JP6528889B2 - 電子受容性化合物及び電荷輸送膜用組成物、それを用いた発光素子 - Google Patents
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Description
しかしながら、発光効率は改善されたとはいえ、有機電界発光素子の需要拡大に向けた大きな課題は、駆動電圧の低下である。例えば、携帯機器の表示素子ではバッテリーからの低電圧駆動が要請され、また、携帯用途以外の一般的用途においても、駆動IC(Integrated Circuit)のコストは駆動電圧に依存し、駆動電圧が低い方が低コストになる。また、連続駆動時に徐々に駆動電圧が上昇していくことも、表示素子の安定した表示特性を維持する上で大きな課題となっている。
例えば、特許文献1には、正孔輸送性高分子化合物に、電子受容性化合物としてトリス(4−ブロモフェニルアミニウムヘキサクロロアンチモネート)(tris (4−bromophenyl) aminiumhexachloroantimonate):TBPAH)を混合することで、低電圧駆動が可能な有機電界発光素子が得られることが開示されている。具体的には、特許文献1に記載のTBPAHを電子受容性化合物に用いた場合、対アニオンはSbCl6 −である。
また、特許文献3には、正孔輸送性高分子化合物に、電子受容性化合物としてトリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(tris (pentafluorophenyl)borane:PPB)を、湿式成膜法により混合して正孔注入層を形成することが開示されている。特許文献3に記載のPPBを電子受容性化合物として用いた場合、対アニオンは下記式(I)に示されるアニオンラジカルである。
また、特許文献4には、光起電力装置(有機太陽電池)の電荷輸送膜の成分として、アミニウムカチオンラジカルと、SbF6 −又はBF4 −からなるイオン化合物を用いることが開示されている。
また、特許文献4又は特許文献5に記載の、対アニオンがI−などのハロゲン化物イオン、Br3 −などのポリハロゲン化物イオン、ClO4 −、PO3 −などのオキソ酸イオン、BF4 −、FeCl4 −、SiF6 2−、RuCl6 2−などの中心元素とハロゲンからなるイオン、CF3COO−などのカルボン酸イオン、CF3SO2O−などのスルホン酸イオンのいずれかである、アミニウムカチオンラジカルと対アニオンからなるイオン化合物を有機電界発光素子の正孔注入層の成分として用いた場合にも、負電荷が局在しているため、アミニウムカチオンラジカルと強く相互作用し、正電荷が移動しにくく、駆動電圧が十分に低下しないと考えられる。
また、特許文献5に記載の、対アニオンがCF3COO−などのカルボン酸イオン、CF3SO2O−などのスルホン酸イオン、(CF3SO3)4Al−などのスルホン酸イオン由来のアート錯体、C60 −、C60 2−、B12H12 2−のいずれかであり、アミニウムカチオンラジカルをカチオンとするイオン化合物を、有機電界発光素子の正孔注入層の成分として用いた場合にも、対アニオンの構造から、熱力学的及び/又は電気化学的安定性に乏しく、塗布液(組成物)及び素子特性の耐熱性を含めた安定性が十分でないと考えられる。
[1]下記式(1)の構造を有する電子受容性化合物。
[2]前記kが0であり、前記aが1であり、かつ、前記Arが、各々独立に置換基を有していてもよい芳香環基である、前記[1]に記載の電子受容性化合物。
[3]前記式(1)のArが、フッ素原子を置換基として4以上有する、前記[2]に記載の電子受容性化合物。
[4]前記式(1)のArが、下記式(3)で表される、前記[1]〜[3]のいずれか1に記載の電子受容性化合物。
[5]前記式(3)のAr7が下記式(4)で表される、前記[4]に記載の電子受容性化合物。
[7]前記式(1)のArの少なくとも一つが架橋基を有する、前記[1]〜[6]のいずれか1に記載の電子受容性化合物。
[8]前記[1]〜[7]のいずれか1に記載の電子受容性化合物と、正孔輸送性化合物とを含有する電荷輸送膜用組成物。
[9]前記正孔輸送性化合物が、芳香族三級アミン化合物である、前記[8]に記載の電荷輸送膜用組成物。
[10]さらに溶媒を含有する前記[8]または前記[9]に記載の電荷輸送膜用組成物。
[11]前記溶媒がエーテル系溶媒及びエステル系溶媒からなる群から選択される少なくとも1種の溶媒を含有する、前記[10]に記載の電荷輸送膜用組成物。
[12]有機電界発光素子の正孔注入層に用いられる、前記[8]〜[11]のいずれか1に記載の電荷輸送膜用組成物。
[13]陽極と陰極の間に正孔注入層、発光層を有し、電気エネルギーにより発光する有機電界発光素子であって、前記正孔注入層が、前記[8]〜[12]のいずれか1に記載の電荷輸送膜用組成物を塗布乾燥して成膜した層である有機電界発光素子。
[14]前記[13]に記載の有機電界発光素子を用いたディスプレイ。
[15]前記[13]に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。
[16]前記[13]に記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
[17]架橋基を有する電子受容性化合物であって、該電子受容性化合物がイオン化合物であり、該イオン化合物の対アニオンが架橋基を有する、電子受容性化合物。
[18]電子受容性化合物と、電荷輸送性化合物とを含む電荷輸送膜用組成物であって、該電子受容性化合物がイオン化合物であり、該イオン化合物の対アニオンが架橋基を有する、電荷輸送膜用組成物。
[19]イオン化合物である電子受容性化合物の対アニオンと、電荷輸送性化合物のカチオンラジカルからなる電荷輸送性イオン化合物を含む電荷輸送膜用組成物であって、該電子受容性化合物の対アニオンが架橋基を有する、電荷輸送膜用組成物。
また、本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極又は発光層との間に存在する層に、上述の電子受容性化合物を含有する。これによって、優れた耐熱性を発揮するとともに、低電圧・高効率での駆動が可能となり、駆動安定性に優れる。
本発明の有機電界発光素子は、上述の電荷輸送性イオン化合物を少なくとも含有する層が設けられている。これによって、優れた耐熱性を発揮するとともに、低電圧・高効率での駆動が可能となり、駆動安定性に優れるため、ディスプレイ、照明装置、発光装置等に好適に用いることができる。
なお、本明細書において、「質量」は「重量」と同義である。
また、式中の丸で囲まれたプラス(+)記号は正電荷を表し、明細書中では「+」で示し、同様に式中の丸で囲まれたマイナス(−)記号は負電荷を表し、明細書中では「−」で示す。
