JP6921758B2 - ポリアミド酸、ポリイミド、ポリアミド酸溶液、ポリイミド積層体、フレキシブルデバイス基板、及びそれらの製造方法 - Google Patents
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- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 title claims description 184
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 title claims description 152
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 title claims description 130
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 45
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 34
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 27
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 claims description 25
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 55
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 39
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- -1 tetracarboxylic acid dianhydride Chemical class 0.000 description 17
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 17
- SXGMVGOVILIERA-UHFFFAOYSA-N (2R,3S)-2,3-diaminobutanoic acid Natural products CC(N)C(N)C(O)=O SXGMVGOVILIERA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 16
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 16
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 16
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 14
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 13
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 12
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 12
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 11
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 10
- 239000002585 base Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 4
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 150000000000 tetracarboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-4-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1 CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UENRXLSRMCSUSN-UHFFFAOYSA-N 3,5-diaminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC(N)=CC(C(O)=O)=C1 UENRXLSRMCSUSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPAQFJJCWGSXGJ-UHFFFAOYSA-N 4-amino-n-(4-aminophenyl)benzamide Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1NC(=O)C1=CC=C(N)C=C1 XPAQFJJCWGSXGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfone Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 238000006798 ring closing metathesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- QAEDZJGFFMLHHQ-UHFFFAOYSA-N trifluoroacetic anhydride Chemical compound FC(F)(F)C(=O)OC(=O)C(F)(F)F QAEDZJGFFMLHHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylurea Chemical compound CN(C)C(=O)N(C)C AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBHHKGFHJWTZJN-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylcyclobutane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1(C)C(C(O)=O)C(C)(C(O)=O)C1C(O)=O SBHHKGFHJWTZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOGFHTGYPKWWRX-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethyloxan-4-one Chemical compound CC1(C)CC(=O)CC(C)(C)O1 NOGFHTGYPKWWRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSTZGVRUOMBULC-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-[2-(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC(C(C=2C=C(N)C(O)=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 MSTZGVRUOMBULC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-(4-amino-3-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(O)=C1 ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUWUSOUUMPANJ-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-[(4-amino-3-carboxyphenyl)methyl]benzoic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(C(O)=O)=C1 QRUWUSOUUMPANJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWQDPPJDXCZWQE-UHFFFAOYSA-N 2-trimethoxysilylaniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1N XWQDPPJDXCZWQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHUUPUMBZGWODW-UHFFFAOYSA-N 3,6-dihydro-1,2-dioxine Chemical compound C1OOCC=C1 JHUUPUMBZGWODW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 3-(4-aminophenoxy)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(N)=C1 ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYTCSCBDAFJMIP-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-1,1-dimethylurea Chemical compound CCNC(=O)N(C)C HYTCSCBDAFJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMTRNELCZAZKRB-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylaniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC(N)=C1 YMTRNELCZAZKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYYKXFEKMGYLZ-UHFFFAOYSA-N 4-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C=1C=C2C(=O)OC(=O)C2=CC=1C1=CC=CC2=C1C(=O)OC2=O FYYYKXFEKMGYLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNJFWOJEIGPYAS-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(9h-fluoren-1-yl)phenoxy]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1OC1=CC=C(C=2C3=C(C4=CC=CC=C4C3)C=CC=2)C=C1 FNJFWOJEIGPYAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]phenoxy]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-amino-2-(trifluoromethyl)phenyl]-3-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound FC(F)(F)C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C(F)(F)F NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHBXLZQQVCDGPA-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)sulfonyl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(S(=O)(=O)C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 ZHBXLZQQVCDGPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMACFWAQBPYRFO-UHFFFAOYSA-N 5-[9-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)fluoren-9-yl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 FMACFWAQBPYRFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZJWYFFSNIRWSM-UHFFFAOYSA-N 7-methyl-3a-(oxolan-2-yl)-7aH-2-benzofuran-1,3,4,5-tetrone Chemical compound O=C1OC(=O)C2C(C)=CC(=O)C(=O)C12C1CCCO1 NZJWYFFSNIRWSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- XQBSPQLKNWMPMG-UHFFFAOYSA-N bicyclo[2.2.2]octane-2,3,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound C1CC2C(C(O)=O)C(C(=O)O)C1C(C(O)=O)C2C(O)=O XQBSPQLKNWMPMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- YHASWHZGWUONAO-UHFFFAOYSA-N butanoyl butanoate Chemical compound CCCC(=O)OC(=O)CCC YHASWHZGWUONAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- NEIGNIKQGOFWIE-UHFFFAOYSA-N cyclobutane-1,2,3,4-tetracarbaldehyde Chemical compound O=CC1C(C=O)C(C=O)C1C=O NEIGNIKQGOFWIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-diamine Chemical compound NC1CCC(N)CC1 VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOSVXXBNNCUXMT-UHFFFAOYSA-N cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CC(C(O)=O)C(C(O)=O)C1C(O)=O WOSVXXBNNCUXMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC2=C1 DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- UFOIOXZLTXNHQH-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,3,4,5-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1OC(C(O)=O)C(C(O)=O)C1C(O)=O UFOIOXZLTXNHQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- WYVAMUWZEOHJOQ-UHFFFAOYSA-N propionic anhydride Chemical compound CCC(=O)OC(=O)CC WYVAMUWZEOHJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRDBISOHUUQXHE-UHFFFAOYSA-N pyridine-2,3,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)N=C1C(O)=O JRDBISOHUUQXHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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Description
nx−ny<0.0010、且つ、(nx+ny)/2−nz<0.0150
を満たすことが好ましく、より光学的等方性が高い方が好ましいために
nx−ny<0.0002、且つ、(nx+ny)/2−nz<0.0100
を満たすことがより好ましい。ここで、(nx+ny)/2−nzは面内方向と厚み方向の屈折率の差、すなわち複屈折を表しており、この値が低いほど光学的等方性が優れ好ましい。
前記ナノシリカ含有ポリアミド酸を加熱イミド化する工程と、
を含むことを特徴とするナノシリカ含有ポリイミド積層体の製造方法。
前記ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液を加熱イミド化する工程と、
加熱イミド化後の工程で得られたナノシリカ含有ポリイミドを前記基板より剥離する工程と、
を含むことを特徴とするナノシリカ含有ポリイミドの製造方法。
前記ナノシリカ含有ポリアミド酸を加熱イミド化する工程と、
加熱イミド化したポリイミド上に電子素子を形成する工程と、
を含むことを特徴とするフレキシブルデバイス基板の製造方法。
前記ナノシリカ含有ポリアミド酸を加熱イミド化する工程と、
加熱イミド化したポリイミド上に電子素子を形成し、基板より剥離する工程と、
を含むことを特徴とするフレキシブルデバイス基板の製造方法。
本明細書中に記載の物性の評価の値等は以下の評価法によって得られたものである。
表1の条件にて重量平均分子量(Mw)を求めた。評価結果を表2に示す。
日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計(V−650)を用いて、ポリイミド膜の200〜800nmにおける光透過率を測定し、400nmの波長における光透過率を、ポリイミドの光透過率の指標として用いた。また、光透過率が0.1%以下となる波長(カットオフ波長)も求めた。
ポリイミド膜の線熱膨張係数の測定は、日立ハイテクサイエンス社製TMA/SS7100を用いて(試料サイズ 幅3mm、長さ10mm、膜厚を測定し、試料の断面積を算出)、荷重29.4mNとし、10℃/minで10℃から300℃まで一旦昇温させた後、40℃/minで降温させたときの、降温時の100〜250℃における単位温度あたりの試料の歪の変化量から線熱膨張係数を求めた。
日本電色工業製積分球式ヘイズメーター300Aにより、JIS K7105−1981記載の方法により測定した。
日本電色工業製積分球式ヘイズメーター300Aにより、JIS K7105−1981記載の方法により測定した。
シンテック社製位相差計:OPTIPROにて、測定波長590nmにおける正面位相差および厚み位相差の値を測定した。その値を用いて、nx−nyおよび(nx+ny)/2−nzを算出した。ここで、nx、ny、nzは、面内の屈折率のうち最大のものをnx、最小のものをny、厚み方向の屈折率をnzと定義した。
<ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液の合成>
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機、及び窒素導入管を備えた、500mLのガラス製セパラブルフラスコにオルガノシリカゾル:NMP−ST−R2(日産化学工業社製、分散媒:NMP ナノシリカ含有量:30重量部 平均粒子径:10〜15nm)を32.0gとNMP64.0gを仕込み撹拌した。その後、3−アミノプロピルトリエトキシシラン(以下、γ―APSと称することがある)の1%NMP溶液を9.6g添加し、25℃で1時間撹拌してナノシリカの表面処理を実施した。この溶液に3,5−ジアミノ安息香酸(以下、3,5−DABAと称することもある)9.7gを入れて撹拌し溶解させた後、さらに1R,2S,4S,5R−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物(以下、PMDA−HSと称することがある)14.3gを添加し12時間撹拌し、ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液(反応溶液)を得た。各モノマーの仕込み比率は全ジアミン成分を100mol%としたとき、PMDA−HS:100mol%、3,5−DABA:100mol%となっており、ナノシリカの含有量はポリアミド酸100重量部に対して40重量部である。なお、この反応溶液におけるジアミン成分及びテトラカルボン酸二無水物成分の仕込み濃度は、全反応溶液に対して18.5重量%となっていた。
