CN101447417A - 高电阻多晶硅形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种高电阻多晶硅形成方法，通过采用氧元素注入的方法来形成高电阻多晶硅区和栅多晶硅区的分离，并通过调整氧元素的注入能量来同时满足高电阻多晶硅区和栅多晶硅区的厚度要求，然后再通过高温退火来形成作为高电阻多晶硅区的氧化层，从而起到了减少一块掩模板的作用，进而降低了成本，节约了面积；而且，不易造成高电阻多晶硅的失效。

Description

高电阻多晶硅形成方法

技术领域

本发明涉及一种高电阻多晶硅的形成方法，尤其涉及一种不易造成高电阻多晶硅的失效的高电阻多晶硅形成方法。

背景技术

如图1所示，现有技术中形成高电阻多晶硅的方法主要包括以下流程：

步骤1，在淀积有二氧化硅的硅衬底上淀积一层多晶硅，这时的剖面结构如图2a所示；

步骤2，对所述多晶硅进行低剂量的硼离子注入，且所注入的硼离子的剂量为1e14～5e14cm^-2，从而得到高电阻多晶硅；

步骤3，通过一块掩模版，再对所述高电阻多晶硅进行选择性高剂量的磷离子注入，且所注入的磷离子的剂量为2e15～5e15cm^-2，从而得到栅区多晶硅，这时的剖面结构如图2b所示。

上述制作过程需要通过一块掩模版来隔离高电阻多晶硅和栅区多晶硅，而且由于高剂量离子注入本身会有很较强的横向扩散，因此易造成高电阻多晶硅的失效。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种高电阻多晶硅形成方法，可减少一块掩模板，降低成本，节约面积，并且不易造成高电阻多晶硅的失效。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：

(1)在淀积有二氧化硅的硅衬底上淀积一层多晶硅；

(2)对所述多晶硅进行高剂量磷离子注入；

(3)对所述经过高剂量磷离子注入后的多晶硅再进行氧元素注入；

(4)对硅片进行高温退火。

本发明由于采用了上述技术方案，具有这样的有益效果，即通过采用氧元素注入的方法来形成高电阻多晶硅区和栅多晶硅区的分离，并通过调整氧元素的注入能量来同时满足高电阻多晶硅区和栅多晶硅区的厚度要求，然后再通过高温退火来形成作为高电阻多晶硅区的氧化层，从而起到了减少一块掩模板的作用，进而降低了成本，节约了面积；而且，不易造成高电阻多晶硅的失效。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1为现有技术中形成高电阻多晶硅的流程示意图；

图2a-2b为根据现有技术形成高电阻多晶硅的过程中的剖面结构图；

图3为本发明所述形成高电阻多晶硅的流程示意图；

图4a-4b为根据本发明形成高电阻多晶硅的过程中的剖面结构图。

具体实施方式

在一个实施例中，如图3所示，在本发明中，高电阻多晶硅的形成包括如下步骤：

第一步，在淀积有二氧化硅的硅衬底上淀积一层多晶硅，所需淀积的多晶硅的厚度应根据实际对高电阻多晶硅和栅多晶硅的要求，如高电阻多晶硅组织的要求，栅多晶硅组织和厚度的要求等进行调整，这时的剖面结构如图4a所示。

第二步，对所述多晶硅进行高剂量磷离子注入，所注入的磷离子的剂量为2e15～5e15cm^-2。

第三步，对所述经过高剂量离子注入后的多晶硅再进行氧元素注入，从而实现高电阻多晶硅和栅多晶硅的分离，并且所需注入的氧元素的能量应根据实际需要满足的高电阻多晶硅和栅多晶硅的厚度要求进行调整；

第四步，对硅片进行高温退火，退火温度为950℃～1000℃，从而形成隔离的氧化层(即图4b中多晶硅上面的二氧化硅)，所述氧化层即为高电阻多晶硅区，这时的剖面结构如图4b所示。

本发明上述高电阻多晶硅形成方法由于不需要使用掩模版，所以降低了成本，而且节约了面积，而且不会产生因高剂量离子注入较强的横向扩散作用而引起高电阻多晶硅失效的问题。

Claims (5)

1、一种高电阻多晶硅形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在淀积有二氧化硅的硅衬底上淀积一层多晶硅；

(2)对所述多晶硅进行高剂量磷离子注入；

(3)对所述经过高剂量磷离子注入后的多晶硅再进行氧元素注入；

(4)对硅片进行高温退火。

2、根据权利要求1所述高电阻多晶硅形成方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，所注入的磷离子的剂量为2e15～5e15cm^-2。

3、根据权利要求1所述高电阻多晶硅形成方法，其特征在于，在所述步骤(4)中，退火温度为950℃～1000℃。

4、根据权利要求1至3中任一项所述高电阻多晶硅形成方法，其特征在于，在步骤(3)中，所需注入的氧元素的能量应根据实际需要满足的高电阻多晶硅和栅多晶硅的厚度要求进行调整。

5、根据权利要求1至3中任一项所述高电阻多晶硅形成方法，其特征在于，在步骤(1)中，所需淀积的多晶硅的厚度应根据实际对高电阻多晶硅和栅多晶硅的要求进行调整。

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