対向している部分（第１導電体層２２０の第１対向部２２８と第２導電体層２２２の第２対向部２３０とが対向している部分）に静電容量が形成されている。
最外導電体層２２４，２２６の厚みは、幅Ｗ方向の中央に最も近くに位置する第１導電体層２２０あるいは第２導電体層２２２の厚みよりも小さい。最外導電体層２２４，２２６の厚みは、中央部で０．８ｍｍ以下である。なお、電気的導通を確保するためには、最外導電体層２２４，２２６の厚みは、平均で０．３ｍｍ以上である。
最外導電体層２２４，２２６のカバレッジは、幅方向の中央から両側面方向に向かって徐々に薄くなる傾向を示す。なお、カバレッジは、（導電体粒子断面の長さの総和）／（導電体層断面の全長）、によって定義される。
好ましくは、最外導電体層２２４，２２６のカバレッジは、高さＴ方向における中央付近の第１導電体層２２０あるいは第２導電体層２２２のカバレッジの０．４以上０．８５以下である。なお、最外導電体層２２４，２２６を挟んで誘電体層２１０同士を結合する柱は、Ｓｉ偏析物、Ａｌ偏析物、ＢａＴｉＯ3（チタン酸バリウム）のうちの少なくともいずれか１つが含まれる。
好ましくは、最外導電体層２２４，２２６のカバレッジは、高さＴ方向における中央付近の第１導電体層２２０あるいは第２導電体層２２２のカバレッジの０．４以上０．８５以下である。なお、最外導電体層２２４，２２６を挟んで誘電体層２１０同士を結合する柱は、Ｓｉ偏析物、Ａｌ偏析物、ＢａＴｉＯ3（チタン酸バリウム）のうちの少なくともいずれか１つが含まれる。
また、最外導電体層２２４は、誘電体層２１０を介して隣接する第１導電体層２２０と共通する第１外部電極２０４に接続される。また、最外導電体層２２６は、誘電体層２１０を介して隣接する第２導電体層２２２と共通する第２外部電極２０６，２０８に接続される。
さらに、図１２に示すように、最外の誘電体層の最外導電体層２２４，２２６と隣接する境界層２２７にＭｇおよびＭｎが偏析するようにして形成される、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｎｉの共存領域を含む。
以上の構成からなる３端子型コンデンサ２００では、第１導電体層２２０および第２導電体層２２２が３端子型コンデンサ２００の第１面２０２ａ（言い換えると、実装面）に垂直に配置されており、積層方向が第１面２０２ａ（言い換えると、実装面）に対して平行である。
２．３端子型コンデンサの製造方法
次に、前述の３端子型コンデンサ１００，２００の製造方法を説明する。図２２は、３端子型コンデンサ１００，２００の製造方法を示すフローチャートである。なお、以下の説明では、３端子型コンデンサ１００の製造方法を中心に説明する。
次に、前述の３端子型コンデンサ１００，２００の製造方法を説明する。図２２は、３端子型コンデンサ１００，２００の製造方法を示すフローチャートである。なお、以下の説明では、３端子型コンデンサ１００の製造方法を中心に説明する。
工程Ｓ１で、チタン酸バリウム系材料またはチタン酸ストロンチウム系材料からなるセラミック粉末に、有機バインダ、分散剤および可塑剤などが添加されて、シート成形用スラリーが作製される。次に、シート成形用スラリーは、ドクターブレード法によって、内層もしくは外層用セラミックグリーンシートに成形される。
次に、工程Ｓ２で、内層用セラミックグリーンシート上に、Ａｇを含有する導電体層用ペーストがスクリーン印刷法で塗布され、第１導電体層１２０および第２導電体層１２２となるべき電極ペースト膜が形成される。
次に、工程Ｓ３で、電極ペースト膜が形成された内層用セラミックグリーンシートは、第１導電体層１２０の電極ペースト膜と第２導電体層１２２の電極ペースト膜とが交互になるように複数枚積層される。さらに、複数枚の外層用セラミックグリーンシートが、積層された内層用セラミックグリーンシートを挟むように積層されて圧着される。この積層セラミックグリーンシートは、個々のコンデンサ素子１０２となるべき寸法に切断され、複数の未焼成のコンデンサ素子１０２とされる。
ここで、必要に応じて、未焼成のコンデンサ素子２０２は、実装面（第１面２０２ａ）の側がホルダによって保持された状態で、上面（第２面２０２ｂ）の長さＬ方向の稜線部２０３ａ，２０３ｂが所定時間バレル研磨され、稜線部２０３ａ，２０３ｂのＲ量が約７０μｍになるまで研磨される。その後、更に、サンドブラスト研磨によって、所望のＲ量になるまで所定時間研磨される。
ここで、バレル研磨およびサンドブラスト研磨の研磨条件を決定するために、コンデンサ素子２０２のサンプルが作製され、以下の方法でＲ量の測定が行われる。測定器は、ＫＥＹＥＮＣＥデジタルマイクロスコープＶＨＸシリーズである。
コンデンサ素子２０２のサンプルは、実装面（第１面２０２ａ）の側が樹脂で固められる。その後、上面（第２面２０２ｂ）の長さＬ方向の稜線部２０３ａ，２０３ｂが、所定時間バレル研磨やサンドブラスト研磨される。
次に、図２３（ａ）に示すように、Ｒ研磨された稜線部２０３ａ，２０３ｂが測定器で観察され、Ｒの始点Ｐ１と終点Ｐ２とが指定される。その後、始点Ｐ１と終点Ｐ２の間の中央点Ｐ３が指定される。
次に、図２３（ｂ）に示すように、始点Ｐ１と中央点Ｐ３と終点Ｐ２とを通る円Ｑが作画された後、円Ｑの半径が測定されてＲ量が算出される。
次に、工程Ｓ４で、未焼成のコンデンサ素子１０２は、脱バインダ処理された後、焼成され、焼結したコンデンサ素子１０２とされる。内層用および外層用セラミックグリーンシートと電極ペースト膜とは同時焼成され、内層用セラミックグリーンシートは内層用誘電体層１１０となり、外層用セラミックグリーンシートは外層用誘電体層１１２となり、電極ペースト膜は第１内部電極１２０もしくは第２内部電極１２２となる。
次に、工程Ｓ５で、焼結したコンデンサ素子１０２の表面に、１回目の外部電極ペースト（ＡｇＰｄ合金ペースト）の塗布が行われる。１回目の外部電極ペーストの塗布は、第１外部電極１０４，１０５の外部電極ペーストを塗布すると共に、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の１回目の外部電極ペーストを塗布する。
１回目の外部電極ペーストの塗布は、図２４に示す塗布装置３００を使用してローラ転写法で行われる。塗布装置３００は、所定の間隔で配置されている一対の塗布部３２０ａ，３２０ｂを備えている。
