CN101752287A - 高压工艺中器件隔离的方法 - Google Patents
高压工艺中器件隔离的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101752287A CN101752287A CN200810044079A CN200810044079A CN101752287A CN 101752287 A CN101752287 A CN 101752287A CN 200810044079 A CN200810044079 A CN 200810044079A CN 200810044079 A CN200810044079 A CN 200810044079A CN 101752287 A CN101752287 A CN 101752287A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- injection
- ion
- isolation
- trap
- dark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高压工艺中器件隔离的方法，在器件制备前，在整个硅衬底上进行无掩膜离子注入，而后进行器件常规工序的制备。本发明的方法，利用在硅衬底上的无掩膜离子注入增加在场区下的离子浓度，使器件之间隔离区域的浓度增加而增加隔离性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种高压工艺中器件隔离的方法。
背景技术
在高压工艺中，器件和器件之间的隔离是一个重要问题。现有技术一般是利用局部场区注入(在器件之间的隔离区进行场区注入)，或者增加隔离区域之间的距离。上述方法中，要么会增加光刻层数，要么需要和别的离子注入共享光刻掩模板来做场区注入而增加工艺复杂程度，或者会增加器件面积。
以一种0.35um的电源管理模块为例，图1为一种器件之间的隔离结构。左右两边的深N阱(DNW)区域里是器件所在的区域，而器件和器件之间用的局部深注入高压P阱(这里的高压是指注入能量比较高而浓度相对比较淡，隔离电压比较高，芯片制备中之所以区分高压和低压，是因为看这个注入是用来做高压或者低压器件)来做隔离。而其中为了减少光刻次数，高压P阱通常不是单独的光刻层次，用来做该区域的高压P阱为一块与在高压深N阱区域内的器件图形共用的光刻掩膜板。这样该高压P阱的阱深就受到限制。因为为了满足深N阱区域里的使用高压P阱图形的器件的崩溃电压要求，高压P阱的阱深必须比深N阱的阱深浅。而这也必然会造成器件区域之间的隔离需要比较大的尺寸，因为两个深N阱区域之间必须间隔足够大才可以防止在加压情况下耗尽区扩展碰到一起。对于这问题，一种解决办法是加大器件隔离区域的HVPW注入的节深，不过这就要求器件隔离区域的HVPW注入和DNW内器件使用的HVPW注入必须得用两个光刻层次实现，这就加大了成本。另外一种办法，就是增加器件隔离区域的尺寸，但这会增大整个器件的面积。在上述结构里，即使经过注入条件的优化，器件区域之间的隔离如果要达到50V，至少得间隔12um以上。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种高压工艺中器件隔离的方法。
为解决上述技术问题，本发明的高压工艺中器件隔离的方法，为在整个硅衬底上进行场区注入。
本发明的方法中，采用无掩膜的离子注入，在整个硅衬底上进行了场区注入，所述离子注入中的注入离子类型和两端的器件区域的注入离子的类型相反，注入的深度应大于隔离场区两端的器件区的注入深度，而后进行常规的工序。
本发明中利用无掩膜的离子注入来实现器件隔离区域的注入，使高压P阱下的隔离区域的浓度增加，致使两边的深N阱的器件区域在加压情况下，耗尽区向隔离区域的扩展不会随着电压增加迅速增大而导致比较容易碰在一起，因此在同等尺寸大小的前提下，大大提高了器件隔离的电压，因此可以在不增加光刻层次，不增加掩膜的条件下，只利用一次无掩膜的注入，就实现了可以将器件隔离区域的尺寸大幅度缩小。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1为现有的高压工艺中器件的隔离结构示意图；
图2为采用本发明的方法制备的器件的隔离结构示意图。
具体实施方式
本发明的高压工艺中器件隔离的方法，其主要为在器件制备之前，在整个硅衬底上进行离子注入(见图2)，而后进行常规的器件制备，如器件的制备和器件之间用作隔离的场区注入等。
以图1中的0.35um的电源管理模块为例，主要流程为：
1、先在整个硅衬底上进行离子注入(在这里为深P阱)，其中注入前在硅片表面生长氧化层作离子注入保护层(见图3)，在本实施例中，离子注入选用B原子，注入能量可为1000Kev，注入剂量为3*1012-5*1012个原子/平方厘米；
2、而后进行作为器件区域的阱注入(在这里为深N阱)，其中深N阱的阱深小于深P阱；
3、完成常规的工序制程，如场氧化区、深N阱之间的场区注入等，完成整个器件的制备。
通过采用本发明的方法对整个硅片上的所有芯片进行试验，在器件之间的隔离尺寸仅为6um的情况下，所有的芯片的器件隔离电压都达到80V以上。
Claims (2)
1.一种高压工艺中器件隔离的方法，其特征在于：在器件制备前，在整个硅衬底上进行离子注入，所述离子注入中的注入离子类型和两端的器件区域的注入离子的类型相反，注入的深度应大于隔离场区两端的器件区的注入深度，而后进行常规的工序。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述离子注入中注入离子为硼，注入能量为1000Kev，注入剂量为3×1012-5×1012个原子/平方厘米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810044079A CN101752287A (zh) | 2008-12-09 | 2008-12-09 | 高压工艺中器件隔离的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810044079A CN101752287A (zh) | 2008-12-09 | 2008-12-09 | 高压工艺中器件隔离的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101752287A true CN101752287A (zh) | 2010-06-23 |
