JP6932110B2 - 異方導電性フィルム及び接続構造体 - Google Patents

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Description

本発明は、異方導電性フィルム、異方導電性フィルムを用いる接続方法、及び異方導電性フィルムで接続された接続構造体に関する。
異方導電性フィルムは、ＩＣチップ等の電子部品を基板に実装する際に広く使用されている。近年では、携帯電話、ノートパソコン等の小型電子機器において配線の高密度化が求められており、この高密度化に異方導電性フィルムを対応させる手法として、異方導電性フィルムの絶縁接着剤層に導電粒子をマトリクス状に均等配置する技術が知られている。
しかしながら、導電粒子を均等配置しても接続抵抗がばらつくという問題が生じる。これは、端子の縁辺上に位置した導電粒子が絶縁性接着剤の溶融によりスペースに流れ出て、上下の端子で挟まれにくいためである。この問題に対しては、導電粒子の第１の配列方向を異方導電性フィルムの長手方向とし、第１の配列方向に交差する第２の配列方向を、異方導電性フィルムの長手方向に直交する方向に対して５°以上１５°以下で傾斜させることが提案されている（特許文献１）。
特許４８８７７００号公報
しかしながら、異方導電性フィルムで接続する電子部品のバンプサイズがさらに小さくなると、バンプで捕捉できる導電粒子の数もさらに少なくなり、特許文献１に記載の異方導電性フィルムでは導通信頼性を十分に得られない場合があった。特に、液晶画面等の制御用ＩＣをガラス基板上の透明電極に接続する、所謂ＣＯＧ接続では、液晶画面の高精細化に伴う多端子化とＩＣチップの小型化によりバンプサイズが小さくなり、バンプで捕捉できる導電粒子数を増加させて接続信頼性を高めることが課題となった。
そこで、本発明は、ＣＯＧ接続においても、異方導電性フィルムを用いて安定した接続信頼性を得られるようにすることを課題とする。
本発明者は、絶縁接着剤層上に導電粒子を格子状に配置した異方導電性フィルムにおいて、導電粒子の粒子間距離と配列方向に特定の関係をもたせると、高密度配線が必要とされるＣＯＧ接続においても、安定した接続信頼性で異方導電性接続を行えることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、絶縁接着剤層と、該絶縁接着剤層に格子状に配置された導電粒子を含む異方導電性フィルムであって、
任意の導電粒子と、該導電粒子に隣接する導電粒子との中心間距離につき、任意の導電粒子と最も短い距離を第１中心間距離とし、その次に短い距離を第２中心間距離とした場合に、
第１中心間距離及び第２中心間距離が、それぞれ導電粒子の粒子径の１．５〜５倍であり、
任意の導電粒子Ｐ0と、任意の導電粒子Ｐ0と第１中心間距離にある導電粒子Ｐ1と、任意の導電粒子Ｐ0と第１中心間距離又は第２中心間距離にある導電粒子Ｐ2で形成される鋭角三角形について、導電粒子Ｐ0、Ｐ1を通る直線の方向（以下、第１配列方向という）に対して直交する直線と、導電粒子Ｐ1、Ｐ2を通る直線の方向（以下、第２配列方向という）とがなす鋭角の角度α（以下、第２配列方向の傾斜角αともいう）が１８〜３５°である異方導電性フィルムを提供する。
また、本発明は、上述の異方導電性フィルムを用いて、第１電子部品の接続端子と第２電子部品の接続端子を異方導電性接続する接続方法であって、異方導電性フィルムの長手方向を第１電子部品又は第２電子部品の接続端子の短手方向に合わせる接続方法を提供し、特に異方導電性フィルムの第１配列方向に略直交する方向を第１電子部品又は第２電子部品の接続端子の長手方向に合わせる接続方法を提供する。
ここで、略直交するとは、第１配列方向に厳密に直交する方向だけでなく、異方導電性フィルムを用いて電子部品を実装する際に生じるずれの範囲を含む。通常、第１配列方向に直交する方向に対して、±３°が含まれる。
