JP6427166B2 - 加熱されたエッチング液を提供するためのプロセシングシステムおよび方法 - Google Patents
加熱されたエッチング液を提供するためのプロセシングシステムおよび方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6427166B2 JP6427166B2 JP2016502185A JP2016502185A JP6427166B2 JP 6427166 B2 JP6427166 B2 JP 6427166B2 JP 2016502185 A JP2016502185 A JP 2016502185A JP 2016502185 A JP2016502185 A JP 2016502185A JP 6427166 B2 JP6427166 B2 JP 6427166B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etchant
- circulation loop
- temperature
- wafer
- process chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 94
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 40
- 230000036571 hydration Effects 0.000 claims description 81
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 claims description 81
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 71
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 47
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 46
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 21
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 11
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 76
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- TWHXWYVOWJCXSI-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;hydrate Chemical compound O.OP(O)(O)=O TWHXWYVOWJCXSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4835—Cleaning, e.g. removing of solder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Weting (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Description
37 C.F.R. § 1.78(a)(4)により、本願は、2013年3月15日に出願された、既に出願された同時係属(co−pending)の米国仮出願整理番号61/801,072;2014年1月8日に出願された、同時係属の米国仮出願整理番号61/924,838;2014年1月8日に出願された、同時係属の米国仮出願整理番号61/924,847;および2014年1月17日に出願された、同時係属の米国仮出願整理番号61/928,894の利益および優先権を主張する。これらの出願の全内容は、明示的に、参照により本明細書中に組み込まれる。
本発明は、ウエハを処理するために使用されるプロセスチャンバに加熱されたエッチング液を供給する分野に、より特には、前記加熱されたエッチング液の温度および水濃度(水和レベル)制御を改善するためのプロセシングシステムおよび方法に関する。
半導体デバイスの製造において、酸性エッチング液を、ウエハの処理およびエッチングのために使用する。リン酸(H3PO4)が、窒化ケイ素フィルムおよび他のフィルムをエッチングするために、浸漬ウエットベンチにおいて、エッチング液として数十年間使用されてきた。典型的な用途では、リン酸浴を、直列および/またはタンク壁ヒーター(tank wall heater)を使用して前記浴に熱を加えることおよび前記浴へ液体の水を加えることにより、沸騰することにより失われた水のバランスを保つこと、により、所望の沸騰条件に維持する。
一実施形態によれば、プロセスチャンバ中でウエハを処理するために使用されるエッチング液の独立した温度および水和制御のための方法が提供される。前記方法は、前記エッチング液を循環ループ中で循環させること、水を添加することまたは前記エッチング液から水を除去することにより、前記エッチング液を水和設定値に維持すること、前記循環ループ中で前記エッチング液の沸点より低い温度設定値に、前記エッチング液を維持すること、および前記ウエハを処理するために、前記プロセスチャンバ中に前記エッチング液を分注すること、を含む。一実施形態において、前記分注することには、前記プロセスチャンバ中で前記ウエハに近接するプロセシング領域中に前記エッチング液を分注すること、前記プロセスチャンバ中で前記ウエハから取り除かれた外部領域中に蒸気を導入すること、および前記エッチング液および前記蒸気で前記ウエハを処理すること、が含まれる。
本発明のより完全で十分な理解およびそれらの付随する多くの利点は、それらが、添付の図面に関連して検討される場合には、以下の詳細な説明を参照してより良好に理解されるようになるため、容易に得られるであろう:
本発明の実施形態は、加熱されたエッチング液の温度および水分濃度制御を改善するためのプロセシングシステムおよび方法に関する。一実施形態によれば、前記エッチング液は、リン酸を含み得るが、本発明の実施形態を、他のエッチング液および混合物に適用してもよい。
Claims (21)
- プロセスチャンバ中でウエハを処理するために使用されるエッチング液の独立した温度および水和制御を提供する方法であって、前記方法は、以下:
前記エッチング液を第1循環ループ中で循環させること;
水を添加することまたは前記エッチング液から水を除去することにより、前記エッチング液を水和設定値に維持すること;
前記第1循環ループ中で前記エッチング液の沸点より低い温度設定値に、前記エッチング液を維持すること;および
前記ウエハを処理するために、前記プロセスチャンバ中に前記エッチング液を分注すること、
を含み、
前記分注することには、以下:
前記プロセスチャンバ中で前記ウエハに近接するプロセシング領域中に前記エッチング液を分注すること;
前記プロセスチャンバ中に蒸気を導入すること;および
前記エッチング液および前記蒸気で前記ウエハを処理すること、
が含まれ、
