JP6438024B2 - 高周波集積パッシブデバイス用の高周波損失を低下させた高抵抗シリコン基材 - Google Patents

高周波集積パッシブデバイス用の高周波損失を低下させた高抵抗シリコン基材 Download PDF

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Description

本発明は、RF集積パッシブデバイス(RF−IPD)用の高周波(RF:radio frequency)損失を低下させた高抵抗シリコン(HRS:high−resistivity silicon)基材に全般的に関係する。
高抵抗シリコン基材の有用性は、RF部品、特に集積パッシブデバイス(IPD)の発展及びマーケティングに新たな大きな機会を提供してきた。確立された集積回路(IC)製造技術との適合性、有効性及びコストに起因して、HRSが、RF−IPD用のほぼ理想的な基材であることが分かってきた。
しかし、表面効果が、先進的なHRS基材で得られうる潜在的に低いRF損失レベルを部分的に失わせるという課題を提示し続けている。すなわち、シリコン−誘電体界面又は誘電体層内に捕捉された電荷が、蓄積層又は反転層を形成し、これが寄生表面の伝導チャネルを生成する場合がある。これらの寄生チャネルは、RF場で浮遊電流(stray current)を生成する。そして、これらの浮遊電流は、伝送路減衰を大きくし、インダクタで得られうるQ値を低下させ、そしてこの基材上に製造されるフィルタの選択性を低下させる。
これらの表面効果によって提示される性能の制限を克服するための方法が開発されてきた。最も一般的に用いられている方法は、HRS基材上へのアモルファスポリシリコン層の堆積(非特許文献1)及び中性種、例えばアルゴン、シリコン、中性子、又はプロトンの比較的大量の注入(非特許文献2及び非特許文献3)である。アモルファス/ポリシリコンの堆積は、SOI製造に用いられるウェハーを取り扱うのにも適用されてきた(非特許文献4)。これらの方法の全てにおいて抑制効果は、HRS基材の上部でのポリシリコン層又は注入層内への荷電キャリアの高い捕捉性に基づいている。
B. Rong, J. N. Burghartz, L. K. Nanver, B. Rejaei, and M. van der Zwan, "Surface-Passivated High-Resistivity Silicon Substrates for RFICs" IEEE Electron device letters, Vol. 25, No. 4, April 2004 M. Spirito, F. Maria de Paola, L. Nanver, E. Valletta, B. Rong, B. Rejaei, L. C. N. de Vreede, J. J. N. Burghartz, "Surface-Passivated High-Resistivity Silicon as True Microwave Substrate" IEEE Transaction on Microwave Theory and Techniques, Vol. 53, No. 7, July 2005; Chan, K.T., Chin, A., Chen, Y.B., Lin, Y.-D, et al, "Integrated antennas on Si, proton-implanted Si and Si-on-quartz" IEDM '01 Technical Digest, IEEE International, 2001 D. Lederer and J.-P. Raskin, "RF performance of a commercial SOI technology transferred onto a passivated HR silicon substrate," IEEE Transaction on Electron Devices, July 2008
しかし、これらの方法の全ては、追加的なコストの影響を与え、そしてHRS系デバイスのプロセスおいて制限を与える。これらの課題は、これらの方法の実施可能性を限定的にしてきた。
