JP6486451B2 - カルベン配位子を含む複核金属錯体およびｏｌｅｄにおけるその使用 - Google Patents

Description

本発明は、白金およびパラジウムから選択される中心原子を含む複核金属カルベン錯体であって双方の金属原子が同一の芳香族基にシクロメタル化されている前記錯体、かかる錯体を含むＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）、かかるＯＬＥＤを含む照明部品、固定式表示装置および移動式表示装置からなる群から選択される装置、かかる金属カルベン錯体のＯＬＥＤ中での、例えば発光体、マトリックス材料、電荷輸送材料および／または電荷または励起子ブロッカーとしての使用に関する。

ＯＬＥＤは、材料が電流によって励起された際に光を発する性質を利用する。ＯＬＥＤはフラットな表示装置を製造するための陰極線管および液晶ディスプレイの代替として特に興味深い。非常に小型の設計および本質的に低い電力消費のおかげで、ＯＬＥＤを含む装置は特にモバイル用途、例えば携帯電話、スマートフォン、デジタルカメラ、ｍｐ３プレイヤー、ラップトップ等における用途のために適している。さらには、白色ＯＬＥＤは現在公知の照明技術を上回る大きな利点、特に高い効率をもたらす。

従来技術は、電流による励起に際して光を発する多数の材料を提案している。

ＷＯ２００５／０１９３７３号は、ＯＬＥＤ内に少なくとも１つのカルベン配位子を有する遷移金属錯体の使用を開示している。ＷＯ２００５／０１９３７３号によれば、電磁波スペクトルの青色、赤色および緑色領域におけるエレクトロルミネッセンスのために適し、フルカラーディスプレイの製造を可能にする新規の化合物類が見出されている。

ＷＯ２００６／０５６４１８号は、有機発光ダイオード中に少なくとも１つの非対称の置換カルベン配位子を有する遷移金属カルベン錯体の使用を開示している。この遷移金属カルベン錯体は、電磁波スペクトルの青色、赤色および緑色領域におけるエレクトロルミネッセンスのために適している。

ＷＯ２００５／１１３７０４号は、Ｐｔを含む種々の遷移金属中心を有する多数の異なる種類のカルベン配位子を開示している。

ＷＯ２００９／０４６２６６号は、２つのカルベン成分を有する三座配位子を有する錯体を開示している。開示された錯体は、双方の金属中心が同じ芳香族基にシクロメタル化された複核錯体を含んでいない。

ＷＯ２０１１／０４５３３７号はカルベン配位子を有する複核Ｐｔ錯体を開示している：

その橋かけ単位はカルベン配位子の一部を形成しない。

ＷＯ２０１１／０７３１４９号は、カルベン配位子およびアセチルアセトナト誘導配位子を有するＰｔ錯体を開示している。しかしながら、複核錯体はここに含まれていない。

Ｉｎｏｒｇ． Ｃｈｅｍ． ２０１１， ５０， ８１８８において、Ａｌｂｒｅｃｈｔらは、二核Ｒｕ錯体であって双方の金属原子が同じ芳香族基にシクロメタル化されている前記錯体を報告している：

ＣＤＣｌ₃中の二核Ｒｕ錯体の溶液は不安定であった。構造的に強く関連する錯体への穏やかな変換（ｔ１／２＝２０時間）、および遊離シメンの蓄積から導出されるとおり、最終的な分解（約４０時間以内）が記録された。著者らによれば、フェニレンで橋かけされた二核Ｒｕ錯体の安定性が限定的なので、それはエレクトロニクス用途に適さない。

Ｊａｎ Ｋａｌｉｎｏｗｓｋｉ ｅｔ ａｌ．， Ｃｏｏｒｄ． Ｃｈｅｍ． Ｒｅｖ． ２０１１， ２５５， ２４０１は、色が材料の濃度に強く依存するルミネッセンスＰｔ錯体の１つの大きな挑戦について記載している。特に、これは再現性の観点において問題になり得る。

国際公開第２００５／０１９３７３号 国際公開第２００６／０５６４１８号 国際公開第２００５／１１３７０４号 国際公開第２００９／０４６２６６号 国際公開第２０１１／０４５３３７号 国際公開第２０１１／０７３１４９号

Inorg. Chem. 2011, 50, 8188 Jan Kalinowski et al., Coord. Chem. Rev. 2011, 255, 2041

ＯＬＥＤにおいて特に発光物質として使用するために適した既に公知のＰｄおよびＰｔカルベン錯体が存在しているが、産業において有用である、より安定且つ／またはより有効な化合物を提供することが望まれている。

従って、本発明の課題は、有機電子素子において使用するために適したパラジウムおよび白金錯体を提供することである。より特定には、該パラジウムおよび白金錯体は、ＯＬＥＤにおいて発光体、マトリックス材料、電荷輸送材料または電荷ブロッカーとして使用するために適しているべきである。該錯体は、エレクトロルミネッセンスの色の調整のために特に適しているべきであり、そのことは例えばフルカラーディスプレイおよび白色ＯＬＥＤの製造を可能にする。本発明のさらなる課題は、ホスト化合物（マトリックス材料）との混合物として、またはＯＬＥＤ内の発光層としての純粋な層として使用できる相応の錯体を提供することである。より特定には、公知のＰｄまたはＰｔ錯体よりも改善された特性の範囲、例えば改善された効率、改善されたＣＩＥ色座標、色の発光体ドーピングに対する低減された濃度依存性、および／または改善された寿命／安定性を示すＰｄおよびＰｔ遷移金属錯体を提供することが望ましい。

意外なことに、前記の課題は、本発明によれば以下の一般式の金属カルベン錯体によって解決されることが判明した：

［式中、
Ｍは、ＰｄまたはＰｔである、
ｍは、０または１から選択される整数である、
Ｒ₁およびＲ₁’は、各々独立して、
任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されており、任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ１〜２０個の炭素原子を有する、直鎖または分枝鎖のアルキル基、
任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されており、任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ３〜２０個の炭素原子を有する、置換または非置換のシクロアルキル基、
任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ６〜３０個の炭素原子を有する、置換または非置換のアリール基、
任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断され、任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する、置換または非置換のヘテロアリール基、
である、
Ｒ₂、Ｒ₂’、Ｒ₃およびＲ₃’は、各々独立して、
水素、
任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されており、任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ１〜２０個の炭素原子を有する、直鎖または分枝鎖のアルキル基、
任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されており、任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ３〜２０個の炭素原子を有する、置換または非置換のシクロアルキル基、
任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されており、任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ６〜３０個の炭素原子を有する、置換または非置換のアリール基、
任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断され、任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する、置換または非置換のヘテロアリール基、または
ドナーまたはアクセプタ作用を有する基
であるか、または
Ｒ₁およびＲ₂、および／またはＲ₁’およびＲ₂’は、それらが結合されている原子と共に、任意に少なくとも１つのさらなるヘテロ原子によって中断され且つ合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する、任意に置換された、飽和または不飽和または芳香族の環を形成し、且つ、任意に少なくとも１つのさらなるヘテロ原子によって中断され且つ合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する、少なくとも１つのさらなる任意に置換された飽和または不飽和または芳香族の環に任意に縮合されていてよい、
Ｋは中性の単座配位子である、且つ、
Ｌは、単座もしくは二座であってよいモノアニオン性配位子である］。

白金およびパラジウムから選択される中心金属原子を含む本発明の複核金属カルベン錯体は、双方の金属原子が同一の芳香族基にシクロメタル化されていることを特徴とする。

本発明の複核金属カルベン錯体を、電子素子、特にＯＬＥＤにおいて、例えば発光体、マトリックス材料、電荷輸送材料および／または電荷または励起子ブロッカーとして使用することができる。

本発明の複核金属カルベン錯体は一般に、広い範囲の電磁波スペクトルにおける発光について際立っている。

従って、本発明の複核金属カルベン錯体は、ＯＬＥＤにおける発光体材料として特に好ましく適している。

ＭはＰｄまたはＰｔ、好ましくはＰｔである。

本発明の１つの好ましい実施態様において、Ｒ₂およびＲ₂’はＨである。本発明の好ましい実施態様において、Ｒ₃およびＲ₃’はＨである。より好ましい実施態様において、Ｒ₂、Ｒ₂’、Ｒ₃’およびＲ₃’はＨである。

二座配位子とは、２つの部位で遷移金属原子Ｍに配位された配位子を意味すると理解される。単座配位子とは、配位子上の１つの部位で遷移金属原子Ｍに配位された配位子を意味すると理解される。

適した非荷電の単座配位子または二座配位子Ｋは、好ましくは、ホスフィン、モノホスフィンとビスホスフィンとの両方； ホスホネート、モノホスホネートとビスホスホネートとの両方、およびそれらの誘導体； アルセナート、モノアルセナートとビスアルセナートとの両方、およびそれらの誘導体； ホスフィット、モノホスフィットとビスホスフィットとの両方； ＣＯ； ピリジン、モノピリジンとビスピリジンとの両方； ニトリル、ジニトリル、アリル、ジイミン、非共役ジエンおよび共役ジエンであってＭと共にπ錯体を形成するものからなる群から選択される。特に好ましい非荷電の単座配位子または二座配位子Ｋは、ホスフィン、モノホスフィンとビスホスフィンとの両方、好ましくはトリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィンまたはアルキルアリールホスフィン、より好ましくはＰＡｒ₃（前記Ａｒは置換または非置換のアリール基であり且つＰＡｒ₃内の３つのアリール基は同一または異なっていてよい）、より好ましくはＰＰｈ₃、ＰＥｔ₃、ＰｎＢｕ₃、ＰＥｔ₂Ｐｈ、ＰＭｅ₂Ｐｈ、ＰｎＢｕ₂Ｐｈ； ホスホネートおよびそれらの誘導体、アルセナートおよびそれらの誘導体、ホスフィット、ＣＯ； ピリジン、モノピリジンとビスピリジンとの両方（前記ピリジンはアルキル基またはアルール基によって置換されていてよい）； ニトリルおよびジエンであってＭ¹と共にπ錯体を形成するもの、好ましくはη⁴−ジフェニル−１，３−ブタジエン、η⁴−１，３−ペンタジエン、η⁴−１−フェニル−１，３−ペンタジエン、η⁴−１，４−ジベンジル−１，３−ブタジエン、η⁴−２，４−ヘキサジエン、η⁴−３−メチル−１，３−ペンタジエン、η⁴−１，４−ジトリル−１，３−ブタジエン、η⁴−１，４−ビス（トリメチルシリル）−１，３−ブタジエンおよびη²−またはη⁴−シクロオクタジエン（各々、１，３および各々１，５）、より好ましくは１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１−フェニル−１，３−ペンタジエン、２，４−ヘキサジエン、ブタジエン、η²−シクロオクテン、η⁴−１，３−シクロオクタジエンおよびη⁴−１，５−シクロオクタジエンからなる群から選択される。非常に特に好ましい非荷電の単座配位子は、ＰＰｈ₃、Ｐ（ＯＰｈ）₃、ＡｓＰｈ₃、ＣＯ、ピリジン、ニトリルおよびそれらの誘導体からなる群から選択される。適した非荷電の単座配位子または二座配位子は、好ましくは１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１−フェニル−１，３−ペンタジエン、２，４−ヘキサジエン、η⁴−シクロオクタジエンおよびη²−シクロオクタジエン（各々１，３および各々１，５）である。

適したモノアニオン性またはジアニオン性配位子Ｌ、好ましくは単座または二座であってよいモノアニオン性配位子Ｌは、単座または二座のモノアニオン性またはジアニオン性配位子として典型的に使用される配位子である。

適したモノアニオン性単座配位子は、例えば、ハロゲン化物、特にＣｌ^-およびＢｒ^-、擬ハロゲン化物、特にＣＮ^-、シクロペンタジエニル（Ｃｐ^-）、水素化物、シグマ結合を介して遷移金属Ｍに接続されるアルキル基、例えばＣＨ₃、シグマ結合を介して遷移金属Ｍに接続されるアルキルアリール基、例えばベンジルである。

好ましくは、ｍは０であり、且つＬはモノアニオン性の二座配位子である。

本発明の好ましい実施態様において、Ｌはピコリナト、サリチラート（ｓａｌｉｃｙｌａｔｏ）、８−ヒドロキシキノラート、または式（Ａ）

［式中、
Ｒ₄およびＲ₄’は各々独立して、１〜６個の炭素原子を有し任意に少なくとも１つの官能基を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基； ３〜２０個の炭素原子を有する置換または非置換のシクロアルキル基、６〜２０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基、好ましくは非置換のフェニル、２，６−ジアルキルフェニルまたは２，４，６−トリアルキルフェニル； 合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する置換または非置換のヘテロアリール基であり、且つ、
Ｒ₅は水素、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、６〜２０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基である］
の配位子からなる群から選択される。

１〜６個の炭素原子を有するアルキル基であるＲ₄およびＲ₄’は、好ましくはメチル、トリフルオロメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチルから選択される。６〜２０個の炭素原子を有するアリールアルキル基は、好ましくは非置換のフェニル、２，６−ジアルキルフェニルおよび２，４，６−トリアルキルフェニルから選択される。３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基であるＲ₄およびＲ₄’は、好ましくはシクロペンチルおよびシクロヘキシルから選択される。合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有するヘテロアリール基であるＲ₄およびＲ₄’は、好ましくはチエニルまたはフラニルから選択される。

配位子Ｌが誘導される特に適した化合物ＨＬ、

の例は、

を含む。

本発明の特に好ましい実施態様において、Ｌは、Ｒ₄およびＲ₄’がメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、フェニル、２，６−ジアルキルフェニルまたは２，４，６−トリアルキルフェニルであり、且つＲ₅が水素である場合の式（Ａ）の配位子から選択される。

