JP6962955B2 - シームレスのコバルト間隙充填を可能にする方法 - Google Patents
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Description
フィーチャ寸法がより小さくなるにつれて、フィーチャの深さとフィーチャの幅との間の比として定義されるアスペクト比をより高くすることに対する要求が、20:1以上まで着実に増大した。約20:1以下のアスペクト比を有する幾何形状など、小さい幾何形状を有する接触構造内へ接触金属層を堆積させるときには、様々な問題が生じることがある。たとえば、従来のPVDプロセスを使用して堆積させた接触金属層では、ビアが50nm未満の限界寸法または10:1より大きいアスペクト比を有するとき、ステップカバレッジ不良が生じ、ビアまたはトレンチ内にオーバーハングおよびボイドが形成されることが多い。また、ビアまたはトレンチの底部および側壁上の堆積が不十分な結果、堆積が不連続になり、それによってデバイスの短絡または相互接続形成不良が生じる可能性がある。さらに、接触金属層は、下にあるシリコン含有層の上で接着不良をおこすことがあり、その結果、接触金属層が基板および後の導電金属層から剥離することがある。
こうしてトランジスタ密度が増大し、その後金属コンタクトの横断面が低減するにつれて、既存の低抵抗タングステン(W)の集積方式を使用して接触抵抗要件を満たすのはかなり困難になった。タングステン接触集積方式において高抵抗の接着(たとえば、B2H6の核形成)およびバリア層(たとえば、TiN)が必要とされる結果、接触抵抗が増大し、22ナノメートル未満の技術ノードにとってこの方式は魅力的な選択肢ではなくなった。
特定の実施形態では、接触金属層を堆積させて半導体デバイス内に接触構造を形成する方法が提供される。この方法は、バリア層堆積プロセスを実行して基板上にバリア層を堆積させるステップと、湿潤層堆積プロセスを実行して基板上に湿潤層を堆積させるステップと、湿潤層上でアニールプロセスを実行するステップとを含む。この方法は、堆積前駆体混合ガスに接触金属層を露出させて基板上に接触金属層の一部分を堆積させることによって、金属堆積プロセスを実行して基板上に接触金属層を堆積させるステップをさらに含む。最後に、この方法は、接触金属層のその部分をプラズマ処理プロセスに露出させるステップと、基板上に配置された接触金属層をアニールするステップとを含む。
本発明の実施形態は、コンタクトの充填のために潜在的に低接触抵抗(Rc)の1材料による解決策をもたらす、間隙充填を利用する金属CVDプロセス(たとえば、コバルトCVDプロセス)を提供する。本明細書に記載の実施形態によって堆積させたCVD膜は、共形のステップカバレッジおよび低い表面粗さを有する。さらに、本明細書で実証される実施形態は、シームを形成することなく半導体デバイスのコンタクト孔を充填するプロセスを実証する。
一実施形態では、基板の上に接触金属層を堆積させる方法が提供され、この方法は、基板をコバルト前駆体ガスおよび水素ガスに露出させてフィーチャ内でシームレスの間隙充填コバルト層の一部分を選択的に形成するステップと、後処理プロセス中に、コバルト層をプラズマおよび窒素、アンモニア、水素、アンモニア/窒素混合物、またはこれらの組合せなどの試薬に露出させるステップとを含む。
さらに、基板は、いかなる特定の寸法または形状にも限定されるものではない。基板は、中でも、450mmなど、200mmの直径、300mmの直径、または他の直径を有する円形のウエハとすることができる。基板はまた、フラットパネルディスプレイの製造で使用される多角形のガラス基板など、任意の多角形、正方形、方形、湾曲した形、またはそれ以外の非円形の加工物とすることができる。
本明細書に記載の実施形態は、基板上に接触金属層を堆積/形成して接触構造を形成する方法を提供する。堆積プロセスは、堆積させた膜のステップカバレッジ、共形性、ならびに連続性および均一性を基板全体にわたって効率的に改善し、それによって基板全体にわたって形成される全体的な膜の特性を改善することができる。
シャワーヘッド156とリッド縁部166との間にリッド隔離体175が挿入される。リッド縁部166をチャンバ本体120から持ち上げて、保守アクセスのために処理チャンバ150を開くことができる。処理チャンバ150内の真空は、処理チャンバ150内のポンププレナム172に接続された真空ポンプ170によって維持される。ポンププレナム172は、環状のポンピングチャネル174に接続される。
図1では、チャンバ150に制御ユニット180を結合して、処理条件を制御することができる。制御ユニット180は、中央処理装置(CPU)182、支持回路184、およびメモリ186を備え、メモリ186は関連する制御ソフトウェア183を収容する。制御ユニット180は、様々なチャンバおよびサブプロセッサを制御するために産業用の設定で使用することができる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの1つとすることができる。CPU182は、ランダムアクセスメモリ、読取り専用メモリ、フロッピーディスクドライブ、コンパクトディスクドライブ、ハードディスク、または任意の他の形態のローカルもしくは遠隔のデジタルストレージなど、任意の適したメモリ186を使用することができる。CPU182には、チャンバ150を支持するために、様々な支持回路を結合することができる。制御ユニット180は、個々のチャンバ構成要素に隣接して位置する別のコントローラに結合することができる。制御ユニット180とチャンバ150の様々な他の構成要素との間の双方向通信は、集合的に信号バスと呼ばれる多数の信号ケーブルを通じて取り扱われる。これらの信号バスの一部を、図1に示す。
可能な集積方式には、それだけに限定されるものではないが、(a)PVD Ti+ALD TiN、(b)PVD Ti+CVD Co、(c)CVD Co、および(d)CVD Co+PVD Coが含まれる。PVD Tiは、ソースまたはドレインにおいて、下にあるケイ素化合物との良好な電気接触を提供する。ALD TiNは、必要な場合、コバルト膜のリフローを助けるために、コバルト膜の接着を改善する。CVD Coは、CVD膜を使用するコバルト充填を行い、またはCVDに続いてリフローを行う。
プロセスシーケンス300は、ブロック310で、図1に示す処理チャンバ150または他の適した処理チャンバ内に配置された基板402など、図4Aに示す基板402などの基板を処理チャンバ内へ設けることによって始まる。図4Aに示す基板402は、基板402上に形成された半導体デバイス構造408(たとえば、接触構造を形成するように構成されたゲート構造または他の構造など)を含む。この特定のデバイス構造408は、高いアスペクト比または他の異形の幾何形状を有する3次元(3D)フラッシュメモリの用途、DRAMの用途、または他の適した用途に使用することができることに留意されたい。
実行される前洗浄プロセスは、前洗浄混合ガスを前洗浄チャンバ内へ供給することを含む。前洗浄チャンバは、カリフォルニア州サンタクララのApplied Materials,Inc.から入手可能なPreclean PCII、PCXT、またはSiconi(商標)というチャンバとすることができる。前洗浄チャンバは、例示的なマルチチャンバ処理システム200内に組み込むことができ、必要に応じてシステム200の処理チャンバ212、214、216、232、234、236、238の1つになるように構成することができる。他の製造業者から入手可能な他の前洗浄チャンバを利用して、本明細書に記載の実施形態を実行することもできることに留意されたい。
前洗浄プロセスは、システム200内に組み込まれている前洗浄処理チャンバ内へ洗浄混合ガスを供給し、この前洗浄混合ガスからプラズマを形成して固有の酸化物を除去することによって実行される。一実施形態では、固有の酸化物を除去するために使用される前洗浄混合ガスは、アンモニア(NH3)および三フッ化窒素(NF3)の混合ガスである。処理チャンバ内へ導入される各ガスの量は、たとえば、除去すべき固有の酸化物層の厚さ、洗浄される基板の幾何形状、プラズマの容積、チャンバ本体の容積、ならびにチャンバ本体に結合された真空システムの能力に対応するように変動および調整することができる。
