JP6685577B2 - 熱絶縁電気接点プローブ及び加熱プラテンアセンブリ - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、電気接続デバイスの分野に関し、もっと具体的には、本発明は、熱絶縁電気接点プローブに関する。
イオン注入は導電率変換不純物をウエハー又は他のワークピースなどの基板に導入するための技術である。所望の不純物材料はイオンビーム注入機のイオン源の中でイオン化され、イオンは加速されて所定のエネルギーのイオンビームを形成し、イオンビームは基板の表面に向けられる。イオンビームの中のエネルギッシュなイオンは、基板材料の大部分の中に入り込み、材料の結晶格子に埋め込まれ、所望の導電率の領域を形成する。
いくつかのイオン注入プロセスにおいて、所望のドーピングプロファイルは、高温度でターゲット基板にイオン注入することにより、達成される。基板の加熱は、イオン注入プロセス中に、基板を加熱プラテンの上に支持することにより、達成することができる。従来の加熱プラテンは、複数の電気接点プローブにより、電力源に接続することができる。追加の電気接点プローブは、基板の静電クランプを可能にするために、加熱プラテンに接続することができる。
動作中に、加熱プラテンに接続する様々な電気接点プローブは、加熱プラテンから熱を吸収することができ、電気接点プローブに隣接する局所の加熱プラテンの温度を低減することができる。理解されるように、加熱プラテンの材料の任意の温度変化により、加熱プラテンにより支持され加熱されるターゲット基板に伝導される熱の均一性に影響を与えることができ、イオン注入プロセスに悪影響を及ぼす可能性がある。いくつかの例において、加熱プラテンの温度変化により、加熱プラテンがゆがみ、たわみ、又は、割れることさえ引き起こし得る。
前述に鑑みて、均一なプラテンの温度を達成するために、加熱プラテンの電気接続により、熱損失を軽減する必要性がある。
本概要は、コンセプトの選択を簡易形式で導入するために、提供する。本概要は、特許請求の範囲の主題の重要な特徴又は本質的な特徴を同定することを意図するものではなく、又、特許請求の範囲の主題の範囲を決定する援助として意図するものでもない。
本発明による、加熱プラテンへの電気接続を提供するための熱絶縁電気接点プローブの例示的実施態様は、ピンパススルーを規定する管状ピンガイドを有する取付板と、該取付板に連結され、前記ピンガイドを包囲する首部分を有するカバーと、前記ピンパススルーの中に配置され、導体パススルーを規定する軸部分と、前記ピンガイドの頂部の上で前記軸部分から半径方向外側に延びるフランジ部分と、該フランジ部分から延びポケットを規定するポケット部分と、を有する絶縁ピンと、を含むことができる。前記電気接点プローブは、さらに、前記フランジ部分と前記取付板との中間に配置され、前記フランジ部分を前記取付板から離すように付勢するスプリングと、前記ポケット内に配置される電気接点パッドと、該電気接点パッドに連結され、前記導体パススルーを通って延びる導電体と、を含むことができる。
本発明による、加熱プラテンへの電気接続を提供するための熱絶縁電気接点プローブの別の例示的実施態様は、ピンパススルーを規定する管状ピンガイドを有する取付板と、該取付板に連結され、前記ピンガイドを包囲する首部分を有するカバーと、前記カバーのスルーホールを通って前記取付板から延びる取付突起と、前記取付板の頂面の上に配置され、前記取付突起と前記カバーとの中間の半径方向のギャップの中に延びるフランジを有する、第１の絶縁ワッシャと、前記カバーの頂面の上に配置され、前記取付突起と前記カバーとの中間の半径方向のギャップの中に延びるフランジを有する、第２の絶縁ワッシャと、前記ピンパススルーの中に配置され、導体パススルーを規定する軸部分と、前記ピンガイドの頂部の上で前記軸部分から半径方向外側に延びるフランジ部分と、該フランジ部分から延びポケットを規定するポケット部分と、を有する絶縁ピンと、を含むことができる。前記電気接点プローブは、さらに、前記ピンガイドを包囲し、前記フランジ部分と前記取付板との中間に配置され、前記フランジ部分を前記取付板から離すように付勢するコイルスプリングと、前記ポケット内に配置される電気接点パッドと、該電気接点パッドに連結され、前記導体パススルーを通って延びる導電体と、を含むことができる。