塗布部３２０ａは、塗布ローラ３４０ａと、塗布ローラ３４０ａに圧接したスクレーパ３６０ａと、スクレーパ３６０ａの上流側に配設されて塗布ローラ３４０ａに圧接した転写ローラ３８０ａと、ペースト槽４００ａとを備えている。同様に、塗布部３２０ｂも、塗布ローラ３４０ｂと、塗布ローラ３４０ｂに圧接したスクレーパ３６０ｂと、スクレーパ３６０ｂの上流側に配設されて塗布ローラ３４０ｂに圧接した転写ローラ３８０ｂと、ペースト槽４００ｂとを備えている。なお、塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂの代わりに、平面状の塗布面を有する塗布装置を使用してもよい。
塗布ローラ３４０ａの外周面には、図２５に示すように、３端子型コンデンサ１００の第１外部電極１０４に対応する位置に、外周方向に延在している溝４２０が形成され、第２外部電極１０６，１０８に対応する位置に、それぞれ外周方向に延在している溝４４０，４８０が形成されている。ここで、溝４４０，４８０のそれぞれの中心位置は、図２６に示すように、コンデンサ素子１０２の第３面１０２ｃおよび第４面１０２ｄから内側方向に離れるように配設されている。図示しないけれども、塗布ローラ３４０ｂの外周面にも、第１外部電極１０５に対応する位置に、外周方向に延在している溝４２０が形成され、第２外部電極１０７，１０９に対応する位置に、それぞれ外周方向に延在している溝４４０，４８０が形成されている。
塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂの回転軸５２０の方向において、塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂの中央部に形成した溝４２０の幅は、第１外部電極１０４，１０５の幅と略等しい寸法に設定されている。塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂの回転軸５２０の方向において、塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂの左右の端部に形成した溝４４０，４８０の幅は、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の幅と略等しい寸法に設定されている。溝４２０，４４０，４８０の横断面の形状は、矩形、Ｕ形、三角形、半円形などである。
スクレーパ３６０ａ，３６０ｂは、それぞれ転写ローラ３８０ａ、３８０ｂによって塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂの外周表面に供給されて付着した外部電極ペースト５００のうち余分なものを掻き落とすと同時に、溝４２０，４４０，４８０に外部電極ペースト５００を充填させるためのものである。
転写ローラ３８０ａ，３８０ｂは、それぞれペースト槽４００ａ，４００ｂに入っている外部電極ペースト５００を取り出して、塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂに供給するためのものである。
複数のコンデンサ素子１０２は、長さＬ方向の両端面である第３面１０２ｃおよび第４面１０２ｄがそれぞれ一対のキャリアテープ４９０に貼り付けられて挟持されることにより、一対のキャリアテープ４９０によって、塗布装置３００の塗布部３２０ａと塗布部３２０ｂの間を搬送される。そして、塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂの回転軸５２０に対して長さＬ方向が平行になるように配設されたコンデンサ素子１０２が、塗布ローラ３４０ａと塗布ローラ３４０ｂとの間を通るときに、塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂによって両側から押し付けられる。
このとき、図２６に示すように、塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂの溝４２０，４４０，４８０に充填されている外部電極ペースト５００の一部が、コンデンサ素子１０２の第１面１０２ａおよび第２面１０２ｂに、第１外部電極１０４，１０５および第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９のパターン形状に合わせて転写され塗布される。すなわち、第１外部電極１０４，１０５の外部電極ペースト５００および第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の１回目の外部電極ペースト５００が、コンデンサ素子１０２に付与される。この場合、溝４２０の幅が溝４４０，４８０の幅より広いので、第１外部電極１０４，１０５の外部電極ペースト５００の塗布厚みは厚く、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の外部電極ペースト５００の塗布厚みは薄くなる。
また、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の１回目の外部電極ペースト５００がコンデンサ素子１０２に塗布される際、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の外部電極ペースト５００の中心位置が、それぞれコンデンサ素子１０２の第３面１０２ｃおよび第４面１０２ｄから内側方向に離れるように塗布される。このようにして第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の外部電極ペースト５００が塗布されることによって、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９は、それぞれ条件式Ｈ２＞Ｈ３および条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足するように形成できる。
なお、図２６は簡略化のため、塗布ローラ３４０ｂによる外部電極ペースト５００のコンデンサ素子１０２への塗布は図示していない。
なお、図２６は簡略化のため、塗布ローラ３４０ｂによる外部電極ペースト５００のコンデンサ素子１０２への塗布は図示していない。