また、前洗浄混合ガスにパージガスまたはキャリアガスを追加することもできる。アルゴン、ヘリウム、水素、窒素、またはこれらの混合物など、任意の適したパージ/キャリアガスを使用することができる。全体的な前洗浄混合ガスは、アンモニアおよび三フッ化窒素の約0.05体積%〜約20体積%である。前洗浄混合ガスの残りは、パージ/キャリアガスとすることができる。
前処理混合ガスは、金属堆積処理チャンバ150に結合された遠隔プラズマ源141などの遠隔プラズマ源から供給することができ、前処理混合ガスプラズマを処理チャンバ150から基板表面411へ遠隔で供給することができる。別法として、前処理混合ガスは、処理チャンバ150内に設置された任意の他の適した供給源から基板表面411へ供給することができる。
ブロック340で、基板表面上でブロック320の前処理プロセスを実行して処理済みの表面領域410を形成した後、またはブロック330でバリア層416の堆積後、図4Dに示すように、処理チャンバ150内でCVD接触金属堆積プロセスを実行して、接触金属層420を堆積させることができる。接触金属層420は、図5に記載の周期的堆積プロセスを使用して堆積させることができる。接触金属層420は、開口406を充填する。接触金属層420の適した例には、チタン(Ti)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、これらの合金、またはこれらのいずれかの組合せが含まれる。本明細書に記載の1つの特定の実施形態では、基板402上に堆積させた接触金属層420は、コバルト(Co)層である。
接触金属層420は、周期的金属堆積プロセスを実行して接触金属層420を堆積させ、それに続いて接触金属層420をアニールする複数のサイクルを含む多段階堆積プロセスを使用して堆積させることができる。特定の実施形態では、接触金属層420の厚さは、充填される最も小さいフィーチャのフィーチャ直径(限界寸法)の50%未満とするべきである。たとえば、周期的金属堆積プロセスを実行して、フィーチャ直径の2分の1未満までフィーチャを部分的に充填し、それに続いてアニールプロセスを行う。次いで、周期的堆積プロセスに続いてアニールを行うことを繰り返して、接触金属層420が所定の厚さを実現するまで堆積させるはずである。代替実施形態では、単一の非周期的堆積プロセスで、接触金属層420を堆積させてフィーチャを完全に充填することができる。この実施形態では、次いで接触金属層420はアニールされる。非周期的な接触金属層420の堆積プロセス、および後のアニールプロセスにより、完了するのに必要とされる時間がより短くなるため、スループットが増大する。
堆積プロセスの一実施形態では、堆積前駆体混合ガスのパルスが、還元ガスとともに、また任意選択でパージ/キャリア混合ガスとともに、堆積チャンバ150へ供給される。本明細書で、パルスという用語は、プロセスチャンバ内へ射出される1回分の材料を指す。堆積前駆体混合ガスのパルスは、所定の時間間隔にわたって継続する。堆積前駆体混合ガスの各パルスとプラズマ処理プロセスとの間で、堆積前駆体混合ガスの各パルスまたは複数のパルスの間に、パージ混合ガスを処理チャンバ内へパルシングして、基板402の表面によって反応/吸収されない不純物または残留の前駆体混合ガス(たとえば、コバルト前駆体からの反応されない炭素含有不純物など)を除去することができ、したがってこれらを処理チャンバからポンプで汲み出すことができる。
堆積前駆体混合ガスのパルスに対する時間間隔は、膜の厚さ要件、プロセスチャンバの体積、スループットの問題、ガスの流量などの複数の要因に応じて可変である。一実施形態では、プロセス条件は、少なくとも単層のコバルト金属前駆体が基板402上に吸着されるのに十分な量の前駆体を堆積前駆体混合ガスのパルスが提供するように選択されることが有利である。その後、チャンバ内に残っている余分のコバルト金属前駆体を、パージ混合ガスによって処理チャンバから除去してポンプで汲み出すことができる。
動作の際には、ブロック510で、堆積前駆体混合ガスの第1のパルスを処理チャンバ150内へパルシングして、コバルト接触金属層420の一部分を基板上に堆積させる。処理チャンバ150に入る堆積前駆体混合ガスの各パルスは、約5Å〜約100Åの厚さを有するコバルト層を堆積させることができる。堆積前駆体混合ガスのパルシング中、いくつかのプロセスパラメータも調節される。一実施形態では、プロセス圧力は、約7トル〜約30トルで制御される。処理温度は、摂氏約125度〜摂氏約250度である。プラズマプロセスの場合、RF電力は、約100ワット〜約1200ワットで制御することができる。堆積前駆体混合ガス内に供給されるコバルトガス前駆体は、約1sccm〜約10sccmで制御することができる。H2ガスなどの還元ガスは、約3000sccm〜約5000sccmなど、約100sccm〜約10,000sccmで供給することができる。基板エッジ/基板底部から供給されるH2ガスは、約200sccm〜約1000sccmで制御することができる。アルゴンガスは、基板エッジ/基板底部から約200sccm〜約1000sccmで供給することができる。
ブロック550で、所定の厚さの接触金属層420が実現されなかった場合、基板を堆積前駆体混合ガスに露出させることから始まり、それに続いてプラズマ前処理プロセスを行う追加のサイクルを、接触金属層420の所望の厚さ範囲に到達するまで繰返し実行することができる。所定の厚さの接触金属層が実現された場合、プロセスはブロック350へ進み、熱アニールプロセスが実行される。
たとえば、接触金属層の全体的な厚さが10nmであり、接触層のこの部分が2nm/サイクルで堆積される場合、(2nmの堆積に続いてプラズマ処理を行う)を5サイクル行う必要がある。
ブロック350で、基板402上の熱アニールチャンバ内で熱アニールプロセスを実行して、接触金属層420の特性を改善する。熱アニールチャンバは、必要に応じて、システム200の処理チャンバ212、214、216、232、234、236、238の1つとすることができる。一実施形態では、ブロック350で実行される熱アニールプロセスは、摂氏約200度〜摂氏約500度など、摂氏約200度〜摂氏約1400度の温度範囲を有することができる。熱アニールプロセス中、少なくとも水素含有ガスおよび/または不活性ガス(たとえば、アルゴン)を含む混合ガスがアニールチャンバ内へ供給される。混合ガスは、アニールプロセス前にチャンバがガスで充填される静的プロセス、またはアニールプロセス中に混合ガスがアニールチャンバを通って連続して流される連続流プロセスを使用して、アニールチャンバに供給することができる。
熱アニールプロセスが完了した後、ブロック360で、所定の厚さの接触金属層420が実現されなかった場合、ブロック340で周期的金属堆積を実行して接触金属層を堆積させることから始まり、それに続いてブロック350で接触金属層上でアニールプロセスを実行する追加のサイクルを、接触金属層420の所望の厚さ範囲に到達するまで繰返し実行することができる。所定の厚さの接触金属層が実現された場合、プロセスは完了し、追加の処理ステップを実行することができる。
プロセス600の特定の態様は、図3を参照しながら説明したプロセス300に類似しており、話を簡潔にするため、以下では繰り返さない。一実施形態では、ブロック610および620は、上記の図3に示すブロック310および320に類似している。ブロック610および620は、それぞれ図7Aおよび図7Bに示す製造段階に対応する。図7Aおよび図7Bの詳細な議論は、図4Aおよび図4Bを参照すると見つけることができる。しかし、前処理プロセスを基板上で実行することは、ブロック620では任意選択とすることができる。
代替の実施形態では、アニールプロセス中のCVD Co膜の凝集で、CVD Coを湿潤層として使用することができる。このCVD Co湿潤層は、シームレスの間隙充填に使用されるCVD Co膜に対する低炭素含有率(1%未満の原子%)の炭素と比較すると、高炭素含有率(5%を上回る原子%)の炭素を含むことができる。堆積ステップ中により低いH2分圧を使用して、周期的H2プラズマ処理をなくすことによって、高炭素含有率のCVD Co膜が得られた。