本発明による、加熱プラテンアセンブリの例示的実施態様は、加熱プラテンと、該加熱プラテンに連結されたベースと、前記加熱プラテンと前記ベースとの中間に配置され、前記加熱プラテンと前記ベースとに連結された熱シールドと、前記ベースに連結され、前記ベース及び前記熱シールドを通って延びる電気接点プローブと、を含むことができ、該電気接点プローブは、ピンパススルーを規定する管状ピンガイドを有する取付板と、該取付板に連結され、前記ピンガイドを包囲する首部分を有するカバーと、前記ピンパススルーの中に配置され、導体パススルーを規定する軸部分と、前記ピンガイドの頂部の上で前記軸部分から半径方向外側に延びるフランジ部分と、該フランジ部分から延びポケットを規定するポケット部分と、を有する絶縁ピンと、を含む。前記加熱プラテンアセンブリは、さらに、前記ポケット内に配置される電気接点パッドと、該電気接点パッドに連結され、前記導体パススルーを通って延びる導電体と、前記フランジ部分と前記取付板との中間に配置され、前記フランジ部分を前記取付板から離すように付勢し、前記電気接点パッドを金属化層に係合して前記加熱プラテンの裏側に保持するスプリングと、を含むことができる。
例として、開示した装置の様々な実施形態を、添付図面を参照して、これから説明する。
本発明による、熱絶縁電気接点プローブの例示的実施形態の斜視図である。 図１ａのA-Aに沿った熱絶縁電気接点プローブを例示する断面図である。 図１ａ及び図１ｂに示す熱絶縁電気接点プローブを含む本発明による加熱プラテンアセンブリの例示的実施形態を例示する断面図である。 本発明による、加熱プラテンアセンブリの例示的実施形態を例示する底部斜視図である。
図１ａ及び図１ｂを参照するに、本発明による、熱絶縁電気接点プローブ１０（以下「プローブ１０」という）の例示的実施形態を示す。プローブ１０は、プラテンを加熱するため、又は、加熱プラテンの上に配置された基板の静電クランプを促進するため、などで、電力源とイオン注入機の加熱プラテンとの間の電気接続を確立するために、提供することができる。動作中、プローブ１０は、加熱プラテンにわたる温度変化を軽減するために、加熱プラテンから吸収される熱量を最小にするように、動作することができる。理解されるように、プローブ１０は、その処理中に、基板を支持するために用いられる加熱プラテンの中に実装することができる。例えば、加熱プラテンは、イオン注入プロセス、プラズマ蒸着プロセス、エッチングプロセス、化学−機械平坦化プロセス、又は、半導体基板が加熱プラテンの上に支持されるべき、一般的に任意のプロセスの間に、基板を支持するために用いることができる。そのようなものとして、例示的加熱プラテンアセンブリを以下に説明する。本発明の実施形態は、本明細書で説明する例示的加熱プラテンアセンブリにより限定されず、様々な半導体製造プロセスで用いられる任意の様々な他のプラテンアプリケーションにおいて、アプリケーションを見出すことができる。
プローブ１０は、一般的に、取付板１２、カバー１４、絶縁ピン１６、コイルスプリング１８（図１ｂ）、電気接続パッド２０及び導電体２２を含むことができる。利便性及び明確性のため、「頂上」、「底」、「上部の」、「下部の」、「垂直な」、「水平な」、「側方の」、「長手方向の」、「半径方向の」、「内部の」及び「外部の」の用語は、図１ａ及び図１ｂに見えるように、プローブ１０の配置及び方向に対するプローブ１０のコンポーネントの相対的配置及び方向を説明するために、本明細書において用いることができる。前記用語は、特別に述べた語、その派生語及び類似の意味の語を含む。