加えて、本発明は、上述の接続方法で第１電子部品と第２電子部品が異方導電性接続されている接続構造体を提供する。
本発明の異方導電性フィルムによれば、隣接する導電粒子の中心間距離につき、最短の中心間距離である第１中心間距離と、その次に短い中心間距離である第２中心間距離が導電粒子の粒子径の１．５〜５倍であるという高密度に導電粒子が配置され、かつ導電粒子が絶縁接着剤層に特定方向に格子状に配置されているため、隣接する端子間の短絡を抑制しつつ、高密度の配線を接続することができる。
さらに、本発明の異方導電性フィルムにおいて、導電粒子の第１配列方向に対して直交する直線と、第２配列方向とがなす鋭角の角度（第２配列方向の傾斜角α）が１８〜３５°であるため、異方導電性フィルムの第１配列方向に略直交する方向を接続端子の長手方向に合わせて異方導電性接続を行うことにより、接続端子で捕捉される導電粒子の数を増加させることが可能となり、本発明の異方導電性フィルムをＣＯＧ接続に使用する場合でも、安定した接続信頼性を得ることが可能となる。
図１は、実施例の異方導電性フィルムにおける導電粒子の配置図である。 図２は、異方導電性フィルムにおける導電粒子の配列方向と、接続端子の長手方向との好ましい向きの説明図である。 図３は、他の実施例の異方導電性フィルムにおける導電粒子の配列方向と、接続端子の長手方向との好ましい向きの説明図である。 図４は、実施例の異方導電性フィルムを用いた評価用接続物における導電粒子の配置の説明図である。 図５は、実施例及び比較例の異方導電性フィルムを用いた接続物におけるバンプ１個あたりの導電粒子捕捉数と頻度との関係図である。
以下、本発明を、図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例の異方導電性フィルム１Ａにおける導電粒子Ｐの配置図である。この異方導電性フィルム１Ａは、絶縁接着剤層１０と、絶縁接着剤層１０に格子状の配置で固定された導電粒子Ｐを有する。
この異方導電性フィルム１Ａでは、任意の導電粒子Ｐ0と、該導電粒子Ｐ0に隣接する導電粒子との中心間距離につき、最も短い距離を第１中心間距離ｄ1とし、その次に短い距離を第２中心間距離ｄ2とした場合に、導電粒子Ｐ0と第１中心間距離ｄ1にある導電粒子Ｐ1と、導電粒子Ｐ0と第２中心間距離にある導電粒子Ｐ2で形成される鋭角三角形Ｐ0Ｐ1Ｐ2について、導電粒子Ｐ0、Ｐ1とを通る第１配列方向Ｌ1に導電粒子がピッチｄ1で配列していると共に、導電粒子Ｐ1、Ｐ2を通る第２配列方向Ｌ2にも導電粒子が配列し、導電粒子Ｐ0、Ｐ2を通る第３配列方向Ｌ3には導電粒子がピッチｄ2で配列している。なお、本実施例では、第１配列方向Ｌ1における導電粒子のピッチｄ1よりも第３配列方向における導電粒子のピッチｄ2が大きいとしたが、これらのピッチは同じであってもよい。
導電粒子Ｐの粒子径Ｄは、短絡防止と電極間接合の安定性の点から、好ましくは１〜１０μｍである。
第１中心間距離ｄ1及び第２中心間距離ｄ2は、それぞれ導電粒子の粒子径Ｄの１．５〜５倍であり、好ましくは１．８〜４．５倍、より好ましくは２〜４倍である。第１中心間距離ｄ1及び第２中心間距離ｄ2が短すぎると異方導電性フィルムを用いて端子間を接続した場合に短絡が生じ易くなり、反対に長すぎると端子間に捕捉される導電粒子数が不十分となる。
また、第１中心間距離ｄ1と第２中心間距離ｄ2との差は、好ましくは導電粒子Ｐの粒子径Ｄの２倍未満、より好ましくは１．５倍未満、更に好ましくは等倍以下である。この差が大きすぎると、異方導電性フィルム１Ａを用いた異方導電性接続時のバンプへの捕捉性が悪化するためである。
導電粒子Ｐの密度は、好ましくは２０００〜２５００００個／ｍｍ2である。この粒子密度は、導電粒子Ｐの粒子径と配置方向によって適宜調整される。