好ましい実施態様において、本発明は、一般式

［式中、
Ｒ₁およびＲ₁’は、各々独立して、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、３〜２０個の炭素原子を有する置換または非置換のシクロアルキル基、６〜３０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基、合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する置換または非置換のヘテロアリール基である、
Ｒ₂、Ｒ₂’、Ｒ₃およびＲ₃’は、各々独立して、水素、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、３〜２０個の炭素原子を有する置換または非置換のシクロアルキル基、６〜３０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基、合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する置換または非置換のヘテロアリール基、または、ハロゲン基、好ましくはＦ、Ｃｌ、より好ましくはＦ； ＣＦ₃、ＣＮおよびＳｉＭｅ₃から選択されるドナーまたはアクセプタ作用を有する基である、または
Ｒ₁およびＲ₂、および／またはＲ₁’およびＲ₂’は、それらが結合されている原子と共に、任意に少なくとも１つのさらなるヘテロ原子によって中断され、合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する、任意に置換された不飽和、飽和または芳香族の環を形成し、且つ、任意に少なくとも１つのさらなるヘテロ原子によって中断され且つ合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する、少なくとも１つのさらなる任意に置換された飽和または不飽和または芳香族の環に任意に縮合されていてよい、
Ｒ₄およびＲ₄’は、各々独立して、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、好ましくはメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル； ６〜２０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基、好ましくは非置換のフェニル、２，６−ジアルキルフェニルまたは２，４，６−トリアルキルフェニル； 合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する置換または非置換のヘテロアリール基である］
の金属カルベン錯体に関する。

Ｒ₁は、１〜６個の炭素原子を有する好ましくは直鎖または分枝鎖のアルキル基、３〜１２個の炭素原子を有する置換または非置換のシクロアルキル基、６〜１５個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基である。より好ましくは、Ｒ₁はＣ₁〜Ｃ₆−アルキル、フェニルまたは

である。

Ｒ₂およびＲ₃は好ましくは各々独立して水素、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、６〜１８個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基、ハロゲン基、好ましくはＦ、Ｃｌ、より好ましくはＦ； ＣＦ₃、ＣＮおよびＳｉＭｅ₃から選択されるドナーまたはアクセプタ作用を有する基である。より好ましくは、Ｒ₂およびＲ₃は各々独立して、水素、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、または

である。

選択的に、Ｒ₁およびＲ₂は、それらが結合されている原子と共に、任意に少なくとも１つのさらなるヘテロ原子によって中断され、合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する、任意に置換された不飽和、飽和または芳香族の環を形成する。好ましくは、Ｒ₁およびＲ₂は、それらが結合されている原子と共に、環

を形成する。

Ｒ₄およびＲ₄’は、好ましくは各々独立して、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、好ましくはメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル； ６〜１５個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基、好ましくは非置換のフェニル、２，６−ジアルキルフェニルまたは２，４，６−トリアルキルフェニルである。より好ましくは、Ｒ₄およびＲ₄’は各々独立して、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、フェニル、または

である。Ｒ₈は１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基であり、且つ、Ｒ₈’はＨ、または１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基である。

前記の実施態様において、一般式

［式中、
Ｒ₁は、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、好ましくはメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチルである、且つ、
Ｒ₄およびＲ₄’は各々独立して、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、好ましくはメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、６〜１５個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基、好ましくは非置換のフェニル、２，６−ジアルキルフェニルまたは２，４，６−トリアルキルフェニル、例えばフェニル、または

である］
の金属カルベン錯体がより好ましい。Ｒ₈は１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基であり、且つ、Ｒ₈’はＨ、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基である。１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基は、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチルまたはヘキシルであり、好ましくはメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチルである。

他の好ましい実施態様において、本発明は、一般式

［式中、
Ｒ₃はＨであり、且つ
Ｒ₄およびＲ₄’は各々独立して、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、好ましくはメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル； ６〜１５個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基、好ましくは非置換のフェニル、２，６−ジアルキルフェニルまたは２，４，６−トリアルキルフェニル、例えばフェニル、または

である］
の金属カルベン錯体に関する。Ｒ₈は１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基であり、且つ、Ｒ₈’はＨ、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基である。

１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基は、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチルまたはヘキシルであり、好ましくはメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチルである。

適した化合物の例を以下の表に記載する：

ＤＩＰＰ ＝ ２，６−ジイソプロピルフェニル、ＴＩＰＰ ＝ ２，４，６−トリイソプロピルフェニル、ＤＭＰ ＝ ２，６−ジメチルフェニル、ＴＭＰ ＝ ２，４，６−トリメチルフェニル。

本発明の複核金属カルベン錯体を製造するための方法は、Ｍを含む適した化合物と、一般式

［式中、Ｒ₁、Ｒ₁’、Ｒ₂、Ｒ₂’、Ｒ₃およびＲ₃’は各々上記で定義されたとおりであり、且つ、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＰＦ₆またはＢＦ₆である］
の化合物とを接触させることを含む。

通例の方法は、例えば、式（Ｖ）または（ＶＩ）のイミダゾール配位子前駆体の脱プロトン、および一般にはｉｎ−ｓｉｔｕでの適したＰｔ／Ｐｄ含有金属化合物および任意に配位子Ｌの前駆体との次の反応を含む。

本発明の複核金属カルベン錯体を製造するための方法を、Ｌが式

の配位子である場合の式ＩまたはＩＩの本発明の複核白金カルベン錯体に基づき、以下でより詳細に説明するが、そこに限定されるわけではない。

該方法は以下の段階を含む：
（ｉ） 式（Ｖ）または（ＶＩ）のイミダゾール配位子前駆体を脱プロトン化する段階、
（ｉｉ） 適したＰｔ含有金属化合物と次に反応させる段階、および
（ｉｉｉ） 段階ｉｉ）において得られた中間生成物を塩基の存在下でＨＬと反応させる段階。

段階ｉ）の脱プロトン化を、当業者に公知の塩基性化合物、例えば塩基性メタレート、塩基性金属酢酸塩、アセチルアセトナトまたはアルコキシレート、またはＫＯ^tＢｕ、ＮａＯ^tＢｕ、ＬｉＯ^tＢｕ、ＮａＨ、シリルアミドおよびホスファゼン塩基などの塩基によって実施することができる。銀カルベン種を生じるＡｇ₂Ｏを用いた脱プロトン化が好ましい。

脱プロトン化は好ましくは溶剤中で行われる。適した溶剤は当業者に公知であり、且つ、好ましくは芳香族溶剤および脂肪族溶剤、エーテル、アルコール、エステル、アミド、ケトン、ニトリル、ハロゲン化化合物およびそれらの混合物からなる群から選択される。特に好ましい溶剤はジオキサンである。

反応は一般に温度０〜５０℃で行われる。反応時間は所望のＰｔカルベン錯体に依存し、且つ一般に１〜８０時間、好ましくは２〜７０時間、より好ましくは１０〜６０時間である。

式（Ｖ）または（ＶＩ）の脱プロトン化されたイミダゾール配位子前駆体は、適したＰｔ含有金属化合物と反応する。

一般に、適したＰｔ塩は、当業者に公知であり、且つ、本発明の反応条件下で十分に高い反応性を示す全てのものである。相応のＰｔ塩、またはＰｔ（ＣＯＤ）Ｃｌ₂ （ＣＯＤ＝シクロオクタジエン）、Ｐｔ（ＰＰｈ₃）₂Ｃｌ₂、Ｐｔ（ピリジン）₂Ｃｌ₂、Ｐｔ（フェナントロリン）Ｃｌ₂、Ｐｔ（ＮＨ₃）₂Ｃｌ₂、ＰｔＣｌ₂、Ｋ₂ＰｔＣｌ₄およびそれらの混合物からなる群から選択される錯体が好ましく、特に好ましくはＰｔ（ＣＯＤ）Ｃｌ₂の使用である。

該反応は好ましくは溶剤中で行われる。適した溶剤は当業者に公知であり、且つ、好ましくは芳香族溶剤および脂肪族溶剤、エーテル、アルコール、エステル、アミド、ケトン、ニトリル、ハロゲン化化合物およびそれらの混合物からなる群から選択される。特に好ましい溶剤はジオキサンと２−ブタノンとの混合物である。

反応は一般に温度０〜１５０℃で行われる。反応時間は所望のＰｔカルベン錯体に依存し、且つ一般に１〜８０時間、好ましくは２〜７０時間、より好ましくは１０〜６０時間である。

その後、全ての揮発物が除去され、且つ、段階ｉｉ）で得られた中間生成物が塩基、例えばカリウムｔｅｒｔ−ブタノレートの存在下でＨＬと反応する。反応は好ましくは溶剤、例えばジメチルホルムアミド中で行われる。

反応は一般に温度０〜１５０℃で行われる。反応時間は所望のＰｔカルベン錯体に依存し、且つ一般に１〜８０時間である。

生じる本発明の複核金属カルベン錯体は、当業者に公知の方法によって後処理される。例えば、反応の間に沈殿する生成物をろ過し、洗浄し、その後乾燥させる。フラッシュクロマトグラフィーおよび／または再結晶化は、高純度の本発明の複核金属カルベン錯体をもたらす。

イミダゾール配位子にアクセスするための１つの手段は、一例として以下に示されるとおり、イミダゾール誘導体と１，３−もしくは１，４−ジブロモベンゼン、または１，３−もしくは１，４−ジヨードベンゼンとの反応、Ｒ₁−Ｘとの次の反応である（例えばＨｏｒ ｅｔ ａｌ．， Ｃｈｅｍ． Ｅｕｒ． Ｊ． （２００９）１０５８５）。

Ｒ₁＝Ａｒについて特に適した他の手段は、Ｆｕｅｓｔｎｅｒ ｅｔ ａｌ．， Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍ． （２００６） ２１７６によって記載された方法に従う。

本発明に関して、アリール基（ｇｒｏｕｐ）、単位または基（ｒａｄｉｃａｌ）、ヘテロアリール基、単位または基、アルキル基、単位または基、シクロアルキル基、単位または基、およびドナーまたはアクセプタ作用を有する基との用語は、特段記載されない限り、各々、以下に定義されるとおりである：
アリール基、または６〜３０個の炭素原子（Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリール基）を有する置換または非置換のアリール基は、本発明においては、いかなる環ヘテロ原子も含まない単環式、二環式または三環式芳香族から誘導される基に関する。系が単環式の系ではない場合、第二の環についての用語「アリール」は、飽和した形態（ペルヒドロ形態）または部分的に不飽和の形態（例えばジヒドロ形態またはテトラヒドロ形態）も含む（その特定の形態が公知且つ安定である限り）。これは、本発明における用語「アリール」は、例えば、両方または３つすべての基が芳香族である二環式または三環式の基、および１つの環だけが芳香族である二環式または三環式の基、および２つの環が芳香族である三環式の基も含むことを意味する。アリールの例は、フェニル、ナフチル、インダニル、１，２−ジヒドロナフテニル、１，４−ジヒドロナフテニル、インデニル、アントラセニル、フェナントレニルまたは１，２，３，４−テトラヒドロナフチルである。Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール基、例えばフェニルまたはナフチルが特に好ましく、Ｃ₆−アリール基、例えばフェニルが非常に特に好ましい。

アリール基またはＣ₆〜Ｃ₃₀−アリール基は、非置換であるかまたは１またはそれより多くのさらなる基によって置換されていてよい。適したさらなる基は、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル、Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリールおよびドナーおよびアクセプタ作用を有する置換基からなる群から選択され、ドナーまたはアクセプタ作用を有する適した置換基は以下で特定される。Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アルキル基は、好ましくは非置換または１またはそれより多くのＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ基、ＣＮ、ＣＦ₃、Ｆまたはアミノ基（ＮＲ⁶²Ｒ⁶³、前記Ｒ⁶²およびＲ⁶³基は以下で特定される）によって置換されている。

ヘテロアリール基、または合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する置換または非置換のヘテロアリール基は、単環式、二環式または三環式の複素環式芳香族を意味すると理解され、そのいくつかは上述のアリールから、アリールの基本構造における少なくとも１つの炭素原子がヘテロ原子によって置き換えられて誘導され得る。好ましいヘテロ原子はＮ、ＯおよびＳである。ヘテロアリール基は、より好ましくは５〜１３個の環原子を有する。ヘテロアリール基の基本構造は、特に好ましくは、例えばピリジンおよび五員環の複素環式芳香族化合物の系統、例えばチオフェン、ピロール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾールまたはフランから選択される。それらの基本構造は、任意に１つまたは２つの六員環の芳香族基に縮合されてよい。適した縮合複素環式芳香族化合物は、カルバゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンゾフリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾキサゾリル、ジベンゾフリルまたはジベンゾチオフェニルである。

前記基本構造は、１つ、１つより多く、または全ての置換位で置換されていてよく、適した置換基は、Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリールの定義の際に既に特定されたものと同一である。しかしながら、ヘテロアリール基は好ましくは非置換である。適したヘテロアリール基は、例えばピリジン−２−イル、ピリジン−３−イル、ピリジン−４−イル、チオフェン−２−イル、チオフェン−３−イル、ピロール−２−イル、ピロール−３−イル、フラン−２−イル、フラン−３−イル、チアゾール−２−イル、オキサゾール−２−イル、およびイミダゾール−２−イル、および相応のベンゾ縮合基、特にカルバゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンゾフリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾキサゾリル、ジベンゾフリルまたはジベンゾチオフェニルである。