得られたポリアミド酸溶液を両辺150mm、厚さ0.7mmの正方形の無アルカリガラス板(コーニング社製 イーグルXG)上にバーコーターで乾燥後の厚みが10μmになるように流延し、熱風オーブン内で80℃にて30分乾燥した。その後、窒素雰囲気下で20℃から350℃まで5℃/分で昇温し、350℃で1時間加熱し、ポリイミドの厚みが10μmのナノシリカ含有ポリイミド膜とガラス板との積層体を得た。ガラス板からナノシリカ含有ポリイミド膜を引き剥がし、ナノシリカ含有ポリイミド膜の物性の評価を実施した。評価結果について表2に示す。
<ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液の合成>
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機、及び窒素導入管を備えた、500mLのガラス製セパラブルフラスコにオルガノシリカゾル:NMP−ST−R2を32.0gとNMP64.0gを仕込み撹拌した。その後、γ―APSの1%NMP溶液を9.6g添加し、25℃で1時間撹拌してナノシリカの表面処理を実施した。この溶液に3,5−DABA4.4gを入れて撹拌し、溶解させた後、4,4’−ジアミノベンズアニリド(以下、DABAと称することがある)6.6gを添加して1時間撹拌した。その後PMDA−HS13.0gを添加して12時間撹拌し、ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液(反応溶液)を得た。各モノマーの仕込み比率は全ジアミン成分を100mol%としたとき、PMDA−HS:100mol%、3,5−DABA:50ml%、DABA:50mol%となっており、ナノシリカの含有量はポリアミド酸100重量部に対して40重量部である。なお、この反応溶液におけるジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物の仕込み濃度は、全反応溶液に対して18.5重量%となっていた。
得られたポリアミド酸溶液を両辺150mm、厚さ0.7mmの正方形の無アルカリガラス板(コーニング社製 イーグルXG)上にバーコーターで乾燥後の厚みが10μmになるように流延し、熱風オーブン内で80℃にて30分乾燥した。その後、窒素雰囲気下で20℃から350℃まで5℃/分で昇温し、350℃で1時間加熱し、ポリイミドの厚みが10μmのナノシリカ含有ポリイミド膜とガラス板との積層体を得た。ガラス板からナノシリカ含有ポリイミド膜を引き剥がし、ナノシリカ含有ポリイミド膜の物性の評価を実施した。評価結果について表2に示す。
<ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液の合成>
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機、及び窒素導入管を備えた、500mLのガラス製セパラブルフラスコにオルガノシリカゾル:NMP−ST−R2を32.0gとNMP64.0gを仕込み撹拌した。その後、γ―APSの1%NMP溶液を9.6g添加し、25℃で1時間撹拌してナノシリカの表面処理を実施した。この溶液に3,5−DABA1.7gを入れて溶解させた後、DABA10.0gを添加して1時間撹拌した。その後PMDA−HS12.3gを添加して12時間撹拌し、ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液(反応溶液)を得た。各モノマーの仕込み比率は全ジアミン成分を100mol%としたとき、PMDA−HS:100mol%、3,5−DABA:20ml%、DABA:80mol%となっており、ナノシリカの含有量はポリアミド酸100重量部に対して40重量部である。なお、この反応溶液におけるジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物の仕込み濃度は、全反応溶液に対して18.5重量%となっていた。
得られたポリアミド酸溶液を両辺150mm、厚さ0.7mmの正方形の無アルカリガラス板(コーニング社製 イーグルXG)上にバーコーターで乾燥後の厚みが10μmになるように流延し、熱風オーブン内で80℃にて30分乾燥した。その後、窒素雰囲気下で20℃から350℃まで5℃/分で昇温し、350℃で1時間加熱し、ポリイミドの厚みが10μmのナノシリカ含有ポリイミド膜とガラス板との積層体を得た。ガラス板からナノシリカ含有ポリイミド膜を引き剥がし、ナノシリカ含有ポリイミド膜の物性の評価を実施した。評価結果について表2に示す。
<ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液の合成>
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機、及び窒素導入管を備えた、500mLのガラス製セパラブルフラスコにオルガノシリカゾル:NMP−ST−R2を24.0gとNMP72.0gを仕込み撹拌した。その後、γ―APSの1%NMP溶液を7.2g添加し、25℃で1時間撹拌してナノシリカの表面処理を実施した。この溶液に3,5−DABA1.7gを入れて撹拌し、溶解させた後、DABA10.0gを添加して1時間撹拌した。その後PMDA−HS12.3gを添加して12時間撹拌し、ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液(反応溶液)を得た。各モノマーの仕込み比率は全ジアミン成分を100mol%としたとき、PMDA−HS:100mol%、3,5−DABA:20ml%、DABA:80mol%となっており、ナノシリカの含有量はポリアミド酸100重量部に対して30重量部である。なお、この反応溶液におけるジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物の仕込み濃度は、全反応溶液に対して19.0重量%となっていた。
得られたポリアミド酸溶液を両辺150mm、厚さ0.7mmの正方形の無アルカリガラス板(コーニング社製 イーグルXG)上にバーコーターで乾燥後の厚みが10μmになるように流延し、熱風オーブン内で80℃にて30分乾燥した。その後、窒素雰囲気下で20℃から350℃まで5℃/分で昇温し、350℃で1時間加熱し、ポリイミドの厚みが10μmのナノシリカ含有ポリイミド膜とガラス板との積層体を得た。ガラス板からナノシリカ含有ポリイミド膜を引き剥がし、ナノシリカ含有ポリイミド膜の物性の評価を実施した。評価結果について表2に示す。
<ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液の合成>
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機、及び窒素導入管を備えた、500mLのガラス製セパラブルフラスコにオルガノシリカゾル:NMP−ST−R2を32.0gとNMP64.0gを仕込み撹拌した。その後、γ―APSの1%NMP溶液を9.6g添加し、25℃で1時間撹拌してナノシリカの表面処理を実施した。この溶液に3,5−DABA1.6gを入れて撹拌し溶解させた後、DABA9.4gを添加して1時間撹拌した。その後1,1’−ビシクロヘキサン−3.3’4.4‘−テトラカルボン酸二無水物(以下、HBPDAと称することがある)5.5gを添加して10分間撹拌した後、PMDA−HS7.5gを添加して12時間撹拌し、ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液(反応溶液)を得た。各モノマーの仕込み比率は全ジアミン成分を100mol%としたとき、PMDA−HS:65mol%、HBPDA:35mol%、3,5−DABA:20mol%、DABA:80mol%となっており、ナノシリカの含有量はポリアミド酸100重量部に対して40重量部である。なお、この反応溶液におけるジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物の仕込み濃度は、全反応溶液に対して18.5重量%となっていた。
得られたポリアミド酸溶液を両辺150mm、厚さ0.7mmの正方形の無アルカリガラス板(コーニング社製 イーグルXG)上にバーコーターで乾燥後の厚みが10μmになるように流延し、熱風オーブン内で80℃にて30分乾燥した。その後、窒素雰囲気下で20℃から350℃まで5℃/分で昇温し、350℃で1時間加熱し、ポリイミドの厚みが10μmのナノシリカ含有ポリイミド膜とガラス板との積層体を得た。ガラス板からナノシリカ含有ポリイミド膜を引き剥がし、ナノシリカ含有ポリイミド膜の物性の評価を実施した。評価結果について表2に示す。
<ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液の合成>
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機、及び窒素導入管を備えた、500mLのガラス製セパラブルフラスコにオルガノシリカゾル:NMP−ST−R2を24.0gとNMP72.0gを仕込み撹拌した。その後、γ―APSの1%NMP溶液を7.2g添加し、25℃で1時間撹拌してナノシリカの表面処理を実施した。この溶液に3,5−DABA2.4gを入れて撹拌し溶解させた後、DABA8.3gを添加して1時間撹拌した。その後HBPDA5.6gを添加して10分間撹拌した後、PMDA−HS7.6gを添加して12時間撹拌し、ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液(反応溶液)を得た。各モノマーの仕込み比率は全ジアミン成分を100mol%としたとき、PMDA−HS:65mol%、HBPDA:35mol%、3,5−DABA:30ml%、DABA:70mol%となっており、ナノシリカの含有量はポリアミド酸100重量部に対して30重量部である。なお、この反応溶液におけるジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物の仕込み濃度は、全反応溶液に対して19.0重量%となっていた。
得られたポリアミド酸溶液を両辺150mm、厚さ0.7mmの正方形の無アルカリガラス板(コーニング社製 イーグルXG)上にバーコーターで乾燥後の厚みが10μmになるように流延し、熱風オーブン内で80℃にて30分乾燥した。その後、窒素雰囲気下で20℃から350℃まで5℃/分で昇温し、350℃で1時間加熱し、ポリイミドの厚みが10μmのナノシリカ含有ポリイミド膜とガラス板との積層体を得た。ガラス板からナノシリカ含有ポリイミド膜を引き剥がし、ナノシリカ含有ポリイミド膜の物性の評価を実施した。評価結果について表2に示す。
<ポリアミド酸溶液の合成>
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機、及び窒素導入管を備えた、500mLのガラス製セパラブルフラスコにNMP106.7gを仕込み、3,5−DABA9.7gを入れて撹拌し溶解させた後、さらにPMDA−HS14.3gを添加し12時間撹拌し、ポリアミド酸溶液(反応溶液)を得た。各モノマーの仕込み比率は全ジアミン成分を100mol%としたとき、PMDA−HS:100mol%、3,5−DABA:100mol%となっており、この反応溶液におけるジアミン成分及びテトラカルボン酸二無水物成分の仕込み濃度は、全反応溶液に対して18.5重量%となっていた。
得られたポリアミド酸溶液を両辺150mm、厚さ0.7mmの正方形の無アルカリガラス板(コーニング社製 イーグルXG)上にバーコーターで乾燥後の厚みが10μmになるように流延し、熱風オーブン内で80℃にて30分乾燥した。その後、窒素雰囲気下で20℃から350℃まで5℃/分で昇温し、350℃で1時間加熱し、ポリイミドの厚みが10μmのポリイミド膜とガラス板との積層体を得た。ガラス板からポリイミド膜を引き剥がし、ポリイミド膜の物性の評価を実施した。評価結果について表2に示す。
<ポリアミド酸溶液の合成>
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機、及び窒素導入管を備えた、500mLのガラス製セパラブルフラスコにNMP106.7gを仕込み、3,5−DABA1.7gを入れて撹拌し、溶解させた後、DABA10.0gを添加して1時間撹拌した。その後PMDA−HS12.3gを添加して12時間撹拌し、ポリアミド酸溶液(反応溶液)を得た。各モノマーの仕込み比率は全ジアミン成分を100mol%としたとき、PMDA−HS:100mol%、3,5−DABA:20ml%、DABA:80mol%となっており、この反応溶液におけるジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物の仕込み濃度は、全反応溶液に対して18.5重量%となっていた。
<ポリイミド膜の作製>
得られたポリアミド酸溶液を両辺150mm、厚さ0.7mmの正方形の無アルカリガラス板(コーニング社製 イーグルXG)上にバーコーターで乾燥後の厚みが10μmになるように流延し、熱風オーブン内で80℃にて30分乾燥した。その後、窒素雰囲気下で20℃から350℃まで5℃/分で昇温し、350℃で1時間加熱し、ポリイミドの厚みが10μmのポリイミド膜とガラス板との積層体を得た。ガラス板からポリイミド膜を引き剥がし、ポリイミド膜の物性の評価を実施した。評価結果について表2に示す。