導電粒子を所定の密度で格子状に配置した異方導電性フィルムを製造しようとしても、実際の製法上、格子位置から導電粒子が欠落する場合がある。導電粒子の格子位置からの欠落に関し、この異方導電性フィルム１Ａでは、第１配列方向Ｌ1及び第２配列方向Ｌ2のそれぞれについて、特に各配列方向Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3のそれぞれについて、連続した導電粒子Ｐの欠落数を、好ましくは６個以下、より好ましくは５個以下、更に好ましくは４個以下とする。また、任意の導電粒子の配置位置から第１配列方向に連続して１０個及び第２配列方向に連続して１０個の領域、即ち１０個×１０個（計１００個）の配置位置を抜き出した場合に、１００個の配置位置中、導電粒子を、好ましくは７５個以上、より好ましくは８０個以上、さらに好ましくは９０個以上、特に好ましくは９４個以上存在させる。
導電粒子の欠落をこのように抑制することにより、異方導電性フィルムを用いて方形のバンプを接続する際に、異方導電性フィルムのどの部分を使用しても、導通に十分な数の導電粒子をバンプに捕捉させやすくなり、ファインピッチの異方導電性接続に対応させることができる。
なお、導電粒子の欠落をこのように抑制する方法としては、後述するように絶縁接着剤層１０に導電粒子Ｐを配置する際に、型又は貫通孔を有する部材上で繰り返してワイプを行うことが好ましい。
また、この異方導電性フィルム１Ａにおいて、第２配列方向の傾斜角αは１８〜３５°である。上述の粒子径Ｄとピッチｄ1、ｄ2との関係において、第２配列方向の傾斜角αをこのように定めることにより、この異方導電性フィルム１Ａで矩形の接続端子（バンプ）を異方導電性接続する場合に、その異方導電性接続に使用する矩形領域を異方導電性フィルム１Ａのフィルム面内のどこで採っても、導通に寄与する導電粒子を十分な個数で確保することができる。
一般に、電子機器の生産ラインにおける異方導電性接続では、通常、接続端子３の短手方向が、異方導電性フィルム１Ａの長手方向に沿うように配置される。したがって、異方導電性フィルムの生産性の点からは、図２に示すように、矩形の接続端子３の長手方向Ｌtと、第１配列方向Ｌ1に直交する方向Ｌ0とを合わせること（即ち、接続端子３の短手方向と第１配列方向Ｌ1とを合わせること）が好ましい。言い換えると、第１配列方向Ｌ1を、異方導電性フィルム１Ａの長手方向Ｌfに略平行に形成すること、即ち、異方導電性フィルムの製造時に生じる導電粒子の配置のばらつきの範囲で導電粒子の第１配列方向Ｌ1を異方導電性フィルム１Ａの長手方向Ｌfと平行に形成することが望ましい。
一方、異方導電性接続時の接続端子における導電粒子の捕捉性を向上させる点からは、図３に示す異方導電性フィルム１Ｂのように、導電粒子Ｐの第１配列方向Ｌ1、第２配列方向Ｌ2、第３配列方向Ｌ3のいずれもが異方導電性フィルム１Ｂの長手方向に対して傾いていることが好ましい。特に、第１配列方向Ｌ1と異方導電性フィルム１Ｂの長手方向Ｌfとのなす鋭角の角度β（以下、傾斜角βともいう）が５〜２５°であることが好ましい。
なお、この異方導電性フィルム１Ｂは、導電粒子Ｐの第１配列方向Ｌ1が異方導電性フィルム１Ｂの長手方向Ｌfに対して傾いている以外は、前述の異方導電性フィルム１Ａと同様に構成されている。
ここで、異方導電性フィルムがよりファインピッチの端子接続に対応できるように導電粒子を密な状態に配置するため、後述する図４に示すように、異方導電性フィルム１Ｂの長手方向Ｌfに直交する方向の、導電粒子Ｐの外接線（二点鎖線）が、その導電粒子Ｐに隣接する導電粒子Ｐc、Ｐeを貫いてもよい。これにより、接続端子３の端子面に異方導電性フィルム１Ｂを重ねた平面図において、接続端子３の接続面に占める導電粒子の面積をより大きくすることができる。よって、異方導電性接続時に対向する接続端子３間で挟持されて接続端子３に押し込まれ、接続端子３間を導通させる導電粒子Ｐの数が不十分になることを防止することができる。
本発明の異方導電性フィルムは、導電粒子の配置を上述のようにする限り、導電粒子Ｐ自体の構成や、絶縁接着剤層１０の層構成又は構成樹脂については、種々の態様をとることができる。
即ち、導電粒子Ｐとしては、公知の異方導電性フィルムに用いられているものの中から適宜選択して使用することができる。例えば、ニッケル、コバルト、銀、銅、金、パラジウムなどの金属粒子、金属被覆樹脂粒子などが挙げられる。２種以上を併用することもできる。
絶縁接着剤層１０としては、公知の異方導電性フィルムで使用される絶縁性樹脂層を適宜採用することができる。例えば、アクリレート化合物と光ラジカル重合開始剤とを含む光ラジカル重合型樹脂層、アクリレート化合物と熱ラジカル重合開始剤とを含む熱ラジカル重合型樹脂層、エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤とを含む熱カチオン重合型樹脂層、エポキシ化合物と熱アニオン重合開始剤とを含む熱アニオン重合型樹脂層等を使用することができる。また、これらの樹脂層は、必要に応じて、それぞれ重合したものとすることができる。また、絶縁接着剤層１０を、複数の樹脂層から形成してもよい。
さらに、絶縁接着剤層１０には、必要に応じてシリカ微粒子、アルミナ、水酸化アルミ等の絶縁性フィラーを加えても良い。絶縁性フィラーの配合量は、絶縁接着剤層を形成する樹脂１００質量部に対して３〜４０質量部とすることが好ましい。これにより、異方導電性接続時に絶縁接着剤層１０が溶融しても、溶融した樹脂で導電粒子２が不用に移動することを抑制することができる。
絶縁接着剤層１０に導電粒子Ｐを上述の配置で固定する方法としては、導電粒子Ｐの配置に対応した凹みを有する型を機械加工やレーザー加工、フォトリソグラフィなど公知の方法で作製し、その型に導電粒子を入れ、その上に絶縁接着剤層形成用組成物を充填し、硬化させ、型から取り出せばよい。このような型から、更に剛性の低い材質で型を作成しても良い。
また、絶縁接着剤層１０に導電粒子Ｐを上述の配置におくために、絶縁接着剤層形成組
成物層の上に、貫通孔が所定の配置で形成されている部材を設け、その上から導電粒子Ｐ
を供給し、貫通孔を通過させるなどの方法でもよい。
本発明の異方導電性フィルム１Ａ、１Ｂを用いて、フレキシブル基板、ガラス基板などの第１電子部品の接続端子と、ＩＣチップ、ＩＣモジュールなどの第２電子部品の接続端子を異方導電性接続する場合、図２、図３に示したように、異方導電性フィルム１Ａ、１Ｂの長手方向Ｌfと、第１電子部品又は第２電子部品の接続端子３の短手方向を合わせる。これにより、本発明の異方導電性フィルム１Ａ、１Ｂにおける導電粒子Ｐの配置を活かして、接続端子における導電粒子Ｐの捕捉数を十分に高めることができ、特に、導電粒子Ｐのいずれの配列方向も異方導電性フィルムの長手方向Ｌfに対して傾いている異方導電性フィルム１Ｂを用いる場合に、接続端子３における導電粒子Ｐの捕捉性を顕著に高めることができる。
例えば、第１電子部品として、透明電極で接続端子が形成されたガラス基板等を使用し、第２電子部品として、ＩＣチップ等を使用して高密度配線のＣＯＧ接続を行う場合、より具体的には、これらの接続端子の接続面の大きさが、幅８〜６０μｍ、長さ４００μｍ以下（下限は幅と等倍）である場合、又は接続端子の接続面の短手方向の幅が導電粒子の粒子径の７倍未満である場合に、特に、従前の異方導電性接続に比して接続端子で捕捉できる導電粒子数が安定して増加し、接続信頼性を向上させることができる。なお、接続端子面の短手方向の幅がこれより小さいと接続不良が多発し、大きいとＣＯＧ接続で必要とされる高密度実装への対応が難しくなる。また、接続端子面の長さがこれより短いと安定した導通をとりにくくなり、長さがこれよりも長いと片当たりの要因となる。一方、接続端子間の最小距離は、接続端子の接続面の短手方向の幅に準じて定まり、例えば、８〜３０μｍとすることができる。
また本発明の異方導電性フィルムで接続可能なファインピッチの端子においては、互いに接続する対向する端子を含めた端子の並列方向において、間隙をあけて隣接する最小端子間距離（この距離は、異方性接続が可能な範囲で並列方向にずれていてもよい）を導電粒子径の４倍未満とすることができる。この場合、接続される端子の接続面の短手方向の幅は、導電粒子の粒子径の７倍未満とすることができる。
本発明は、こうして異方導電性接続した第１電子部品と第２電子部品の接続構造体も包含する。
以下、実施例に基づき、本発明を具体的に説明する。
試験例１
異方導電性フィルムにおける導電粒子Ｐ（粒子径Ｄ＝４μｍ）の配置について、第１中心間距離ｄ1＝第２中心間距離ｄ2＝１０μｍとし、表１に示すように傾斜角αを変えた場合に、電極サイズ１５μｍ×１００μｍの狭小のバンプを異方導電性フィルムのパターンに重ねることによって、加熱加圧前のバンプが捕捉し得る導電粒子の最多粒子数と最少粒子数とを求めた。この場合、異方導電性フィルムの長手方向とバンプの短手方向を合わせた。また、バンプの縁端部に対してその面積の５０％以上が外れている粒子は、バンプが捕捉し得る導電粒子としてカウントしなかった。
この結果から、傾斜角αとバンプの粒子捕捉性の傾向をみることができる。結果を表１に示す。
Figure 0006932110
表１から、傾斜角αが１８〜３５°の場合に、バンプで捕捉される粒子数の最小数および最大数の差が少なく安定しており、狭いバンプに有効なことがわかる。
これに対し、傾斜角αが小さすぎると、捕捉数の差が大きくなる。これは傾斜角が小さすぎることにより、粒子配列の、バンプの端部へのかかり具合が捕捉数に直接影響するためである。逆に傾斜角αが大きすぎても同様な現象が生じ、バンプから外れる粒子が多くなる傾向がある。
このように狭小のバンプに対して、導電性を安定に保つために捕捉効率を一定にする場合、傾斜角αを適切に保つことが必要になることが分かる。
実施例１〜８、比較例１〜５
次に、導電粒子の粒子間の距離と傾斜角αとの関係を具体的に検証するために、表２に示す樹脂を使用し、導電粒子(積水化学工業(株)、ＡＵＬ７０４、粒径４μｍ)が表２に示す配置となる異方導電性フィルムを次のようにして製造した。即ち、表２に示す組成で熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び潜在性硬化剤を含む絶縁性樹脂の混合溶液を調製し、それを、フィルム厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム上に塗布し、８０℃のオーブンにて５分間乾燥させ、ＰＥＴフィルム上に厚み２０μｍの粘着層を形成した。
一方、表２に示す配置で凸部の配列パターンを有する金型を作成し、公知の透明性樹脂のペレットを溶融させた状態で該金型に流し込み、冷やして固めることで、凹部が表２に示す配列パターンの樹脂型を形成した。この樹脂型の凹部に導電粒子を充填し、その上に上述の絶縁性樹脂の粘着層を被せ、紫外線硬化により該絶縁性樹脂に含まれる熱硬化性樹脂を硬化させた。そして、型から絶縁性樹脂を剥離し、各実施例及び比較例の異方導電性フィルムを製造した。
実施例９〜１３、比較例６、７
導電粒子を表３に示した配置とする以外は、上述の実施例及び比較例と同様にして実施例９〜１３、比較例６、７の異方導電性フィルムを製造した。
ここで、比較例７は四方格子、実施例３、９〜１３は六方格子の形状となる。
なお、比較例１、比較例６では導電粒子を、低沸点溶媒に分散し噴霧してランダムに同一平面上に配置した。
導電粒子の隣接粒子中心間距離ｄ（第１中心間距離ｄ1及び第２中心間距離ｄ2）を、光学顕微鏡を用いて計測して確認した。この場合、第１配列方向又は第２配列方向にある１００個５０組を任意に計測し、その平均値を求め、所期の隣接粒子中心間距離ｄであることを確認した。結果を表２に示す。