本願に関して、アルキル基とは、任意に少なくとも１つの官能基を有し、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断され且つ１〜２０個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基である。Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル基が好ましく、Ｃ₁〜Ｃ₆−アルキル基が特に好ましい。さらには、該アルキル基は、好ましくはＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ、ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−ハロアルキル、例えばＣＦ₃、およびＣ₆〜Ｃ₃₀−アリール（置換または非置換であってよい）からなる群から選択される１つまたはそれより多くの置換基によって置換されていてよい。適したアリール置換基および適したアルコキシおよびハロゲン置換基は以下で特定される。適したアルキル基の例は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチルおよびオクチルであり、且つ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−ハロアルキル−、Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリール−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ−および／またはハロゲン置換、特にＦ置換された、上記のアルキル基の誘導体、例えばＣＦ₃である。これは、上述の基のｎ−異性体と、分岐した異性体、例えばイソプロピル、イソブチル、イソペンチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ネオペンチル、３，３−ジメチルブチル、３−エチルヘキシル等との両方を含む。好ましいアルキル基は、メチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチルおよびＣＦ₃である。

シクロアルキル基、または３〜２０個の炭素原子を有する置換または非置換のシクロアルキル基とは、本願に関して、置換または非置換のＣ₃〜Ｃ₂₀−シクロアルキル基を意味すると理解される。５〜２０、より好ましくは５〜１０、最も好ましくは５〜８個の炭素原子を基本構造（環）中に有するシクロアルキル基が好ましいと理解される。適した置換基はアルキル基について上述された置換基である。非置換であるか、もしくはアルキル基について上述された基によって置換されていてよい適したシクロアルキル基の例は、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニルおよびシクロデシルである。それらは多環式の環系、例えばデカリニル、ノルボルニル、ボルナニル（ｂｏｒｎａｎｙｌ）またはアダマンチルであってもよい。

適したアルコキシ基は、上述のアルキル基から相応に誘導される。ここでの例は、ＯＣＨ₃、ＯＣ₂Ｈ₅、ＯＣ₃Ｈ₇、ＯＣ₄Ｈ₉およびＯＣ₈Ｈ₁₇、およびさらにＳＣＨ₃、ＳＣＨ₂Ｈ₅、ＳＣ₃Ｈ₇、ＳＣ₄Ｈ₉およびＳＣ₈Ｈ₁₇を含む。これに関して、Ｃ₃Ｈ₇、Ｃ₄Ｈ₉およびＣ₈Ｈ₁₇は、ｎ−異性体と分岐した異性体、例えばイソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルおよび２−エチルヘキシルとの両方を含む。特に好ましいアルコキシまたはアルキルチオ基は、メトキシ、エトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシおよびＳＣＨ₃である。

本願に関して適したハロゲン基またはハロゲン置換基は、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素、好ましくはフッ素、塩素および臭素、より好ましくはフッ素および塩素、最も好ましくはフッ素である。

本願に関して、ドナーまたはアクセプタ作用を有する基は以下の基を意味すると理解される：
Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ、Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリールオキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキルチオ、Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリールチオ、ＳｉＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵Ｒ⁶⁶、ハロゲン基、ハロゲン化されたＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル基、カルボニル（−ＣＯ（Ｒ⁶⁴））、カルボニルチオ（−Ｃ＝Ｏ（ＳＲ⁶⁴））、カルボニルオキシ（−Ｃ＝Ｏ（ＯＲ⁶⁴））、オキシカルボニル（−ＯＣ＝Ｏ（Ｒ⁶⁴））、チオカルボニル（−ＳＣ＝Ｏ（Ｒ⁶⁴））、アミノ（−ＮＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵）、ＯＨ、擬ハロゲン基、アミド（−Ｃ＝Ｏ（ＮＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵））、−ＮＲ⁶⁴Ｃ＝Ｏ（Ｒ⁶⁵）、ホスホネート（−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ⁶⁴）₂）、ホスフェート（−ＯＰ（Ｏ）（ＯＲ⁶⁴）₂）、ホスフィン（−ＰＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵）、ホスフィンオキシド（−Ｐ（Ｏ）Ｒ⁶⁴ ₂）、スルフェート（−ＯＳ（Ｏ）₂ＯＲ⁶⁴）、スルホキシド（−Ｓ（Ｏ）Ｒ⁶⁴）、スルホネート（−Ｓ（Ｏ）₂ＯＲ⁶⁴）、スルホニル（−Ｓ（Ｏ）₂Ｒ⁶⁴）、スルホンアミド（−Ｓ（Ｏ）₂ＮＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵）、ＮＯ₂、ボロン酸エステル（−ＯＢ（ＯＲ⁶⁴）₂）、イミノ（−Ｃ＝ＮＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵）、ボラン基、スタンナート基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、オキシム基、ニトロソ基、ジアゾ基、ビニル基、スルホキシイミン、アラン、ゲルマン、ボロキシンおよびボラジン。

ドナーまたはアクセプタ作用を有する好ましい置換基は、以下からなる群から選択される： Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ、好ましくはＣ₁〜Ｃ₆−アルコキシ、より好ましくはエトキシまたはメトキシ； Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリールオキシ、好ましくはＣ₆〜Ｃ₁₀−アリールオキシ、より好ましくはフェニルオキシ； ＳｉＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵Ｒ⁶⁶ （前記Ｒ⁶⁴、Ｒ⁶⁵およびＲ⁶⁶は好ましくは各々独立して置換または非置換のアルキルまたは置換または非置換のフェニルであり、適した置換基は上記で特定されている）； ハロゲン基、好ましくはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、より好ましくはＦまたはＣｌ、最も好ましくはＦ、ハロゲン化されたＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル基、好ましくはハロゲン化されたＣ₁〜Ｃ₆−アルキル基、最も好ましくはフッ素化されたＣ₁〜Ｃ₆−アルキル基、例えばＣＦ₃、ＣＨ₂Ｆ、ＣＨＦ₂またはＣ₂Ｆ₅； アミノ、好ましくはジメチルアミノ、ジエチルアミノまたはジフェニルアミノ； ＯＨ、擬ハロゲン基、好ましくはＣＮ、ＳＣＮまたはＯＣＮ、より好ましくはＣＮ、−Ｃ（Ｏ）ＯＣ₁〜Ｃ₄−アルキル、好ましくは−Ｃ（Ｏ）ＯＭｅ、Ｐ（Ｏ）Ｒ₂、好ましくはＰ（Ｏ）Ｐｈ₂およびＳＯ₂Ｒ₂、好ましくはＳＯ₂Ｐｈ。

ドナーまたはアクセプタ作用を有する非常に特に好ましい置換基は、メトキシ、フェニルオキシ、ハロゲン化されたＣ₁〜Ｃ₄−アルキル、好ましくはＣＦ₃、ＣＨ₂Ｆ、ＣＨＦ₂、Ｃ₂Ｆ₅、ハロゲン、好ましくはＦ、ＣＮ、ＳｉＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵Ｒ⁶⁶ （前記Ｒ⁶⁴、Ｒ⁶⁵およびＲ⁶⁶基は上記で特定されている）、ジフェニルアミノ、−Ｃ（Ｏ）Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル、好ましくは−Ｃ（Ｏ）ＯＭｅ、Ｐ（Ｏ）Ｐｈ₂およびＳＯ₂Ｐｈからなる群から選択される。

ドナーまたはアクセプタ作用を有する上述の基は、上記で特定されたものの中でさらなる基（ｒａｄｉｃａｌ）および基（ｇｒｏｕｐ）もドナーまたはアクセプタ作用を有し得るという可能性を除外することは意図されていない。例えば、上述のヘテロアリール基は、同様にドナーまたはアクセプタ作用を有する基であり、且つ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル基はドナー作用を有する基である。

本発明の複核金属カルベン錯体を、電子素子、例えば、スイッチング素子、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機光起電素子（ＯＰＶ）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）および発光電気化学的電池（ＬＥＥＣ）から選択される有機電子素子において使用でき、式（Ｉ）の金属カルベン錯体のＯＬＥＤにおける使用が好ましい。

好ましい実施態様において、有機電子素子は、少なくとも１つの本発明による複核金属カルベン錯体を含む発光層を含むＯＬＥＤである。

上述の本発明の複核金属カルベン錯体およびそれらの混合物は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）における発光体分子として抜群に適している。

配位子の変化により、電磁波スペクトルの広い範囲のエレクトロルミネッセンスを示す相応の錯体の提供が可能になる。従って、本発明の複核金属カルベン錯体は、発光体物質として抜群に適しており、ひいては、本発明の錯体を発光体物質として用いることで、産業的に有用なＯＬＥＤを提供することが可能である。

さらには、本発明の複核金属カルベン錯体をマトリックス材料、電荷輸送材料、特にホール輸送材料、および／または電荷ブロッカーとして使用することができる。

本発明の複核金属カルベン錯体は、好ましくは、発光体および／または電荷輸送材料および／またはマトリックス材料として、より好ましくは発光体として使用される。

本発明の複核金属カルベン錯体の特別な特性は、特に良好な効率、良好なＣＩＥ色位置、およびＯＬＥＤ内で使用される場合の長い寿命である。

従って、本願はさらに、少なくとも１つの本発明の複核金属カルベン錯体を有するＯＬＥＤを提供する。本発明の複核金属カルベン錯体は、ＯＬＥＤにおいて好ましくは発光体、マトリックス材料、電荷輸送材料、特にホール輸送材料、および／または電荷ブロッカーとして、より好ましくは発光体および／またはホール輸送材料として、最も好ましくは発光体として使用される。

本願はさらに、本発明の複核金属カルベン錯体の、ＯＬＥＤにおける、好ましくは発光体、マトリックス材料、電荷輸送材料、特にホール輸送材料、および／または電荷ブロッカーとして、より好ましくは発光体および／またはホール輸送材料として、最も好ましくは発光体としての使用も提供する。

有機発光ダイオードは原則的に複数の層、例えば
・ アノード（１）
・ ホール輸送層（２）
・ 発光層（３）
・ 電子輸送層（４）
・ カソード（５）
から構成される。

しかしながら、ＯＬＥＤが上記の層の全てを有さないことも可能であり、例えば層（１）（アノード）、（３）（発光層）および（５）（カソード）を含むＯＬＥＤも同様に適しており、この場合、層（２）（ホール輸送層）および（４）（電子輸送層）の機能は隣接する層によって肩代わりされる。層（１）、（２）、（３）および（５）、または層（１）、（３）、（４）および（５）を有するＯＬＥＤも同様に適している。

本発明の複核金属カルベン錯体は、好ましくは発光体分子および／またはマトリックス材料として発光層（３）中で使用される。本発明の複核金属カルベン錯体は（発光層（３）における発光体分子および／またはマトリックス材料としての使用の他に、または発光層における使用の代わりに）、ホール輸送層（２）における、または電子輸送層（４）における電荷輸送材料として、および／または電荷ブロッカーとして使用することもでき、ホール輸送層（２）における電荷輸送材料（ホール輸送材料）としての使用が好ましい。

従って、本願はさらに、本発明の複核金属カルベン錯体の少なくとも１つを、好ましくは発光体材料および／またはマトリックス材料として、より好ましくは発光体材料として含む発光層を提供する。好ましい本発明の複核金属カルベン錯体は、既に上記で特定されている。

さらなる実施態様において、本発明は、少なくとも１つの本発明の複核金属カルベン錯体からなる発光層に関する。

本発明によって使用される本発明の複核金属カルベン錯体は、発光層中に実質的に、つまり、さらなる添加なしで存在できる。しかしながら、本発明によって使用される複核金属カルベン錯体の他に、さらなる化合物が発光層中に存在することも可能である。さらに、希釈材料（マトリックス材料）を使用することができる。この希釈材料は、ポリマー、例えばポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、またはポリシランであってよい。しかしながら、希釈材料は、小分子、例えば４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＤＰ）または第三芳香族アミンであってもよい。希釈材料が使用される場合、発光層における本発明の複核金属カルベン錯体の割合は一般に、４０質量％未満、好ましくは３〜３０質量％である。本発明の複核金属カルベン錯体は、好ましくはマトリックス中で使用される。従って、発光層は好ましくは、少なくとも１つの本発明の複核金属カルベン錯体および少なくとも１つのマトリックス材料を含む。

適したマトリックス材料は、上述の希釈材料の他に、原則的に、ホールおよび電子輸送材料として以下で特定される材料、およびカルベン錯体、例えば本発明の複核金属カルベン錯体、またはＷＯ２００５／０１９３７３号内で述べられているカルベン錯体である。特に適しているのは、カルバゾール誘導体、例えば４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−２，２’−ジメチルビフェニル（ＣＤＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（ｍＣＰ）、および以下の出願ＷＯ２００８／０３４７５８号、ＷＯ２００９／００３９１９号内で特定されるマトリックス材料である。