電子受容性化合物とは、ある化合物から電子を引き抜いてその化合物を酸化し、自身は還元される化合物のことを言う。本発明の電子受容性化合物は、イオン化合物であり、具体的には、下記一般式(1)で表わされる非配位性アニオンである対アニオンと対カチオンからなるイオン化合物である。
F4はフッ素原子が4個置換していることを表し、
F(5−a)はフッ素原子が5−a個置換していることを表し、
kは各々独立に0〜5の整数を表し、
aは各々独立に0〜5の整数を表し、
k+a≧1であり、
X+は下記式(2)の構造を有する対カチオンを表す。
また、本発明の架橋基を有する電子受容性化合物は、架橋基を有するイオン化合物であることが好ましい。
本発明の電子受容性化合物が架橋基を有する電子受容性化合物である場合の架橋基は特に制限されないが、後述の式(7)または式(8)であることが好ましい。
〔I−1.対アニオン〕
Arは、本発明の趣旨に反しない限りにおいて、更に別の置換基によって置換されていてもよい。Arが有してもよい置換基は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、1〜5の芳香環からなる芳香環基、炭化水素環基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルケトン基またはアリールケトン基である。
アルケニル基の例としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基等が挙げられる。
アルキニル基の例としては、アセチル基、プロピニル基、ブチニル基等が挙げられる。
アラルキル基の例としては、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルヘキシル基等が挙げられる。
アルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ブチルチオ基、ヘキシルチオ基等が挙げられる。
アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等が挙げられる。
アルキルケトン基の例としては、アセチル基、エチルカルボニル基、ブチルカルボニル基、オクチルカルボニル基等が挙げられる。
アリールケトン基の例としては、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基等が挙げられる。
アルキルオキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ブチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基等が挙げられる。
環を形成した例としては、シクロブテン環、シクロペンテン環等が挙げられる。
これらの置換基の中でも、ハロゲン原子またはアリール基が化合物の安定性の点で好ましい。最も好ましくはハロゲン原子である。
より好ましくは、Arが全て下記式(3)で表わされるものである。
Ar7は前述のArが有してもよい置換基として好ましい基と同じである。また、F4はフッ素原子が4個置換していることを表す。
これらの中でも、Ar7が下記式(4)で表されることがより好ましい。
これら式(7)、式(8)は置換基を有していてもよく、その置換基の例としては、Arが有していてもよい置換基と同じである。
式(1)中、X+はイオン化合物の対カチオンであり、下記式(2)で表される。
Ar5及びAr6が有してもよい置換基として好ましい基は、水素原子、ハロゲン原子、1〜5の芳香環からなる芳香環基、炭化水素環基、アルキル基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基およびヒドロキシ基である。中でもアルキル基が、溶剤に対する溶解性を向上させる為特に好ましい。
アラルキル基の例としては、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルヘキシル基等が挙げられる。
アルキルオキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ブチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基等が挙げられる。
アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等が挙げられる。
これらの置換基の中でも、アルキル基が膜安定性の点で好ましい。
また、前記式(2)で表される対カチオンが、下記式(5)で表されることが好ましい。
また、本発明の電子受容性化合物は、架橋基を有する電子受容性化合物である。
スルホニウムカチオンとして具体的には、トリフェニルスルホニウムカチオン、4−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、4−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、(4−t−ブトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムカチオン、ビス(4−t−ブトキシフェニル)フェニルスルホニウムカチオン、4−シクロヘキシルスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン等が好ましい。
前記一般式(1)のArが有していてもよい架橋基および、本発明の架橋基を有するイオン化合物が有する架橋基は、以下の架橋基群Zから選ばれることが好ましい。これらの架橋基は、室温よりも十分高い温度で架橋するため、電荷輸送膜用組成物としての安定性が高く、架橋結合が酸化還元に対して安定性が高いため、有機電界発光素子としての安定性も高いと考えられる。
式(Z−3)〜(Z−7)で表される架橋基は、置換基を有さないことが好ましい。
上記架橋基の中でも、架橋後の安定性が高く、素子駆動寿命が向上する点で(Z−1)〜(Z−4)が好ましく、(Z−1)または(Z−2)で表される架橋基が特に好ましい。
(Z−1)で表される架橋基は前記式(7)で表される構造がさらに好ましく、有していてもよい好ましい置換基は炭素数30以下の環状・非環状の脂肪族由来の基および炭素数30以下のアリール基であり、置換基を有さないことがさらに好ましい。
(Z−2)で表される架橋基は前記式(8)で表される構造がさらに好ましく、有していてもよい好ましい置換基は炭素数30以下の環状・非環状の脂肪族由来の基および炭素数30以下のアリール基であり、置換基を有さないことがさらに好ましい。