また、３端子型コンデンサ２００を製造する場合は、一方の塗布部３２０ｂのペースト槽４００ｂに外部電極ペースト５００を入れないでおくことにより、第１外部電極２０５および１回目の第２外部電極２０７，２０９が形成されなくなる。
１回目の外部電極ペースト塗布工程は、第１外部電極１０４，１０５の外部電極ペースト５００を塗布すると共に、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の１回目の外部電極ペースト５００を塗布するため、効率良く外部電極が形成される。
なお、キャリアテープ４９０によるコンデンサ素子１０２の搬送速度と、塗布ローラ３４０ａ、３４０ｂの外周速度とは略等しい速度に設定される。
なお、キャリアテープ４９０によるコンデンサ素子１０２の搬送速度と、塗布ローラ３４０ａ、３４０ｂの外周速度とは略等しい速度に設定される。
次に、工程Ｓ６で、コンデンサ素子１０２に塗布された第１外部電極１０４，１０５の外部電極ペースト５００および第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の１回目の外部電極ペースト５００が焼き付けられる。これにより、第１外部電極１０４，１０５および第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の１回目の外部電極部分が形成される。このとき、第１外部電極１０４，１０５の電極厚みは厚く、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の電極厚みは薄い。
なお、工程Ｓ６を省略して、工程Ｓ５から直接に工程Ｓ７へ移行して、工程Ｓ８でまとめて第１外部電極１０４，１０５および第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９を焼き付けてもよい。
なお、工程Ｓ６を省略して、工程Ｓ５から直接に工程Ｓ７へ移行して、工程Ｓ８でまとめて第１外部電極１０４，１０５および第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９を焼き付けてもよい。
次に、工程Ｓ７で、コンデンサ素子１０２の表面に、２回目の外部電極ペースト（ＡｇＰｄ合金ペースト）の塗布が行われる。２回目の外部電極ペーストの塗布は、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の２回目の外部電極ペーストのみを塗布する。
２回目の外部電極ペーストの塗布は、１回目の外部電極ペーストの塗布に用いた図２４に示す塗布装置３００において、スクレーパ３６０ａ，３６０ｂを図２７に示すスクレーパ３７０ａ，３７０ｂに置き換えたものと同様のものを使用してローラ転写法で行われる。
スクレーパ３７０ａ，３７０ｂは、塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂの中央部に形成した溝４２０の横断面の形状と略等しいサイズの凸部６００が、溝４２０に対応する位置に設けられている。したがって、スクレーパ３７０ａ，３７０ｂは、塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂの表面に供給されて付着した外部電極ペースト５００のうち余分なものを掻き落とし、溝４２０に充填されている外部電極ペースト５００を凸部６００によって溝４２０から掻き出すと共に、溝４４０，４８０に外部電極ペースト５００を充填させることができる。
複数のコンデンサ素子１０２は、長さＬ方向の両端面である第３面１０２ｃおよび第４面１０２ｄがそれぞれ一対のキャリアテープ４９０に貼り付けられることにより、一対のキャリアテープ４９０によって、塗布装置３００の塗布部３２０ａと塗布部３２０ｂの間を搬送される。そして、塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂの回転軸５２０に対して長さＬ方向が平行になるように配設されたコンデンサ素子１０２が、塗布ローラ３４０ａと塗布ローラ３４０ｂとの間を通るときに、塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂによって両側から押し付けられる。
このとき、図２８に示すように、塗布ローラ３４０ａ、３４０ｂの溝４４０，４８０に充填されている外部電極ペースト５００が、コンデンサ素子１０２の第１面１０２ａおよび第２面１０２ｂに、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９のパターン形状に合わせて転写され塗布される。すなわち、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の２回目の外部電極ペースト５００が、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の１回目の外部電極部分の表面上にさらに付与される。これにより、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の電極厚みは、第１外部電極１０４，１０５の電極厚みより大きくなる。
また、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の２回目の外部電極ペースト５００がコンデンサ素子１０２に塗布される際、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の外部電極ペースト５００の中心位置が、それぞれコンデンサ素子１０２の第３面１０２ｃおよび第４面１０２ｄから内側方向に離れるように塗布される。このようにして第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の外部電極ペースト５００が塗布されることによって、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９は、それぞれ条件式Ｈ２＞Ｈ３および条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足するように形成できる。
なお、図２８は簡略化のため、塗布ローラ３４０ｂによる外部電極ペースト５００のコンデンサ素子１０２への塗布は図示されていない。また、３端子型コンデンサ２００を製造する場合は、一方の塗布部３２０ｂのペースト槽４００ｂに外部電極ペースト５００を入れないでおくことにより、２回目の第２外部電極２０７，２０９が形成されなくなる。