さらに適したマトリックス材料（小分子または上記小分子の（コ）ポリマーであってよい）は、以下の刊行物において特定される： ＷＯ２００７１０８４５９号（Ｈ−１〜Ｈ−３７）、好ましくはＨ−２０〜Ｈ−２２およびＨ−３２〜Ｈ−３７、最も好ましくはＨ−２０、Ｈ−３２、Ｈ−３６、Ｈ−３７、ＷＯ２００８０３５５７１号Ａ１ （ホスト１〜ホスト６）、ＪＰ２０１０１３５４６７号（化合物１〜４６ およびホスト−１〜ホスト−３９およびホスト−４３）、ＷＯ２００９００８１００号 化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．６７、好ましくはＮｏ．３、Ｎｏ．４、Ｎｏ．７〜Ｎｏ． １２、Ｎｏ．５５、Ｎｏ．５９、Ｎｏ．６３〜Ｎｏ．６７、より好ましくはＮｏ．４、Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１２、Ｎｏ．５５、Ｎｏ．５９、Ｎｏ．６４、Ｎｏ．６５、およびＮｏ．６７、ＷＯ２００９００８０９９号 化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１１０、ＷＯ２００８１４０１１４号 化合物１−１〜１−５０、ＷＯ２００８０９０９１２号 化合物ＯＣ−７〜ＯＣ−３６およびＭｏ−４２〜Ｍｏ−５１のポリマー、ＪＰ２００８０８４９１３号 Ｈ−１〜Ｈ−７０、ＷＯ２００７０７７８１０号の化合物１〜４４、好ましくは１、２、４〜６、８、１９〜２２、２６、２８〜３０、３２、３６、３９〜４４、ＷＯ２０１００１８３０号 １−１〜１−９の、好ましくは１−３、１−７、および１−９のモノマーのポリマー、ＷＯ２００８０２９７２９号 化合物１−１〜１−３６（のポリマー）、ＷＯ２０１００４４３３４２号ＨＳ−１〜ＨＳ−１０１およびＢＨ−１〜ＢＨ−１７、好ましくはＢＨ−１〜ＢＨ−１７、ＪＰ２００９１８２２９８号 モノマー１〜７５に基づく（コ）ポリマー、ＪＰ２００９１７０７６４号、ＪＰ２００９１３５１８３ モノマー１−１４に基づく（コ）ポリマー、ＷＯ２００９０６３７５７号 好ましくはモノマー１−１〜１−２６に基づく（コ）ポリマー、ＷＯ２００８１４６８３８号 化合物ａ−１〜ａ−４３および１−１〜１−４６、ＪＰ２００８２０７５２０号 モノマー１−１〜１−２６に基づくポリマー、ＪＰ２００８０６６５６９号 モノマー１−１〜１−１６に基づく（コ）ポリマー、ＷＯ２００８０２９６５２号 モノマー１−１〜１−５２に基づく（コ）ポリマー、ＷＯ２００７１１４２４４号 モノマー１−１〜１−１８号に基づく（コ）ポリマー、ＪＰ２０１００４０８３０号 化合物ＨＡ−１〜ＨＡ−２０、ＨＢ−１〜ＨＢ−１６、ＨＣ−１〜ＨＣ−２３およびモノマーＨＤ−１〜ＨＤ−１２に基づく（コ）ポリマー、ＪＰ２００９０２１３３６号、ＷＯ２０１００９００７７号 化合物１〜５５、ＷＯ２０１００７９６７８号 化合物Ｈ１〜Ｈ４２、ＷＯ２０１００６７７４６号、ＷＯ２０１００４４３４２号 化合物ＨＳ−１〜ＨＳ−１０１およびＰｏｌｙ−１〜Ｐｏｌｙ−４、ＪＰ２０１０１１４１８０号 化合物ＰＨ−１〜ＰＨ−３６、ＵＳ２００９２８４１３８号 化合物１〜１１１およびＨ１〜Ｈ７１、ＷＯ２００８０７２５９６号 化合物１〜４５、ＪＰ２０１００２１３３６号 化合物Ｈ−１〜Ｈ−３８、好ましくはＨ−１、ＷＯ２０１０００４８７７号 化合物Ｈ−１〜Ｈ−６０、ＪＰ２００９２６７２５５号 化合物１−１〜１−１０５、ＷＯ２００９１０４４８８号 化合物１−１〜１−３８、ＷＯ２００９０８６０２８号、ＵＳ２００９１５３０３４号、ＵＳ２００９１３４７８４号、ＷＯ２００９０８４４１３号 化合物２−１〜２−５６、ＪＰ２００９１１４３６９号 化合物２−１〜２−４０、ＪＰ２００９１１４３７０号 化合物１〜６７、ＷＯ２００９０６０７４２号 化合物２−１〜２−５６、ＷＯ２００９０６０７５７号 化合物１−１〜１−７６、ＷＯ２００９０６０７８０号 化合物１−１〜１−７０、ＷＯ２００９０６０７７９号 化合物１−１〜１−４２、ＷＯ２００８１５６１０５号 化合物１〜５４、ＪＰ２００９０５９７６７号 化合物１〜２０、ＪＰ２００８０７４９３９号 化合物１〜２５６、ＪＰ２００８０２１６８７号 化合物１〜５０、ＷＯ２００７１１９８１６号 化合物１〜３７、ＷＯ２０１００８７２２２号 化合物Ｈ−１〜Ｈ−３１、ＷＯ２０１００９５５６４号 化合物ホスト−１〜ホスト−６１、ＷＯ２００７１０８３６２号、ＷＯ２００９００３８９８号、ＷＯ２００９００３９１９号、ＷＯ２０１００４０７７７号、ＵＳ２００７２２４４４６号およびＷＯ０６１２８８００号。

特に好ましい実施態様において、以下で特定される一般式（Ｘ）の１つまたはそれより多くの化合物がマトリックス材料として使用される。一般式（Ｘ）の化合物の好ましい実施態様は、同様に以下で特定される。

ＯＬＥＤの上述の層の中の個々の層を、２つまたはそれより多くの層から形成することができる。例えば、ホール輸送層を、ホールが電極から注入される１つの層、およびホールをホール注入層から発光層へと輸送する層から形成することができる。電子輸送層は同様に、複数の層、例えば電子が電極を通じて注入される層、および電子注入層からの電子を受け取り且つそれらを発光層に輸送する層からなることができる。前記のそれらの層は、各々、エネルギー準位、熱抵抗および電荷担体移動度、および有機層または金属電極で言及された層のエネルギー差などの要因に従って選択される。当業者は、ＯＬＥＤの構造を、それが、本発明によって発光体物質として使用される本発明の複核金属カルベン錯体に最適に適合するように選択することができる。

特に効率的なＯＬＥＤを得るためには、ホール輸送層のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）が、アノードの仕事関数と整合し、且つ電子輸送層のＬＵＭＯ（最低空分子軌道）がカソードの仕事関数と整合するべきである。

本願はさらに、少なくとも１つの本発明の発光層を含むＯＬＥＤを提供する。ＯＬＥＤ中のさらなる層は、かかる層内で典型的に使用され且つ当業者に公知の任意の材料から形成できる。

上述の層のための適した材料（アノード、カソード、ホールおよび電子注入材料、ホールおよび電子輸送材料、およびホールおよび電子ブロッカー材料、マトリックス材料、蛍光および燐光発光体）は、当業者に公知であり、且つ、例えばＨ． Ｍｅｎｇ， Ｎ． Ｈｅｒｒｏｎ， Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｍａｌｌ Ｍｏｌｅｃｕｌｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｆｏｒ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ， ｅｄｓ： Ｚ． Ｌｉ， Ｈ． Ｍｅｎｇ， Ｔａｙｌｏｒ ＆ Ｆｒａｎｃｉｓ， ２００７、第３章、２９５〜４１１ページ内で特定されている。

アノードは、正の電荷担体をもたらす電極である。それは例えば、金属、異なる金属の混合物、金属合金、金属酸化物、または異なる金属酸化物の混合物を含む材料で構成されることができる。選択的に、アノードは導電性ポリマーであってよい。適した金属は、元素周期律表の第１１族、第４族、第５族および第６族の金属、および第８〜１０族の遷移金属も含む。アノードが透明であるべき場合、元素周期律表の第１２族、第１３族、第１４族の混合金属酸化物、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が一般に使用される。アノード（１）が、例えばＮａｔｕｒｅ、Ｖｏｌ． ３５７、４７７〜４７９ページ（１９９２年６月１１日）内に記載されるとおり、有機材料、例えばポリアニリンを含むことも可能である。アノードまたはカソードの少なくともいずれかは、形成される光を放射することができるように、少なくとも部分的に透明であるべきである。

本発明のＯＬＥＤの層（２）のために適したホール輸送材料は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、第４版、Ｖｏｌ． １８、８３７〜８６０ページ、１９９６内に開示される。ホール輸送分子またはポリマーのいずれかを、ホール輸送材料として使用することができる。通常使用されるホール輸送分子は、以下からなる群から選択される： ４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル （α−ＮＰＤ）、Ν，Ν’−ジフェニル−Ν，Ν’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン （ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン （ＴＡＰＣ）、Ν，Ν’−ビス（４−メチルフェニル）−Ν，Ν’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン （ＥＴＰＤ）、テトラキス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ν’−２，５−フェニレンジアミン （ＰＤＡ）、α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン （ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニル−ヒドラゾン （ＤＥＨ）、トリフェニルアミン （ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン （ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン （ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−シクロブタン （ＤＣＺＢ）、Ν，Ν，Ν’，Ν’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン （ＴＴＢ）、フッ素化合物、例えば２，２’，７，７’−テトラ（Ｎ，Ｎ−ジ−トリル）アミノ−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン （スピロ−ＮＰＢ）および９，９−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ビス−ビフェニル−４−イル−アミノ）フェニル−９Ｈ−フルオレン、ベンジジン化合物、例えばΝ，Ν’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、およびポリフィリン化合物、例えば銅フタロシアニン。さらには、ポリマーのホール注入材料、例えばポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール） （ＰＶＫ）、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、自己ドープ型ポリマー、例えばスルホネート化されたポリ（チオフェン−３−［２［（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−２，５−ジイル） （Ｐｌｅｘｃｏｒｅ （登録商標）ＯＣコーティングインク、Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓから市販）およびコポリマー、例えばポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとも称される）を使用することができる。

さらに、１つの実施態様において、本発明の複核金属カルベン錯体をホール伝導材料として使用することが可能であり、その場合、少なくとも１つのホール伝導材料のバンドギャップは、使用される発光体材料のバンドギャップよりも一般に大きい。本願に関して、バンドギャップは三重項エネルギーを意味すると理解される。適したカルベン錯体は、一般式（Ｉ）の本発明のカルベン錯体、例えばＷＯ２００５／０１９３７３号、ＷＯ２００６／０５６４１８号、ＷＯ２００５／１１３７０４号、ＷＯ２００７／１１５９７０号、ＷＯ２００７／１１５９８１号およびＷＯ２００８／０００７２７号内に記載されるようなカルベン錯体である。適したカルベン錯体の１つの例は、以下の式を有するＩｒ（ＤＰＢｌＣ）₃である：

ホール輸送層は、使用される材料の輸送特性を改善するために、第一には層厚をより多くするために（ピンホール／短絡の回避）、第二には素子の稼働電圧を最小化するために、電子的にドープされていることがある。電子ドープは、当業者に公知であり、且つ、例えばＷ． Ｇａｏ， Ａ． Ｋａｈｎ， Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．， Ｖｏｌ． ９４， Ｎｏ． １、２００３年７月１日 （ｐ型ドープされた有機層）； Ａ． Ｇ． Ｗｅｒｎｅｒ， Ｆ． Ｌｉ， Ｋ． Ｈａｒａｄａ， Ｍ． Ｐｆｅｉｆｆｅｒ， Ｔ． Ｆｒｉｔｚ， Ｋ． Ｌｅｏ， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．， Ｖｏｌ． ８２， Ｎｏ． ２５、２００３年６月２３日、およびＰｆｅｉｆｆｅｒ ｅｔ ａｌ．， Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ２００３， ４， ８９〜１０３、およびＫ． Ｗａｌｚｅｒ， Ｂ． Ｍａｅｎｎｉｇ， Ｍ． Ｐｆｅｉｆｆｅｒ， Ｋ． Ｌｅｏ， Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． Ｒｅｖ． ２００７， １０７， １２３３内に開示されている。例えば、ホール輸送層中で混合物、特にホール輸送層の電気的なｐ型ドーピングをみちびく混合物を使用することが可能である。ｐ型ドーピングは酸化材料の添加によって達成される。それらの混合物は、例えば、以下の混合物であってよい： 上述のホール輸送材料と少なくとも１つの金属酸化物、例えばＭｏＯ₂、ＭｏＯ₃、ＷＯ_x、ＲｅＯ₃および／またはＶ₂Ｏ₅、好ましくはＭｏＯ₃および／またはＲｅＯ₃、より好ましくはＲｅＯ₃との混合物、または上述のホール輸送材料と以下から選択される１つまたはそれより多くの化合物とを含む混合物： ７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン （ＴＣＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン （Ｆ₄−ＴＣＮＱ）、２，５−ビス（２−ヒドロキシエトキシ）−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、ビス（テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム）テトラシアノジフェノキノジメタン、２，５−ジメチル−７，７，８，８−テトラ−シアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、１１，１１，１２，１２−テトラシアノナフト−２，６−キノジメタン、２−フルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、２，５−ジフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、ジシアノメチレン−１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロ−６Ｈ−ナフタレン−２−イリデン）マロノニトリル（Ｆｅ−ΤΝΑΡ）、Ｍｏ（ｔｆｄ）₃ （Ｋａｈｎ ｅｔ ａｌ．， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． ２００９， １３１ （３５）， １２５３０−１２５３１から）、ＥＰ１９８８５８７号内およびＥＰ２１８００２９号内に記載される化合物、およびＥＰ２４０１２５４号内で言及されるキノン化合物。

本発明のＯＬＥＤの層（４）のために適した電子輸送材料は、オキシノイド化合物でキレート化された金属、例えばトリス（８−ヒドロキシキノレート）アルミニウム （Ａｌｑ₃）、フェナントロリンに基づく化合物、例えば２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン （ＤＤＰＡ＝ＢＣＰ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン （Ｂｐｈｅｎ）、２，４，７，９−テトラフェニル−１，１０−フェナントロリン、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン （ＤＰＡ）またはフェナントロリンフェナントロリン誘導体（ＥＰ１７８６０５０号内、ＥＰ１９７０３７１号内、またはＥＰ１０９７９８１号内に開示されるもの）、およびアゾール化合物、例えば２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール （ＰＢＤ）および３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール （ＴＡＺ）を含む。層（４）は、電子輸送を容易にするためと、バッファ層として、もしくはＯＬＥＤの層の界面での励起子の急冷を阻止するためのバリア層としての両方のために役立つことができる。層（４）は好ましくは、電子の移動度を改善し且つ励起子の急冷を低減する。