本発明の1つの目的は、上記の欠点を解決し、そして基材上に構築される高周波集積パッシブデバイス用の、高周波損失を低下させた高抵抗シリコン基材、結果として比較的高い性能を有する高抵抗シリコン基材を提供することである。
本発明の1つの目的は、態様1の高抵抗シリコン基材、態様9の方法、及び態様10の高周波集積パッシブデバイスを提供することによって達成される。
すなわち、本発明の態様としては以下を挙げることができる:
《態様1》
高抵抗バルクシリコンを含むバルク領域(100)を有する、高周波集積パッシブデバイス用の高周波損失を低下させた高抵抗シリコン基材(100)であって、
前記基材の前面(122)に加工された表面下格子損傷保持領域(120b)をさらに有し、これが前表面を形成し、かつ前記バルク領域より上に破砕シリコン領域を含み、前記格子損傷領域が、前記基材に加工されており、前記格子損傷保持領域が、寄生表面伝導を抑制することによって、RF損失の低下を達成するように構成されていることを特徴とする、高抵抗シリコン基材(100)。
《態様2》
前記前面が、化学機械平坦化−研磨によって研磨されている、態様1に記載の基材。
《態様3》
前記前面が、構造的には単結晶シリコンである、態様1又は2に記載の基材。
《態様4》
前記格子損傷保持領域が、スライス(210)、ラッピング(220)、研削(240)、ブラシダメ−ジング(250)、レーザーマニピュレーション又は湿式ブラスト(250)によって機械的に加工されている、態様1〜3のいずれか一項に記載の基材。
《態様5》
前記研削が、回転固定研磨材研削であり、かつ/又は前記研削が、粗い研削及び微細研削を含む2段研削によって行われている、態様1〜4のいずれか一項に記載の基材。
《態様6》
前記格子損傷保持領域の上部にポリシリコン層(130)を含む、態様1〜5のいずれか一項に記載の基材。
《態様7》
前記ポリシリコン層の厚みが、0.2〜8.0μmである、態様6に記載の基材。
《態様8》
前記ポリシリコン層の厚みが、0.4〜6.0μmである、態様6又は7に記載の基材。
《態様9》
高周波集積パッシブデバイス用の、態様1〜8のいずれか一項に記載の高周波損失を低下させた高抵抗シリコン基材(100)の製造方法であって、以下を含む方法:
高抵抗シリコンを成長させること(204)、
前記成長させたシリコンからシリコンウェハーをスライスし(210)、そして前記スライスしたシリコンウェハーを薄化すること(220、240)によって前記成長したシリコンを加工し(210、220、240、270)、前記加工は、破砕したシリコンを含む格子損傷領域(120a、120b)を加工したシリコンウェハーにもたらすこと、
高抵抗バルクシリコンを含むバルク領域(110)を有する前記基材を得るために、前記加工したシリコンウェハーを研磨すること(250、272)、
前記バルク領域より上の前記格子損傷領域の少なくとも一部(120b)を前記研磨によって保持すること(260、274)、ここで格子損傷領域の少なくとの一部は、寄生表面伝導を抑制することによって前記基材のRF損失の低下を達成するように構成されること。
《態様10》
態様1〜8のいずれか一項に記載の高周波損失を低下させた高抵抗シリコン基材(100)を含む高周波集積パッシブデバイスであって、前記基材が、
高抵抗バルクシリコンを含むバルク領域(100)、及び
表面下格子損傷保持領域(120b)を有し、これは前記基材の前面に加工されており、前表面を形成し、前記バルク領域より上に破砕シリコンを含み、前記格子損傷領域は、基材に加工されており、かつ前記格子損傷保持領域は、寄生表面伝導を抑制することによって前記基材のRF損失の低下を達成するように構成されている、高周波集積パッシブデバイス。
高周波集積パッシブデバイス用の高周波損失を低下させた高抵抗シリコン基材の1つの実施態様は、高抵抗バルクシリコンを含むバルク領域を含む。この基材は、表面下格子損傷保持領域をさらに含み、これは基材の前面に加工され、前表面を形成し、かつバルク領域より上に破砕シリコンを含む。格子損傷領域は、その基材に加工され、そして保護格子損傷領域は、寄生表面伝導を抑制することで、基材のRF損失の低下を達成するように構成される。