また、第１外部電極１０４，１０５は、塗布ローラ３４０ａ，３４０ｂの溝４２０にその一部が収容されるので、コンデンサ素子１０２の姿勢が良くなり、塗布精度が良くなる。
次に、工程Ｓ８で、コンデンサ素子１０２に塗布された第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の２回目の外部電極ペースト５００が焼き付けられる。これにより、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の２回目の外部電極部分が形成される。こうして、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９の電極厚が第１外部電極１０４，１０５の電極厚より大きく形成される。
次に、工程Ｓ９で、第１外部電極１０４，１０５および第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９のそれぞれの表面に、湿式めっきによってＮｉめっき、Ｓｎめっきが順に形成される。こうして、３端子型コンデンサ１００，２００が得られる。
なお、上述したように、第１の実施の形態に係る３端子型コンデンサ１００は、第１外部電極１０４，１０５が信号側電極で、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９がグランド側電極であってもよいし、第１外部電極１０４，１０５がグランド側電極で、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９が信号側電極であってもよい。
ここで、第１外部電極１０４，１０５が信号側電極で、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９がグランド側電極である場合（以下「パターン１」という）の挿入損失の値をＩＬ１とする。また、これとは信号側電極とグランド側電極とを入れ替えた場合、すなわち、第１外部電極１０４，１０５がグランド側電極で、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９が信号側電極である場合（以下「パターン２」という）の挿入損失の値をＩＬ２とする。このとき、３端子型コンデンサ１００は、周波数１０ＭＨｚ帯域付近において、ＩＬ１＜ＩＬ２を満たし、周波数１００ＭＨｚ帯域において、ＩＬ１＞ＩＬ２を満たす。すなわち、１００ＭＨｚ帯域において、３端子型コンデンサ１００をパターン２で用いる場合は、パターン１で用いる場合と比べて挿入損失の値が小さい。
このように、３端子型コンデンサ１００をパターン１で用いる場合と、パターン２で用いる場合とで挿入損失の周波数特性が異なる理由は、パターン１とパターン２とで信号およびノイズの流れる経路が異なるためである。以下、詳細に説明する。
図２９（ａ）〜図２９（ｃ）は、３端子型コンデンサ１００をパターン１で用いる場合の信号およびノイズの流れる経路を説明するための概略図であり、図２９（ａ）が３端子型コンデンサ１００を外部から見た概略図であり、図２９（ｂ）が第１導電体層１２０の概略図であり、図２９（ｃ）が第２導電体層１２２の概略図である。なお、実線の矢印が信号の流れを示し、破線の矢印がノイズの流れを示す。
３端子型コンデンサ１００をパターン１で用いる場合、図２９（ａ）に示すように、第１外部電極１０４，１０５から３端子型コンデンサ１００に入力された信号は、第１外部電極１０４，１０５を介して流れ、第１外部電極１０４，１０５から出力される。また、このとき発生するノイズは、図２９（ｂ）および図２９（ｃ）に示すように、第２導電体層１２２の第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７を介してグランドへと流れる。
次に、図３０（ａ）〜図３０（ｃ）は、３端子型コンデンサ１００をパターン２で用いた場合の信号およびノイズの流れる経路を説明するための概略図であり、図３０（ａ）が３端子型コンデンサ１００を外部から見た概略図であり、図３０（ｂ）が第１導電体層１２０の概略図であり、図３０（ｃ）が第２導電体層１２２の概略図である。
３端子型コンデンサ１００をパターン２で用いる場合、図３０（ａ）および図３０（ｃ）に示すように、一方側の第２外部電極１０６，１０７から３端子型コンデンサ１００に入力された信号は、第２導電体層１２２の第２引出部１３４，１３５，１３６，１３７を介して、他方側の第２外部電極１０８，１０９から出力される。また、このとき発生するノイズは、図２９（ｂ）に示すように、第１導電体層１２０の第１引出部１３２，１３３を介してグランドへと流れる。
以上より、本発明者が鋭意検討した結果、３端子型コンデンサ１００を上記したパターン１で用いる場合とパターン２で用いる場合とで、挿入損失の周波数特性が異なるという事実を利用することに想到した。そこで、必要とする周波数帯域に応じて、パターン１とパターン２とを使い分けることにより、一つの３端子型コンデンサ１００を用いて、好ましい挿入損失が得られることを確認する実験を行った。以下、３端子型コンデンサ１００をパターン１で用いる場合の挿入損失の周波数特性と、パターン２で用いる場合の挿入損失の周波数特性とを確認するために行った実験について説明する。
図３１は、この実験結果を示すグラフであり、横軸が周波数（ＭＨｚ）、縦軸が挿入損失（ｄＢ）である。また、パターン１を実線により示し、パターン２を破線により示している。
図３１のグラフに示すように、周波数１０ＭＨｚ付近では、パターン１のほうがパターン２に比べて優れた挿入損失を示す。したがって、必要とする周波数が１０ＭＨｚ程度であるなら、３端子型コンデンサ１００をパターン１（すなわち、図２９（ａ）に示すように、第１外部電極１０４，１０５を信号側電極とし、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９をグランド側電極とするパターン）で用いることが好ましい。
一方、周波数１００ＭＨｚ帯域では、パターン２のほうがパターン１に比べて優れた挿入損失特性を示す。したがって、必要とする周波数が１００ＭＨｚ帯域であるなら、３端子型コンデンサ１００をパターン２（すなわち、図３０（ａ）に示すように、第１外部電極１０４，１０５をグランド側電極とし、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９を信号側電極とするパターン）で用いることが好ましい。