以下に本発明において使用される電子受容性化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明の電荷輸送膜用組成物は、前述の本発明の電子受容性化合物と、後述の電荷輸送性化合物とを含有する組成物(以下、適宜「本発明の電荷輸送膜用組成物(A)」という。)、又は、後述の電荷輸送性化合物のカチオンラジカルと前述の本発明の電子受容性化合物の一部である対アニオンからなる電荷輸送性イオン化合物を含有する組成物(以下、適宜「本発明の電荷輸送膜用組成物(B)」という。)である。便宜上、電荷輸送膜用組成物(A)と電荷輸送膜用組成物(B)に分けて説明するが、本発明の電荷輸送膜用組成物は、本願発明の電子受容性化合物、後述の電荷輸送性化合物および、後述の電荷輸送性化合物のカチオンラジカルと前述の本発明の電子受容性化合物の一部である対アニオンからなる電荷輸送性イオン化合物とを含む組成物も含む。
〔II−1−1.正孔輸送性化合物〕
次に、本発明の電荷輸送膜用組成物に含まれる電荷輸送性化合物としての正孔輸送性化合物(以下、適宜「本発明の正孔輸送性化合物」と略称する。)について説明する。
芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式(11)で表わされる繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
Ar13はまた、下記式(12)で表される2価の基が好ましい。
R11のアルキル基の具体例としては、メタン、エタン、プロパン、イソプロパン、ブタン、イソブタン、ペンタン由来の3価の基等が挙げられる。
R12のアルキル基の具体例としては、メタン、エタン、プロパン、イソプロパン、ブタン、イソブタン、ペンタン由来の2価の基等が挙げられる。
Ar31の架橋基の例としては、ベンゾシクロブテン環、ナフトシクロブテン環またはオキセタン環由来の基、ビニル基、アクリル基等が挙げられる。好ましくは前述の架橋基群Z記載の架橋基であり、より好ましい架橋基も同様である。化合物の安定性からベンゾシクロブテン環またはナフトシクロブテン環由来の基が好ましい。これらは、前記式(7)または前記式(8)で表される架橋基である。
Ar21、Ar23は、それぞれ独立に、2価の芳香環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ar22は置換基を有していてもよい1価の芳香環基を表し、R13は、アルキル基、芳香環基またはアルキル基と芳香環基からなる2価の基を表し、これらは置換基を有していてもよい。Ar32は1価の芳香環基又は1価の架橋基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。アスタリスク(*)は一般式(11)の窒素原子との結合手を示す。
Ar22、Ar32の芳香環基の例としては、単環、2〜6縮合環又はこれらの芳香族環が2つ以上連結した基が挙げられる。具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環もしくはフルオレン環由来の1価の基、ビフェニル基、ターフェニル基、クアテルフェニル基、または、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環もしくはアズレン環由来の1価の基が挙げられる。中でも負電荷を効率良く非局在化すること、安定性、耐熱性に優れることから、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピリジン環もしくはカルバゾール環由来の1価の基またはビフェニル基が好ましい。
メチル基、エチル基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは8以下のアルキル基;ビニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは5以下のアルケニル基;エチニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは5以下のアルキニル基;メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは6以下のアルコキシ基;フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が通常4以上、好ましくは5以上、通常25以下、好ましくは14以下のアリールオキシ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは7以下のアルコキシカルボニル基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が通常2以上、通常20以下、好ましくは12以下のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、N−カルバゾリル基等の、炭素数が通常10以上、好ましくは12以上、通常30以下、好ましくは22以下のジアリールアミノ基;フェニルメチルアミノ基等の、炭素数が通常6以上、好ましくは7以上、通常25以下、好ましくは17以下のアリールアルキルアミノ基;アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常2以上、通常10以下、好ましくは7以下のアシル基;フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子;トリフルオロメチル基等の、炭素数が通常1以上、通常8以下、好ましくは4以下のハロアルキル基;メチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは6以下のアルキルチオ基;フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が通常4以上、好ましくは5以上、通常25以下、好ましくは14以下のアリールチオ基;トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が通常2以上、好ましくは3以上、通常33以下、好ましくは26以下のシリル基;トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が通常2以上、好ましくは3以上、通常33以下、好ましくは26以下のシロキシ基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が通常6以上、通常30以下、好ましくは18以下の芳香族炭化水素基;チエニル基、ピリジル基等の、炭素数が通常3以上、好ましくは4以上、通常28以下、好ましくは17以下の芳香族複素環基。
s、tは各々独立に、0以上、5以下の整数を表わす。
u、v、wは各々独立に、0以上、4以下の整数を表わす。