用語「表面パッシベーション」は、例えば、RF励起の下で、寄生表面伝導が引き起こす浮遊電流の発生を阻害するための、シリコンウェハーの表面に与えられる処理をいう。
用語「高抵抗シリコン」は、非常に高い抵抗を有する、例えば100Ω−cm以上の非常に高い抵抗を有する、半導体グレードのシリコン結晶をいう。標準的なシリコンの抵抗は、1以下から10〜20Ω−cmまでの範囲である。
用語「高周波集積パッシブデバイス」は、適切なプラットフォーム、例えば高抵抗シリコンに集積されているパッシブ要素をいい、例えばコンダクタ、インダクタ、ノッチフィルタ、バルク弾性波(BAW)フィルタ、薄膜バルク弾性波共振器(FBAR)、及び他の種類のフィルタをいう。
高周波集積パッシブデバイス用の高周波損失を低下させた高抵抗シリコン基材を製造するための方法の1つの実施態様は、高抵抗シリコンを成長させること、及び成長させたシリコンからシリコンウェハーをスライスし、スライスしたシリコンウェハーを薄化する処理を、成長させたシリコンに行うことを含む。この処理により、破砕シリコンを含む格子損傷領域を、処理したシリコンウェハーに与えることができる。この方法は、高抵抗バルクシリコンを含むバルク領域を含む上記の基材を与えるために、処理したシリコンウェハーを研磨すること、及びバルク領域より上の格子損傷領域の少なくとも一部を研磨によって保持することを更に含むことができる。この格子損傷領域の少なくとも一部は、寄生表面伝導を抑制することによって、上記基材のRF損失の低減が得られるように構成される。
高周波集積パッシブデバイスの1つの実施態様は、低い高周波損失を有する上記の高抵抗シリコン基材を含む。この基材は、高抵抗バルクシリコン領域を含むバルク領域、及び基材の前面に加工される表面下格子損傷保持領域を有する。表面下格子損傷保持領域は、前表面を形成し、かつバルク領域より上に破砕シリコンを含む。格子損傷領域は、基材に加工され、格子損傷保持領域は、寄生表面伝導を抑制することによって、上記基材のRF損失の低減が得られるように構成される。
本発明の実施態様は、さらに従属項において定義される。
動詞「〜を含む(原文中「comprise」)」は、本明細書において、記載していない特徴の存在を排除又は必要としない、開放的限定として用いられる。用語「〜を挙げられる(原文中「include」)」及び「〜を有する(原文中「have/has」)」は、「〜を含む(原文中「comprise」)」と同様に定義される。
原文中の「a」、「an」及び「at least one」は、ここで用いた場合、1又はそれ以上と定義され、用語「複数」は、2つ又はそれ以上と定義される。
用語「他の1つ(原文中「another」)」が、ここで用いた場合、少なくとも2番目又はそれ以降(at least a second or more)と定義される。
用語「又は」は、内容が明確に他を示していない限り、「及び/又は」の意味を含んで、全般的に使用されている。
上記で定義した動詞及び用語に関して、これらの定義は、異なる定義が請求項又は明細書中で与えられていない限りに適用されるべきである。
最後に、従属項に記載の特徴は、明示的に述べられていない限り、相互に自由に組み合わせることが可能である。
図1は、表面下損傷のモデルを示している。 図1a及び図1bは、前面が損傷したHRSウェハーの研磨処理の前後を例示している。図1cは、随意のポリシリコン層で仕上げられた、前面が損傷したHRSウェハーを示している。 HRSウェハーの製造方法の例示的なフローチャートを示している。 シリコンオンインシュレータ(SOI)ウェハーの製造方法の例示的なフローチャートを示している。 図4a〜図4cは、前面が損傷したウェハー、中性種注入ウェハー、及びポリシリコン層を有する前面が損傷したウェハーの電荷キャリア拡散長さのマッピング画像を示している。
図1は、表面下損傷のモデルを示している(H.-F. Hadamovsky, Werkstoffe del Halbleitertechnik; Leipzig: Deutcher verlag fuer Grundstofftechnik, 1990)。