<ポリアミド酸溶液の合成>
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機、及び窒素導入管を備えた、500mLのガラス製セパラブルフラスコにNMP106.7gを仕込み、DABA12.1gを入れて1時間撹拌した後、さらにPMDA−HS12.0gを添加し12時間撹拌し、ポリアミド酸溶液(反応溶液)を得た。各モノマーの仕込み比率は全ジアミン成分を100mol%としたとき、PMDA−HS:100mol%、DABA:100mol%となっており、この反応溶液におけるジアミン成分及びテトラカルボン酸二無水物成分の仕込み濃度は、全反応溶液に対して18.5重量%となっていた。
得られたポリアミド酸溶液を両辺150mm、厚さ0.7mmの正方形の無アルカリガラス板(コーニング社製 イーグルXG)上にバーコーターで乾燥後の厚みが10μmになるように流延し、熱風オーブン内で80℃にて30分乾燥した。その後、窒素雰囲気下で20℃から350℃まで5℃/分で昇温し、350℃で1時間加熱し、ポリイミドの厚みが10μmのポリイミド膜とガラス板との積層体を得た。ガラス板からポリイミド膜を引き剥がし、ポリイミド膜の物性の評価を実施した。評価結果について表2に示す。
<ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液の合成>
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機、及び窒素導入管を備えた、500mLのガラス製セパラブルフラスコにオルガノシリカゾル:NMP−ST−R2を32.0gとNMP64.0gを仕込み撹拌した。その後γ―APSの1%NMP溶液を9.6g添加し、25℃で1時間撹拌してナノシリカの表面処理を実施した。この溶液にDABA12.1gを入れて1時間撹拌した後、さらにPMDA−HS12.0gを添加し12時間撹拌し、ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液(反応溶液)を得た。各モノマーの仕込み比率は全ジアミン成分を100mol%としたとき、PMDA−HS:100mol%、DABA:100mol%となっており、ナノシリカの含有量はポリアミド酸100重量部に対して40重量部である。なお、この反応溶液におけるジアミン成分及びテトラカルボン酸二無水物成分の仕込み濃度は、全反応溶液に対して18.5重量%となっていた。
得られたポリアミド酸溶液を両辺150mm、厚さ0.7mmの正方形の無アルカリガラス板(コーニング社製 イーグルXG)上にバーコーターで乾燥後の厚みが10μmになるように流延し、熱風オーブン内で80℃にて30分乾燥した。その後、窒素雰囲気下で20℃から350℃まで5℃/分で昇温し、350℃で1時間加熱し、ポリイミドの厚みが10μmのナノシリカ含有ポリイミド膜とガラス板との積層体を得た。ガラス板からナノシリカ含有ポリイミド膜を引き剥がし、ナノシリカ含有ポリイミド膜の物性の評価を実施した。評価結果について表2に示す。
<ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液の合成>
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機、及び窒素導入管を備えた、500mLのガラス製セパラブルフラスコにオルガノシリカゾル:DMAC−ST(日産化学工業社製、分散媒:N,N−ジメチルアセトアミド ナノシリカ含有量:20重量部 平均粒子径:10〜15nm)を48.0gとNMP48.0gを仕込み撹拌した。その後γ―APSの1%NMP溶液を9.6g添加し、25℃で1時間撹拌してナノシリカの表面処理を実施した。この溶液に4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(以下、4,4’−ODAと称することがある)11.3gを入れて1時間撹拌した後、さらにPMDA−HS12.6gを添加し12時間撹拌し、ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液(反応溶液)を得た。各モノマーの仕込み比率は全ジアミン成分を100mol%としたとき、PMDA−HS:100mol%、4,4’−ODA:100mol%となっており、ナノシリカの含有量はポリアミド酸100重量部に対して40重量部である。なお、この反応溶液におけるジアミン成分及びテトラカルボン酸二無水物成分の仕込み濃度は、全反応溶液に対して18.5重量%となっていた。
得られたポリアミド酸溶液を両辺150mm、厚さ0.7mmの正方形の無アルカリガラス板(コーニング社製 イーグルXG)上にバーコーターで乾燥後の厚みが10μmになるように流延し、熱風オーブン内で80℃にて30分乾燥した。その後、窒素雰囲気下で20℃から350℃まで5℃/分で昇温し、350℃で1時間加熱し、ポリイミドの厚みが10μmのナノシリカ含有ポリイミド膜とガラス板との積層体を得た。ガラス板からナノシリカ含有ポリイミド膜を引き剥がし、ナノシリカ含有ポリイミド膜の物性の評価を実施した。評価結果について表2に示す。
<ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液の合成>
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機、及び窒素導入管を備えた、500mLのガラス製セパラブルフラスコにオルガノシリカゾル:NMP−ST−R2を24.0gとNMP72.0gを仕込み撹拌した。その後、γ―APSの1%NMP溶液を7.2g添加し、25℃で1時間撹拌してナノシリカの表面処理を実施した。この溶液に3,3’−ジヒドロキシベンジジン(以下、HABと称することがある)11.8gを入れて撹拌し溶解させた後、PMDA−HS12.2gを添加して12時間撹拌し、ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液(反応溶液)を得た。各モノマーの仕込み比率は全ジアミン成分を100mol%としたとき、PMDA−HS:100mol%、HAB:100ml%となっており、ナノシリカの含有量はポリアミド酸100重量部に対して30重量部である。なお、この反応溶液におけるジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物の仕込み濃度は、全反応溶液に対して19.0重量%となっていた。
<ナノシリカ含有ポリイミド膜の作製>