本発明の電荷輸送膜用組成物(A)における正孔輸送性化合物の含有量は、上述した電子受容性化合物との比率を満たす範囲となるようにする。二種以上の電荷輸送膜用組成物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
本発明の電荷輸送膜用組成物(A)は、少なくとも、〔I.電子受容性化合物〕の項で詳述した本発明の電子受容性化合物と、〔II−1−1.正孔輸送性化合物〕の項で詳述した本発明に係る正孔輸送性化合物とを混合することで調製される。上述の電子受容性化合物のうち何れか一種を単独で含有していてもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で含有していてもよい。正孔輸送性化合物についても同様である。
本発明の電荷輸送膜用組成物(B)は、前述の通り、本発明に係る前述の正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと前述の本発明の電子受容性化合物の対アニオンからなる電荷輸送性イオン化合物を含有する組成物である。
本発明の電荷輸送性イオン化合物のカチオンである電荷輸送性化合物のカチオンラジカルは、前述の〔II−1−1.正孔輸送性化合物〕に示す電気的に中性の化合物から、一電子取り除いた化学種である。ただし、正孔輸送性化合物が高分子化合物である場合には、高分子構造中に、電気的に中性の部分構造から一電子取り除いた部分構造を含む化学種である。
特に、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルが下記式(10)で表わされる部分構造を有する芳香族三級アミン化合物であることが、適度な酸化還元電位を有する点、安定な電荷輸送性イオン化合物が得られる点から好ましい。
R81〜R84の具体例、好ましい例は、前述の式(16)におけるR41〜R43と同様である。
一般式(10)で表わされる部分構造を有する芳香族三級アミン化合物が高分子化合物である場合は、Ar81もしくはAr82のいずれか一方、または、Ar83もしくはAr84のいずれか一方で高分子構造に結合していてもよいし、Ar81もしくはAr82のいずれか一方、および、Ar83もしくはAr84のいずれか一方の両方で高分子化合物の主鎖に連結していてもよい。
また、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルが、重量平均分子量1000以上、1000000以下の芳香族三級アミン高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造の化学種であることが、耐熱性の点、成膜性の点から好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除くとは、芳香族三級アミン高分子化合物に含まれる複数の繰り返し単位の一部または全てから一電子取り除くことである。芳香族三級アミン高分子化合物に含まれる複数の繰り返し単位の一部から一電子取り除くことが、芳香族三級アミン高分子化合物が安定であり好ましい。該芳香族三級アミン高分子化合物としては、前述の〔II−1−1.正孔輸送性化合物〕に記載のものが挙げられる。その好ましい例も、前述の記載と同様である。
本発明の電荷輸送性イオン化合物は、前述の電荷輸送性化合物のカチオンラジカルと、前述の本発明の電子受容性化合物の一部である対アニオンとがイオン結合した化合物である。
本発明の電荷輸送性イオン化合物は、本発明の電子受容性化合物と、本発明の正孔輸送性化合物とを混合することによって得ることができ、種々の溶媒に容易に溶解する。
本発明の電荷輸送性イオン化合物の分子量は、カチオンラジカルが高分子化合物由来である場合を除いて、通常1000以上、好ましくは1200以上、更に好ましくは1400以上、また、通常9000以下、好ましくは5000以下、更に好ましくは4000以下の範囲である。
本発明の電荷輸送性イオン化合物は、本発明の電子受容性化合物と、本発明の正孔輸送性化合物とを溶媒に溶解して混合して調製することが好ましい。この溶液中で、本発明の電子受容性化合物によって正孔輸送性化合物が酸化されてカチオンラジカル化し、本発明の電子受容性化合物の対アニオンと、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルとのイオン化合物である、本発明の電荷輸送性イオン化合物が生成する。
本発明の電荷輸送膜用組成物(B)は、前述した本発明の電荷輸送性イオン化合物一種を単独で含有していてもよく、二種以上を含有していてもよい。電荷輸送性イオン化合物は一種または二種含有することが好ましく、一種を単独で含有することがより好ましい。電荷輸送性イオン化合物のイオン化ポテンシャルのばらつきが少なく、正孔輸送性が優れるためである。
本発明の電荷輸送膜用組成物(A)は、上述の電子受容性化合物及び正孔輸送性化合物に加え、必要に応じてその他の成分、例えば溶媒や各種の添加剤等を含んでいてもよい。特に、本発明の電荷輸送膜用組成物を用いて、湿式成膜法により電荷輸送膜を形成する場合には、溶媒を用いて前述の電子受容性化合物及び正孔輸送性化合物を溶解させた状態とすることが好ましい。
組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶媒を予め脱水する、水の溶解度が低い溶媒を使用する等が挙げられる。中でも、塗布工程中に溶液塗膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐという観点からは、水の溶解度が低い溶媒を使用することが好ましい。
その他、本発明の電荷輸送膜用組成物(A)、(B)が含有していてもよい成分としては、バインダー樹脂、塗布性改良剤等が挙げられる。これらの成分の種類や含有量は、電荷輸送膜用組成物の用途に応じて適宜選択すればよい。
本発明の電荷輸送膜用組成物(A)により形成される電荷輸送膜は、耐熱性に優れるとともに、高い正孔注入・輸送能を有する。この様な優れた特性が得られる理由を以下に説明する。
架橋基を有する電荷輸送性化合物が高分子化合物(以下、電荷輸送性高分子化合物と記載する。)であり、電子受容性化合物が低分子化合物であって架橋基を有する場合、電荷輸送性高分子化合物の架橋基の架橋開始温度と、電子受容性化合物の架橋基の架橋開始温度が異なることが好ましい。
また、TH、TLおよびTBの関係は、TL<TBであることが好ましく、TL<TB≦TL+10であることがさらに好ましく、TL<TB≦THであることが一層好ましい。