HRS基材(ウェハー)100を製造する方法200は、図1に示されたような破砕領域のための十分な深さ及び範囲を生成するために用いられる。それにより、ウェハーの上部表面は、非損傷性の化学機械平坦化(CMP)−研磨技術によって仕上げられる。最上層は除去され、電荷キャリアの補足及び寄生伝導の抑制が、破砕領域において起こり、これは最終ウェハー100においてなされる。従来使用されていた共通の方法、高ドーパント注入は、非晶質化ドーピングと後の工程で関連する問題とを避けるために、乱雑化/破砕する結晶損傷レベルを通常制限する。
図1a〜1b及び図2は、RF−IPD用の低いRF信号損失を有する基材100及びそれを製造するための方法200を示している。
工程202において、開始する間に、成長チャンバーをオンにして、必要な点検作業、例えばチャンバーの条件及び使用する反応ガス及びシリコンチャージの適切性の確認作業を行う。
工程204において、HRSインゴットをチャンバー中で成長させて、成長したインゴットにカッティング及び研削の処理をする。
工程210において、HRSウェハーを処理したインゴットからスライスする、例えば現在の産業の標準であるマルチワイヤースライスによってスライスする。このスライス処理は、ある程度の表面下結晶格子損傷を、スライスしたウェハーに機械的に組み込み、スライスされたウェハーは、破砕したシリコンを含む格子損傷領域を有する。そして、スライスしたウェハーを清浄化し、スライスしたウェハーの端部を研削する。
工程220において、スライスしたウェハーを、スライスに基づく結晶損傷を少なくとも部分的に取り除くために、ラッピングによって薄化する。そして、スライスしたウェハーを清浄化する。
ラッピング処理が、ある程度の表面下結晶格子損傷をスライスしたウェハーに機械的に組み込み、ラッピングされたウェハーは、破砕したシリコンがある格子損傷領域を有する。あるいは、スライスに基づく結晶損傷が、少なくとも部分的にラッピングされたウェハーに残されるという場合には、スライスに基づく格子損傷領域の少なくとも一部が残され、かつラッピングされたウェハーがスライス及びラッピングに基づく結晶損傷を含むように、ラッピング処理を変更することが可能である。同じ最終的な効果のための他の1つの可能性は、ラッピング工程を完全にバイパスすることである。
工程230では、結晶損傷を少なくとも部分的に取り除くために、ラッピングしたウェハーを酸エッチングし、そしてエッチングしたウェハーを目視で検査し、清浄化し、そして熱ドナーアニーリングによる処理をする。
工程240では、エッチングしたウェハーを、制御した研削によって薄化し、これもある程度の表面下結晶格子損傷を、エッチングしたウェハーに機械的に組み込む。したがって、仮にエッチングプロセスが、スライス及び/又はラッピングに基づく結晶損傷を取り除いたのであれば、図1aの研削したウェハー100は、研削に基づく結晶損傷のみを含み、研削工程が従前の処理の結晶損傷を残すように変えた場合には、研削及び従前の処理の結晶損傷を含む。
研削プロセスを、例えば回転研磨材研削によって、提供することができる。さらに、研削プロセスを、粗い研削工程と微細な研削工程とを含む制御した多段研削によって行うことができる。
2段研削プロセスでは、粗い研削工程を、標準的な研削量及び比較的深い格子損傷生成のために用いる。これに、研磨の準備のためにウェハー表面122が平坦化される、微細な研削工程が続く。この微細な研削工程を2つの方法で行うことができる。1つの方法は、非常に上の層120aのみにおいて結晶損傷を増加させて、これを通常は研磨工程260、270において取り除く。あるいは、格子乱雑度(格子損傷)の量を、粗い研削工程によって引き起こされる乱雑度と比較して、研磨工程270よりも後でさえも大きくするように、微細研磨損傷深さを、大きくすることができる。最終研磨260、270を用いて、デバイス処理(リソグラフィに関する)ウェハー表面122の特性をさらに向上させる。いくつかのデバイス処理に関して、表面調製の要求は比較的厳しいものではなく、1つ以上の表面調製の工程の省略は、実施態様を変更しないであろう。
研削は、生成する格子損傷の量及び強度に柔軟性を与える。これは、基材100が意図される実際のデバイス処理プロセスの特定の必要性に関するパッシベーション層の特性の調節を可能にする。