得られたポリアミド酸溶液を両辺150mm、厚さ0.7mmの正方形の無アルカリガラス板(コーニング社製 イーグルXG)上にバーコーターで乾燥後の厚みが10μmになるように流延し、熱風オーブン内で80℃にて30分乾燥した。その後、窒素雰囲気下で20℃から350℃まで5℃/分で昇温し、350℃で1時間加熱し、ポリイミドの厚みが10μmのナノシリカ含有ポリイミド膜とガラス板との積層体を得た。ガラス板からナノシリカ含有ポリイミド膜を引き剥がし、ナノシリカ含有ポリイミド膜の物性の評価を実施した。評価結果について表2に示す。
Claims (12)
- 脂環式テトラカルボン酸二無水物と、カルボキシル基を含有する芳香族ジアミンとの重合体であるポリアミド酸及びナノシリカを含み、
前記ナノシリカが、アミノ基を持つアルコキシシラン化合物によって表面処理されていることを特徴とするナノシリカ含有ポリアミド酸。 - 前記ナノシリカの含有量が前記ポリアミド酸100重量部に対して5重量部以上50重量部以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のナノシリカ含有ポリアミド酸。
- 前記ポリアミド酸に含まれる全ジアミン成分のうち、前記カルボキシル基を含有する芳香族ジアミンの割合が30mol%以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のナノシリカ含有ポリアミド酸。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載のナノシリカ含有ポリアミド酸と有機溶媒とを含むことを特徴とするナノシリカ含有ポリアミド酸溶液。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載のナノシリカ含有ポリアミド酸を基板上に流延する工程と、
前記ナノシリカ含有ポリアミド酸を加熱イミド化する工程と、
を含むことを特徴とするナノシリカ含有ポリイミド積層体の製造方法。 - 請求項7に記載のナノシリカ含有ポリアミド酸溶液を基板上に流延する工程と、
前記ナノシリカ含有ポリアミド酸溶液を加熱イミド化する工程と、
加熱イミド化後の工程で得られたナノシリカ含有ポリイミドを前記基板より剥離する工程と、
を含むことを特徴とするナノシリカ含有ポリイミドの製造方法。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載のナノシリカ含有ポリアミド酸から得られるポリイミド上に電子素子を形成する工程を含むことを特徴とするフレキシブルデバイス基板の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載のナノシリカ含有ポリアミド酸を基板上に流延する工程と、
前記ナノシリカ含有ポリアミド酸を加熱イミド化する工程と、
加熱イミド化したポリイミド上に電子素子を形成する工程と、
を含むことを特徴とするフレキシブルデバイス基板の製造方法。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載のナノシリカ含有ポリアミド酸を基板上に流延する工程と、
前記ナノシリカ含有ポリアミド酸を加熱イミド化する工程と、
加熱イミド化したポリイミド上に電子素子を形成し、基板より剥離する工程と、
を含むことを特徴とするフレキシブルデバイス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021096749A JP7122437B2 (ja) | 2015-12-09 | 2021-06-09 | ポリイミド、ポリイミド積層体及びフレキシブルデバイス基板 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015240586 | 2015-12-09 | ||
JP2015240586 | 2015-12-09 | ||
PCT/JP2016/085012 WO2017098936A1 (ja) | 2015-12-09 | 2016-11-25 | ポリアミド酸、ポリイミド、ポリアミド酸溶液、ポリイミド積層体、フレキシブルデバイス基板、及びそれらの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021096749A Division JP7122437B2 (ja) | 2015-12-09 | 2021-06-09 | ポリイミド、ポリイミド積層体及びフレキシブルデバイス基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017098936A1 JPWO2017098936A1 (ja) | 2018-09-27 |
JP6921758B2 true JP6921758B2 (ja) | 2021-08-18 |
Family
ID=59014049
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017555017A Active JP6921758B2 (ja) | 2015-12-09 | 2016-11-25 | ポリアミド酸、ポリイミド、ポリアミド酸溶液、ポリイミド積層体、フレキシブルデバイス基板、及びそれらの製造方法 |
JP2021096749A Active JP7122437B2 (ja) | 2015-12-09 | 2021-06-09 | ポリイミド、ポリイミド積層体及びフレキシブルデバイス基板 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021096749A Active JP7122437B2 (ja) | 2015-12-09 | 2021-06-09 | ポリイミド、ポリイミド積層体及びフレキシブルデバイス基板 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180355172A1 (ja) |
JP (2) | JP6921758B2 (ja) |
KR (1) | KR102562652B1 (ja) |
CN (1) | CN108291088B (ja) |
TW (1) | TWI752926B (ja) |
WO (1) | WO2017098936A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107356989A (zh) * | 2016-05-10 | 2017-11-17 | 住友化学株式会社 | 光学膜、具备该光学膜的柔性设备构件及树脂组合物 |
CN110325890B (zh) * | 2017-04-25 | 2021-12-14 | 株式会社Lg化学 | 光学装置 |
JP6987633B2 (ja) * | 2017-12-20 | 2022-01-05 | 住友化学株式会社 | タッチセンサーパネル用透明フィルム基材及びそれを用いたタッチセンサーパネル |