電子輸送層内で少なくとも２つの材料の混合物を使用することも可能であり、その場合、少なくとも１つの材料が電子伝導性である。好ましくは、そのような混合電子輸送層において、少なくとも１つのフェナントロリン化合物、好ましくはＢＣＰ、または以下の式（ＶＩＩＩ）による少なくとも１つのピリジン化合物、好ましくは以下の式（ＶＩＩＩａａ）の化合物が使用される。より好ましくは、混合電子輸送層においては、少なくとも１つのフェナントロリン化合物の他に、アルカリ土類金属、またはアルカリ金属ヒドロキシキノレート錯体、例えばＬｉｑが使用される。適したアルカリ土類金属またはアルカリ金属ヒドロキシキノレート錯体は、以下に特定される（式ＶＩＩ）。ＷＯ２０１１／１５７７７９号が参照される。

電子輸送層は、使用される材料の輸送特性を改善するために、第一には層厚をより多くするために（ピンホール／短絡の回避）、第二には素子の稼働電圧を最小化するために、電子的にドープされていることがある。電子ドープは、当業者に公知であり、且つ、例えばＷ． Ｇａｏ， Ａ． Ｋａｈｎ， Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．， Ｖｏｌ． ９４， Ｎｏ． １、２００３年７月１日 （ｐ型ドープされた有機層）； Ａ． Ｇ． Ｗｅｒｎｅｒ， Ｆ． Ｌｉ， Ｋ． Ｈａｒａｄａ， Ｍ． Ｐｆｅｉｆｆｅｒ， Ｔ． Ｆｒｉｔｚ， Ｋ． Ｌｅｏ， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．， Ｖｏｌ． ８２， Ｎｏ． ２５、２００３年６月２３日、およびＰｆｅｉｆｆｅｒ ｅｔ ａｌ．， Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ２００３， ４， ８９〜１０３、およびＫ． Ｗａｌｚｅｒ， Ｂ． Ｍａｅｎｎｉｇ， Ｍ． Ｐｆｅｉｆｆｅｒ， Ｋ． Ｌｅｏ， Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． Ｒｅｖ． ２００７， １０７， １２３３内に開示されている。例えば、電子輸送層の電気的なｎ型ドーピングをみちびく混合物を使用することが可能である。ｎ型ドーピングは還元材料の添加によって達成される。それらの混合物は、例えば上述の電子輸送材料と、アルカリ／アルカリ土類金属またはアルカリ／アルカリ土類金属塩、例えばＬｉ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｃｓ₂ＣＯ₃との、アルカリ金属錯体、例えば８−ヒドロキシキノラートリチウム（Ｌｉｑ）との、およびＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｉ₃Ｎ、Ｒｂ₂ＣＯ₃、フタル酸二カリウム、ＥＰ１７８６０５０号からのＷ（ｈｐｐ）₄との、またはＥＰ１８３７９２６号Ｂ１内に記載される化合物との混合物であってよい。

従って、本発明は、少なくとも２つの異なる材料を含み、その少なくとも１つの材料が電子伝導体である電子輸送層を含む本発明のＯＬＥＤにも関する。

好ましい実施態様において、電子輸送層は、一般式（ＶＩＩ）の少なくとも１つの化合物を含む：

［式中、
Ｒ³²およびＲ³³は各々独立して、Ｆ、Ｃ₁〜Ｃ₈−アルキル、またはＣ₆〜Ｃ₁₄−アリールであり、前記は任意に１つまたはそれより多くにＣ₁〜Ｃ₈−アルキル基で置換されている、または、
２つのＲ³²および／またはＲ³³置換基が一緒に縮合ベンゼン環を形成し、前記は任意に１つまたはそれより多くのＣ₁〜Ｃ₈−アルキル基によって置換されている、
ａおよびｂは各々独立して、０、１、２または３である、
Ｍ¹はアルカリ金属原子またはアルカリ土類原子である、
Ｍ¹がアルカリ金属原子である場合ｐは１であり、Ｍ¹がアルカリ土類金属原子である場合ｐは２である］。

式（ＶＩＩ）の非常に特に好ましい化合物は、

であり、それは単独の種として存在し得るか、または他の形態、例えばＬｉ_gＱ_g（前記ｇは整数である）、例えばＬｉ₆Ｑ₆の形態で存在し得る。Ｑは８−ヒドロキシキノレート配位子または８−ヒドロキシキノレート誘導体である。

さらに好ましい実施態様において、電子輸送層は、少なくとも１つの式（ＶＩＩＩ）の化合物を含む：

［式中、
Ｒ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶、Ｒ³⁷、Ｒ^34'、Ｒ^35'、Ｒ^36'およびＲ^37'は、各々独立して、Ｈ、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｅによって置換された且つ／またはＤによって中断されたＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₆〜Ｃ₂₄−アリール、Ｇによって置換されたＣ₆〜Ｃ₂₄−アリール、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−ヘテロアリール、またはＧによって置換されたＣ₂〜Ｃ₂₀−ヘテロアリールである、
Ｑはアリーレンまたはヘテロアリーレン基であり、その各々は任意にＧによって置換されている、
Ｄは−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−Ｏ−、−ＮＲ⁴⁰−、−ＳｉＲ⁴⁵Ｒ⁴⁶−、−ＰＯＲ⁴⁷−、−ＣＲ³⁸＝ＣＲ³⁹−、または−Ｃ≡Ｃ−である、
Ｅは−ＯＲ⁴⁴、−ＳＲ⁴⁴、−ＮＲ⁴⁰Ｒ⁴¹、−ＣＯＲ⁴³、−ＣＯＯＲ⁴²、−ＣＯＮＲ⁴⁰Ｒ⁴¹、−ＣＮまたはＦである、
ＧはＥ、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｄによって中断されたＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−ペルフルオロアルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルコキシ、またはＥによって置換され且つ／またはＤによって中断されたＣ₁〜Ｃ₁₈−アルコキシである、
ここで、Ｒ³⁸およびＲ³⁹は各々独立して、Ｈ； Ｃ₆〜Ｃ₁₈−アリール； Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキルまたはＣ₁〜Ｃ₁₈−アルコキシによって置換されたＣ₆〜Ｃ₁₈−アリール； Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル； または−Ｏ−によって中断されたＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルである、
Ｒ⁴⁰およびＲ⁴¹は各々独立して、Ｃ₆〜Ｃ₁₈−アリール； Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキルまたはＣ₁〜Ｃ₁₈−アルコキシによって置換されたＣ₆〜Ｃ₁₈−アリール； Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル； または−Ｏ−によって中断されたＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルであるか、または、
Ｒ⁴⁰およびＲ⁴¹は一緒に６員環を形成する、
Ｒ⁴²およびＲ⁴³は各々独立して、Ｃ₆〜Ｃ₁₈−アリール； Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキルまたはＣ₁〜Ｃ₁₈−アルコキシによって置換されたＣ₆〜Ｃ₁₈−アリール； Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル； または−Ｏ−によって中断されたＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルである、
Ｒ⁴⁴は、Ｃ₆〜Ｃ₁₈−アリール； Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキルまたはＣ₁〜Ｃ₁₈−アルコキシによって置換されたＣ₆〜Ｃ₁₈−アリール； Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル； または−Ｏ−によって中断されたＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルである、 Ｒ⁴⁵およびＲ⁴⁶は各々独立して、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₆〜Ｃ₁₈−アリール、またはＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルによって置換されたＣ₆〜Ｃ₁₈−アリールである、
Ｒ⁴⁷はＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₆〜Ｃ₁₈−アリール、またはＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルによって置換されたＣ₆〜Ｃ₁₈−アリールである］。

式（ＶＩＩＩ）の好ましい化合物は、式（ＶＩＩＩａ）

［式中、
Ｑは、

である、
Ｒ⁴⁸は、ＨまたはＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルである、且つ
Ｒ^48'は、ＨまたはＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルまたは

である］
の化合物である。

式（ＶＩＩＩａａ）の化合物が特に好ましい：

さらに非常に特に好ましい実施態様において、電子輸送層は、式

の化合物、および式

の化合物を含む。

好ましい実施態様において、電子輸送層は、式（ＶＩＩ）の化合物を９９〜１質量％、好ましくは７５〜２５質量％、より好ましくは約５０質量％の量で含み、ここで、式（ＶＩＩ）の化合物の量および式（ＶＩＩＩ）の化合物の量は、合計で１００質量％になる。

式（ＶＩＩＩ）の化合物の製造は、Ｊ． Ｋｉｄｏ ｅｔ ａｌ．， Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ． （２００８） ５８２１−５８２３， Ｊ． Ｋｉｄｏ ｅｔ ａｌ．， Ｃｈｅｍ． Ｍａｔｅｒ． ２０ （２００８） ５９５１−５９５３およびＪＰ２００８−１２７３２６号内に記載されるか、または、該化合物を上述の文献内に開示される方法と類似して製造することができる。

アルカリ金属ヒドロキシキノレート錯体、好ましくはＬｉｑおよびジベンゾフラン化合物の混合物を、電子輸送層中で使用することも可能である。ＷＯ２０１１／１５７７９０号が参照される。ＷＯ２０１１／１５７７９０号内に記載されるジベンゾフラン化合物Ａ−１〜Ａ−３６およびＢ−１〜Ｂ−２２が好ましく、ここで、ジベンゾフラン化合物

が最も好ましい。

好ましい実施態様において、電子輸送層は、Ｌｉｑを９９〜１質量％、好ましくは７５〜２５質量％、より好ましくは約５０質量％の量で含み、ここで、Ｌｉｑの量およびジベンゾフラン化合物、特に

の量は、合計で１００質量％になる。

式（ＶＩＩ）の化合物の製造は、例えば、Ｃｈｒｉｓｔｏｐｈ Ｓｃｈｍｉｔｚ ｅｔ ａｌ． Ｃｈｅｍ． Ｍａｔｅｒ． １２ （２０００） ３０１２−３０１９およびＷＯ００／３２７１７号内に記載されるか、または、該化合物を上述の文献内に開示される方法と類似して製造することができる。

好ましい実施態様において、本発明は、電子輸送層が少なくとも１つのフェナントロリン誘導体および／またはピリジン誘導体を含む本発明のＯＬＥＤに関する。

さらに好ましい実施態様において、本発明は、電子輸送層が少なくとも１つのフェナントロリン誘導体および／またはピリジン誘導体および少なくとも１つのアルカリ金属ヒドロキシキノレート錯体を含む本発明のＯＬＥＤに関する。

さらに好ましい実施態様において、本発明は、電子輸送層が少なくとも１つのフェナントロリン誘導体および／またはピリジン誘導体および８−ヒドロキシキノレートリチウムを含む本発明のＯＬＥＤに関する。

ホール輸送材料および電子輸送材料としての上述の材料のいくつかは、複数の役割を果たすことができる。例えば、電子輸送材料のいくつかは、それらが低いところにＨＯＭＯを有する場合、同時にホールブロッキング材料でもある。

カソード（５）は、電子または負の電荷担体を導入するためにはたらく電極である。カソードは、アノードよりも低い仕事関数を有する任意の金属または非金属であってよい。カソードのために適した材料は、元素周期律表の第１族のアルカリ金属、例えばＬｉおよびＣｓ、第２族のアルカリ土類金属、第１２族の金属からなる群から選択され、希土類金属およびランタノイドおよびアクチノイドを含む。さらには、アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウムおよびマグネシウムなどの金属およびそれらの組み合わせを使用できる。さらには、リチウム含有有機金属化合物、例えば８−ヒドロキシキノレートリチウム（Ｌｉｑ）、ＣｓＦ、ＮａＦ、ＫＦ、Ｃｓ₂ＣＯ₃またはＬｉＦを、有機層とカソードとの間に、電子注入層として施与して、稼働電圧を低下させることができる。

本発明のＯＬＥＤはさらに、当該技術分野で公知のさらなる層を含むことができる。例えば、正電荷の輸送を容易にし、且つ／または層のバンドギャップを互いに合わせる層を、層（２）と発光層（３）との間に施与することができる。選択的に、このさらなる層は保護層としてはたらくことができる。類似して、負電荷の輸送を容易にし、且つ／または層の間のバンドギャップを互いに合わせるために、さらなる層が発光層（３）と層（４）との間に存在することがある。選択的に、この層は保護層としてはたらくことができる。

好ましい実施態様において、本発明のＯＬＥＤは、層（１）〜（５）の他に、以下に記載される少なくとも１つのさらなる層を含む：
・ アノード（１）とホール輸送層（２）との間のホール注入層（厚さ： ５０〜１０００Å、好ましくは２００〜８００Å）；
・ ホール輸送層（２）と発光層（３）との間の電子ブロッキング層（厚さ： １０〜５００Å、好ましくは５０〜１００Å）；
・ 発光層（３）と電子輸送層（４）との間のホールブロッキング層（厚さ： １０〜５００Å、好ましくは５０〜１００Å）；
・ 電子輸送層（４）とカソード（５）との間の電子注入層（厚さ： １０〜５００Å、好ましくは２０〜１００Å）。

しかしながら、既に上述したとおり、ＯＬＥＤが上記の層（１）〜（５）の全てを有さないことも可能であり、例えば層（１）（アノード）、（３）（発光層）および（５）（カソード）を含むＯＬＥＤも同様に適しており、この場合、層（２）（ホール輸送層）および（４）（電子輸送層）の機能は隣接する層によって肩代わりされる。層（１）、（２）、（３）および（５）、または層（１）、（３）、（４）および（５）を有するＯＬＥＤも同様に適している。

適した材料を（例えば、電気化学的調査に基づき）どのように選択すべきかについては、当業者には公知である。個々の層について適した材料は当業者に公知であり、且つ、例えばＷＯ００／７０６５５号内に開示されている。