熱アニールプロセスが完了した後、ブロック660で、所定の厚さの接触金属層420が実現されなかった場合、ブロック640で周期的金属堆積を実行して接触金属層を堆積させることから始まり、それに続いてブロック650で接触金属層上でアニールプロセスを実行する追加のサイクルを、接触金属層420の所望の厚さ範囲に到達するまで繰返し実行することができる。所定の厚さの接触金属層が実現された場合、プロセスは完了し、追加の処理ステップを実行することができる。
処理シーケンス800は、ブロック810で基板を設けることによって始まる。ブロック810の詳細な説明は、図3のブロック310および図6のブロック610に関係する説明を参照することによって得ることができる。ブロック820は、基板上で前処理プロセスを任意選択で実行するステップを提供する。ブロック820に関係する詳細な説明は、図3のブロック320および図6のブロック620に関係する説明を参照することによって得ることができる。
ブロック870は、基板402上に配置された接触金属層420上でアニールプロセスを実行するステップを提供する。アニールプロセスは、概して、接触金属層420の表面粗さを低減させ、接触金属層420内に存在しうる炭素などの不純物を低減させるために実行される。さらに、アニールプロセスは、結晶の粒径を増大させ、その結果、抵抗がより小さくなり、集積回路の性能が改善される。アニールプロセスは、約400℃など、約200℃〜約500℃の温度で実行される。アニールプロセスは、チャンバ内にアルゴンなどの不活性ガスおよびH2などのプロセスガスが提供されるチャンバ環境内でさらに実行される。一実施形態では、アルゴンおよびH2ガスは、チャンバ内で流動しており、接触金属層420のアニールが実行された後、チャンバを任意選択でパージすることができる。一実施形態では、アニールプロセスは、約60秒など、約30秒〜約90秒にわたって実行される。
Claims (19)
- 半導体デバイス内に接触構造を形成する方法であって、
シリコン含有基板上に形成される開口にバリア層を堆積させるステップであって、前記バリア層が窒化チタン(TiN)を含む、前記バリア層を堆積させるステップと、
コバルト(Co)、酸化されていないチタン(Ti)又は酸化されていない窒化チタン(TiN)を含む湿潤層を前記バリア層の上に堆積させるステップと、
周期的金属堆積プロセスを実行して前記シリコン含有基板上に形成された開口にゲート電極の少なくとも一部を堆積させるステップを含み、
前記ゲート電極の少なくとも一部が、金属含有層に隣接するコバルト接触金属を含み、
前記周期的金属堆積プロセスが、
堆積前駆体混合ガスに前記基板を露出させて、前記基板上に前記コバルト接触金属の一部分を堆積させるステップ、
前記コバルト接触金属の前記一部分を、水素(H2)含有ガスを提供すること及びRF電力を与えることを含むプラズマ処理プロセスに露出させるステップ、および
所定の厚さの前記コバルト接触金属が実現されるまで、堆積前駆体混合ガスに前記基板を露出させる前記ステップおよび前記コバルト接触金属の前記一部分をプラズマ処理プロセスに露出させる前記ステップを繰り返すステップを含む、
方法。 - 前記堆積前駆体混合ガスは、コバルト含有前駆体および還元ガスを含む請求項1に記載の方法。
- 前記コバルト含有前駆体がジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン(CCTBA)であり、前記還元ガスが水素(H2)である、請求項2に記載の方法。
- 周期的金属堆積プロセスを実行する前記ステップ前に、NH3を含む前処理ガスを供給して前記基板を前処理するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 堆積前駆体混合ガスに前記基板を露出させて前記基板上に前記コバルト接触金属の一部分を堆積させる前記ステップ、ならびに前記コバルト接触金属の前記一部分をプラズマ処理プロセス又は熱処理プロセスに露出させる前記ステップが、同時に実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記コバルト接触金属の前記一部分をプラズマ処理プロセス又は熱処理プロセスに露出させるステップが、水素(H2)、窒素(N2)、アンモニア(NH3)、およびこれらの組合せから選択されたガスを供給して、前記コバルト接触金属の前記一部分の粗さを低減させるステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 接触金属層を堆積させて半導体デバイス内に接触構造を形成する方法であって、
ALD TiNバリア層を堆積させることを含むバリア層堆積プロセスを実行して基板上にバリア層を堆積させるステップと、
湿潤層堆積プロセスを実行して前記バリア層に湿潤層を堆積させるステップであって、前記湿潤層が、CVD窒化チタン(TiN)層、CVDルテニウム(Ru)層、ALD窒化タンタル(TaN)層又はそれらの組み合わせを含む、前記湿潤層を堆積させるステップと、
前記堆積させた湿潤層上でアニールプロセスを実行するステップと、
処理ガスに前記湿潤層を露出させて前記基板上に接触金属層の一部分を堆積させることによって、PVD金属堆積プロセスを実行して前記堆積させた湿潤層上に接触金属層を堆積させるステップと、
を備え、
前記PVD金属堆積プロセスを実行することは、PVDコバルト(Co)層を堆積させることを含む方法。 - 前記PVD Co層は、約200℃から約500℃の間の温度、約5000Wから約6000Wの間のRFパワー及び約50mTorrから約200mTorrの間のプロセスチャンバ圧力で前記基板上にスパッタリングされる、請求項7に記載の方法。
- 前記バリア層は、約5Åから約75Åの間の厚さに堆積される、請求項7に記載の方法。
- PVD Co層は、水素(H2)含有ガスを提供すること及び前記基板を約100℃から約200℃の温度に加熱することを含むプラズマ処理プロセスに露出させられる、請求項7に記載の方法。
- 前記湿潤層は、前記CVDコバルト(Co)層である、請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、熱堆積プロセス中に、約100℃から約200℃の間の温度に加熱される、請求項11に記載の方法。
- 湿潤層堆積プロセスを実行することは、CVDルテニウム(Ru)層を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記湿潤層のアニールプロセスは、約200℃から約500℃の間の温度で約30秒から約90秒の間の持続時間に対して実行される、請求項7に記載の方法。
- 前記湿潤層のアニールプロセスは、アルゴン又は水素含有チャンバ環境で実行される、請求項14に記載の方法。
- 前記チャンバ環境は、前記湿潤層のアニールプロセスを実行した後にパージされる、請求項15に記載の方法。
- 接触金属層を堆積させて半導体デバイス内に接触構造を形成する方法であって、
窒化チタン(TiN)バリア層を堆積させることを含むバリア層堆積プロセスを実行して基板上にバリア層を堆積させるステップと、
湿潤層堆積プロセスを実行して前記バリア層に、PVDコバルト(Co)、CVDコバルト(Co)、酸化されていないチタン(Ti)又は酸化されていない窒化チタン(TiN)の湿潤層を堆積させるステップと、
前記湿潤層上でアニールプロセスを約200℃から約500℃の間の温度で約30秒から約90秒の間の期間に対して実行するステップと、
周期的金属堆積プロセスを実行してシリコン含有基板上に形成された開口にゲート電極の少なくとも一部を堆積させるステップと、
を備え、
前記ゲート電極の少なくとも一部は、金属含有層に隣接するコバルト接触金属を含み、
前記周期的金属堆積プロセスは、
堆積前駆体混合ガスに前記基板を露出させて、前記基板上に前記コバルト接触金属の一部分を堆積させるステップ、
前記コバルト接触金属の前記一部分をプラズマ処理プロセス又は熱処理プロセスに露出させるステップ、および
所定の厚さの前記コバルト接触金属が実現されるまで、堆積前駆体混合ガスに前記基板を露出させる前記ステップおよび前記コバルト接触金属の前記一部分をプラズマ処理プロセス又は熱処理プロセスに露出させる前記ステップを繰り返すステップを含み、