プローブ１０の取付板１２は、その頂面から延びる一対の管状取付突起２６ａ、２６ｂを有する一般的に平面のベース部分２４を含むことができる。取付突起２６ａ、２６ｂは、以下に更に説明するように、対応する機械的ファスナーを受け入れるため、取付板１２を通って延びる、それぞれのファスナーパススルー２８ａ、２８ｂを規定することができる。ベース部分２４は、取付突起２６ａ、２６ｂの中間の、その頂面から延びる管状ピンガイド３０（図１ｂ）を、更に有することができる。ピンガイド３０は、以下に更に説明するように、絶縁ピン１６及び導電体２２を受け入れるため、取付板１２を通って延びる、ピンパススルー３２を規定することができる。取付板１２は、ジルコニア、アルミナ、様々な熱可塑性プラスチックその他などの高温が可能な熱的に及び電気的に絶縁する材料から形成することができる。
図１ｂを参照するに、絶縁ピン１６はポケット部分３４を有する一般的に管状の部材とすることができ、ポケット部分３４は、ポケット３６及びポケット部分３４の底から延びる軸部分３８を規定し、かつ、ポケット３６の底から延びる導体パススルー４０及び軸部分３８の頂部から半径方向外側に延びるフランジ部分４２を規定する。導体パススルー４０は、ポケット３６と同軸にすることができ、かつ、ポケット３６より小さい直径を有することができる。絶縁ピン１６は、ジルコニア、アルミナ、様々な熱可塑性プラスチックその他などの高温が可能な熱的に及び電気的に絶縁する材料から形成することができる。
スプリング１８は、高温が可能な金属から形成されるコイルスプリングとすることができる。スプリング１８は、ピンガイド３０を包囲し、ピンガイド３０の上に延びることができ、取付板１２に対するスプリング１８の過度な水平運動を防ぐために、取付板１２の環状トレンチ４４内に収容できる。絶縁ピン１６のフランジ部分４２は、スプリング１８の頂部に収容でき、絶縁ピン１６の軸部分３８は、ピンガイド３０のピンパススルー３２を通って下に延びることができ、取付板１２の底から突き出ることができる。軸部分３８の外部直径は、軸部分３８とピンガイド３０との間の自走位置決めクリアランス適合度を確立するために、ピンパススルー３２の直径より小さく（例えば、少なくとも０．００１５インチ、より小さく）することができる。したがって、軸部分３８は、ピンパススルー３２の内側で垂直に自由に動くことができ、以下に更に説明するように、ピンパススルー３２の内側で水平にシフトし、又は、傾くこともできる。
プローブ１０のカバー１４は、アルミニウム又はニッケルなどの低放射材料から形成することができる。カバー１４は、取付板１２の頂部に配置することができ、一般的に平面のベース部分４６及びベース部分４６の頂面から延びる一般的に管状の首部分４８を含むことができる。首部分４８は、ピンガイド３０、絶縁ピン１６及びスプリング１８を収納する内部チャンバ５０を規定することができる。環状フランジ５２は、首部分４８の頂部から半径方向内側に延びることができ、絶縁ピン１６のポケット部分３４の外径より大きく、かつ、絶縁ピン１６のフランジ部分４２の外径より小さい、直径を有するアパーチャ５４を規定することができる。
カバー１４のベース部分４６は、取付板１２の取付突起２６ａ、２６ｂをそれらを通ってそれぞれ受け入れるための一対のスルーホール５６ａ、５６ｂを含むことができる。下部絶縁ワッシャの第１の対５８ａ、５８ｂは、取付突起２６ａ、２６ｂをそれぞれ包囲する取付板１２のベース部分２４の頂部の上に取り付けることができ、取付突起２６ａ、２６ｂ及びカバーの中間でそれぞれ半径方向のギャップ６２ａ、６２ｂの中に延びるそれぞれのフランジ部分６０ａ、６０ｂを有することができる。同様に、上部絶縁ワッシャの第２の対６４ａ、６４ｂは、取付突起２６ａ、２６ｂをそれぞれ包囲するカバー１４のベース部分４６の頂部の上に取り付けることができ、それぞれ半径方向のギャップ６２ａ、６２ｂの中に延びるそれぞれのフランジ部分６６ａ、６６ｂを有することができる。一対の保持リング７０ａ、７０ｂは、上部絶縁ワッシャ６４ａ、６４ｂの上で、取付突起２６ａ、２６ｂの外面のそれぞれの溝７２ａ、７２ｂの中に除去自在に配置することができ、したがって、上部絶縁ワッシャ６４ａ、６４ｂ、カバー１４のベース部分４６、及び、下部絶縁ワッシャ５８ａ、５８ｂを、垂直積層配置の取付板１２のベース部分２４に対して、固定する。下部絶縁ワッシャ５８ａ、５８ｂ及び上部絶縁ワッシャ６４ａ、６４ｂは、以下に更に説明するように、カバー１４と取付板１２との間の伝導性熱伝達を軽減するために、アルミナ、ジルコニア、様々な熱可塑性プラスチックその他などの低熱伝導材料から形成することができる。