すなわち、必要とする周波数帯域に応じて、第１外部電極１０４，１０５を信号側電極とし、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９をグランド側電極とするパターン１と、第１外部電極１０４，１０５をグランド側電極とし、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９を信号側電極とするパターン２とを使い分けることにより、一つの３端子型コンデンサ１００を用いて好ましい挿入損失を得ることができる。
なお、ここでは説明を繰り返さないが、第２の実施の形態の３端子型コンデンサ２００についても、上記した第１の実施の形態の３端子コンデンサ１００で得られる同様の効果が得られる。
３．本実施の形態の効果
３端子型コンデンサ１００，２００は、条件式Ｈ２＞Ｈ３および条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足しているため、３端子型コンデンサ１００，２００を、例えば第１面１０２ａ，２０２ａを実装面として実装基板に実装するときに、第２外部電極１０６，１０８，２０６，２０８の第２折り返し部１０６ｂ，１０８ｂ，２０６ｂ，２０８ｂに濡れ上がるはんだの量が、第２外部電極１０６，１０８，２０６，２０８の第３折り返し部１０６ｃ，１０８ｃ，２０６ｃ，２０８ｃに濡れ上がるはんだの量より多くなる。従って、３端子型コンデンサ１００，２００の位置ずれが抑制され、さらに、３端子型コンデンサ１００，２００と実装基板との固着力も確保できる。
３端子型コンデンサ１００，２００は、条件式Ｈ２＞Ｈ３および条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足しているため、３端子型コンデンサ１００，２００を、例えば第１面１０２ａ，２０２ａを実装面として実装基板に実装するときに、第２外部電極１０６，１０８，２０６，２０８の第２折り返し部１０６ｂ，１０８ｂ，２０６ｂ，２０８ｂに濡れ上がるはんだの量が、第２外部電極１０６，１０８，２０６，２０８の第３折り返し部１０６ｃ，１０８ｃ，２０６ｃ，２０８ｃに濡れ上がるはんだの量より多くなる。従って、３端子型コンデンサ１００，２００の位置ずれが抑制され、さらに、３端子型コンデンサ１００，２００と実装基板との固着力も確保できる。
（実験例）
条件式Ｈ２＞Ｈ３および条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足する３端子型コンデンサ２００の試料１と、条件式Ｈ２＜Ｈ３および条件式Ｈ２’＜Ｈ３’を満足する３端子型コンデンサ２００の試料２が、各試料１０００個ずつ作製された。そして、作製された各試料について、はんだによる実装実験が行われた。実装実験は、位置ずれ性を簡便にみるために、実装基板に３端子型コンデンサ２００を実装する際、３端子型コンデンサ２００の載置位置を正規の位置から故意に１０°〜２０°（１５°±５°）回転させてずらして搭載することによって、過酷な条件下で行った。そして、第２外部電極２０６，２０８が実装基板上の本来接続されるべきでない隣接のランドに電気的に接続して１個でもショートが発生した場合は「不良」と判定し、ショートが１個も発生しない場合は「良」と判定した。
実装実験の結果、試料１の３端子型コンデンサ２００は「良」と判定され、試料２の３端子型コンデンサ２００は「不良」と判定された。
条件式Ｈ２＞Ｈ３および条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足する３端子型コンデンサ２００の試料１と、条件式Ｈ２＜Ｈ３および条件式Ｈ２’＜Ｈ３’を満足する３端子型コンデンサ２００の試料２が、各試料１０００個ずつ作製された。そして、作製された各試料について、はんだによる実装実験が行われた。実装実験は、位置ずれ性を簡便にみるために、実装基板に３端子型コンデンサ２００を実装する際、３端子型コンデンサ２００の載置位置を正規の位置から故意に１０°〜２０°（１５°±５°）回転させてずらして搭載することによって、過酷な条件下で行った。そして、第２外部電極２０６，２０８が実装基板上の本来接続されるべきでない隣接のランドに電気的に接続して１個でもショートが発生した場合は「不良」と判定し、ショートが１個も発生しない場合は「良」と判定した。
実装実験の結果、試料１の３端子型コンデンサ２００は「良」と判定され、試料２の３端子型コンデンサ２００は「不良」と判定された。
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。
また、本実施の形態にかかる３端子型コンデンサ１００，２００において、最外導電体層１２４，１２６，２２４，２２６の厚みは、幅Ｗ方向について中央近傍に位置する第１導電体層１２０，１２２，２２０，２２２の厚みよりも小さいが、これに限るものではない。
さらに、本実施の形態にかかる３端子型コンデンサ１００，２００において、最外導電体層１２４，２２４は、誘電体層１１０，２１０を介して隣接する第１導電体層１２０，２２０と共通する第１外部電極１０４，１０５，２０４に接続されているが、これに限るものではなく、第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９，２０６，２０８に接続されてもよい。また、同様に、最外導電体層１２６，２２６は、内層用誘電体層１１０，２１０を介して隣接する第２導電体層１２２，２２２と共通する第２外部電極１０６，１０７，１０８，１０９，２０６，２０８に接続されているが、これに限るものではなく、第１外部電極１０４，１０５，２０４に接続されてもよい。
また、本実施の形態にかかる３端子型コンデンサ１００、２００において、Ｅ１＋ＭＥ１＋Ｅ２＋ＭＥ２＋Ｅ３＞コンデンサ素子の長さＬ方向の寸法であり、第２外部電極１０６（２０６）は、第３面１０２ｃ（２０２ｃ）に第３折り返し部１０６ｃ（２０６ｃ）が形成され、第２外部電極１０８（２０８）は、第４面１０２ｄ（２０２ｄ）に第３折り返し部１０８ｃ（２０８ｃ）が形成され、｜ＭＥ１−ＭＥ２｜＜５０μｍを満たし、さらに、Ｍ２Ｌ＜Ｍ２Ｒ、かつ、Ｍ１Ｒ＞Ｍ１Ｌ、もしくは、Ｍ２Ｌ＞Ｍ２Ｒ、かつ、Ｍ１Ｒ＜Ｍ１Ｌ、を満たしているが、これに限るものではない。