この理由は、TBがTLより高いと、架橋温度が低い方の化合物の方がより架橋反応しやすいためである。また、TBがTL+10℃以下であれば、架橋温度が高い方の架橋反応は架橋温度が低い方の架橋反応よりも反応が緩やかであるため、前述の効果が得られやすい。また、架橋開始温度以下であっても、図2に示すとおりDSC測定では発熱が観測されるため、架橋基の一部は緩やかに架橋反応していると考えられる。これは、系の温度が架橋の活性化エネルギー以下であっても、活性化エネルギーを超える状態にある架橋基が確率的には若干存在するためである。そのため、TBがTH以下であっても、架橋開始温度が高い架橋基も架橋反応が進行するが、その反応は緩やかであるため、架橋温度が低い方の架橋基の方が先に架橋反応が進行し、前述の効果が得られやすいと考えられる。
次に、本発明の有機電界発光素子について、図1(a)〜図1(c)を参照しながら説明する。なお、図1(a)〜図1(c)は何れも、本発明の一実施形態に係る有機電界発光素子の構成の例を模式的に示す断面図である。
基板101は、有機電界発光素子100aの支持体である。基板101を形成する材料としては、石英板、ガラス板、金属板、金属箔、プラスチックフィルム及びプラスチックシート等が挙げられる。これらの中でも、ガラス板、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明なプラスチックシートが好ましい。なお、基板101にプラスチックを用いる場合には、基板101の片面又は両面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を高めることが好ましい。
正孔注入層103は、前述の〔I.電子受容性化合物〕に記載の電子受容性化合物と、前述の〔II−1−1.正孔輸送性化合物〕に記載の正孔輸送性化合物とを含む層であることが好ましい。この場合、正孔注入層103における電子受容性化合物の含有量は、通常0.1質量%以上、好ましくは1質量%以上、また、通常50質量%以下、好ましくは25質量%以下の範囲である。なお、ここで規定する電子受容性化合物の含有量の範囲は、電子受容性化合物を含有する層が有機電界発光素子における正孔注入層以外の層として設けられた場合も同様である。
しかしながら、本発明の架橋基を有する電子受容性化合物を用いた正孔注入層内では、架橋によって電子受容性化合物が固定されているため、発光層内には拡散せず、発光効率が向上し、駆動電圧が上昇せず、むしろ低下し、さらに駆動寿命が向上すると考えられる。
又は、電荷輸送性イオン化合物を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して、蒸発量を制御して蒸発させ、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極102上に正孔注入層103を形成させる。好ましくは、正孔輸送性化合物を電荷輸送性イオン化合物とは別のるつぼに入れ、蒸発量を制御して蒸発させて、陽極102上に電荷輸送性イオン化合物と正孔輸送性化合物からなる正孔注入層103を形成させる。
又は、電荷輸送性イオン化合物の所定量を、必要により正孔輸送性化合物や電荷のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤を添加して、塗布溶液、即ち、電荷輸送膜用組成物(B)を調製し、スピンコート法やディップコート法等の湿式成膜法により陽極102上に塗布し、乾燥して、正孔注入層103を形成させる。
この様に、本発明の電荷輸送膜用組成物(A)、(B)を用いて湿式成膜法により形成される層は、表面が平滑なものとなるため、ITO等の陽極102の表面粗さに起因する素子作製時の短絡の問題を解消することができる。
リチウムテトラキス(ノナフルオロビフェニル)ホウ素(89.5g)の塩化メチレン(900ml)溶液に塩化クミルトリルヨードニウム(26g)を添加し、室温下で5時間反応させた。塩化メチレン層を精製水で数回洗浄し、活性炭処理後、減圧下で濃縮した。残渣を再結晶し、目的物(B−1)(31g)を得た。
合成した化合物の構造はMS分析、NMRにより同定した。MS分析の測定条件は以下の通りである。
MS分析測定条件:イオン化法:ESI(+/−)
カチオン:C16H18I+(337.0)
アニオン:C48BF36 −(1271.0)
3−ビシクロ[4,2,0]オクタ−1,3,5−トリエンボロン酸(30.3g)、1,4−ジブロモ−2,3,5,6−テトラフルオロベンゼン(125.9g)、1,2−ジメトキシエタン(1L)、2.0M リン酸三カリウム水溶液(0.26L)の混合溶液をアルゴンで脱気した。その後、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)(7.3g)を添加し、内温73℃にて、7.5時間加熱撹拌した。
アルゴン気流下、リチウムテトラキス[4’−(1,2−ジヒドロシクロブタ[a]ナフタレン−4−イル)−2,2’3,3’,5,5’,6,6’−オクタフルオロ−1,1’−ビフェニル−4−イル]ボレート(25.6g)、ジクロロメタン(80mL)のメタノール(330mL)溶液に、内温8℃にて撹拌下、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムクロリド(4.24g,1.00eq.)をゆっくり分割投入した。内温8〜9℃にて2時間撹拌後、減圧下にメタノールを留去した。ジクロロメタン(150mL)に再溶解し、無機塩を濾去した後、濾液を濃縮した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/ジクロロメタン=1/2〜1/4)で精製し、目的物(B−20)(20.9g,収率85.6%)を得た。合成した化合物の構造はNMRにより同定した。
アルゴン雰囲気下、リチウムテトラキス[2,2’3,3’,5,5’,6,6’−オクタフルオロ−3’’−5’’−ビス(トリフルオロメチル)[1,1’:4’,1’’]ターフェニル−4−イル]ボレート(530mg,0.2132mmol)のジクロロメタン(1mL)、メタノール(12mL)溶液に、氷冷にて撹拌下、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムクロリド(79.5mg,1.00eq.)をゆっくり投入した。室温にて2時間撹拌後、減圧下にメタノールを留去した。ジクロロメタン(5mL)に再溶解し、無機塩を濾去した後、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/ジクロロメタン=1/2〜1/4)で精製し、目的物(B−23)(395mg,収率77.6%)を得た。合成した化合物の構造はNMRにより同定した。
アルゴン雰囲気下、リチウムテトラキス[2,3,5,6−テトラフルオロ−4−(トリフルオロメチル)フェニル]ボレート(17.6g)、ジクロロメタン(90mL)、メタノール(350mL)の溶液に、氷冷にて撹拌下、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムクロリド(7.40g,1.00eq.)をゆっくり投入した。室温にて4時間撹拌後、減圧下にメタノールを留去した。ジクロロメタンに再溶解し、無機塩を濾去した後、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/ジクロロメタン=1/1、ジクロロメタン、アセトニトリル)で数回精製し、残渣をn−ペンタンで懸洗し、目的物(B−24)(15.9g,収率65%)を得た。