工程260において、片面研磨処理が、格子損傷領域の部分120aを取り除くように制禦されて行われ、バルク領域110より上の格子損傷領域の少なくとも部分120bは、図1bに示されるように保持される。
この格子損傷保持領域120bは、基材100の前面122に存在する。構造的には単結晶シリコンであってもよい前面122は、前表面122を形成する。破砕されたシリコンを含む格子損傷保持領域120bは、寄生表面伝導を抑制することによって、前面損傷基材のRF損失の低下をもたらす。格子損傷領域120bは、バルクシリコン領域110より上に、破砕領域121、移行領域124、及び弾性ひずみ領域126を含んでもよい。
本発明の実施態様によれば、RF−IPDは、低いRF信号損失を有する前面損傷基材100を含む。バルク領域110を含むRF−IPDにおける基材100は、高抵抗バルクシリコン及びバルク領域110より上に破砕シリコンを含む表面下格子損傷保持領域120bを有する。格子損傷領域120bは、基材100に機械的に加工されており、これが寄生表面伝導を抑制することによって基材100のRF信号損失の低下をもたらす。
本発明の1つの実施態様によれば、RF−IPD基材100の格子損傷保持領域120bは、基材100の前面122に加工され、これは前表面122を形成する。
格子損傷領域120a、120bが研磨によって完全に取り除かれる場合には、湿式サンドブラスト、レーザーマニピュレーション、又はブラシダメ−ジングを用いて、結晶損傷を、通常の損傷がない前表面122に行うことも可能である。しかし、これらの方法の全ては、コストを上昇させる欠点と、基材100に汚染物が簡単に導入される工程を与える欠点とを有する。
工程268では、いくつかの他の1つの処理によって、例えばブラシダメ−ジング、レーザーマニピュレーション、湿式サンドブラスト、又は乾式サンドブラストによって、薄化したウェハー100に結晶格子損傷を機械的に与える必要がある場合には、工程270において、そのような結晶損傷を与えるために、薄化したウェハー100に、ブラシダメ−ジング、レーザーマニピュレーション、又は湿式サンドブラストを行う。
工程272では、バルクシリコンを含むバルク領域110を有する損傷したウェハー100は、研磨され、例えばCMP−研磨によって研磨される。この研磨プロセスは、特に、構造的には単結晶シリコンであってもよい損傷したウェハー100の前面122を対象とする。
本発明の1つの実施態様では、RF−IPD基材100の研磨した前面122は、構造的にはCMP−研磨した単結晶シリコンであってもよい。
工程274において、研磨プロセスを制御して、バルク領域110より上の与えた格子損傷領域の少なくとも一部を保持させる。
工程276において、ポリシリコン層130を、研磨したウェハー表面122、特に前面122にそれを堆積させることで与えて、それにより堆積した層130が格子損傷領域120a、120bの上部を覆うようにすることができる。そして、この堆積した層130を研磨する。
この追加層130は、格子損傷領域120a、120bによってもたらされるパッシベーション(誘導された損失の低下)をさらに強化する。これは、パッシベーションされたHRSウェハー100の処理コストを増加させるであろうが、得られる前表面131は、半導体産業で通常用いられている表面検査方法に適合するであろう。
この目的に関して層130の厚みは、0.2〜8.0μmとすることができ、適切な厚みは0.4〜6.0μmとすることができる。同時に、堆積した層130は強化するであろう。
工程280において、格子損傷領域120bを有する研磨したウェハーは、研磨したウェハーを仕分け、清浄化、検査、及びパッケージ化することによって最終処理される。
そして、工程288において、方法200が終了する。
典型的なHRS成長プロセスにおいて、様々な機械的操作工程210、220、240、250の指針は、前の機械的工程210、220、240、250において蓄積した結晶損傷の全てを取り除くことであるが、これらの全ては、最終のウェハー100に結晶損傷のいくらかを組み込むように変更することができる。