１００，２００ ３端子型コンデンサ
１０２，２０２ コンデンサ素子
１０２ａ，２０２ａ 第１面
１０２ｂ，２０２ｂ 第２面
１０２ｃ，２０２ｃ 第３面
１０２ｄ，２０２ｄ 第４面
１０２ｅ，２０２ｅ 第５面
１０２ｆ，２０２ｆ 第６面
１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ，１０３ｄ 境界部
１０４，１０５，２０４，２０５ 第１外部電極
１０４ａ，１０５ａ，２０４ａ 第１外部電極本体部
１０４ｂ，１０５ｂ，２０４ｂ 第１折り返し部
１０６，１０７，１０８，１０９，２０６，２０８ 第２外部電極
１０６ａ，１０７ａ，１０８ａ，１０９ａ，２０６ａ，２０８ａ 第２外部電極本体部
１０６ｂ，１０７ｂ，１０８ｂ，１０９ｂ，２０６ｂ，２０８ｂ 第２折り返し部
１０６ｃ，１０７ｃ，１０８ｃ，１０９ｃ，２０６ｃ，２０８ｃ 第３折り返し部
１１０，２１０ 内層用誘電体層
１１２，２１２ 外層用誘電体層
１２０，２２０ 第１導電体層
１２２，２２２ 第２導電体層
１２４，１２６，２２４，２２６ 最外導電体層
１２７，２２７ 境界層
１２８，２２８ 第１対向部
１２９，２２９ 傾斜部
１３０，２３０ 第２対向部
１３２，１３３，２３２ 第１引出部
１３４，１３５，１３６，１３７，２３４，２３６ 第２引出部
１７０ａ，１７１ａ，２７０ａ 両側傾斜部
１７２ａ，１７３ａ，１７４ａ，１７５ａ，２７２ａ，２７４ａ 片側傾斜部
１７０ｂ，１７１ｂ，１７２ｂ，１７３ｂ，１７４ｂ，１７５ｂ，２７０ｂ，２７２ｂ，２７４ｂ 直線部
２０３ａ，２０３ｂ 稜線部
３００ 塗布装置
３２０ａ，３２０ｂ 塗布部
３４０ａ，３４０ｂ 塗布ローラ
３６０ａ，３６０ｂ，３７０ａ，３７０ｂ スクレーパ
３８０ａ，３８０ｂ 転写ローラ
４００ａ，４００ｂ ペースト槽
４２０，４４０，４８０ 溝
４９０ キャリアテープ
５００ 外部電極ペースト
５２０ 塗布ローラの回転軸
６００ 凸部
Ｌ 長さ
Ｔ 高さ
Ｗ 幅
Ａ 第２外部電極の幅
Ｂ 第１外部電極の幅
１０２，２０２ コンデンサ素子
１０２ａ，２０２ａ 第１面
１０２ｂ，２０２ｂ 第２面
１０２ｃ，２０２ｃ 第３面
１０２ｄ，２０２ｄ 第４面
１０２ｅ，２０２ｅ 第５面
１０２ｆ，２０２ｆ 第６面
１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ，１０３ｄ 境界部
１０４，１０５，２０４，２０５ 第１外部電極
１０４ａ，１０５ａ，２０４ａ 第１外部電極本体部
１０４ｂ，１０５ｂ，２０４ｂ 第１折り返し部
１０６，１０７，１０８，１０９，２０６，２０８ 第２外部電極
１０６ａ，１０７ａ，１０８ａ，１０９ａ，２０６ａ，２０８ａ 第２外部電極本体部
１０６ｂ，１０７ｂ，１０８ｂ，１０９ｂ，２０６ｂ，２０８ｂ 第２折り返し部
１０６ｃ，１０７ｃ，１０８ｃ，１０９ｃ，２０６ｃ，２０８ｃ 第３折り返し部
１１０，２１０ 内層用誘電体層
１１２，２１２ 外層用誘電体層
１２０，２２０ 第１導電体層
１２２，２２２ 第２導電体層
１２４，１２６，２２４，２２６ 最外導電体層
１２７，２２７ 境界層
１２８，２２８ 第１対向部
１２９，２２９ 傾斜部
１３０，２３０ 第２対向部
１３２，１３３，２３２ 第１引出部
１３４，１３５，１３６，１３７，２３４，２３６ 第２引出部
１７０ａ，１７１ａ，２７０ａ 両側傾斜部
１７２ａ，１７３ａ，１７４ａ，１７５ａ，２７２ａ，２７４ａ 片側傾斜部
１７０ｂ，１７１ｂ，１７２ｂ，１７３ｂ，１７４ｂ，１７５ｂ，２７０ｂ，２７２ｂ，２７４ｂ 直線部
２０３ａ，２０３ｂ 稜線部
３００ 塗布装置
３２０ａ，３２０ｂ 塗布部
３４０ａ，３４０ｂ 塗布ローラ
３６０ａ，３６０ｂ，３７０ａ，３７０ｂ スクレーパ
３８０ａ，３８０ｂ 転写ローラ
４００ａ，４００ｂ ペースト槽
４２０，４４０，４８０ 溝
４９０ キャリアテープ
５００ 外部電極ペースト
５２０ 塗布ローラの回転軸
６００ 凸部
Ｌ 長さ
Ｔ 高さ
Ｗ 幅
Ａ 第２外部電極の幅
Ｂ 第１外部電極の幅
Claims (4)
- 長さ方向および幅方向に沿って延びる第１面および第２面と、幅方向および厚み方向に沿って延びる第３面および第４面と、長さ方向および厚み方向に沿って延びる第５面および第６面とを有するコンデンサ素子と、
前記第１面の長さ方向における一方端部、前記第３面、前記第５面、前記第６面に設けられた第２外部電極と、
前記第１面の長さ方向における他方端部、前記第４面、前記第５面、前記第６面に設けられた第２外部電極と、
前記第１面の長さ方向において、２つの前記第２外部電極の間に位置する部分、前記第５面、前記第６面に設けられた第１外部電極と、
前記コンデンサ素子の内部に設けられ、前記第１外部電極に第１引出部を介して電気的に接続された複数の第１導電体層と、
前記コンデンサ素子の内部に設けられ、前記第２外部電極に第２引出部を介して電気的に接続された複数の第２導電体層と、を備えた３端子型コンデンサであって、
前記第１面の長さ方向における一方端部、前記第３面、前記第５面、前記第６面に設けられた前記第２外部電極において、
前記第５面および前記第６面の前記第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、前記第３面の前記第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足していること、
を特徴とする、３端子型コンデンサ。 - 前記第１面の長さ方向における他方端部と、前記第４面、前記第５面、前記第６面とにわたって設けられた前記第２外部電極において、
前記第５面および前記第６面の前記第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、前記第４面の前記第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足していること、
を特徴とする、請求項１に記載の３端子型コンデンサ。 - 長さ方向および幅方向に沿って延びる第１面および第２面と、幅方向および厚み方向に沿って延びる第３面および第４面と、長さ方向および厚み方向に沿って延びる第５面および第６面とを有するコンデンサ素子と、