MS分析測定条件:イオン化法:ESI(+/−)
カチオン:C16H18I+(337.0)
アニオン:C28BF28 −(879.0)
アルゴン気流下、2−(1,2−ジヒドロシクロブタ[a]ナフタレン−4−イル)−4,4,5,5,−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(9.10g,32.48mmol)、4,4’−ジブロモオクタフルオロ−1,1’−ビフェニル(29.80g,2.0eq.)、1,2−ジメトキシエタン(162mL)の溶液に、2.0M リン酸三カリウム水溶液(40.6mL,2.50equiv.)を室温で添加し、40度でアルゴン置換した。その後、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(2.40g,6.4mol%)を加え、内温72〜74℃にて、9時間加熱撹拌した。
MS分析測定条件:イオン化法:ESI(+/−)
カチオン:C16H18I+(337.0)
アニオン:C45BF29 −(1111.0)
アルゴン雰囲気下、化合物7(3.00g)、ジクロロメタン(11mL)、メタノール(45mL)を仕込み、氷冷にて撹拌下、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムクロリド(653mg,1.00equiv.)をゆっくり投入した。室温にて2時間撹拌後、減圧下にメタノールを留去した。ジクロロメタン(15mL)に再溶解し、無機塩を濾去した後、濾液を濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/ヘキサン=1/3〜1/0、メタノール/酢酸エチル=1/49、アセトニトリル)で数回精製し、目的物(B−19)(1.722g,収率58.6%)を得た。合成した化合物の構造はMS分析、NMRにより同定した。MS分析の測定条件は以下の通りである。
MS測定条件:イオン化法:ESI(+/−)
カチオン:C16H18I+(337.0)
アニオン:C63H21BF29 −(1339.0)
図1(c)に示した有機電界発光素子100cと同様の層構成を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を130nmの厚さに堆積したもの(三容真空社製、スパッタ成膜品)を通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。このようにITOをパターン形成した基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
まず、下記の構造式(HI−1)を有する電荷輸送性高分子化合物100質量部と、(B−1)の構造を有する電子受容性化合物を電荷輸送性高分子化合物に対して0.2mol/kgとなる量を安息香酸エチルに溶解し、5000質量部の溶液を調製した。
この溶液を、大気中で上記基板上にスピンコートし、大気中クリーンオーブン230℃、60分で乾燥させ、膜厚36nmの均一な薄膜を形成し、正孔注入層とした。
次に、下記の構造式(HT−1)を有する電荷輸送性高分子化合物100質量部を、シクロヘキシルベンゼンに溶解させ、2.5wt%の溶液を調製した。
この溶液を、上記正孔注入層を塗布成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピンコートし、窒素グローブボックス中のホットプレートで230℃、60分間乾燥させ、膜厚40nmの均一な薄膜を形成し、正孔輸送層とした。
この溶液を、上記正孔輸送層を塗布成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピンコートし、窒素グローブボックス中のホットプレートで130℃、20分間乾燥させ、膜厚56nmの均一な薄膜を形成し、発光層とした。
次に、下記の構造式(HB−1)に示す化合物を、発光層上に真空蒸着法にて1Å/秒の速度で成膜し、膜厚10nmの正孔阻止層を形成した。
続いて、電子輸送層の材料として下記の構造式(E−1)に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体をルツボで加熱して蒸着を行った。
蒸着速度は1Å/秒で、膜厚10nmの膜を正孔阻止層上に積層して電子輸送層を形成した。
正孔注入層の電子受容性化合物を(B−1)から下記(AC−1)に変えたこと以外は、実施例1と同様にして有機電界発光素子を作製した。
図1(c)に示した有機電界発光素子100cと同様の層構成を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を70nmの厚さに堆積したもの(三容真空社製、スパッタ成膜品)を通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。このようにITOをパターン形成した基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
まず、下記の構造式(HI−2)を有する電荷輸送性高分子化合物100質量部と、(B−23)の構造を有する電子受容性化合物20質量部を安息香酸ブチルに溶解し、2.0wt%の溶液を調製した。
この溶液を、大気中で上記基板上にスピンコートし、大気中クリーンオーブン230℃、60分で乾燥させ、膜厚30nmの均一な薄膜を形成し、正孔注入層とした。
次に、構造式(HT−1)を有する電荷輸送性高分子化合物100質量部を、シクロヘキシルベンゼンに溶解させ、1.5wt%の溶液を調製した。
この溶液を、上記正孔注入層を塗布成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピンコートし、窒素グローブボックス中のホットプレートで230℃、60分間乾燥させ、膜厚20nmの均一な薄膜を形成し、正孔輸送層とした。
この溶液を、上記正孔輸送層を塗布成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピンコートし、窒素グローブボックス中のホットプレートで120℃、20分間乾燥させ、膜厚60nmの均一な薄膜を形成し、発光層とした。
次に、構造式(H−4)に示す化合物を発光層上に真空蒸着法にて1Å/秒の速度で成膜し、膜厚5nmの正孔阻止層を形成した。