さらに、電荷担体の輸送効率を高めるために、層（１）、（２）、（３）、（４）および（５）のいくつかまたは全てを表面処理することが可能である。上述の層の各々のための材料の選択は、好ましくは高い効率を有するＯＬＥＤを得ることによって決定される。

本発明のＯＬＥＤは、当業者に公知の方法によって製造できる。一般に、ＯＬＥＤは個々の層を適した基板上に連続して気相堆積することによって製造される。適した基板は、例えばガラス、無機材料、例えばＩＴＯまたはＩＺＯまたはポリマーフィルムである。気相堆積について、通常の技術、例えば熱蒸着、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理気相堆積（ＰＶＤ）およびその他のものを使用することができる。

選択的な方法において、有機層を、適した溶剤中の溶液または分散液から被覆することができ、その場合、当業者に公知の被覆技術が用いられる。適した被覆技術は、例えば、スピンコーティング、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット（「ＬＢ」）法、インクジェット印刷法、ディップコーティング、凸版印刷、スクリーン印刷、ドクターブレード印刷、スリットコーティング、ローラー印刷、リバースローラー印刷、オフセットリソグラフィー印刷、フレキソ印刷、輪転印刷、噴霧コーティング、ブラシまたはパッド印刷によるコーティングおよびその種のものである。上述の方法の中で、上述の気相堆積の他には、スピンコーティング、インクジェット印刷法およびキャスト法が好ましく、なぜなら、それらは特に単純且つ安価に実施されるからである。スピンコーティング法、キャスティング法またはインクジェット印刷法によってＯＬＥＤの層が得られる場合、組成物を、０．０００１〜９０質量％の濃度で、適した有機溶剤、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトン、アセトニトリル、アニソール、ジクロロメタン、ジメチルスルホキシド、水およびそれらの混合物中に溶解させることによって調製された溶液を使用して、被覆物を得ることができる。

ＯＬＥＤの層を全て同一の被覆法によって製造することが可能である。さらには、２つまたはそれより多くの異なる被覆法を実施して、ＯＬＥＤの層を製造することも可能である。

一般に、種々の層は以下の層厚を有する： アノード（２） ５００〜５０００Å、好ましくは１０００〜２０００Å （オングストローム）； ホール輸送層（３） ５０〜１０００Å、好ましくは２００〜８００Å； 発光層（４） １０〜１０００Å、好ましくは１００〜８００Å； 電子輸送層（５） ５０〜１０００Å、好ましくは２００〜８００Å； カソード（６） ２００〜１００００Å、好ましくは３００〜５０００Å。さらには、いくつかの層を混合によって組み合わせることも可能である。例えば、ホール輸送材料を発光層の材料と混合し、次に一緒に施与することができる。本発明のＯＬＥＤにおけるホールと電子との再結合領域の位置、ひいてはＯＬＥＤの発光スペクトルは、各々の層の相対的な厚さおよび濃度比によって影響され得る。これは、電子輸送層の厚さが好ましくは、電子／ホールの再結合領域が発光層内であるように選択されるべきであることを意味する。ＯＬＥＤ内での個々の層の層厚の比は、使用される材料に依存する。使用されるさらなる層の層厚は、当業者に公知である。

好ましい実施態様において、本発明は、少なくとも１つの本発明の金属カルベン錯体、および以下の一般式

［式中、
Ｘ’は、ＮＲ、Ｓ、ＯまたはＰＲ^26'である；
Ｒ^26'は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキルまたはヘテロシクロアルキルである；
Ａ^1'は、−ＮＲ^6'Ｒ^7'、−Ｐ（Ｏ）Ｒ^8'Ｒ^9'、−ＰＲ^10'Ｒ^11'、−Ｓ（Ｏ）₂Ｒ^12'、−Ｓ（Ｏ）Ｒ^13'、−ＳＲ^14'または−ＯＲ^15'である；
Ｒ^21'、Ｒ^22'およびＲ^23'は、互いに独立して、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、またはヘテロシクロアルキルであり、ここで基Ｒ^21'、Ｒ^22'およびＲ^23'の少なくとも１つはアリールまたはヘテロアリールである；
Ｒ^24'およびＲ^25'は、互いに独立して、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、基Ａ^1'、またはドナーもしくはアクセプタ特性を有する基である；
ｎ２およびｍ１は、互いに独立して、０、１、２または３である；
Ｒ^6'およびＲ^7'は、窒素原子と一緒に、３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、それらは非置換であっても、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリールおよびドナーもしくはアクセプタ特性を有する基から選択される１つまたはそれより多くの置換基で置換されていてもよい、且つ／または、３〜１０個の環原子を有する１つまたはそれより多くのさらなる環式基と共に環状化されていてよく、前記環状化基は、非置換であってもよいし、またはアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリールおよびドナーもしくはアクセプタ特性を有する基から選択される１つまたはそれより多くの置換基で置換されていてもよい； 且つ
Ｒ^8'、Ｒ^9'、Ｒ^10'、Ｒ^11'、Ｒ^12'、Ｒ^13'、Ｒ^14'およびＲ^15'は、互いに独立して、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、またはヘテロシクロアルキルである］
の少なくとも１つの化合物を含むＯＬＥＤに関する。式Ｘの化合物、例えば

が、ＷＯ２０１００７９０５１号（特に１９〜２６ページ、および２７〜３４ページ内の表、３５〜３７ページ、および４２〜４３ページ）内に記載されている。

ジベンゾフランに基づくさらなるマトリックス材料は、例えばＵＳ２００９０６６２２６号、ＥＰ１８８５８１８号Ｂ１、ＥＰ１９７０９７６号、ＥＰ１９９８３８８号およびＥＰ２０３４５３８号内に記載されている。特に好ましいマトリックス材料の例を以下に示す：

上述の化合物において、ＴはＯまたはＳ、好ましくはＯである。Ｔが分子中に１回以上現れる場合、全ての基Ｔは同じ意味を有する。

好ましい実施態様において、発光層は、２〜４０質量％、好ましくは５〜３５質量％の少なくとも１つの本発明の複核金属カルベン錯体、および６０〜９８質量％、好ましくは６５〜９５質量％の少なくとも１つの上述のマトリックス材料から形成され、ここで、発光材料とマトリックス材料の合計は１００質量％になる。

特に好ましい実施態様において、発光層は、マトリックス材料、例えば

および２つのカルベン錯体、好ましくは式

および

を含む。前記の実施態様において、発光層は２〜４０質量％、好ましくは５〜３５質量％のＥＭ１、および、６０〜９８質量％、好ましくは６５〜９５質量％のＭａ１および

から形成され、ここで、カルベン錯体およびＭａ１の合計は１００質量％になる。

従って、ＯＬＥＤ中でマトリックス材料、および／またはホール／励起子ブロッカー材料、および／または電子／励起子ブロッカー材料、および／またはホール注入材料、および／または電子注入材料、および／またはホール輸送材料、および／または電子輸送材料として、好ましくはマトリックス材料および／またはホール／励起子ブロッカー材料として使用するために適した金属はまた、例えばＷＯ２００５／０１９３７３号、ＷＯ２００６／０５６４１８号、ＷＯ２００５／１１３７０４号、ＷＯ２００７／１１５９７０号、ＷＯ２００７／１１５９８１号およびＷＯ２００８／０００７２７号内に記載されるカルベン錯体である。ここで引用されたＷＯ出願の開示が例示的に参照され、且つ、それらの開示は本願の文脈に含まれるとみなされるものとする。

本発明による式（Ｘ）の化合物の他に、本発明によれば、一般式（Ｘ）に基づく繰り返し単位を、少なくとも１つの本発明の複核金属カルベン錯体と共に架橋されたもしくは重合された形態で含む、架橋されたまたは重合された材料を使用することも可能である。一般式（Ｘ）の化合物と同様に、それらは好ましくはマトリックス材料として使用される。

架橋されたまたは重合された材料は、有機溶剤中での顕著な可溶性、優れた塗膜形成特性、および比較的高いガラス転移温度を有する。さらには、本発明による架橋されたまたは重合された材料が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）中で使用される場合、高い電荷担体移動度、発光色の高い安定性、および相応の素子の長い稼働時間を観察することができる。

架橋されたまたは重合された材料は、被覆として、または薄膜において特に適しており、なぜなら、それらは熱的且つ機械的に安定であり、比較的欠陥がないからである。

一般式（Ｘ）に基づく繰り返し単位を含む架橋されたまたは重合された材料は、段階（ａ）および（ｂ）を含む方法によって製造できる：
（ａ） 架橋可能なまたは重合可能な一般式（Ｘ）の化合物を製造する段階、ここで、ｍ１ Ｒ²⁴基の少なくとも１つ、またはｎ２ Ｒ²⁵基の少なくとも１つは、スペーサーを介して接続される架橋可能または重合可能な基である、および
（ｂ） 段階（ａ）で得られた一般式（Ｘ）の化合物を架橋または重合する段階。

架橋されたまたは重合された材料は、ホモポリマーであってよく、それは一般式（Ｘ）の単位だけが架橋されたまたは重合された形態で存在することを意味する。それらはコポリマーであってもよく、それは、一般式（Ｘ）の単位の他に、さらなるモノマー、例えばホール伝導および／または電子伝導特性を有するモノマーが、架橋されたまたは重合された形態で存在することを意味する。

本発明のＯＬＥＤのさらに好ましい実施態様において、それは少なくとも１つの本発明の複核金属カルベン錯体、式（Ｘ）の少なくとも１つのマトリックス材料、および任意に少なくとも１つのさらなるホール輸送マトリックス材料を含む発光層を含む。

本発明のＯＬＥＤを、エレクトロルミネッセンスが有用である全ての装置において使用することができる。適した装置は、好ましくは固定式および移動式表示装置、および照明手段から選択される。従って、本発明は、本発明のＯＬＥＤを含む固定式表示装置および移動式表示装置および照明手段からなる群から選択される装置にも関する。

固定式表示装置は例えば、コンピュータの表示装置、テレビ、プリンタ、台所用品および広告パネルにおける表示装置、照明および情報パネルである。移動式表示装置は、例えば携帯電話、ラップトップ、タブレット型ＰＣ、デジタルカメラ、ｍｐ−３プレイヤー、スマートフォン、乗り物における表示装置、およびバスおよび電車における行き先表示である。

本発明の複核金属カルベン錯体は、さらに、反転構造を有するＯＬＥＤ内で使用することができる。それらの反転ＯＬＥＤにおいて、本発明の錯体は、好ましくは発光層内で使用される。反転型ＯＬＥＤの構造およびそこで使用される典型的な材料は当業者に公知である。

本発明はさらに、少なくとも１つの本発明の複核金属カルベン錯体を有する白色ＯＬＥＤを提供する。好ましい実施態様において、本発明の複核金属カルベン錯体は、白色ＯＬＥＤにおいて発光体材料として使用される。本発明の複核金属カルベン錯体の好ましい実施態様は、上記で特定されている。少なくとも１つの本発明の複核金属カルベン錯体の他に、白色ＯＬＥＤは以下を含むことができる：
（ｉ） 式（Ｘ）の少なくとも１つの化合物。好ましくは、式（Ｘ）の化合物はマトリックス材料として使用される。式（Ｘ）の好ましい化合物は上記で特定されている； および／または
（ｉｉ） 式（ＶＩＩ）および／または（ＩＸ）の少なくとも１つの化合物。好ましくは、式（ＶＩＩ）および／または（ＩＸ）の化合物は電子輸送材料として使用される。式（ＶＩＩ）および（ＩＸ）の好ましい化合物は上記で特定されている。

白色光を得るために、ＯＬＥＤは、スペクトルの可視領域全体の色の光を生成しなければならない。しかしながら、有機発光体は通常、可視スペクトルの限られた部分のみで発光する、即ち、着色される。異なる発光体を組み合わせることにより、白色光を生成することができる。典型的には、赤色、緑色および青色の発光体が組み合わせられる。しかしながら、先行技術は、白色ＯＬＥＤを形成するための他の方法、例えば三重項ハーベスティング法も開示している。白色ＯＬＥＤのための適した構造または白色ＯＬＥＤを形成するための方法は当業者に公知である。

白色ＯＬＥＤの１つの実施態様において、複数の染料がＯＬＥＤの発光層内の互いの上に層状に重ねられ、組み合わせられている（層状型素子）。これは全ての染料を混合することによって、または異なる着色層を直列に接続することによって達成できる。「層状型ＯＬＥＤ」という表現および適した実施態様は、当業者に公知である。

一般に、その際種々の層は以下の厚さを有する： アノード（２）５００〜５０００Å（オングストローム）、好ましくは１０００〜２０００Å； ホール輸送層（３） ５０〜１０００Å、好ましくは２００〜８００Å、種々の発光体の混合物を含む発光層（４）： １０〜１０００Å、好ましくは１００〜８００Åか、または連続し、各々の個々の層が異なる発光体を含む複数の発光層のいずれか（４ａ、ｂ、ｃ、・・・）： 各々１０〜１０００Å、好ましくは各々５０〜６００Å、電子輸送層（５） ５０〜１０００Å、好ましくは２００〜８００Å、カソード（６） ２００〜１００００Å、好ましくは３００〜５０００Å。

白色ＯＬＥＤのさらなる実施態様において、いくつかの異なる色のＯＬＥＤが互いの上に積層される（積層型素子）。２つのＯＬＥＤを積層するために、いわゆる電荷生成層（ＣＧ層）が使用される。このＧＣ層を、例えば、１つの電気的にｎ型ドープされた、および１つの電気的にｐ型ドープされた輸送層から形成することができる。「積層型ＯＬＥＤ」という表現および適した実施態様は、当業者に公知である。