前記第１面の長さ方向における一方端部、前記第３面、前記第５面、前記第６面に設けられた第２外部電極と、
前記第１面の長さ方向における他方端部、前記第４面、前記第５面、前記第６面に設けられた第２外部電極と、
前記第２面の長さ方向における一方端部、前記第３面、前記第５面、前記第６面に設けられた第２外部電極と、
前記第２面の長さ方向における他方端部、前記第４面、前記第５面、前記第６面に設けられた第２外部電極と、
前記第１面の長さ方向において、２つの前記第２外部電極の間に位置する部分、前記第５面、前記第６面に設けられた第１外部電極と、
前記第２面の長さ方向において、２つの前記第２外部電極の間に位置する部分、前記第５面、前記第６面に設けられた第１外部電極と、
前記コンデンサ素子の内部に設けられ、前記第１外部電極に第１引出部を介して電気的に接続された複数の第１導電体層と、
前記コンデンサ素子の内部に設けられ、前記第２外部電極に第２引出部を介して電気的に接続された複数の第２導電体層と、を備えた３端子型コンデンサであって、
前記第１面の長さ方向における一方端部と、前記第３面、前記第５面、前記第６面とにわたって設けられた前記第２外部電極において、
前記第５面および前記第６面の前記第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、前記第３面の前記第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足し、
前記第２面の長さ方向における一方端部と、前記第３面、前記第５面、前記第６面とにわたって設けられた前記第２外部電極において、
前記第５面および前記第６面の前記第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２とし、前記第３面の前記第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３としたとき、条件式Ｈ２＞Ｈ３を満足していること、
を特徴とする、３端子型コンデンサ。 - 前記第１面の長さ方向における他方端部と、前記第４面、前記第５面、前記第６面とにわたって設けられた前記第２外部電極において、
前記第５面および前記第６面の前記第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、前記第４面の前記第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足し、
前記第２面の長さ方向における他方端部と、前記第４面、前記第５面、前記第６面とにわたって設けられた前記第２外部電極において、
前記第５面および前記第６面の前記第２外部電極のうち、長さ方向の中央部の高さが高い方の高さをＨ２’とし、前記第４面の前記第２外部電極の幅方向の中央部の高さをＨ３’としたとき、条件式Ｈ２’＞Ｈ３’を満足していること、
を特徴とする、請求項３に記載の３端子型コンデンサ。
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| US15/393,349 US9824822B2 (en) | 2014-11-13 | 2016-12-29 | Three-terminal capacitor including double-side oblique portion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014231083A JP2015035630A (ja) | 2014-11-13 | 2014-11-13 | ３端子型コンデンサ |
Publications (1)
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|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014231083A Pending JP2015035630A (ja) | 2014-11-13 | 2014-11-13 | ３端子型コンデンサ |
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| US (2) | US9715967B2 (ja) |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016171261A1 (ja) * | 2015-04-24 | 2016-10-27 | 京セラ株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよび実装構造体 |
| JP2018152547A (ja) * | 2017-03-14 | 2018-09-27 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014222783A (ja) * | 2014-08-13 | 2014-11-27 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ及び積層コンデンサの実装構造体 |
| KR20190116148A (ko) * | 2019-08-08 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 이의 실장 기판 |
| JP2023108923A (ja) * | 2022-01-26 | 2023-08-07 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および積層セラミック電子部品 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2991175B2 (ja) | 1997-11-10 | 1999-12-20 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
| US6982863B2 (en) * | 2002-04-15 | 2006-01-03 | Avx Corporation | Component formation via plating technology |