続いて、電子輸送層の材料として下記の構造式(E−2)に示す化合物を正孔阻止層上に真空蒸着法にて1Å/秒の速度で成膜し、膜厚5nmの電子輸送層を形成した。
正孔注入層の電子受容性化合物を(B−23)から(B−24)へ変えたこと以外は、実施例2と同様にして有機電界発光素子を作製した。
正孔注入層の電子受容性化合物を(B−23)から(AC−1)へ変えたこと以外は、実施例2と同様にして有機電界発光素子を作製した。
正孔注入層の電子受容性化合物を(B−24)から(B−19)へ変更し、発光層材料を(H−3),(H−4),(H−5)および(D−2)から下記構造式(H−6)および(D−3)へ変更し、発光層膜厚を60nmから30nmにしたこと以外は、実施例3と同様にして有機電界発光素子を作製した。なお、発光層は、(H−6)を100質量部、(D−3)を10質量部秤量し、シクロヘキシルベンゼンに溶解させ3.0wt%の溶液を調製し塗布した。
正孔注入層の電子受容性化合物を(B−19)から(AC−1)へ変更したこと以外は、実施例4と同様にして有機電界発光素子を作製した。
正孔輸送層の電荷輸送性高分子化合物を(HT−1)から下記構造式(HT−2)へ変更し、発光層の溶液濃度を5.0wt%へ、膜厚を30nmから60nmにしたこと以外は、実施例4と同様にして有機電界発光素子を作製した。
正孔注入層の電子受容性化合物を(B−19)から(AC−1)へ変更したこと以外は、実施例5と同様にして有機電界発光素子を作製した。
得られた実施例5および比較例4の有機電界発光素子を10mA/cm2で発光させたときの電圧(V)、電流効率(cd/A)と、20mA/cm2で定電流駆動させた際に、初期輝度から70%の値となるまでの時間(h)を駆動寿命として測定し、電圧については比較例4の値を引いた電圧(V)を相対電圧(V)として、また、電流効率および駆動寿命については、比較例4を100とした時の相対値を、それぞれ相対電流効率および相対駆動寿命として下記の表4に記した。表4の結果に表すが如く、比較例4の有機電界発光素子に比較して、本発明の電子受容性化合物を使用した有機電界発光素子では、より低電圧駆動が可能となり、さらに電流効率、駆動寿命ともに向上することが判った。
正孔注入層の電子受容性化合物を(B−19)から(B−18)へ変更したこと以外は、実施例4と同様にして有機電界発光素子を作製した。
正孔注入層の電子受容性化合物を(B−18)から(B−20)へ、溶液濃度を3.0wt%へ変更したこと以外は、実施例6と同様にして有機電界発光素子を作製した。
正孔注入層の電子受容性化合物を(B−18)から(AC−1)へ変更したこと以外は、実施例6と同様にして有機電界発光素子を作製した。
正孔注入層の電子受容性化合物を(B−23)から(B−1)へ、正孔輸送層の材料を(HT−1)から(HT−2)へ変更したこと以外は、実施例2と同様にして有機電界発光素子を作製した。
正孔注入層の電子受容性化合物を(B−1)から(AC−1)へ変更したこと以外は、実施例8と同様にして有機電界発光素子を作製した。
図1(c)に示した有機電界発光素子100cと同様の層構成を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
まず、下記の構造式(HI−3)を有する電荷輸送性高分子化合物100質量部と、(B−18)の構造を有する電子受容性化合物20質量部を配合させ、安息香酸ブチルに溶解し、2.0wt%の溶液を調製した。
この溶液を、大気中で実施例2と同様に準備した基板上にスピンコートし、大気中クリーンオーブン220℃、30分で乾燥させ、膜厚30nmの均一な薄膜を形成し、正孔注入層とした。
次に、実施例5と同様に正孔輸送層を形成した。
さらに、実施例2と同様にして、正孔阻止層、電子輸送層および陰極を形成し、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子を得た。
正孔注入層の電子受容性化合物を(B−18)から(B−20)に変更し、電荷輸送性高分子化合物を(HI−3)から下記構造式(HI−4)へ変更した以外は、実施例9と同様にして有機電界発光素子を作製した。
正孔注入層の電子受容性化合物を(B−18)から(B−20)へ変更した以外は、実施例9と同様にして有機電界発光素子を作製した。
正孔注入層の電荷輸送性高分子化合物を(HI−3)から(HI−4)へ変更した以外は、実施例9と同様にして有機電界発光素子を作製した。
式(7)および式(8)の架橋基を有するモデル化合物として、下記化合物(MC−1)および(MC−2)を国際公開第2015/133437号に記載の通り合成した。
図1(c)に示した有機電界発光素子100cと同様の層構成を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
まず、実施例1と同様に準備したITOをパターン形成した基板上に、実施例7と同様にして、正孔注入層を形成した。
次に、下記の構造式(HT−3)を有する電荷輸送性高分子化合物を、シクロヘキシルベンゼンに溶解させ、1.5wt%の溶液を調製した。
この溶液を、上記正孔注入層を塗布成膜したITO基板上に窒素グローブボックス中でスピンコートし、窒素グローブボックス中のホットプレートで230℃、60分間乾燥させ、膜厚20nmの均一な薄膜を形成し、正孔輸送層とした。
さらに、実施例2と同様にして、正孔阻止層、電子輸送層および陰極を形成し、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子を得た。
正孔輸送層を設けず、正孔注入層の上に直接発光層を形成したこと以外は、実施例13と同様にして有機電界発光素子を作製した。
正孔注入層の電子受容性化合物を(B−20)から(B−19)に変更したこと以外は、実施例13と同様にして有機電界発光素子を作製した。
正孔輸送層を設けず、正孔注入層の上に直接発光層を形成したこと以外は、実施例15と同様にして有機電界発光素子を作製した。
また、本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極又は発光層との間に存在する層に、上述の電荷輸送性イオン化合物を含有する。これによって、優れた耐熱性を発揮するとともに、より低電圧での駆動が可能となる。よって、フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛けテレビ)や面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えられ、特に、高耐熱性が要求される車載用表示素子として、その技術的価値は大きい。
101 基板
102 陽極
103 正孔注入層
104 正孔輸送層
105 発光層
106 電子輸送層
107 陰極
108 正孔阻止層
Claims (20)