前記方法は、更に、前記基板上に配置された前記コバルト接触金属の前記一部分をアニールするステップを含む、方法。 - バリア層堆積プロセスを実行することは、ALD窒化チタン(TiN)湿潤層を堆積させることを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記基板上に配置される前記コバルト接触金属をアニールすることは、約400℃の温度で不活性ガス及び水素(H2)ガスがチャンバ内に流される間の30秒から90秒の間に行われる、請求項17に記載の方法。
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US9997405B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Feature fill with nucleation inhibition |
US10014179B2 (en) * | 2015-02-13 | 2018-07-03 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming cobalt-copper selective fill for an interconnect |
US11384432B2 (en) * | 2015-04-22 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with funnel-shaped gas dispersion channel and gas distribution plate |
US10170320B2 (en) | 2015-05-18 | 2019-01-01 | Lam Research Corporation | Feature fill with multi-stage nucleation inhibition |
US9472502B1 (en) * | 2015-07-14 | 2016-10-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Cobalt interconnect techniques |
US9972504B2 (en) | 2015-08-07 | 2018-05-15 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching of tungsten for enhanced tungsten deposition fill |
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KR20180097179A (ko) * | 2016-01-21 | 2018-08-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 실리콘 관통 비아들의 도금의 프로세스 및 케미스트리 |
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TWI729457B (zh) * | 2016-06-14 | 2021-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 金屬及含金屬化合物之氧化體積膨脹 |
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US10600685B2 (en) * | 2016-11-27 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | Methods to fill high aspect ratio features on semiconductor substrates with MOCVD cobalt film |
KR102654482B1 (ko) | 2016-12-06 | 2024-04-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20180068595A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
US10128151B2 (en) | 2016-12-16 | 2018-11-13 | Globalfoundries Inc. | Devices and methods of cobalt fill metallization |
US10211099B2 (en) | 2016-12-19 | 2019-02-19 | Lam Research Corporation | Chamber conditioning for remote plasma process |
US10177030B2 (en) | 2017-01-11 | 2019-01-08 | International Business Machines Corporation | Cobalt contact and interconnect structures |
CN106929821B (zh) * | 2017-01-17 | 2019-12-20 | 复旦大学 | 一种金属含量可调的金属氮化物薄膜的制备方法及反应器 |
TWI758398B (zh) * | 2017-01-24 | 2022-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於在基板上形成鈷層的方法 |
KR101914038B1 (ko) * | 2017-02-02 | 2018-11-01 | 주식회사 에이치피에스피 | 3차원 플래시 메모리 소자의 제조방법 |
JP6586433B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2019-10-02 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、基板処理装置、プログラム |
KR20230162158A (ko) | 2017-03-31 | 2023-11-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고종횡비 트렌치들을 비정질 실리콘 막으로 갭충전하기 위한 2-단계 프로세스 |
US10483102B2 (en) | 2017-04-07 | 2019-11-19 | Applied Materials, Inc. | Surface modification to improve amorphous silicon gapfill |
US10242879B2 (en) | 2017-04-20 | 2019-03-26 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for forming smooth and conformal cobalt film by atomic layer deposition |
KR102271729B1 (ko) * | 2017-04-24 | 2021-06-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고 종횡비 구조들에서의 갭충전을 위한 방법들 |
US10622214B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
WO2019036157A1 (en) | 2017-08-18 | 2019-02-21 | Applied Materials, Inc. | HIGH PRESSURE AND HIGH TEMPERATURE RECOVERY CHAMBER |
US10276411B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
US10304732B2 (en) | 2017-09-21 | 2019-05-28 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for filling substrate features with cobalt |