Family
ID=42479022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200810044079A Pending CN101752287A (zh) | 2008-12-09 | 2008-12-09 | 高压工艺中器件隔离的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101752287A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103296881A (zh) * | 2013-05-13 | 2013-09-11 | 矽创电子股份有限公司 | 可自行产生正电压或负电压的切换电路 |
| CN108231946A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种单光子雪崩二极管探测器结构及其制造方法 |
| CN112447704A (zh) * | 2019-09-04 | 2021-03-05 | 新唐科技股份有限公司 | 高电压半导体结构及其制造方法 |
-
2008
- 2008-12-09 CN CN200810044079A patent/CN101752287A/zh active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103296881A (zh) * | 2013-05-13 | 2013-09-11 | 矽创电子股份有限公司 | 可自行产生正电压或负电压的切换电路 |
| CN103296881B (zh) * | 2013-05-13 | 2016-12-28 | 矽创电子股份有限公司 | 可自行产生正电压或负电压的切换电路 |
| CN108231946A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种单光子雪崩二极管探测器结构及其制造方法 |
| CN108231946B (zh) * | 2017-12-21 | 2020-01-10 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种单光子雪崩二极管探测器结构及其制造方法 |
| CN112447704A (zh) * | 2019-09-04 | 2021-03-05 | 新唐科技股份有限公司 | 高电压半导体结构及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104992977B (zh) | Nldmos器件及其制造方法 | |
| CN102446912B (zh) | 金属氧化物半导体晶体管esd保护结构及其制备方法 | |
| CN101211968B (zh) | 一种用于静电放电的晶闸管的制作方法 | |
| CN102130164A (zh) | Ldmos的埋层 | |
| CN102544115A (zh) | 一种低触发电压高镇流电阻的scr esd保护器件 | |
| CN101752287A (zh) | 高压工艺中器件隔离的方法 | |
| CN103178087A (zh) | 超高压ldmos器件结构及制备方法 | |
| CN102130169B (zh) | 具有屏蔽栅的功率mos器件结构及其制备方法 | |
| CN102832232B (zh) | 一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管 | |
| CN105206675A (zh) | Nldmos器件及其制造方法 | |
| CN102723304B (zh) | 用于直接驱动功率器件的n阱高压栅驱动芯片的制备方法 | |
| CN205452285U (zh) | 一种基于nt_n层的版图隔离环 | |
| CN102420245A (zh) | 用于esd防护的低电压触发硅控整流器及其制造方法 | |
| CN102054866B (zh) | 横向高压mos器件及其制造方法 | |
| CN103915433A (zh) | 一种嵌有环形栅mosfet的抗辐射scr静电防护器件 | |
| CN109065612A (zh) | 一种超级结mosfet结构及其制造方法 | |
| CN103107191B (zh) | 高压p型ldmos结构及其制造方法 | |
| CN110289257A (zh) | 一种双向增强型栅控可控硅静电保护器件及其制作方法 | |
| CN101378081A (zh) | Lcd驱动ic及其制造方法 | |
| CN106298869A (zh) | 一种功率半导体器件及其制造方法 | |
| CN103839942A (zh) | 高压esd保护结构 | |
| CN210743952U (zh) | 一种高压dmos器件 | |
| CN107359125A (zh) | 一种优化体二极管反向恢复特性的方法及装置 | |
| CN105336689B (zh) | 一种节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法 | |
| CN101179026A (zh) | 一种降低hvldnmos截止电流的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20100623 |