- 正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと、下記式(6)で表される対アニオンとからなり、前記正孔輸送性化合物は、下記式(11)、式(15)、又は式(16)で表される繰り返し単位の少なくともいずれか1つを有する芳香族三級アミン高分子化合物である、電荷輸送性イオン化合物。
F4はフッ素原子が4個置換していることを表し、
F(5−a)はフッ素原子が5−a個置換していることを表し、
kは各々独立に0〜5の整数を表し、
aは各々独立に0〜5の整数を表し、
k+a≧1である。)
l+m≧1であり、
Ar 11 、Ar 12 、Ar 14 は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数30以下の2価の芳香環基を表し、
Ar 13 は、置換基を有していてもよい炭素数30以下の2価の芳香環基または下記式(12)で表される2価の基を表し、
Q 11 、Q 12 は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、置換基を有していてもよい炭素数6以下の炭化水素鎖を表し、
S 1 〜S 4 は、各々独立に、下記式(13)で表される基である。)
R 12 は、アルキル基、芳香環基または炭素数40以下のアルキル基と芳香環基からなる2価の基を表し、これらは置換基を有していてもよく、
Ar 31 は、1価の芳香環基、又は1価の架橋基を表し、これらの基は置換基を有していてもよく、
アスタリスク(*)は式(11)の窒素原子との結合手を示す。)
Ar 21 、Ar 23 は、それぞれ独立に、2価の芳香環基を表し、これらの基は置換基
を有していてもよく、
Ar 22 は置換基を有していてもよい1価の芳香環基を表し、
R 13 は、アルキル基、芳香環基またはアルキル基と芳香環基からなる2価の基を表し、これらは置換基を有していてもよく、
Ar 32 は1価の芳香環基又は1価の架橋基を表し、これらの基は置換基を有していてもよく、
アスタリスク(*)は式(11)の窒素原子との結合手を示す。)
Ar 44 及びAr 46 は各々独立して、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基を表し、
R 41 〜R 43 は各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表わす。) - 下記式(10)で表される正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと、下記式(6)で表される対アニオンとからなる、電荷輸送性イオン化合物。
F 4 はフッ素原子が4個置換していることを表し、
F (5−a) はフッ素原子が5−a個置換していることを表し、
kは各々独立に0〜5の整数を表し、
aは各々独立に0〜5の整数を表し、
k+a≧1である。)
yは1〜5の整数を表し、
Ar81〜Ar84は各々独立に、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、又は、置換基を有してもよい芳香族複素環基を表わし、
R81〜R84は各々独立に、任意の基を表わす。) - 前記kが0であり、前記aが1であり、かつ、前記Arが、各々独立に置換基を有していてもよい芳香環基である、請求項1又は2に記載の電荷輸送性イオン化合物。
- 前記式(6)のArが、フッ素原子を置換基として4以上有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電荷輸送性イオン化合物。
- 前記式(6)のArの少なくとも一つが架橋基を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の電荷輸送性イオン化合物。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の電荷輸送性イオン化合物と、溶媒とを含む、電荷輸送膜用組成物。
- 前記溶媒がエーテル系溶媒及びエステル系溶媒からなる群から選択される少なくとも1種の溶媒を含有する、請求項8に記載の電荷輸送膜用組成物。
- 前記溶媒がさらに芳香族炭化水素系溶媒を含む、請求項9に記載の電荷輸送膜用組成物。
- 下記式(1)の構造を有する電子受容性化合物と、正孔輸送性化合物とを溶媒に溶解した溶液を混合する工程を含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の電荷輸送性イオン化合物の調製方法。
F4はフッ素原子が4個置換していることを表し、
F(5−a)はフッ素原子が5−a個置換していることを表し、
kは各々独立に0〜5の整数を表し、
aは各々独立に0〜5の整数を表し、
k+a≧1であり、
X+は下記式(2)の構造を有する対カチオンを表す。
- 前記電子受容性化合物と正孔輸送性化合物とを溶媒に溶解した溶液を加熱する工程を含む、請求項11に記載の電荷輸送性イオン化合物の調製方法。
- 下記式(1)の構造を有する電子受容性化合物と、正孔輸送性化合物との混合物を加熱する工程を含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の電荷輸送性イオン化合物の調製方法。
F4はフッ素原子が4個置換していることを表し、
F(5−a)はフッ素原子が5−a個置換していることを表し、
kは各々独立に0〜5の整数を表し、
aは各々独立に0〜5の整数を表し、
k+a≧1であり、
X+は下記式(2)の構造を有する対カチオンを表す。
- 前記混合物を溶媒に溶解した溶液を塗布して成膜した膜を加熱する工程を含む、請求項13に記載の電荷輸送性イオン化合物の調製方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の電荷輸送性イオン化合物を含有する電荷輸送膜。
- 陽極と陰極の間に正孔注入層及び発光層を有し、電気エネルギーにより発光する有機電界発光素子であって、前記正孔注入層が、請求項1〜7のいずれか1項に記載の電荷輸送性イオン化合物を含む、有機電界発光素子。
- 請求項16に記載の有機電界発光素子を用いたディスプレイ。
- 請求項16に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。
- 請求項16に記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
- 陽極と陰極の間に正孔注入層、発光層を有し、電気エネルギーにより発光する有機電界発光素子の製造方法であって、請求項8〜10のいずれか1項に記載の電荷輸送膜用組成物を塗布し、乾燥して前記正孔注入層を形成する工程を含む、有機電界発光素子の製造方法。
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