EP4321649A3 (en) | 2017-11-11 | 2024-05-15 | Micromaterials LLC | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
CN111432920A (zh) | 2017-11-17 | 2020-07-17 | 应用材料公司 | 用于高压处理系统的冷凝器系统 |
CN111699430B (zh) * | 2018-01-29 | 2022-07-22 | 应用材料公司 | 用于光学器件增强的润湿层 |
US10204828B1 (en) | 2018-02-09 | 2019-02-12 | International Business Machines Corporation | Enabling low resistance gates and contacts integrated with bilayer dielectrics |
SG11202008256WA (en) | 2018-03-09 | 2020-09-29 | Applied Materials Inc | High pressure annealing process for metal containing materials |
US10950429B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom |
WO2019222320A1 (en) * | 2018-05-16 | 2019-11-21 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer self aligned substrate processing and integrated toolset |
TWI740046B (zh) * | 2018-05-28 | 2021-09-21 | 國立清華大學 | 原子層沉積方法及鈷金屬膜 |
US10748783B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
SG11202101349SA (en) * | 2018-09-26 | 2021-04-29 | Applied Materials Inc | Gas distribution assemblies and operation thereof |
US11424132B2 (en) * | 2018-11-03 | 2022-08-23 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for controlling contact resistance in cobalt-titanium structures |
US20200144056A1 (en) * | 2018-11-03 | 2020-05-07 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a cobalt layer on a substrate |
WO2020118100A1 (en) | 2018-12-05 | 2020-06-11 | Lam Research Corporation | Void free low stress fill |
WO2020117462A1 (en) | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
US11355391B2 (en) * | 2019-03-18 | 2022-06-07 | Applied Materials, Inc. | Method for forming a metal gapfill |
US10961624B2 (en) * | 2019-04-02 | 2021-03-30 | Gelest Technologies, Inc. | Process for pulsed thin film deposition |
KR20200124351A (ko) * | 2019-04-23 | 2020-11-03 | 삼성전자주식회사 | 코발트 전구체, 이를 이용한 코발트 함유막의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
CN112563143B (zh) * | 2019-09-25 | 2022-03-22 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构制造方法 |
US11101174B2 (en) | 2019-10-15 | 2021-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gap fill deposition process |
KR20220084385A (ko) | 2019-10-21 | 2022-06-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 층들을 증착하는 방법 |
JP7460771B2 (ja) * | 2019-12-30 | 2024-04-02 | インテグリス・インコーポレーテッド | フッ化マグネシウム領域が形成させる金属体 |
US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
WO2021186562A1 (ja) * | 2020-03-17 | 2021-09-23 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP2021167466A (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated | バリア層のないインシトゥタングステン堆積 |
US11955370B2 (en) * | 2020-04-28 | 2024-04-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor devices and methods of manufacture |
US20220165852A1 (en) * | 2020-11-23 | 2022-05-26 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for metal fill in metal gate stack |
CN113078102B (zh) * | 2021-03-24 | 2022-04-29 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的制备方法 |
Family Cites Families (92)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6482262B1 (en) | 1959-10-10 | 2002-11-19 | Asm Microchemistry Oy | Deposition of transition metal carbides |
US4589193A (en) | 1984-06-29 | 1986-05-20 | International Business Machines Corporation | Metal silicide channel stoppers for integrated circuits and method for making the same |
US5918149A (en) * | 1996-02-16 | 1999-06-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Deposition of a conductor in a via hole or trench |
US5888888A (en) | 1997-01-29 | 1999-03-30 | Ultratech Stepper, Inc. | Method for forming a silicide region on a silicon body |