電気接点パッド２０は、ニッケルなどの熱的に耐久性のある導電材料から作ることができ、導電体２２にはんだづけし、又は、ろう付けすることができる。電気接点パッド２０は、絶縁ピン１６のポケット部分３４のポケット３６の中に配置することができ、導電体２２は、絶縁ピン１６の軸部分３８の導体パススルー４０を通って延びることができ、電力源（図示せず）に連結することができる。電気接点パッド２０は、導体パススルー４０の直径より大きく（例えば、少なくとも０．０１０インチ、より大きく）、かつ、ポケット３６の直径より小さい（例えば、少なくとも０．０１０インチ、より小さい）直径を有することができる。したがって、電気接点パッド２０は、電気接点パッド２０をポケット３６の中に保持するため、下部移動止めとして作動する肩部７４を備える、ポケット３６と導体パススルー４０との接合点に規定される環状肩部７４の上に置くことができる。
図２は、例示的加熱プラテンアセンブリ８０に取り付けたプローブ１０の実施形態を例示する断面図である。加熱プラテンアセンブリ８０は、加熱プラテン８２、金属化層８３、熱シールド８４及びベース８６を、任意の様々な既知の方法で、垂直に離隔した積層関係で共に連結して含むことができる。
金属化層８３は、加熱プラテン８２の下側又は裏側にプリントされ、または別の方法で加えられた、ガラス又は他の電気絶縁材料の層で覆われた、複数の金属トレースを含むことができる。電流を金属化層８３に加えた時、金属化層８３は、電気エネルギー量を熱に変換することができる。この熱は加熱プラテン８２を通って伝導することができ、したがって、その上に配置された基板を加熱する。
熱シールド８４は、加熱プラテン８２から比較的低温のベース８６へ移される熱量を低減するために機能することができる。熱シールド８４は、したがって、熱を、ベース８６から離れて、加熱プラテン８２の方へ、跳ね返すように構成することができる。
加熱プラテン８２は、アルミナ、窒化アルミ二ウム、窒化ホウ素又は類似の誘電セラミックなどのセラミック材料を含む熱的に耐久性のある材料から形成することができる。熱シールド８４は、アルミ二ウム、ステンレス鋼、チタン、又は他の低放射金属などの熱的反射性材料から形成することができる。ベース８６は、任意の適切な、固い、かつ、耐久性のある材料から形成することができ、処理動作中、加熱プラテン８２を、様々な角度位置及び／又は回転位置に向けることができる走査機構（図示せず）の部分にすることができ、又は、走査機構に連結することができる。
プローブ１０は、ベース８６の底の補充凹部８８の中に配置することができ、取付突起２６ａ、２６ｂのファスナーパススルー２８ａ、２８ｂをそれぞれ通って延びる一対の機械的ファスナー９０ａ、９０ｂ（例えば、ねじ又はボルト）により、ベース８６に除去自在に留めることができる。カバー１４の首部分４８は、ベース８６及び熱シールド８４のそれぞれのアパーチャ９２ａ、９２ｂを通って上方に延びることができる。
プローブ１０のスプリング１８は、取付板１２と絶縁ピン１６のフランジ部分４２との間の圧縮状態を保持することができ、したがって、絶縁ピン１６を、取付板１２から離れて上方へ動かすようにさせることができる。絶縁ピン１６、及び、特に、絶縁ピン１６のポケット部分３４の肩部７４は、順に、電気接点パッド２０を金属化層８３に対して上方へ動かすようにさせることができる。したがって、例えば、導電体２２と金属化層８３との間の所望の電気接続を維持するために、電気接点パッド２０を金属化層８３に固く係合して保持する間に、基板が、加熱プラテン８２の支持面８５に積まれる、又は、支持面８５から除去される時に起こり得る、など、スプリング１８は、電気接点パッド２０及び絶縁ピン１６が垂直にずらされることを可能にする。カバー１４の首部分４８のフランジ５２は、絶縁ピン１６の上向きの動きを制限するために、上部移動止めとして作動することができ、取付板１２のピンガイド３０は、絶縁ピン１６の下向きの動きを制限するために、下部移動止めとして作動することができる。