一方、比較例１、６は任意に導電粒子１００個を選択し、各導電粒子の最近接粒子中心間距離を計測した。
評価
各実施例及び比較例の異方導電性フィルムの(a)粒子捕捉数、(b)初期導通抵抗、(c)導通信頼性、(d)ショート発生率を、それぞれ次のように評価した。結果を表２、表３に示す。
(a)粒子捕捉数
(a-1)平均数
各実施例及び比較例の異方導電性フィルムを用いて１５×１００μｍのバンプ１００個とガラス基板とを加熱加圧（１８０℃、８０ＭＰａ、５秒）して接続物を得た。この場合、異方導電性フィルムの長手方向とバンプの短手方向を合わせた。そして、各バンプにおける粒子捕捉数を計測し、バンプ１個当たりの平均粒子捕捉数を求めた。
(a-2)最小数
(a-1)で計測した各バンプの粒子捕捉数のうち、最小数を求めた。
(b)初期導通抵抗
各実施例及び比較例の異方導電性フィルムを、初期導通および導通信頼性の評価用ＩＣとガラス基板の間に挟み、加熱加圧（１８０℃、８０ＭＰａ、５秒）して各評価用接続物を得た。この場合、異方導電性フィルムの長手方向とバンプの短手方向を合わせた。そして、評価用接続物の導通抵抗を測定した。
ここで、この各評価用ＩＣとガラス基板は、それらの端子パターンが対応しており、サイズは次の通りである。
初期導通および導通信頼性の評価用ＩＣ
外径 ０．７×２０ｍｍ
厚み ０．２ｍｍ
バンプ仕様 金メッキ、高さ１２μｍ、サイズ１５×１００μｍ、バンプ間距離１５μｍ
ガラス基板
ガラス材質 コーニング社製
外径 ３０×５０ｍｍ
厚み ０．５ｍｍ
電極 ＩＴＯ配線
(c)導通信頼性
(b)の評価用ＩＣと各実施例及び比較例の異方導電性フィルムとの評価用接続物を温度８５℃、湿度８５％ＲＨの恒温槽に５００時間おいた後の導通抵抗を、(b)と同様に測定した。なお、この導通抵抗が５Ω以上であると、接続した電子部品の実用的な導通安定性の点から好ましくない。
(d)ショート発生率
ショート発生率の評価用ＩＣとして次のＩＣ（7.5μｍスペースの櫛歯ＴＥＧ(test element group)）を用意した。
外径 １．５×１３ｍｍ
厚み ０．５ｍｍ
バンプ仕様 金メッキ、高さ１５μｍ、サイズ２５×１４０μｍ、バンプ間距離７．５μｍ
各実施例及び比較例の異方導電性フィルムを、ショート発生率の評価用ＩＣと、該評価用ＩＣに対応したパターンのガラス基板との間に挟み、(b)と同様の接続条件で加熱加圧して接続物を得、その接続物のショート発生率を求めた。ショート発生率は、「ショートの発生数/７．５μｍスペース総数」で算出される。ショート発生率が１ｐｐｍ以上であると実用上の接続構造体を製造する点から好ましくない。
Figure 0006932110
Figure 0006932110
表２から、導電粒子の傾斜角αが１８〜３５°であると、初期導通抵抗が低く、導通信頼性も高く、ショート発生率も抑制されており、粒子径の４倍程度の端子幅の高密度配線に対応した異方導電性接続を行えることがわかる。
これに対し、比較例１では、粒子密度が過度に高いために絶縁性が悪く、また、比較例２〜比較例５では、傾斜角αが１８〜３５°の範囲を外れており、バンプにおける粒子捕捉数が少なく、導通信頼性に欠けることがわかる。
また、表３から、導電粒子の各配列方向が異方導電性フィルムの長手方向に傾いている実施例９〜１３も導通信頼性に優れ、ショート発生率が低減していることがわかる。これらの実施例９〜１３の異方導電性フィルムを用いて、初期導通及び導通信頼性の評価用ＩＣとガラス基板とを接続した評価用接続物を観察したところ、図４に示す導電粒子の配置のように、バンプ３の長手方向Ｌｔの、導電粒子Ｐの外接線（二点鎖線）と、その導電粒子Ｐと隣接する導電粒子Ｐc、Ｐeとがオーバーラップし、その外接線が導電粒子Ｐc、Ｐeを貫いていた。これにより、バンプ３の幅がさらに狭くなっても、導通をとるのに十分な数の導電粒子を捕捉できることが確認できた。
また、比較例７と実施例９〜１３の異方導電性フィルムを用いた評価用接続物の外観を比較すると、実施例９〜１３の異方導電性フィルムを用いた評価用接続物では、バンプ３の幅方向の中央部にある導電粒子Ｐcと、バンプ３の縁辺上にある導電粒子Ｐeとの圧痕状態の差が、比較例７の異方導電性フィルムを用いた評価用接続物よりも少なかった。これにより、実施例の異方導電性フィルムを用いると、より均一な圧着を実現できることがわかる。なお、バンプ面積が狭いことにより、必ずしも、一つのバンプ３において縁辺上と幅方向の中央部の双方で導電粒子が捕捉されているとは限らないので、多数並列しているバンプのいずれかにおいて縁辺で捕捉されている導電粒子と幅方向の中央部で捕捉されている導電粒子を観察することにより上述の結果を得た。
実施例１４〜１９
実施例３、９〜１３において、導電粒子粒子径Ｄを４μｍから３μｍに変更し、隣接粒子間中心距離を６μｍ（即ち、（ｄ-Ｄ）／Ｄ＝１）、配置密度２８０００個／ｍｍ2として実施例１４〜１９の異方導電性フィルムを製造し、同様に評価した。その結果、これらについても、実施例３及び９〜１３とほぼ同様の初期導通抵抗の低さと、導通信頼性の高さと、ショート発生率抑制効果が得られた。また、これらの評価用接続物におけるバンプの縁辺上にある導電粒子と、幅方向の中央部にある導電粒子の圧痕状態についても、実施例９〜１３と同様であった。
さらに、実施例１４と比較例１で作製した粒子個数密度６００００個／ｍｍ2の異方導電性フィルムについて、バンプ面積７００μｍ2（バンプサイズ１４μｍ×５０μｍ、バンプ間距離１４μｍ）のバンプを持つＩＣを使用し、実施例１の粒子捕捉数の計測の場合と同様に接続し、バンプ１個に捕捉される導電粒子の頻度を調べた。結果を図５に示す。
図５から、比較例１に対して実施例１４ではバンプ１個あたりの導電粒子捕捉数が９個付近で急激に出現頻度が増えており、バンプ１個あたりの導電粒子捕捉数が安定することがわかる。
実施例２０〜２５
実施例３、９〜１３において、導電粒子粒子径Ｄを４μｍのまま、隣接粒子間中心距離を７μｍ（（ｄ-Ｄ）／Ｄ＝０．７５、配置密度２００００個／ｍｍ2）とした実施例２０〜２５の異方導電性フィルムを製造し、同様に評価した。その結果、これらについても、実施例３、９〜１３とほぼ同様の初期導通抵抗の低さと、導通信頼性の高さと、ショート発生率の抑制効果が得られた。また、これらの評価用接続物におけるバンプの縁辺上にある導電粒子と、幅方向の中央部にある導電粒子の圧痕状態についても、実施例９〜１３と同様であった。
実施例２６〜３１
実施例３、９〜１３において、導電粒子粒子径Ｄを４μｍのまま、隣接粒子間中心距離を１６μｍ（（ｄ-Ｄ）／Ｄ＝３、配置密度４０００個／ｍｍ2）とした実施例２６〜３１の異方導電性フィルムを製造し、同様に評価した。その結果、これらについては、実施例３、９〜１３よりも初期導通抵抗は高くなったが、実用上の問題はなかった。導通信頼性の高さとショート発生率の抑制効果は、実施例３、９〜１３と同様であった。これは、実施例２６〜３１の異方導電性フィルムは、導電粒子の配置密度が低いためと考えられる。
評価用接続物におけるバンプの縁辺上にある導電粒子と、幅方向の中央部にある導電粒子の圧痕状態は、実施例９〜１３と同様であった。
実施例３２〜３３
実施例５、７において絶縁性樹脂１００質量部にシリカ微粒子フィラー（シリカ微粒子、アエロジルＲＹ２００、日本アエロジル株式会社）２０質量部を加え、実施例５、７と同様にして異方導電性フィルムを製造し、評価した。その結果、実施例５、７と同様の初期導通抵抗の低さと、導通信頼性の高さと、ショート発生率抑制効果が得られた。
１Ａ、１Ｂ 異方導電性フィルム
３ 接続端子又はバンプ
１０ 絶縁接着剤層
Ｌ0 第１配列方向に直交する方向