その際、一般に、種々の層は以下の厚さを有する： アノード（２） ５００〜５０００Å（オングストローム）、好ましくは１０００〜２０００Å； 第一のホール輸送層（３） ５０〜１０００Å、好ましくは２００〜８００Å、第一の発光層（４） １０〜１０００Å、好ましくは５０〜６００Å、第一の電子輸送層（５） ５０〜１０００Å、好ましくは２００〜８００Å、電気的にｎ型ドープされた層 ５０〜１０００Å、好ましくは１００〜８００Å、電気的にｐ型ドープされた層 ５０〜１０００Å、好ましくは１００〜８００Å、第二のホール輸送層（３） ５０〜１０００Å、好ましくは２００〜８００Å、第二の発光層（４） １０〜１０００Å、好ましくは５０〜６００Å、第二の電子輸送層（５） ５０〜１０００Å、好ましくは２００〜８００Å、電気的にｎ型ドープされた層 ５０〜１０００Å、好ましくは１００〜８００Å、電気的にｐ型ドープされた層 ５０〜１０００Å、好ましくは１００〜８００Å、第三のホール輸送層（３） 〜１０００Å、好ましくは２００〜８００Å、第三の発光層（４） １０〜１０００Å、好ましくは５０〜６００Å、第三の電子輸送層（５） ５０〜１０００Å、好ましくは２００〜８００Å、カソード（６） ２００〜１００００Å、好ましくは３００〜５０００Å。

この「積層型素子構想」のさらなる実施態様において、２つだけのＯＬＥＤを積層すること、または３つより多くのＯＬＥＤを積層することも可能である。

白色ＯＬＥＤのさらなる実施態様において、白色光の生成について上述された２つの構想を組み合わせることもできる。例えば、単色のＯＬＥＤ（例えば青色）を、多色の層状型ＯＬＥＤ（例えば赤色−緑色）と共に積層することができる。２つの構想のさらなる組み合わせが考えられ、且つ、当業者に公知である。

本発明の複核金属カルベン錯体を、白色ＯＬＥＤ内の上述の層のいずれかにおいて使用することができる。好ましい実施態様において、それはＯＬＥＤの１つまたはそれより多く、または全ての発光層内で使用され、その場合、本発明の金属カルベン錯体の構造は錯体の使用に応じて変化する。光ＯＬＥＤのさらなる層のために適し且つ好ましい構成要素、または発光層におけるマトリックス材料として適した材料、および好ましいマトリックス材料は、上記で特定されたとおりである。

本発明はまた、少なくとも１つの本発明の複核金属カルベン錯体を含む、有機電子素子、好ましくは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機光電池（ＯＰＶ）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）または発光電気化学的電池（ＬＥＥＣ）にも関する。

以下の実施例、より特定には実施例内で詳述される方法、材料、条件、工程パラメータ、装置およびその種のものは、本発明を裏付けることを意図されているが、本発明の範囲を限定することは意図していない。全ての実験は保護ガス雰囲気中で実施される。以下の実施例内で述べられるパーセンテージおよび比は、特段記載されない限り、質量％および質量比である。

例１
１，４−ビス（イミダゾール）ベンゼン

乾燥したシュレンク管に１，４−ジヨードベンゼン（４．９５ｇ、１５ｍｍｏｌ）、イミダゾール（３．５７ｇ、５２．５ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム（２．９５ｇ、５２．５ｍｍｏｌ）、および酸化銅（Ｉ）（０．４３ｇ、３ｍｍｏｌ）を、アルゴン雰囲気下で装入し、且つ、固体の追加的な脱ガス段階の後、隔膜を通して乾燥ＤＭＳＯを添加した。その懸濁液を４８時間、１３０℃で撹拌した。室温への冷却後、反応混合物を水／酢酸エチル溶液に注いだ（１：３）。固体をろ過除去し、且つ、相分離した。水相を酢酸エチル（６×６０ｍＬ）で抽出し、有機相を合わせ、ブライン（５０ｍＬ）で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させた。減圧下で濃縮した後、固体の生成物を沈殿させ、且つジメチルエーテルで洗浄した。固体を集め、真空下で乾燥させて、オフホワイトの生成物（１．５５ｇ、４９．３％）が得られた。

１，４−ビス（３−メチルイミダゾリウム）ベンゼンヨージド

封管に１，４−ビス（イミダゾール）ベンゼン（１．０５ｇ、５ｍｍｏｌ）およびヨードメタン（１．９ｍＬ、３０ｍｍｏｌ）を装入する。８ｍＬのＴＨＦの添加後、管を封止し、且つ反応混合物を７２時間、１００℃で撹拌する。生成された固体をろ過除去し、且つ、少量のテトラヒドロフランおよびジメチルエーテルで洗浄する。真空下での乾燥後、オフホワイトの固体が得られる（２．４２ｇ、９８％）。

ＥＭ１（Ｄ−１）

乾燥され且つアルゴンでフラッシングされたシュレンク管に、１，４−ビス（３−メチルイミダゾリウム）ベンゼンヨージド（０．４０ｇ、０．８ｍｍｏｌ）および酸化銀（Ｉ）（０．２０ｇ、０．８８ｍｍｏｌ）を装入した。２０ｍＬの乾燥１，４−ジオキサンの添加後、反応混合物を、暗闇の中、アルゴン下、室温で４８時間撹拌した。ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（０．７５ｇ、２ｍｍｏｌ）および１０ｍＬの２−ブタノンを添加し、その混合物を１１５℃に加熱し、さらに５４時間撹拌した。その後、全ての揮発物を減圧下で除去し、且つ、カリウム ｔｅｒｔ−ブタノレート（０．７２ｇ、６．４ｍｍｏｌ）、アセチルアセトン（０．６６ｍＬ、６．４ｍｍｏｌ）および２５ｍＬの乾燥ＤＭＦをアルゴン下で添加した。室温で２８時間、および１００℃で１４時間の撹拌後、全ての揮発物を再度減圧下で除去し、粗製生成物を残し、それを水で洗浄し、フラッシュクロマトグラフィーによって塩化メチレン／アセトン ５／１を用いて精製した。留分を含有する生成物を最終的に塩化メチレン／テトラヒドロフランの１／１溶液から再結晶化し、且つ、真空下で乾燥させて、淡い黄色の固体（０．０３ｇ、５％）が得られた。

例２ − ＥＭ２（Ｄ−２）

乾燥され且つアルゴンでフラッシングされたシュレンク管に、１，４−ビス（３−メチルイミダゾリウム）ベンゼンヨージド（０．９９ｇ、２ｍｍｏｌ）および酸化銀（Ｉ）（０．７０ｇ、３ｍｍｏｌ）を装入した。３０ｍＬの乾燥１，４−ジオキサンの添加後、反応混合物を、暗闇の中、アルゴン下、室温で７２時間撹拌した。ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．８７ｇ、５ｍｍｏｌ）および１５ｍＬの２−ブタノンを添加し、その混合物を１１５℃に加熱し、さらに９６時間撹拌した。その後、全ての揮発物を減圧下で除去し、且つ、カリウム ｔｅｒｔ−ブタノレート（１．７９ｇ、１６ｍｍｏｌ）、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン（２．９５ｇ、１６ｍｍｏｌ）および３０ｍＬの乾燥ＤＭＦをアルゴン下で添加した。室温で３日間、および１００℃で２４時間の撹拌後、全ての揮発物を再度減圧下で除去し、粗製生成物を残し、それを水で洗浄し、フラッシュクロマトグラフィーによって塩化メチレンを用いて精製した。留分を含有する生成物を最終的にジメチルエーテルで洗浄して、微量のジオンを除去し、且つ、真空下で乾燥させて、淡い黄色の固体（０．３３ｇ、１６％）が得られた。

フォトルミネッセンス（ＰＭＭＡマトリックス中、２％）：
λ_max＝４８８ｎｍ、ＣＩＥ： （０．２３；０．５４）； ＱＹ＝８２％。

例３ − ＥＭ３（Ｄ−３）

乾燥され且つアルゴンでフラッシングされたシュレンク管に、１，４−ビス（３−メチルイミダゾリウム）ベンゼンヨージド（０．４０ｇ、０．８ｍｍｏｌ）および酸化銀（Ｉ）（０．１９ｇ、０．８ｍｍｏｌ）を装入した。２０ｍＬの乾燥１，４−ジオキサンの添加後、反応混合物を、暗闇の中、アルゴン下、室温で４８時間撹拌した。ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（０．７５ｇ、２ｍｍｏｌ）および１０ｍＬの２−ブタノンを添加し、その混合物を１１５℃に加熱し、さらに４８時間撹拌した。その後、全ての揮発物を減圧下で除去し、且つ、カリウム ｔｅｒｔ−ブタノレート（０．７２ｇ、６．４ｍｍｏｌ）、ジメシトイルメタン（１．９７ｇ、６．４ｍｍｏｌ）および２０ｍＬの乾燥ＤＭＦをアルゴン下で添加した。室温で６４時間、および１００℃で７時間の撹拌後、全ての揮発物を再度減圧下で除去し、粗製生成物を残し、それを水で洗浄し、フラッシュクロマトグラフィーによって塩化メチレン／アセトンを用いて精製した。真空下で乾燥させ、淡い黄色の固体（０．２１ｇ、２１％）が得られた。

フォトルミネッセンス（ＰＭＭＡマトリックス中、２％）：
λ_max＝４８９ｎｍ、ＣＩＥ： （０．２６；０．５４）； ＱＹ＝７６％。

例４
２，２’−（１，４−フェニレン）ビスイミダゾ［１，５−ａ］ピリジニウムクロリド

ピリジン−２−アルデヒド（４．２８ｇ、４０ｍｍｏｌ）、４−フェニレンジアミンジヒドロクロリド（３．６６ｇ、２０ｍｍｏｌ）および３７質量％のホルムアルデヒド溶液（４．５ｍＬ、６０ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのエタノール中に溶解させ、室温で終夜撹拌した。沈殿した固体をろ過除去し、且つ、少量のエタノールおよびジエチルエーテルで洗浄した。真空下で乾燥させて、オフホワイトの生成物（５．８１ｇ、７６％）が得られた。

ＥＭ４（Ｆ−１）：

乾燥され且つアルゴンでフラッシングされたシュレンク管に、２，２’−（１，４−フェニレン）ビスイミダゾ［１，５−ａ］ピリジニウムクロリド（０．３１ｇ、０．８ｍｍｏｌ）および酸化銀（Ｉ）（０．２８ｇ、１．５ｍｍｏｌ）を装入した。２０ｍＬの乾燥１，４−ジオキサンの添加後、反応混合物を、暗闇の中、アルゴン下、室温で７２時間撹拌した。ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（０．７５ｇ、２ｍｍｏｌ）および１０ｍＬの２−ブタノンを添加し、その混合物を１１５℃に加熱し、さらに４８時間撹拌した。その後、全ての揮発物を減圧下で除去し、且つ、カリウム ｔｅｒｔ−ブタノレート（０．７２ｇ、６．４ｍｍｏｌ）、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン（１．３４ｇ、６．４ｍｍｏｌ）および２０ｍＬの乾燥ＤＭＦをアルゴン下で添加した。室温で６４時間、および１００℃で７時間の撹拌後、全ての揮発物を再度減圧下で除去し、粗製生成物を残し、それを水で洗浄し、フラッシュクロマトグラフィーによって塩化メチレンを用いて精製した。真空下で乾燥させ、淡い黄色の固体（０．０４ｇ、５％）が得られた。

フォトルミネッセンス（ＰＭＭＡマトリックス中、２％）：
λ_max＝５８５ｎｍ、ＣＩＥ： （０．５９； ０．４１）。

例５
１，３−ビス（イミダゾール）ベンゼン

乾燥したシュレンク管に１，３−ジヨードベンゼン（３．３０ｇ、１０ｍｍｏｌ）、イミダゾール（２．０４ｇ、３０ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム（２．２４ｇ、４０ｍｍｏｌ）、および酸化銅（Ｉ）（０．２９ｇ、２ｍｍｏｌ）を、アルゴン雰囲気下で装入し、且つ、固体の追加的な脱ガス段階の後、隔膜を通して乾燥ＤＭＳＯを添加した。その懸濁液を４８時間、１２０℃で撹拌した。室温への冷却後、反応混合物を水／酢酸エチル溶液（１：３）に注ぐ。固体をろ過除去し、且つ、相分離した。水相を酢酸エチル（３×５０ｍＬ）で抽出し、有機相を合わせ、ブライン（５０ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させた。粗製生成物をフラッシュクロマトグラフィーによって、酢酸エチルを用いて精製し、青白い結晶性の固体（１．２９ｇ、６１．３％）が得られた。

１，３−ビス（３−メチルイミダゾリウム）ベンゼンヨージド

封管に１，３−ビス（イミダゾール）ベンゼン（０．４２ｇ、２ｍｍｏｌ）およびヨードメタン（１．２ｍＬ、８ｍｍｏｌ）を装入した。５ｍＬのＴＨＦの添加後、管を封止し、且つ反応混合物を４８時間、１００℃で撹拌した。生成された固体をろ過除去し、且つ、少量のテトラヒドロフランおよびジメチルエーテルで洗浄した。真空下での乾燥後、オフホワイトの固体が得られた（０．９７ｇ、９８％）。