KR100261017B1 (ko) | 1997-08-19 | 2000-08-01 | 윤종용 | 반도체 장치의 금속 배선층을 형성하는 방법 |
US6348376B2 (en) | 1997-09-29 | 2002-02-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming metal nitride film by chemical vapor deposition and method of forming metal contact and capacitor of semiconductor device using the same |
KR100275727B1 (ko) | 1998-01-06 | 2001-01-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 커패시터 형성방법 |
JP3955386B2 (ja) | 1998-04-09 | 2007-08-08 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100319888B1 (ko) | 1998-06-16 | 2002-01-10 | 윤종용 | 선택적 금속층 형성방법, 이를 이용한 커패시터 형성 및 콘택홀 매립방법 |
KR100287180B1 (ko) | 1998-09-17 | 2001-04-16 | 윤종용 | 계면 조절층을 이용하여 금속 배선층을 형성하는 반도체 소자의 제조 방법 |
KR100327328B1 (ko) | 1998-10-13 | 2002-05-09 | 윤종용 | 부분적으로다른두께를갖는커패시터의유전막형성방버뵤 |
KR100331544B1 (ko) | 1999-01-18 | 2002-04-06 | 윤종용 | 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드 |
US6200893B1 (en) | 1999-03-11 | 2001-03-13 | Genus, Inc | Radical-assisted sequential CVD |
US6305314B1 (en) | 1999-03-11 | 2001-10-23 | Genvs, Inc. | Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition |
JP4237332B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2009-03-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2000340671A (ja) | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US6511539B1 (en) | 1999-09-08 | 2003-01-28 | Asm America, Inc. | Apparatus and method for growth of a thin film |
FI117942B (fi) | 1999-10-14 | 2007-04-30 | Asm Int | Menetelmä oksidiohutkalvojen kasvattamiseksi |
KR100304714B1 (ko) | 1999-10-20 | 2001-11-02 | 윤종용 | 금속 할로겐 가스를 사용한 반도체 소자의 금속 박막 형성방법 |
US6344419B1 (en) | 1999-12-03 | 2002-02-05 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-mode RF bias for sidewall coverage improvement |
US6969448B1 (en) * | 1999-12-30 | 2005-11-29 | Cypress Semiconductor Corp. | Method for forming a metallization structure in an integrated circuit |
FI20000099A0 (fi) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | Asm Microchemistry Ltd | Menetelmä metalliohutkalvojen kasvattamiseksi |
US6277249B1 (en) | 2000-01-21 | 2001-08-21 | Applied Materials Inc. | Integrated process for copper via filling using a magnetron and target producing highly energetic ions |
US6251242B1 (en) | 2000-01-21 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Magnetron and target producing an extended plasma region in a sputter reactor |
EP1266054B1 (en) | 2000-03-07 | 2006-12-20 | Asm International N.V. | Graded thin films |
FI117979B (fi) | 2000-04-14 | 2007-05-15 | Asm Int | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
KR100363088B1 (ko) | 2000-04-20 | 2002-12-02 | 삼성전자 주식회사 | 원자층 증착방법을 이용한 장벽 금속막의 제조방법 |
US6482733B2 (en) | 2000-05-15 | 2002-11-19 | Asm Microchemistry Oy | Protective layers prior to alternating layer deposition |
US6482740B2 (en) | 2000-05-15 | 2002-11-19 | Asm Microchemistry Oy | Method of growing electrical conductors by reducing metal oxide film with organic compound containing -OH, -CHO, or -COOH |
US6620723B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
US7964505B2 (en) * | 2005-01-19 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tungsten materials |
US6551929B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques |
US6585823B1 (en) | 2000-07-07 | 2003-07-01 | Asm International, N.V. | Atomic layer deposition |
US6403478B1 (en) * | 2000-08-31 | 2002-06-11 | Chartered Semiconductor Manufacturing Company | Low pre-heat pressure CVD TiN process |
US6660660B2 (en) | 2000-10-10 | 2003-12-09 | Asm International, Nv. | Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit |
US6428859B1 (en) | 2000-12-06 | 2002-08-06 | Angstron Systems, Inc. | Sequential method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD) |