プラテンアセンブリ８０の動作中、電流を、導電体２２及び電気接点パッド２０により、金属化層８３に加えることができる。電流は、上記の方法で加熱プラテン８２を加熱するため、及び／又は、基板を加熱プラテン８２の支持面８５にクランプするための静電力を生成するため、供給することができる。どちらの場合も、熱量は、伝導及び／又は放射熱伝達により（プラテンアセンブリ８０は真空に保持される処理環境に配置することができるため、対流熱伝達は一般的に妨げられる）、加熱プラテン８２から比較的低温のベース８６へ伝達することができる。加熱プラテン８２からベース８６への顕著な熱伝達は、そのような熱伝達が加熱プラテン８２の温度変化を創生し得るため、一般的に望ましくない。理解されるように、加熱プラテン８２の材料のどの温度変化も、加熱プラテン８２により支持されるターゲット基板に伝達される熱の均一性に影響を与えることができ、イオン注入プロセスに悪影響を与える。いくつかの例において、加熱プラテン８２の温度変化により、加熱プラテン８２がゆがみ、たわみ、又は、割れることさえ引き起こし得る。
プローブ１０の上記の構造の特徴及び構成は、加熱プラテン８２から比較的低温のベース８６への熱伝達を軽減するために、協働することができ、加熱プラテン８２の温度均一性を向上する。例えば、金属化層８３に直接、接触するプローブ１０の部分は、ただ電気接点パッド２０だけであり、電気接点パッド２０及び付着の導電体２２は、絶縁ピン１６により、プローブ１０の残りの部分から熱的に絶縁される。プローブ１０と金属化層８３との間のこの制限的接触は、加熱プラテン８２からベース８６へのプローブ１０による伝導熱伝達を限定し得る。さらに、絶縁ピン１６のポケット部分３４のポケット３６の直径は、電気接点パッド２０の直径より大きいため、電気接点パッド２０の底面９０は絶縁ピン１６と接触し、電気接点パッド２０の側壁９１は絶縁ピン１６から半径方向に相隔たる。電気接点パッド２０と絶縁ピン１６との間のこの制限的接触は、加熱プラテン８２からベース８６へのプローブ１０による伝導熱伝達を更に限定し得る。なお更に、絶縁ピン１６の軸部分３８とピンガイド３０との間の上記の自走適合度は、軸部分３８とピンガイド３０との間の最小物理的接触という結果になる。これにより、加熱プラテン８２からベース８６へのプローブ１０による伝導熱伝達を更に限定し得る。なお更に、下部絶縁ワッシャ５８ａ、５８ｂ及び上部絶縁ワッシャ６４ａ、６４ｂは、低熱伝導材料から形成され、カバー１４を取付板１２から完全に分離し、カバー１４から取付板１２への伝導熱伝達を限定し得る。これにより、加熱プラテン８２からベース８６へのプローブ１０による伝導熱伝達を更に限定し得る。なお更に、低放射材料から形成されるカバー１４は、加熱プラテン８２とプローブ１０の下部のコンポーネントとの間の放射シールドとして、作動することができる。これにより、加熱プラテン８２からプローブ１０への放射熱伝達を限定することができ、順に、プローブ１０からベース８６への伝導熱伝達を軽減する。
加熱プラテン８２から比較的低温のベース８６への熱伝達を軽減することに加えて、プローブ１０の上記の構造の特徴及び構成は、加熱プラテン８２との所望の電気接続を維持しながら、ベース８６に対する加熱プラテン８２の熱膨張及び熱収縮を可能にするために、協働することができる。例えば、絶縁ピン１６のポケット部分３４のポケット３６の直径は、電気接点パッド２０の直径より大きいため、電気接点パッド２０は、電気接点パッド２０と加熱プラテン８２との間の物理的接続を維持しながら、加熱プラテン８２が膨張し、収縮する時に、ポケット３６の中で水平に動くことを可能にすることができる。さらに、絶縁ピン１６の軸部分３８の外径は、ピンガイド３０のピンパススルー３２の直径より小さいため、絶縁ピン１６は、電気接点パッド２０を加熱プラテン８２に固く係合して保持する間に、加熱プラテン８２が膨張し、収縮する時に、ピンガイド３０の中で水平に傾き又は揺れ動くことを可能にすることができる。
さらなる実施形態において、上記のプローブ１０に類似の複数の電気接点プローブは、プラテンを加熱するため、基板の静電クランプを可能にするため、及び／又は、電力を必要とするプラテンアセンブリの様々な他の特徴を促進するため、電気接続を提供するために、様々な構成及び配置でプラテンアセンブリに実装することができる。例えば、図３に示すプラテンアセンブリ９４の底部斜視図を参照するに、上記のプローブ１０に類似の第１の複数の電気接点プローブ１０１ 〜１０ ６は、プラテンアセンブリ９４の加熱プラテン９８に基板の静電クランプを可能にするために、プラテンアセンブリ９４のベース９６に設置することができる。上記のプローブ１０に類似の第２の複数の電気接点プローブ１０７ 〜１０ １０は、加熱プラテン９８を加熱するために、ベース９６に設置することができる。
したがって、上記の例示的プローブ１０は、加熱プラテンへの電気接続を提供するためプラテンアセンブリで一般的に用いられる従来の電気接点プローブに対して、多くの優位性を提供することができる。例えば、プローブ１０は、加熱プラテンから加熱プラテンアセンブリの比較的低温のベースへ移される熱量を非常に低減することができる。これにより、加熱プラテンの温度均一性を向上することができ、したがって、イオン注入プロセスの信頼性を向上し、プラテンの破滅的失敗の可能性を低減する。さらに、加熱プラテンとの所望の電気接続を維持しながら、加熱プラテンアセンブリのベースに対する加熱プラテンの熱膨張及び熱収縮を可能にすることができる。なお更に、プローブ１０は、加熱プラテンアセンブリの真空環境内で、効果的に動作することができ、上記の優位性の全てを与えることができる。
本発明は、本明細書に記載された特定の実施形態によって範囲を限定されるものではない。実際に、本明細書に記載された実施形態に加えて、本発明の他の様々な実施形態および変更は、前述の記載および添付図面から当業者には明らかであろう。したがって、このような他の実施形態および変更は、本発明の範囲内に含まれるものと意図している。さらに、本発明は、特定の環境における特定の目的のための特定の実装の文脈にて本明細書中で説明したが、当業者は、その有用性はそれらに限定されるものでないことを認識するであろう。本発明の実施形態は任意の数の環境における任意の数の目的のために有益に実装し得る。従って、以下に記載する特許請求の範囲は本明細書に記載された本発明の全範囲及び精神に鑑みて解釈しなければならない。

Claims (15)

  1. 熱絶縁電気接点プローブであって、該熱絶縁電気接点プローブは、
    ピンパススルーを規定する管状ピンガイドを有する取付板と、
    該取付板に連結され、前記ピンガイドを包囲する首部分を有するカバーと、
    前記ピンパススルーの中に配置され、導体パススルーを規定する軸部分と、前記ピンガイドの頂部の上で前記軸部分から半径方向外側に延びるフランジ部分と、該フランジ部分から延びポケットを規定するポケット部分と、を有する絶縁ピンと、
    前記フランジ部分と前記取付板との中間に配置され、前記フランジ部分を前記取付板から離すように付勢するスプリングと、
    前記ポケット内に配置される電気接点パッドと、
    該電気接点パッドに連結され、前記導体パススルーを通って延びる導電体と、を備える、熱絶縁電気接点プローブ。
  2. 前記カバーと前記取付板との中間に配置され、前記カバーと前記取付板とを分離する少なくとも１つの熱絶縁ワッシャを、さらに備える、請求項１に記載の熱絶縁電気接点プローブ。
  3. 前記カバーのスルーホールを通って前記取付板から延びる取付突起を、さらに備える、請求項１に記載の熱絶縁電気接点プローブ。
  4. 前記取付板の頂面の上に配置され、前記取付突起と前記カバーとの中間の半径方向のギャップの中に延びるフランジを有する、熱絶縁ワッシャを、さらに備える、請求項３に記載の熱絶縁電気接点プローブ。
  5. 前記カバーの頂面の上に配置され、前記取付突起と前記カバーとの中間の半径方向のギャップの中に延びるフランジを有する、熱絶縁ワッシャを、さらに備える、請求項３に記載の熱絶縁電気接点プローブ。
  6. 前記ポケットの直径は、前記電気接点パッドの直径より少なくとも０．０１０インチ大きく、前記電気接点パッドが前記ポケットの中で水平に動くことを可能にする、請求項１に記載の熱絶縁電気接点プローブ。
  7. 前記軸部分と前記ピンガイドとの間の自走適合度を確立するために、前記ピンパススルーの直径は前記絶縁ピンの前記軸部分の直径より少なくとも０．００１５インチ大きく、前記軸部分が前記ピンパススルーの中で傾くことを可能にする、請求項１に記載の熱絶縁電気接点プローブ。
  8. 環状肩部が前記ポケットと前記導体パススルーとの接合点に規定され、前記肩部は、前記電気接点パッドの動きを制限するための移動止めを提供する、請求項１に記載の熱絶縁電気接点プローブ。
  9. 加熱プラテンアセンブリであって、該加熱プラテンアセンブリは、
    加熱プラテンと、
    該加熱プラテンに連結されたベースと、
    前記加熱プラテンと前記ベースとの中間に配置され、前記加熱プラテンと前記ベースとに連結された熱シールドと、
    前記ベースに連結され、前記ベース及び前記熱シールドを通って延びる電気接点プローブと、を備え、
    該電気接点プローブは、
    ピンパススルーを規定する管状ピンガイドを有する取付板と、
    該取付板に連結され、前記ピンガイドを包囲する首部分を有するカバーと、
    前記ピンパススルーの中に配置され、導体パススルーを規定する軸部分と、前記ピンガイドの頂部の上で前記軸部分から半径方向外側に延びるフランジ部分と、該フランジ部分から延びポケットを規定するポケット部分と、を有する絶縁ピンと、
    前記ポケット内に配置される電気接点パッドと、
    該電気接点パッドに連結され、前記導体パススルーを通って延びる導電体と、
    前記フランジ部分と前記取付板との中間に配置され、前記フランジ部分を前記取付板から離すように付勢し、前記電気接点パッドを金属化層に係合して前記加熱プラテンの裏側に保持するスプリングと、を備える、加熱プラテンアセンブリ。
  10. 前記電気接点プローブは、前記カバーのスルーホールを通って前記取付板から延びる取付突起を、さらに備える、請求項９に記載の加熱プラテンアセンブリ。
  11. 前記電気接点プローブは、前記取付板の頂面の上に配置され、前記取付突起と前記カバーとの中間の半径方向のギャップの中に延びるフランジを有する、熱絶縁ワッシャを、さらに備える、請求項１０に記載の加熱プラテンアセンブリ。
  12. 前記電気接点プローブは、前記カバーの頂面の上に配置され、前記取付突起と前記カバーとの中間の半径方向のギャップの中に延びるフランジを有する、熱絶縁ワッシャを、さらに備える、請求項１０に記載の加熱プラテンアセンブリ。
  13. 前記ポケットの直径は、前記電気接点パッドの直径より少なくとも０．０１０インチ大きく、前記電気接点パッドが前記ポケットの中で水平に動くことを可能にする、請求項９に記載の加熱プラテンアセンブリ。
  14. 前記軸部分と前記ピンガイドとの間の自走適合度を確立するために、前記ピンパススルーの直径は前記絶縁ピンの前記軸部分の直径より少なくとも０．００１５インチ大きく、前記軸部分が前記ピンパススルーの中で傾くことを可能にする、請求項９に記載の加熱プラテンアセンブリ。
  15. 環状肩部が前記ポケットと前記導体パススルーとの接合点に規定され、前記肩部は、前記電気接点パッドの動きを制限するための移動止めを提供する、請求項９に記載の加熱プラテンアセンブリ。
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