前記エッチング液は、リン酸を含む、方法。 - 前記ウエハの上のノズルまたはスプレーバーから分注される場合には、前記エッチング液が、その沸点より低い温度である、請求項1に記載の方法。
- 前記分注することには、以下:
前記プロセスチャンバ中で前記ウエハの外部領域中に蒸気を導入すること、
が含まれる、請求項1に記載の方法。 - 前記第1循環ループ中の前記エッチング液の圧力が、30psi〜10psiであり、前記プロセスチャンバ中の前記圧力が、大気圧である、請求項1に記載の方法。
- さらに、以下:
前記第1循環ループに流体連通された第2循環ループ中で、追加のエッチング液を循環させること;および
前記第2循環ループから前記第1循環ループ中に前記追加のエッチング液を導入すること、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記追加の加熱されたエッチング液が、前記加熱されたエッチング液より低い水分含有量を有する、請求項5に記載の方法。
- 前記追加の加熱されたエッチング液が、前記加熱されたエッチング液より高い温度に維持される、請求項5に記載の方法。
- プロセスチャンバ中でウエハを処理するために使用されるエッチング液のための独立した温度および水和制御を提供する方法であって、前記方法は、以下:
前記エッチング液を第1循環ループ中で循環させること;
前記エッチング液について水和設定値を選択すること;
前記エッチング液の水和レベルを測定すること;
水を添加することまたは前記エッチング液から水を除去することにより、前記エッチング液を前記水和設定値に維持すること;
前記エッチング液についての温度設定値を選択し、前記温度設定値が、前記第1循環ループ中で前記エッチング液の沸点より低いこと;
前記エッチング液の温度を測定すること;
前記エッチング液に熱を加えることにより前記温度設定値で前記エッチング液を維持すること;および
前記ウエハを処理するために、前記プロセスチャンバ中に前記第1循環ループから前記エッチング液を分注すること、
を含み、
前記分注することには、以下、
前記プロセスチャンバ中で前記ウエハに近接するプロセシング領域中に前記エッチング液を分注すること;
前記プロセスチャンバ中に蒸気を導入すること;および
前記エッチング液および前記蒸気で前記ウエハを処理すること、
が含まれ、
前記エッチング液は、リン酸を含む、方法。 - 前記分注することには、以下、
前記プロセスチャンバ中で前記ウエハの外部領域中に蒸気を導入すること、
が含まれる、請求項8に記載の方法。 - 前記水和設定値および前記温度設定値で前記エッチング液を維持することを、システムコントローラにより制御する、請求項8に記載の方法。
- 前記ウエハの上のノズルまたはスプレーバーから分注される場合には、前記エッチング液が、その沸点より低い温度である、請求項8に記載の方法。
- さらに、以下、
前記第1循環ループに流体連通された第2循環ループ中で、追加のエッチング液を循環させること;および
前記第2循環ループから前記第1循環ループ中に前記追加のエッチング液を導入すること、
を含む、請求項8に記載の方法。 - 以下:
加熱されたエッチング液でウエハを処理するためのプロセスチャンバ;および
エッチング液を提供するための第1循環ループ、
を含む、プロセシングシステムであって、
前記第1循環ループは、
ヒーター、
前記エッチング液を加圧して循環させるためのポンプ、
前記エッチング液の温度をモニタするための温度プローブ、
前記加熱されたエッチング液の水分含有量をモニタするための水和センサ、および
前記エッチング液に水を添加するための水供給部、
を含み、
前記プロセスチャンバが、以下:
前記プロセスチャンバ中で前記ウエハに近接するプロセシング領域中に前記加熱されたエッチング液を分注するための手段;および
前記プロセスチャンバ中に蒸気を導入するための手段、
をさらに含み、
前記エッチング液は、リン酸を含む、プロセシングシステム。 - 前記プロセスチャンバが、以下:
前記プロセスチャンバ中で前記ウエハの外部領域中に蒸気を導入するための手段、
をさらに含む、請求項13に記載のプロセシングシステム。 - 前記エッチング液の温度および水和レベルを独立して制御するように構成されたシステムコントローラをさらに含む、請求項13に記載のプロセシングシステム。
- 前記システムコントローラが、以下:
前記エッチング液の水和レベルを測定すること;
水を添加することまたは前記エッチング液から水を除去することにより、前記エッチング液を水和設定値に維持すること;
前記エッチング液についての温度設定値を選択し、前記温度設定値が、前記第1循環ループ中で前記エッチング液の沸点より低いこと;
前記エッチング液の温度を測定すること;および
前記エッチング液に熱を加えることにより前記温度設定値で前記エッチング液を維持すること、
により独立して前記エッチング液の温度および水和レベルを制御する、請求項15に記載のプロセシングシステム。 - 前記第1循環ループに追加のエッチング液を提供するための第2循環ループをさらに含む、請求項13に記載のプロセシングシステム。
- 前記第2循環ループが、以下:
ヒーター、
前記追加のエッチング液を加圧して循環させるためのポンプ、
前記追加のエッチング液の温度をモニタするための温度プローブ、
新しいエッチング液供給部、および
前記追加のエッチング液に水を添加するための水供給部、
を含む、請求項17に記載のプロセシングシステム。 - 前記追加のエッチング液の水分含有量をモニタするための水和モニタをさらに含む、請求項18に記載のプロセシングシステム。
- 前記追加のエッチング液の温度および水和レベルを独立して制御するように構成されたシステムコントローラをさらに含む、請求項17に記載のプロセシングシステム。
- 前記システムコントローラが、以下:
前記追加のエッチング液の水和レベルを測定すること;
水を添加することまたは前記追加のエッチング液から水を除去することにより、前記追加のエッチング液を水和設定値に維持すること;
前記追加のエッチング液についての温度設定値を選択し、前記温度設定値が、前記第2循環ループ中で前記追加のエッチング液の沸点より低いこと;
前記追加のエッチング液の温度を測定すること;
前記エッチング液に熱を加えることにより前記温度設定値で前記追加のエッチング液を維持すること、
により独立して前記追加のエッチング液の温度および水和レベルを制御する、請求項20に記載のプロセシングシステム。
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361801072P | 2013-03-15 | 2013-03-15 | |
US61/801,072 | 2013-03-15 | ||
US201461924847P | 2014-01-08 | 2014-01-08 | |
US201461924838P | 2014-01-08 | 2014-01-08 | |
US61/924,847 | 2014-01-08 | ||
US61/924,838 | 2014-01-08 | ||
US201461928894P | 2014-01-17 | 2014-01-17 | |
US61/928,894 | 2014-01-17 | ||
PCT/US2014/026581 WO2014151862A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-03-13 | System for providing heated etching solution |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016513887A JP2016513887A (ja) | 2016-05-16 |
JP6427166B2 true JP6427166B2 (ja) | 2018-11-21 |
Family
ID=51523480
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016502143A Active JP6352385B2 (ja) | 2013-03-15 | 2014-03-13 | 加熱されたエッチング溶液を供する処理システム及び方法 |
JP2016502185A Active JP6427166B2 (ja) | 2013-03-15 | 2014-03-13 | 加熱されたエッチング液を提供するためのプロセシングシステムおよび方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016502143A Active JP6352385B2 (ja) | 2013-03-15 | 2014-03-13 | 加熱されたエッチング溶液を供する処理システム及び方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9911631B2 (ja) |
JP (2) | JP6352385B2 (ja) |
KR (2) | KR102204850B1 (ja) |
CN (2) | CN105339183B (ja) |
TW (2) | TWI591713B (ja) |
WO (2) | WO2014151778A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102204850B1 (ko) | 2013-03-15 | 2021-01-18 | 티이엘 매뉴팩처링 앤드 엔지니어링 오브 아메리카, 인크. | 가열된 에칭 용액을 제공하기 위한 시스템 |
JP6302708B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2018-03-28 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | ウェットエッチング装置 |
KR102292827B1 (ko) | 2015-09-08 | 2021-08-23 | 현대자동차주식회사 | 네트워크에서 통신 노드의 동작 방법 |
KR101962080B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2019-03-25 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
TWI629720B (zh) * | 2015-09-30 | 2018-07-11 | 東京威力科創股份有限公司 | 用於濕蝕刻製程之溫度的動態控制之方法及設備 |
TW201713751A (zh) * | 2015-10-06 | 2017-04-16 | 聯華電子股份有限公司 | 酸槽補酸系統與方法 |
CN105717720A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-06-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种具有防爆功能的铜制程装置及铜制程防爆方法 |
CN107306478A (zh) * | 2016-04-18 | 2017-10-31 | 盟立自动化股份有限公司 | 湿式蚀刻装置 |
JP6732546B2 (ja) * | 2016-06-09 | 2020-07-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
JP6698446B2 (ja) | 2016-07-05 | 2020-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
JP6850650B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2021-03-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR102286060B1 (ko) * | 2017-06-01 | 2021-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 글라스 식각 장치 및 글라스 식각 방법 |
US10274847B2 (en) * | 2017-09-19 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Humidity control in EUV lithography |
JP6735718B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2020-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム |
US11241720B2 (en) | 2018-03-22 | 2022-02-08 | Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. | Pressure control strategies to provide uniform treatment streams in the manufacture of microelectronic devices |
JP6516908B2 (ja) * | 2018-07-03 | 2019-05-22 | 東京エレクトロン株式会社 | リン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置及びリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御方法並びに基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
CN109659261B (zh) * | 2018-12-19 | 2021-08-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 基板蚀刻设备及其处理系统 |
CN110981207A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-04-10 | 安徽凤阳玻璃有限公司 | 一种具有防眩增透功能平板玻璃的制备方法 |
KR102585284B1 (ko) * | 2020-12-28 | 2023-10-05 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛 및 액 공급 방법 |