Ｌ1 第１配列方向
Ｌ2 第２配列方向
Ｌ3 第３配列方向
Ｌf 異方導電性フィルムの長手方向
Ｌt 接続端子の長手方向
ｄ1 第１中心間距離、ピッチ
ｄ2 第２中心間距離、ピッチ
Ｄ 導電粒子の粒子径
Ｐ、Ｐ0、Ｐ1、Ｐ2、Ｐc、Ｐe 導電粒子
α 傾斜角
β 傾斜角

Claims (14)

  1. 絶縁接着剤層と、該絶縁接着剤層に格子状に配置された導電粒子を含む異方導電性フィルムであって、
    任意の導電粒子と、該導電粒子に隣接する導電粒子との中心間距離につき、任意の導電粒子と最も短い距離を第１中心間距離とし、その次に短い距離を第２中心間距離とした場合に、
    第１中心間距離及び第２中心間距離が、それぞれ導電粒子の粒子径の１．５〜５倍であり、
    任意の導電粒子Ｐ０と、任意の導電粒子Ｐ０と第１中心間距離にある導電粒子Ｐ１と、任意の導電粒子Ｐ０と第１中心間距離又は第２中心間距離にある導電粒子Ｐ２で形成される鋭角三角形について、導電粒子Ｐ０、Ｐ１を通る直線の方向（以下、第１配列方向という）に対して直交する直線と、導電粒子Ｐ１、Ｐ２を通る直線の方向（以下、第２配列方向という）とがなす角度αが１８〜３５°であり、
    第１配列方向とフィルム長手方向とが平行であり、
    前記絶縁接着剤層は、当該絶縁接着剤層を形成する樹脂１００質量部に対し絶縁性フィラーを３〜４０質量部含有する異方導電性フィルム。
  2. 絶縁接着剤層が、アクリレート化合物と光又は熱ラジカル重合開始剤とを含む光又は熱ラジカル重合型樹脂層、又はエポキシ化合物と熱カチオン又は熱アニオン重合開始剤とを含む熱カチオン又はアニオン重合型樹脂層である請求項１記載の異方導電性フィルム。
  3. 絶縁性フィラーが、シリカ微粒子、アルミナ又は水酸化アルミニウムを含有する請求項１又は２記載の異方導電性フィルム。
  4. 第１中心間距離と第２中心間距離との差が導電粒子の粒子径の２倍未満である請求項１〜３のいずれかに記載の異方導電性フィルム。
  5. 導電粒子の個数密度が２０００〜２５００００個／ｍｍ2である請求項１〜４のいずれかに記載の異方導電性フィルム。
  6. 第１配列方向及び第２配列方向のそれぞれについて、導電粒子の連続した欠落数が６個以下である請求項１〜５のいずれかに記載の異方導電性フィルム。
  7. 導電粒子が、金属粒子又は金属被覆樹脂粒子である請求項１〜６のいずれかに記載の異方導電性フィルム。
  8. 導電粒子が、２種以上の導電粒子を併用したものである請求項１〜７のいずれかに記載の異方導電性フィルム。
  9. 絶縁樹脂層が、複数の樹脂層から形成されている請求項１〜８のいずれかに記載の異方導電性フィルム。
  10. 請求項１〜９のいずれかに記載の異方導電性フィルムを用いて、第１電子部品の接続端子と第２電子部品の接続端子を異方導電性接続する接続方法であって、異方導電性フィルムの長手方向を第１電子部品又は第２電子部品の接続端子の短手方向に合わせ、異方導電性フィルムの第１配列方向に略直交する方向を第１電子部品又は第２電子部品の接続端子の長手方向に合わせる接続方法。
  11. 第１電子部品が、透明電極で接続端子が形成されたガラス基板であり、第２電子部品がＩＣチップである請求項１０記載の接続方法。
  12. 接続端子の接続面の大きさが、幅８〜６０μｍ、長さ４００μｍ以下である請求項１０又は１１記載の接続方法。
  13. 請求項１〜９のいずれかに記載の異方導電性フィルムを介して第１電子部品の接続端子と第２電子部品の接続端子とが異方導電性接続されている接続構造体。
  14. 請求項１〜９のいずれかに記載の異方導電性フィルムを介して第１電子部品の接続端子と第２電子部品の接続端子とを異方導電性接続する、接続構造体の製造方法。
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