マルチワイヤースライスによる機械的損傷及びラッピングの損傷は、2つの大きな欠点を有する。1つは、スライス工程210でのコーティングされた鉄鋼ワイヤ又はラッピング工程220での鉄プレートから導入される金属汚染物が、半導体プロセスに非常に有害であり、最終のウェハー100についてこの汚染が行われないように予防手段を確保すべきである。ダイアモンドワイヤースライスの使用は一定の改良をもたらすことができ、これを達成する最良の方法は、エッチング工程230においてこの損傷を完全に取り除くことである。
さらに、これらの損傷の両方を、ウェハー表面122及び123の両方に導入することができる。ウェハー背面123の完全性も、デバイス加工ラインにおける安全な取扱い性のための重要な特徴であり、背面123のみから損傷を取り除く便利な方法は存在しない。さらに、スライス又はラッピングによる深い損傷を使用しない場合には、比較的コストの掛かる研磨処理を短縮化することができる。
回転固定研磨材研削によって損傷を加工する機械的処理は、多くの先進的なウェハー処理において通常用いられており、基材ウェハー100の加工及び加工したデバイスウェハー100の背面研削の両方において、通常用いられている。
損傷生成の実行は、研削工程240の最適化を通じて行われ、それにより十分な破損領域120bの深さ及び損傷強度を確保し、そして研磨工程260を比較的短い工程へと限定的にする。これは、達成される寄生表面電流の抑制を失わせない。
適用される表面検査基準がポリシリコン層130の存在を必要とされる場合、格子損傷領域120a、120bの存在は、パッシベーションの効果を高め、高温処理でのパッシベーションの耐久性を向上する追加的な利益を与える。
注入されたウェハーとは対照的に、方法200を用いてパッシベーションされたウェハー100は、注入種、例えばアルゴン又は注入したシリコンの自己注入種を含まない。ポリシリコン/アモルファスシリコンの堆積とは異なり、損傷した前面表面122は、未だに構造的には単結晶シリコンである。
片面研磨ウェハー100は、片面の1段又は多段研削、及びCMP研磨機又はバッチ型マルチウェハー研磨機による片面研磨によって製造され、部分的にのみ研削の損傷を取り除いて残存損傷を残す。
残存損傷の存在の示唆は、湿式の酸化試験方法を用いてウェハーで見られる、酸化が誘導した積層欠陥、ピット及び/又は転移によって見ることができるようになる格子欠陥であり、又は少数キャリア寿命試験方法又はSPV試験方法を用いる、残存損傷がない同様のウェハーと比較した場合のウェハー100の少数キャリアの低い寿命である。
あるいは、片面研磨の代わりに、両面研磨機を用いて両面研磨をしてウェハー100を製造してもよい。ウェハー100を片面又は両面に研削する場合には、残存損傷を片面又は両面にそれぞれ残すことができる。
図3は、SOIウェハーを製造する方法を例示しており、ここでは残存損傷がSOIウェハーに作られ、これはシリコン基材ウェハー及び誘電体層で隔たれたシリコンデバイス層を含む。この誘電体層は、二酸化シリコン、窒化シリコン又は異なる誘電体層の組合せである他の誘電体であることができる。残存損傷をデバイス層に残すことができる。
工程302において、開始の間に必要な操作を行い、そして工程304、305において、基材及びデバイスウェハーを与える。
工程306、307において、ウェハーの少なくとも1つに酸化を与えることができ、又は他の誘電体層を与えることができる。
工程308において、ウェハーを互いに接合し、そして接合した構造体の上部にあるデバイスウェハーを工程309において薄化する。
工程368において、薄化した構造体がすでに十分な結晶格子損傷を含み、それが用いられることになるのであれば、工程272において、損傷した構造体を研磨し、例えば制御したCMP−研磨によって研磨する。
あるいは、工程368において、薄化したデバイスウェハーに結晶格子損傷を機械的に与える必要がある場合には、例えば研削、ブラシダメ−ジング、レーザーマニピュレーション、又は湿式サンドブラストによって与える必要がある場合には、薄化した構造体を、そのような結晶損傷を与えるための処理を工程370において行い、そして工程372において研磨する。
工程374において、研磨プロセスを制御して、それにより与えられた格子損傷の少なくとも一部を保持し、そして格子損傷領域の上部にポリシリコン層を堆積することができ、また堆積したポリシリコン層を研磨することができる。