ＥＭ５ （Ｅ−１）：

乾燥され且つアルゴンでフラッシングされたシュレンク管に、１，３−ビス（３−メチルイミダゾリウム）ベンゼンヨージド（０．４０ｇ、０．８ｍｍｏｌ）および酸化銀（Ｉ）（０．１９ｇ、０．８ｍｍｏｌ）を装入した。２０ｍＬの乾燥１，４−ジオキサンの添加後、反応混合物を、暗闇の中、アルゴン下、室温で４８時間撹拌した。ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（０．７５ｇ、２ｍｍｏｌ）および１０ｍＬの２−ブタノンを添加し、その混合物を１１５℃に加熱し、さらに４８時間撹拌した。その後、全ての揮発物を減圧下で除去し、且つ、カリウム ｔｅｒｔ−ブタノレート（０．７２ｇ、６．４ｍｍｏｌ）、アセチルアセトン（０．６６ｍＬ、６．４ｍｍｏｌ）および２５ｍＬの乾燥ＤＭＦをアルゴン下で添加した。室温で６０時間、および１００℃で１６時間の撹拌後、全ての揮発物を再度減圧下で除去し、粗製生成物を残し、それを水で洗浄し、フラッシュクロマトグラフィーによって塩化メチレン／アセトンを用いて精製した。真空下で乾燥させ、オフホワイトの固体（０．０６ｇ、７％）が得られた。

適用例１
アノードとして使用されるＩＴＯ基板を、まずＬＣＤ製造用の市販の洗浄剤（Ｄｅｃｏｎｅｘ（登録商標）２０ＮＳ、および２５０ＲＧＡＮ−ＡＣＩＤ（登録商標） 中和剤）で洗浄し、その後、超音波浴内、アセトン／イソプロパノール混合物中で洗浄する。あり得る有機残留物を除去するために、基板をさらに２５分間、オゾン炉内で連続的なオゾン流に晒す。この処理はＩＴＯのホール注入特性も改善する。次に、ホール注入層ＡＪ２０−１０００（Ｐｌｅｘｃｏｒｅ製）を溶液からスピンオンする。

その後、以下に特定される有機材料を約１０^-7〜１０^-9ｍｂａｒで、約０．５〜５ｎｍ／分の速度で気相堆積によって、前記の洗浄された基板に施与する。基板に施与されたホール伝導体および励起子ブロッカーは、

（Ｉｒ（ＤＰＢＩＣ）₃の製造について、ＷＯ２００５／１９３７３号の出願内のＩｒ錯体（７）を参照）であり、厚さ２０ｎｍを有し、その最初の１０ｎｍはＭｏＯ_xでドープされて伝導性が改善されている。

引き続き、発光体Ｅｍ２（３０質量％）と、ｌｒ（ＤＰＢＩＣ）₃（２０質量％）と、化合物

（５０質量％、ＷＯ２００９／００３８９８号内の化合物「４ｇ」）との混合物を、気相堆積によって厚さ４０ｎｍで施与し、後者の化合物がマトリックス材料として機能する。

引き続き、材料Ｍａ２をホールブロッカーとして気相堆積によって厚さ５ｎｍ施与する。次に、電子輸送層として、Ｃｓ₂ＣＯ₃（５質量％）とＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、９５質量％）との混合物を、気相堆積によって施与し、最終的に１００ｎｍ厚のＡｌ電極を施与する。全ての構成要素は不活性窒素雰囲気下でガラス蓋に接着される。

適用例２
発光層およびホールブロッキング層内で化合物Ｍａ２の代わりに

を使用し、

の混合物が２０ｎｍ厚の電子輸送層を構成し、且つ、２ｎｍ厚のＫＦがホール輸送層として機能すること以外、適用例１を繰り返す。

ＯＬＥＤを評価するため、エレクトロルミネッセンススペクトルを種々の電流および電圧で記録する。さらに、発する光の出力と組み合わせて、電流−電圧特性を測定する。光の出力を、測光器を用いた較正により測光パラメータに変換することができる。

適用例１
λ_max＝５３４ｎｍ、ＣＩＥ： （０．２７； ０．５７）； Ｕ＝５．２Ｖ； ＥＱＥ（外部量子効率は、物質または素子から抜け出して生成されたフォトンの数（＃）／それを通り抜けた電子の数（＃）である）＝６．６％。

適用例２
λ_max＝５３３ｎｍ、ＣＩＥ： （０．２７； ０．５７）； Ｕ＝３．１Ｖ； ＥＱＥ＝１３．４％。

ドーピング濃度からのＣＩＥ色座標の依存性
適用例１による素子を、発光層内の発光体濃度を変化させて製造した：
ＨＩＬ Ｐｌｅｘｃｏｒｅ ＡＪ２０−１０００ − １０ｎｍ ｌｒ（ＤＰＢＩＣ）₃：ＭｏＯ_x （９０：１０） − １０ｎｍ ｌｒ（ＤＰＢＩＣ）₃− ４０ｎｍ Ｅｍ２： Ｍａ２ （Ｘ：（１００−Ｘ）） − ５ｎｍ Ｍａ２ − ２５ｎｍ ＢＣＰ：Ｃｓ₂ＣＯ₃ （９５：５） − １００ｎｍ Ａｌ；
Ｅｍ２のドーピング濃度を５％から３０％に変化させることによって、発する光の色座標に及ぼす影響を測定した。

それらの結果から明らかに実証されるとおり、ドーピング濃度を５％から３０％の範囲で著しく変化させた際に、色座標においてわずかなシフトしかない。この低い濃度依存性は、量産における再現性のために特に重要である。

Claims (5)

1. 以下の一般式の金属カルベン錯体からなる、有機発光ダイオードに用いるための発光体材料：
   

   

   ［式中、
   Ｍは、ＰｄまたはＰｔである、
   ｍは、０または１から選択される整数である、
   Ｒ₁およびＲ₁’は、各々独立して、
   任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されており、任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ１〜２０個の炭素原子を有する、直鎖または分枝鎖のアルキル基、
   任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されており、任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ３〜２０個の炭素原子を有する、置換または非置換のシクロアルキル基、
   任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ６〜３０個の炭素原子を有する、置換または非置換のアリール基、
   任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断され、任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する、置換または非置換のヘテロアリール基、
   である、
   Ｒ₂、Ｒ₂’、Ｒ₃およびＲ₃’は、各々独立して、
   水素、
   任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されており、任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ１〜２０個の炭素原子を有する、直鎖または分枝鎖のアルキル基、
   任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されており、任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ３〜２０個の炭素原子を有する、置換または非置換のシクロアルキル基、
   任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されており、任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ６〜３０個の炭素原子を有する、置換または非置換のアリール基、
   任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断され、任意に少なくとも１つの官能基を有し且つ合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する、置換または非置換のヘテロアリール基、または
   Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ、Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリールオキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキルチオ、Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリールチオ、ＳｉＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵Ｒ⁶⁶、ハロゲン基、ハロゲン化されたＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル基、カルボニル（−ＣＯ（Ｒ⁶⁴））、カルボニルチオ（−Ｃ＝Ｏ（ＳＲ⁶⁴））、カルボニルオキシ（−Ｃ＝Ｏ（ＯＲ⁶⁴））、オキシカルボニル（−ＯＣ＝Ｏ（Ｒ⁶⁴））、チオカルボニル（−ＳＣ＝Ｏ（Ｒ⁶⁴））、アミノ（−ＮＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵）、ＯＨ、擬ハロゲン基、アミド（−Ｃ＝Ｏ（ＮＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵））、−ＮＲ⁶⁴Ｃ＝Ｏ（Ｒ⁶⁵）、ホスホネート（−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ⁶⁴）₂）、ホスフェート（−ＯＰ（Ｏ）（ＯＲ⁶⁴）₂）、ホスフィン（−ＰＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵）、ホスフィンオキシド（−Ｐ（Ｏ）Ｒ⁶⁴ ₂）、スルフェート（−ＯＳ（Ｏ）₂ＯＲ⁶⁴）、スルホキシド（−Ｓ（Ｏ）Ｒ⁶⁴）、スルホネート（−Ｓ（Ｏ）₂ＯＲ⁶⁴）、スルホニル（−Ｓ（Ｏ）₂Ｒ⁶⁴）、スルホンアミド（−Ｓ（Ｏ）₂ＮＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵）、ＮＯ₂、ボロン酸エステル（−ＯＢ（ＯＲ⁶⁴）₂）、イミノ（−Ｃ＝ＮＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵）、ボラン基、スタンナート基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、オキシム基、ニトロソ基、ジアゾ基、ビニル基、スルホキシイミン、アラン、ゲルマン、ボロキシンおよびボラジンからなる群（式中、Ｒ⁶⁴、Ｒ⁶⁵およびＲ⁶⁶は各々独立して置換または非置換のアルキルまたは置換または非置換のフェニルである）から選択されるドナーまたはアクセプタ作用を有する基であるか、または
   Ｒ₁およびＲ₂、および／またはＲ₁’およびＲ ₂ ’は、それらが結合されている原子と共に、任意に少なくとも１つのさらなるヘテロ原子によって中断され且つ合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する、任意に置換された、飽和または不飽和または芳香族の環を形成し、且つ、任意に少なくとも１つのさらなるヘテロ原子によって中断され且つ合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する、少なくとも１つのさらなる任意に置換された飽和または不飽和または芳香族の環に任意に縮合されていてよい、
   Ｋは中性の単座配位子である、
   Ｌは、単座もしくは二座であってよいモノアニオン性配位子である］。
2. ｍが０であり、且つ
   Ｌがモノアニオン性二座配位子である、
   請求項１に記載の発光体材料。
3. Ｌがピコリナト、サリチラート、８−ヒドロキシキノラート、または式（Ａ）
   

   

   ［式中、
   Ｒ₄およびＲ₄’は各々独立して、１〜６個の炭素原子を有し任意に少なくとも１つの官能基を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基；３〜２０個の炭素原子を有する置換または非置換のシクロアルキル基、６〜２０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基； 合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する置換または非置換のヘテロアリール基であり、且つ、
   Ｒ₅は水素、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、６〜２０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基である］
   の配位子からなる群から選択される、請求項２に記載の発光体材料。
4. 一般式
   

   

   ［式中、
   Ｒ₁およびＲ₁’は、各々独立して、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、３〜２０個の炭素原子を有する置換または非置換のシクロアルキル基、６〜３０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基、合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する置換または非置換のヘテロアリール基である、
   Ｒ₂、Ｒ₂’、Ｒ₃およびＲ₃’は、各々独立して、水素、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、３〜２０個の炭素原子を有する置換または非置換のシクロアルキル基、６〜３０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基、合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する置換または非置換のヘテロアリール基、または、
   Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ、Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリールオキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキルチオ、Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリールチオ、ＳｉＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵Ｒ⁶⁶、ハロゲン基、ハロゲン化されたＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル基、カルボニル（−ＣＯ（Ｒ⁶⁴））、カルボニルチオ（−Ｃ＝Ｏ（ＳＲ⁶⁴））、カルボニルオキシ（−Ｃ＝Ｏ（ＯＲ⁶⁴））、オキシカルボニル（−ＯＣ＝Ｏ（Ｒ⁶⁴））、チオカルボニル（−ＳＣ＝Ｏ（Ｒ⁶⁴））、アミノ（−ＮＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵）、ＯＨ、擬ハロゲン基、アミド（−Ｃ＝Ｏ（ＮＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵））、−ＮＲ⁶⁴Ｃ＝Ｏ（Ｒ⁶⁵）、ホスホネート（−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ⁶⁴）₂）、ホスフェート（−ＯＰ（Ｏ）（ＯＲ⁶⁴）₂）、ホスフィン（−ＰＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵）、ホスフィンオキシド（−Ｐ（Ｏ）Ｒ⁶⁴ ₂）、スルフェート（−ＯＳ（Ｏ）₂ＯＲ⁶⁴）、スルホキシド（−Ｓ（Ｏ）Ｒ⁶⁴）、スルホネート（−Ｓ（Ｏ）₂ＯＲ⁶⁴）、スルホニル（−Ｓ（Ｏ）₂Ｒ⁶⁴）、スルホンアミド（−Ｓ（Ｏ）₂ＮＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵）、ＮＯ₂、ボロン酸エステル（−ＯＢ（ＯＲ⁶⁴）₂）、イミノ（−Ｃ＝ＮＲ⁶⁴Ｒ⁶⁵）、ボラン基、スタンナート基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、オキシム基、ニトロソ基、ジアゾ基、ビニル基、スルホキシイミン、アラン、ゲルマン、ボロキシンおよびボラジンからなる群（式中、Ｒ⁶⁴、Ｒ⁶⁵およびＲ⁶⁶は各々独立して置換または非置換のアルキルまたは置換または非置換のフェニルである）から選択されるドナーまたはアクセプタ作用を有する基であるか、または
   Ｒ₁およびＲ₂、および／またはＲ₁’およびＲ₂’は、それらが結合されている原子と共に、任意に少なくとも１つのさらなるヘテロ原子によって中断され、合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する、任意に置換された不飽和、飽和または芳香族の環を形成し、且つ、任意に少なくとも１つのさらなるヘテロ原子によって中断され且つ合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する、少なくとも１つのさらなる任意に置換された飽和または不飽和または芳香族の環に任意に縮合されていてよい、
   Ｒ₄およびＲ₄’は、各々独立して、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基；６〜２０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基；合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する置換または非置換のヘテロアリール基である］
   の金属カルベン錯体からなる、有機発光ダイオードに用いるための発光体材料。
5. Ｒ₁が、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、３〜１２個の炭素原子を有する置換または非置換のシクロアルキル基、６〜１５個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基であり、
   Ｒ₂およびＲ₃が、各々独立して水素、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基、６〜１８個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基、ハロゲン基から選択されるドナーまたはアクセプタ作用を有する基であるか、または
   Ｒ₁およびＲ₂が、それらが結合されている原子と共に、任意に少なくとも１つのさらなるヘテロ原子によって中断され、合計５〜１８個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する、任意に置換された不飽和、飽和または芳香族の環を形成し、且つ、
   Ｒ₄およびＲ₄’が、各々独立して、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキル基；６〜１５個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基である、
   請求項４に記載の発光体材料。