| JP4433204B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2010-03-17 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP4407836B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2010-02-03 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| US7920370B2 (en) | 2007-02-05 | 2011-04-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer chip capacitor |
| KR101025999B1 (ko) | 2008-12-12 | 2011-03-30 | 삼성전기주식회사 | 회로기판 장치 및 집적회로 장치 |
| JP5293379B2 (ja) * | 2009-04-24 | 2013-09-18 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| KR101872519B1 (ko) * | 2011-04-21 | 2018-06-29 | 삼성전기주식회사 | Ｅｓｒ 특성 제어가능한 적층형 세라믹 커패시터 |
| KR101548774B1 (ko) | 2011-08-26 | 2015-08-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
| KR101558023B1 (ko) | 2011-08-26 | 2015-10-07 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
| KR101412784B1 (ko) | 2011-08-31 | 2014-06-27 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
| KR101525645B1 (ko) | 2011-09-02 | 2015-06-03 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
| KR101300359B1 (ko) * | 2011-11-02 | 2013-08-28 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| KR20130053878A (ko) * | 2011-11-16 | 2013-05-24 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| JP6107080B2 (ja) * | 2012-11-21 | 2017-04-05 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
| KR101376925B1 (ko) | 2012-12-10 | 2014-03-20 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 |
| KR20140038871A (ko) | 2013-07-11 | 2014-03-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
| KR20140038872A (ko) | 2013-07-17 | 2014-03-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
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| KR20140038912A (ko) | 2013-10-01 | 2014-03-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
| US9460855B2 (en) * | 2013-10-01 | 2016-10-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and board having the same |
| KR20140038914A (ko) | 2013-10-29 | 2014-03-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
| US9396879B2 (en) * | 2013-10-29 | 2016-07-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and board having the same |
| KR20140038916A (ko) | 2013-10-31 | 2014-03-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
| KR20140038915A (ko) | 2013-10-31 | 2014-03-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
| KR20140039016A (ko) | 2014-02-27 | 2014-03-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
| KR102076150B1 (ko) * | 2014-05-02 | 2020-02-11 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
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Cited By (3)
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| JPWO2016171261A1 (ja) * | 2015-04-24 | 2018-02-15 | 京セラ株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよび実装構造体 |
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