KR100385947B1 (ko) | 2000-12-06 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 방법에 의한 박막 형성 방법 |
US6416822B1 (en) | 2000-12-06 | 2002-07-09 | Angstrom Systems, Inc. | Continuous method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD) |
US6630201B2 (en) | 2001-04-05 | 2003-10-07 | Angstron Systems, Inc. | Adsorption process for atomic layer deposition |
US6464779B1 (en) | 2001-01-19 | 2002-10-15 | Novellus Systems, Inc. | Copper atomic layer chemical vapor desposition |
KR100433846B1 (ko) | 2001-05-23 | 2004-06-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 금속도전막 형성방법 |
US9051641B2 (en) * | 2001-07-25 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Cobalt deposition on barrier surfaces |
US8110489B2 (en) * | 2001-07-25 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Process for forming cobalt-containing materials |
US6607976B2 (en) | 2001-09-25 | 2003-08-19 | Applied Materials, Inc. | Copper interconnect barrier layer structure and formation method |
US20030059538A1 (en) | 2001-09-26 | 2003-03-27 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
US6620956B2 (en) | 2001-11-16 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen analogs of copper II β-diketonates as source reagents for semiconductor processing |
US6939801B2 (en) | 2001-12-21 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material |
US6620670B2 (en) | 2002-01-18 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3 |
US7279432B2 (en) * | 2002-04-16 | 2007-10-09 | Applied Materials, Inc. | System and method for forming an integrated barrier layer |
US7264846B2 (en) | 2002-06-04 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Ruthenium layer formation for copper film deposition |
US7404985B2 (en) | 2002-06-04 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Noble metal layer formation for copper film deposition |
US7910165B2 (en) * | 2002-06-04 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Ruthenium layer formation for copper film deposition |
US6657304B1 (en) * | 2002-06-06 | 2003-12-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Conformal barrier liner in an integrated circuit interconnect |
US6825115B1 (en) | 2003-01-14 | 2004-11-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Post silicide laser thermal annealing to avoid dopant deactivation |
US6867130B1 (en) | 2003-05-28 | 2005-03-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Enhanced silicidation of polysilicon gate electrodes |
KR100539274B1 (ko) * | 2003-07-15 | 2005-12-27 | 삼성전자주식회사 | 코발트 막 증착 방법 |
US7029966B2 (en) | 2003-09-18 | 2006-04-18 | International Business Machines Corporation | Process options of forming silicided metal gates for advanced CMOS devices |
US6867152B1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-03-15 | Novellus Systems, Inc. | Properties of a silica thin film produced by a rapid vapor deposition (RVD) process |
US7109087B2 (en) | 2003-10-03 | 2006-09-19 | Applied Materials, Inc. | Absorber layer for DSA processing |
US6897118B1 (en) | 2004-02-11 | 2005-05-24 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method of multiple pulse laser annealing to activate ultra-shallow junctions |
US7078302B2 (en) | 2004-02-23 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Gate electrode dopant activation method for semiconductor manufacturing including a laser anneal |
US7439168B2 (en) | 2004-10-12 | 2008-10-21 | Dcg Systems, Inc | Apparatus and method of forming silicide in a localized manner |
US20060091493A1 (en) | 2004-11-01 | 2006-05-04 | Silicon-Based Technology Corp. | LOCOS Schottky barrier contact structure and its manufacturing method |
US7235472B2 (en) | 2004-11-12 | 2007-06-26 | Infineon Technologies Ag | Method of making fully silicided gate electrode |
US7429402B2 (en) * | 2004-12-10 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition |
US20070087573A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-04-19 | Yi-Yiing Chiang | Pre-treatment method for physical vapor deposition of metal layer and method of forming metal silicide layer |
US7432200B2 (en) * | 2005-12-15 | 2008-10-07 | Intel Corporation | Filling narrow and high aspect ratio openings using electroless deposition |
US7520969B2 (en) | 2006-03-07 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Notched deposition ring |
TW200746268A (en) * | 2006-04-11 | 2007-12-16 | Applied Materials Inc | Process for forming cobalt-containing materials |
US7521379B2 (en) * | 2006-10-09 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition and densification process for titanium nitride barrier layers |
US20080132050A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-05 | Lavoie Adrien R | Deposition process for graded cobalt barrier layers |
US7843063B2 (en) * | 2008-02-14 | 2010-11-30 | International Business Machines Corporation | Microstructure modification in copper interconnect structure |
KR20090103058A (ko) | 2008-03-27 | 2009-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
US20090246952A1 (en) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a cobalt metal nitride barrier film |
US20090269507A1 (en) * | 2008-04-29 | 2009-10-29 | Sang-Ho Yu | Selective cobalt deposition on copper surfaces |
US8679970B2 (en) * | 2008-05-21 | 2014-03-25 | International Business Machines Corporation | Structure and process for conductive contact integration |
US8519541B2 (en) * | 2008-08-14 | 2013-08-27 | Macronix International Co., Ltd. | Semiconductor device having plural conductive layers disposed within dielectric layer |
JP2010080798A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法 |
US20100096253A1 (en) * | 2008-10-22 | 2010-04-22 | Applied Materials, Inc | Pvd cu seed overhang re-sputtering with enhanced cu ionization |
US20100102417A1 (en) * | 2008-10-27 | 2010-04-29 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition method for ternary compounds |
JP2010212452A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Tokyo Electron Ltd | Cu膜の成膜方法および記憶媒体 |
WO2011027834A1 (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-10 | 株式会社アルバック | Co膜の形成方法及びCu配線膜の形成方法 |
US8691687B2 (en) * | 2010-01-07 | 2014-04-08 | International Business Machines Corporation | Superfilled metal contact vias for semiconductor devices |
US20110204518A1 (en) * | 2010-02-23 | 2011-08-25 | Globalfoundries Inc. | Scalability with reduced contact resistance |
US9129945B2 (en) * | 2010-03-24 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Formation of liner and barrier for tungsten as gate electrode and as contact plug to reduce resistance and enhance device performance |
US9177917B2 (en) * | 2010-08-20 | 2015-11-03 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions |
JP2012089744A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
US8524600B2 (en) * | 2011-03-31 | 2013-09-03 | Applied Materials, Inc. | Post deposition treatments for CVD cobalt films |
US8637410B2 (en) * | 2011-04-08 | 2014-01-28 | Applied Materials, Inc. | Method for metal deposition using hydrogen plasma |
US8546227B2 (en) * | 2011-09-15 | 2013-10-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Contact for high-K metal gate device |
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