CN110003651B (zh) * | 2017-12-29 | 2021-12-24 | 财团法人工业技术研究院 | 聚酰亚胺混成材料、其前驱液及其制法 |
US10995237B2 (en) | 2017-12-29 | 2021-05-04 | Industrial Technology Research Institute | Polyimide hybrid material, precursor solution and manufacture method thereof |
CN109135554B (zh) * | 2018-09-05 | 2021-03-19 | 住井科技(深圳)有限公司 | 聚酰亚胺清漆及其制备方法和应用 |
CN109651813B (zh) * | 2018-12-20 | 2020-12-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 复合薄膜及其制备方法 |
JP7217220B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2023-02-02 | 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 | ポリイミド前駆体組成物及びそれから生じるポリイミドフィルム及びフレキシブルデバイス、ポリイミドフィルムの製造方法 |
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JP7223902B1 (ja) | 2022-06-16 | 2023-02-16 | 住友化学株式会社 | 積層体、樹脂組成物、及び表示装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4238452B2 (ja) | 2000-03-01 | 2009-03-18 | 宇部興産株式会社 | ポリイミド系絶縁膜用組成物、絶縁膜および絶縁膜の形成法 |
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JP2010208322A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-09-24 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ポリイミド金属積層体、およびそれらを用いたプリント配線板 |
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JP5891644B2 (ja) * | 2011-08-05 | 2016-03-23 | 日立化成株式会社 | 接着フィルム、該接着フィルムを用いた多層プリント配線板、及び該多層プリント配線板の製造方法 |
CN103987763B (zh) * | 2011-08-19 | 2017-12-29 | 阿克伦聚合物体系有限公司 | 热稳定的低双折射共聚聚酰亚胺膜 |
JP6060695B2 (ja) | 2012-01-20 | 2017-01-18 | 宇部興産株式会社 | ポリイミド前駆体及びポリイミド |
JP5962141B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-08-03 | 東洋紡株式会社 | 透明ポリイミド系フィルム |
JP6431369B2 (ja) | 2012-05-28 | 2018-11-28 | 宇部興産株式会社 | ポリイミド前駆体及びポリイミド |
JP6274109B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2018-02-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ポリイミド樹脂組成物 |
WO2015002273A1 (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ポリイミド樹脂 |
CN103554533B (zh) * | 2013-10-27 | 2016-08-17 | 福建师范大学 | 一种耐电晕聚酰亚胺/二氧化硅纳米复合薄膜及其制备方法 |
WO2016153064A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | 日産化学工業株式会社 | ジアミンおよびその利用 |
JP6620428B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2019-12-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ポリイミド樹脂 |
-
2016
- 2016-11-25 WO PCT/JP2016/085012 patent/WO2017098936A1/ja active Application Filing
- 2016-11-25 KR KR1020187018927A patent/KR102562652B1/ko active IP Right Grant
- 2016-11-25 JP JP2017555017A patent/JP6921758B2/ja active Active
- 2016-11-25 CN CN201680069904.7A patent/CN108291088B/zh active Active
- 2016-11-25 US US15/778,800 patent/US20180355172A1/en not_active Abandoned
- 2016-12-06 TW TW105140218A patent/TWI752926B/zh active
-
2021
- 2021-06-09 JP JP2021096749A patent/JP7122437B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180355172A1 (en) | 2018-12-13 |
CN108291088B (zh) | 2021-01-05 |
TWI752926B (zh) | 2022-01-21 |
JP7122437B2 (ja) | 2022-08-19 |
WO2017098936A1 (ja) | 2017-06-15 |
TW201734132A (zh) | 2017-10-01 |
JP2021152173A (ja) | 2021-09-30 |
JPWO2017098936A1 (ja) | 2018-09-27 |
KR102562652B1 (ko) | 2023-08-03 |
CN108291088A (zh) | 2018-07-17 |
KR20180093007A (ko) | 2018-08-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |