JP6606705B2 - 有用層を移動する方法 - Google Patents
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Description
ステップa)における、脆化面と第1の基板の表面との間に有用層3の境界を画定するように第1の基板1中へ軽量種を注入することによって脆化面2を形成するステップと、
ステップb)における、破断すべき組立品5を形成するために第1の基板1の表面上へキャリア4を貼付するステップと、
ステップc)における、破断すべき組立品5を熱脆化処理するステップと、
ステップd)における、脆化面2に沿って第1の基板1内で破断波を発生及び伝播させるステップ。
脆化面と第1の基板の表面との間に有用層の境界面を画定するように第1の基板中へ軽量種を注入することによって脆化面を形成するステップと、
破断すべき組立品を形成するために第1の基板の表面上へとキャリアを載置するステップと、
キャリア上へと有用層を移動するように脆化面に沿って第1の基板を熱破断処理するステップと、
を含む、移動する方法である。
第1の温度における第1の段階であって、第1の段階が、破断の発生をもたらさない、第1の段階と、次いで、
第2の温度における第2の段階と、
を含んでいる。
300mm直径の単結晶シリコンウェハから構成されている第1の基板は、表面に25nm厚の酸化物の純粋な層を形成するために酸化されている。
すべてが実施例1の組立品と同じである25組の破断すべき組立品5から構成されているバッチが、炉内に置かれている。
すべてが実施例1の組立品と同じである25組の破断すべき組立品5から構成されているバッチが、2時間にわたって350℃の温度を有する窒素の雰囲気中の炉内に置かれている。
実施例2における実験は、2つのアニーリングステップの間に、破断すべき組立品5が、ウェット雰囲気中での処理の代わりに、水と10%に希釈したHFから構成されている溶液を用いてウェハ端部のケミカルアタックに曝露されることを除いて、繰り返されている。
破断すべき基板5のバッチが、2つの前の実施例と同様の方法で準備され、2時間にわたって350°で不活性雰囲気下の炉内に置かれている。
2 脆化面
3 有用層
4 キャリア
5 破断すべき組立品
Claims (15)
- キャリア(4)上へと有用層(3)を移動する方法であって、
脆化面(2)と第1の基板(1)の表面との間に有用層(3)の境界面を画定するように前記第1の基板(1)中へ軽量種を注入することによって前記脆化面(2)を形成するステップと、
破断すべき組立品(5)を形成するために前記第1の基板(1)の前記表面上へと前記キャリア(4)を載置するステップと、
前記キャリア(4)上へと前記有用層(3)を移動するように前記脆化面(2)に沿って前記第1の基板(1)を熱破断処理するステップと、
を含む方法において、
前記熱破断処理するステップ中に、前記キャリア(4)と前記第1の基板(1)との間の界面のところで周辺部接着の程度を低下させるための処理ステップを含むことを特徴とする、方法。 - 前記熱破断処理するステップが、炉内の雰囲気に前記破断すべき組立品(5)を曝露させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の基板(1)及び前記キャリア(4)が、シリコンを備え、前記炉の前記雰囲気の温度が、350℃よりも高い、請求項2に記載の方法。
- 前記熱破断処理するステップが、
第1の温度における第1の段階であって、前記第1の段階が前記破断の発生をもたらさない、第1の段階と、次いで、
前記第1の温度よりも低い第2の温度における第2の段階と、
を含んでおり、
周辺部接着の前記程度を低下させるための前記処理が、前記第2の段階中に適用されている、請求項1又は2に記載の方法。 - 前記第1の基板(1)及び前記キャリア(4)が、シリコンを備え、前記第2の温度が、350℃よりも低い、請求項4に記載の方法。
- 周辺部接着の前記程度を低下させるための前記処理が、前記炉の前記雰囲気中への水の導入を含んでいる、請求項2又は3、又は請求項2に従属する場合の請求項4又は5に記載の方法。
- 前記熱破断処理するステップが、
第1の温度における第1の段階であって、前記第1の段階が、前記破断の発生をもたらさない、第1の段階と、次いで、
第2の温度における第2の段階と、
を含んでおり、
周辺部接着の前記程度を低下させるための前記処理が、室温で前記第1の段階と前記第2の段階との間に適用されている、請求項1又は2に記載の方法。 - 前記第2の温度が、前記第1の温度よりも低い、請求項7に記載の方法。
- 周辺部接着の前記程度を低下させるための前記処理が、所与の期間よりも長い時間にわたって所与のレベルよりも高い湿度のレベルを有する環境への前記破断すべき組立品(5)の曝露を含んでいる、請求項7又は8に記載の方法。
- 前記第1の基板(1)及び前記キャリア(4)が、シリコンを備え、前記環境が大気であり、前記所与のレベルが10%であり、且つ前記所与の時間が15分である、請求項9に記載の方法。
- 周辺部接着の前記程度を低下させるための前記処理が、エッチング環境への前記破断すべき組立品(5)の曝露を含んでいる、請求項7又は8に記載の方法。
- 前記エッチング環境が、水及びHFの溶液を含んでいる、請求項11に記載の方法。
- 前記注入した軽量種が、水素イオンとヘリウムイオンとの間から選択されている、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 周辺部接着の前記程度を低下させるための前記処理が、前記破断すべき組立品の端部から始まり1ミクロンよりも大きい半径方向の距離にわたり前記キャリア(4)と前記第1の基板(1)との間の前記界面のところで前記界面に適用されている、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記半径方向の距離が、100ミクロンと500ミクロンとの間の範囲内である、請求項14に記載の方法。
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