工程380において、残存格子損傷及び場合によってポリシリコン層を有する研磨した構造体を、仕分け、清浄化、検査、及びパッケージ化することによって最終処理される。
そして、工程388において、方法300を終了する。
あるいは、残存損傷を保持するSOIウェハーが低温接合プロセスを用いて作られる場合には、残存損傷を基材ウェハーに作ることができる。また、これらのウェハーの他の製造工程は、残存損傷を保持するのに十分に低い。この損傷を保持する最大温度は、通常は1000℃未満、又は好ましくは800℃未満、そして好適には600℃未満である。これらの温度におけるこのようなSOIプロセスについて、制限は非常に厳格であり、格子損傷領域の上部にポリシリコン層を存在させることは、高温プロセスにおけるパッシベーションの耐久性を向上する。
パルスレーザービームスキャニングをその表面に渡って用いて、表面122を損傷する研磨した基材100についてと同様に、SOIウェハー上に残存損傷を作ることができる。シリコンの損傷閾値を超えるように、しかし表面122からシリコンの過剰な溶発がないように、レーザーの出力を調整する。
研磨材粒子を用いて湿式又は乾式のサンドブラストを基材表面122に行って、研磨した基材100についてと同様に、SOIウェハー上に残存損傷を作ることができる。粒子は、サブミクロンサイズから30μmサイズの任意の硬い粒子であることができる。有利には、1〜10μmサイズの二酸化シリコン(シリカ)粒子を用いて表面122に損傷を与えるが、他の研磨材、例えばアルミナ、ジルコニア、シリコンカーバイドを用いることもできる。
シリコンウェハー化プロセスの材料除去の最終工程を変更することによって、RF−IPDを製造するのに必要な比較的中間的な線幅で、パッシベーションのために十分な格子損傷と、ICプロセスとも適合できる表面品質とを組み合わせることができる。トラップサイトのシリコンバンドギャップ中への生成は、多くの機械的加工工程によって、例えばウェハースライス、ラッピング、研削、ブラシダメ−ジング、及び湿式サンドブラストによってもたらすことができる。
基本的なアプローチが代替手段の間で違いがない場合、ここに提示した原理がこれらの全ての技術に適用される。ここで提示された方法200は、十分に深く、均質な格子損傷のために選択された研削パラメーターを用いた回転研削に基づく。この工程の後に、十分な格子損傷レベルの保持を目的とするが、CMP−研磨を含む、高度に制御された材料除去が続き、デバイスプロセス用のリソグラフィでパターン化できる基材を確保する。注入技術及びポリシリコン堆積技術と同じように、この方法200は、長期熱酸化と適合しないが、産業的IPDプロセスの広範な大多数が、低温誘電体堆積技術に基づいており、これは大きな欠点とは考慮されないべきである。
この方法200によって製造されたウェハー100は、RFパッシブデバイスのプロセスのために用いることができる。試験されるパッシブデバイスとしては、伝送路(共平面導波路)、平面インダクタ、及びフィルタ構造体を挙げることができる。最終表面がRFパッシブデバイスの製造に用いられるプロセスと完全に適合し、そして基材100に生成した層120bは、様々なインダクタ構造体におけるQ値、及び伝送路減衰を劇的に改良した。これは、設計されたように寄生表面伝導が抑制されていることを証明した。
内蔵の表面パッシベーションを組み込んだ既製のウェハー100がそれらの特性において一貫性があることを確保するために、プロセスの制御が必須である。これは、再結合寿命解析に基づいた、表面再結合速度解析によって影響される。この測定値を、達成されるRF性能に対して校正することができ、繰返し可能性が高く、全ウェハーマッピングを与え、これは目的によく合う。
図4aは、損傷したHRSウェハー100の前面の電荷キャリア拡散長さのマッピング画像を示し(平均拡散長さ576μm)、図4bは、中性種注入ウェハー490のマッピング画像(平均拡散長さ558μm)を示し、これらは再結合速度解析に基づいて、同様のトラップ効率を有し、そして図4cは、ポリシリコン層を有する損傷したHRSウェハー前面のマッピング画像を示す。
この解析は、製造したパッシベーション層120bを用いて達成されたトラップ効率が既存の方法で達成された物と同様であることを証明するために用いられる。このプロセス制御は、RFパッシブデバイスの製造時に用いられる様々なデバイスプロセスで記載されるパッシベーション方法の適合性の検証にも拡張できる。
RF性能解析において、ウェハー100のように製造したパッシブデバイスは、試験したパッシブ要素に応じて、20kHzから50又は80GHzまでで向上した性能を示した。
上記の典型的な実施態様に参照して本発明を説明し、本発明の複数の利点も示した。本発明がこれらの実施態様に限定されず、本発明の思想及び特許請求の範囲の主旨並びに範囲内の全ての可能な実施態様を包含することは明らかである。

Claims (9)

  1. 周波集積パッシブデバイス用の高周波損失を低下させた高抵抗シリコン基材(100)であって、
    高抵抗バルクシリコンを含むバルク領域(110)、及び
    前記基材の前面(122)に加工された表面下格子損傷保持領域(120b,121,124,126
    を有し、
    前記基材は、シリコンウェハー(100)であり、
    前記格子損傷領域が、前記バルク領域より上に破砕シリコンを含み
    前記格子損傷領域が、前記シリコンウェハーの前表面(122)を形成し、
    前記前面は、化学機械平坦化−研磨された前表面(122)であり、
    前記格子損傷領域が、薄化された格子損傷領域(121,124,126)であり、かつ
    前記格子損傷領域が、前記基材のRF損失の低下を達成するために構成されて、寄生表面伝導を抑制していることを特徴とする、高抵抗シリコン基材(100)。
  2. 前記前面が、構造的には単結晶シリコンである、請求項1に記載の基材。
  3. 前記格子損傷保持領域が、スライス(210)、ラッピング(220)、研削(240)、ブラシダメ−ジング(250)、レーザーマニピュレーション又は湿式ブラストによって機械的に加工されている、請求項1又は2に記載の基材。
  4. 前記研削が、回転固定研磨材研削であり、かつ/又は前記研削が、粗い研削及び微細研削を含む2段研削によって行われている、請求項に記載の基材。
  5. 前記格子損傷保持領域の上部にポリシリコン層(130)を含む、請求項1〜のいずれか一項に記載の基材。
  6. 前記ポリシリコン層の厚みが、0.2〜8.0μmである、請求項に記載の基材。
  7. 前記ポリシリコン層の厚みが、0.4〜6.0μmである、請求項又はに記載の基材。
  8. 高周波集積パッシブデバイス用の、請求項1〜のいずれか一項に記載の高周波損失を低下させた高抵抗シリコン基材(100)の製造方法であって、以下を含む方法:
    高抵抗シリコンを成長させること(204)、
    前記成長させたシリコンからシリコンウェハー(100)をスライスし(210)、そして前記スライスしたシリコンウェハーを薄化すること(220、240)によって前記成長したシリコンを加工し(210、220、240、270)、前記加工は、破砕したシリコンを含む格子損傷領域(120a、120b,121,124,126)を加工したシリコンウェハーにもたらすこと、
    高抵抗バルクシリコンを含むバルク領域(110)を有する前記基材を得るために、前記加工したシリコンウェハーを化学機械平坦化−研磨すること(250、272)、
    前記バルク領域より上の前記格子損傷領域の少なくとも一部(120b,121,124,126)を前記化学機械平坦化−研磨によって保持し、それにより前記格子損傷領域が、化学機械平坦化−研磨された前表面を形成し、かつ前記バルク領域より上に破砕シリコン領域を含むこと(260、274)、
    ここで 前記基材は、シリコンウェハー(100)であり、
    前記格子損傷領域が、薄化された格子損傷領域(121,124,126)であり、かつ
    前記格子損傷領域が、前記基材のRF損失の低下を達成するために構成されて、寄生表面伝導を抑制していること。
  9. 請求項1〜のいずれか一項に記載の高周波損失を低下させた高抵抗シリコン基材(100)を含む高周波集積パッシブデバイス
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