JP2022117321A (ja) * | 2021-01-29 | 2022-08-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、および、基板処理方法 |
CN113270316B (zh) * | 2021-05-20 | 2023-02-10 | 惠科股份有限公司 | 一种待刻蚀基板的蚀刻方法和蚀刻机台 |
JP7438171B2 (ja) * | 2021-09-13 | 2024-02-26 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 供給タンク、供給装置、供給システム |
CN115376915A (zh) * | 2022-10-27 | 2022-11-22 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 选择性蚀刻方法及装置 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0296334A (ja) * | 1988-10-01 | 1990-04-09 | Nisso Eng Kk | 高温エッチング液の循環方法 |
US5158100A (en) * | 1989-05-06 | 1992-10-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method and apparatus therefor |
JP3072876B2 (ja) | 1993-09-17 | 2000-08-07 | 日曹エンジニアリング株式会社 | エッチング液の精製方法 |
JP3430611B2 (ja) | 1994-02-16 | 2003-07-28 | 富士通株式会社 | エッチング装置と濃燐酸溶液の処理方法 |
JPH09275091A (ja) * | 1996-04-03 | 1997-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体窒化膜エッチング装置 |
JPH11111673A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Shibaura Mechatronics Corp | エッチング方法および処理装置 |
JPH11200072A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-27 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体処理用リン酸浴の濃度制御方法と装置 |
JPH11251208A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
US6162370A (en) * | 1998-08-28 | 2000-12-19 | Ashland Inc. | Composition and method for selectively etching a silicon nitride film |
US6399517B2 (en) * | 1999-03-30 | 2002-06-04 | Tokyo Electron Limited | Etching method and etching apparatus |
KR100400030B1 (ko) * | 2000-06-05 | 2003-09-29 | 삼성전자주식회사 | 금속막의 화학 및 기계적 연마용 슬러리 및 그 제조방법과상기 슬러리를 이용한 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
TW512131B (en) | 2000-06-08 | 2002-12-01 | Mosel Vitelic Inc | Apparatus and method for controlling boiling conditions of hot phosphoric acid solution with pressure adjustment |
TW511180B (en) | 2000-07-31 | 2002-11-21 | Mitsubishi Chem Corp | Mixed acid solution in etching process, process for producing the same, etching process using the same and process for producing semiconductor device |
EP1296132B1 (en) | 2001-09-21 | 2007-04-18 | Infineon Technologies AG | Sensor cell for measuring the concentration of a component in a two component liquid mixture, apparatus and etching system |
US6913651B2 (en) * | 2002-03-22 | 2005-07-05 | Blue29, Llc | Apparatus and method for electroless deposition of materials on semiconductor substrates |
JP3891277B2 (ja) * | 2002-05-21 | 2007-03-14 | セイコーエプソン株式会社 | 処理装置および半導体装置の製造方法 |
US6863796B2 (en) * | 2002-07-02 | 2005-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method for reducing cu surface defects following cu ECP |
JP3788985B2 (ja) * | 2002-09-17 | 2006-06-21 | エム・エフエスアイ株式会社 | エッチング液の再生方法、エッチング方法およびエッチング装置 |
US7238295B2 (en) | 2002-09-17 | 2007-07-03 | m·FSI Ltd. | Regeneration process of etching solution, etching process, and etching system |
JP2004214243A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハのエッチング方法及びエッチング装置 |
KR100704246B1 (ko) | 2003-01-09 | 2007-04-06 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판 처리시스템, 기판 처리장치, 프로그램 및 기록매체 |
JP2005079212A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Trecenti Technologies Inc | 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP4393260B2 (ja) * | 2004-04-20 | 2010-01-06 | 株式会社東芝 | エッチング液管理方法 |
KR100655429B1 (ko) * | 2005-11-10 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 인산 용액을 재생하는 방법 및 장치, 그리고 인산 용액을사용하여 기판을 처리하는 장치 |
JP4944558B2 (ja) * | 2006-10-12 | 2012-06-06 | アプリシアテクノロジー株式会社 | エッチング液の再生方法、エッチング方法およびエッチング装置 |
CN101215100A (zh) | 2008-01-16 | 2008-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 平板玻璃基板减薄蚀刻槽 |
CN101234853B (zh) | 2008-02-29 | 2011-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 平板玻璃基板的减薄方法及装置 |
JP5173500B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2013-04-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置 |
JP4906766B2 (ja) | 2008-03-24 | 2012-03-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN102356454B (zh) | 2009-03-31 | 2014-03-26 | 栗田工业株式会社 | 蚀刻液的处理装置以及处理方法 |
US8597461B2 (en) * | 2009-09-02 | 2013-12-03 | Novellus Systems, Inc. | Reduced isotropic etchant material consumption and waste generation |
US20120015523A1 (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Jerry Dustin Leonhard | Systems and methods for etching silicon nitride |
JP5180263B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2013-04-10 | 倉敷紡績株式会社 | 基板処理装置 |
JP5238782B2 (ja) * | 2010-09-22 | 2013-07-17 | 株式会社東芝 | 基板の処理装置および基板の処理方法 |
WO2012078580A1 (en) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | Fsi International, Inc. | Process for selectively removing nitride from substrates |
US9257292B2 (en) * | 2011-03-30 | 2016-02-09 | Tokyo Electron Limited | Etch system and method for single substrate processing |
KR102204850B1 (ko) | 2013-03-15 | 2021-01-18 | 티이엘 매뉴팩처링 앤드 엔지니어링 오브 아메리카, 인크. | 가열된 에칭 용액을 제공하기 위한 시스템 |
-
2014
- 2014-03-13 KR KR1020157026457A patent/KR102204850B1/ko active IP Right Review Request
- 2014-03-13 US US14/209,805 patent/US9911631B2/en active Active
- 2014-03-13 KR KR1020157026273A patent/KR102246213B1/ko active IP Right Review Request
- 2014-03-13 CN CN201480018775.XA patent/CN105339183B/zh active Active
- 2014-03-13 CN CN201480015977.9A patent/CN105121376B/zh active Active
- 2014-03-13 WO PCT/US2014/026432 patent/WO2014151778A1/en active Application Filing
- 2014-03-13 WO PCT/US2014/026581 patent/WO2014151862A1/en active Application Filing
- 2014-03-13 JP JP2016502143A patent/JP6352385B2/ja active Active
- 2014-03-13 JP JP2016502185A patent/JP6427166B2/ja active Active
- 2014-03-13 US US14/209,966 patent/US9831107B2/en active Active
- 2014-03-14 TW TW103109718A patent/TWI591713B/zh active
- 2014-03-14 TW TW103109721A patent/TWI555078B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9831107B2 (en) | 2017-11-28 |
US9911631B2 (en) | 2018-03-06 |
KR20150127126A (ko) | 2015-11-16 |
KR102204850B1 (ko) | 2021-01-18 |
TWI555078B (zh) | 2016-10-21 |
KR102246213B1 (ko) | 2021-04-28 |
KR102204850B9 (ko) | 2023-01-09 |
TW201501195A (zh) | 2015-01-01 |
JP6352385B2 (ja) | 2018-07-04 |
US20140264153A1 (en) | 2014-09-18 |
CN105339183A (zh) | 2016-02-17 |
WO2014151778A1 (en) | 2014-09-25 |
JP2016519424A (ja) | 2016-06-30 |
CN105121376A (zh) | 2015-12-02 |
TW201505087A (zh) | 2015-02-01 |
JP2016513887A (ja) | 2016-05-16 |
CN105121376B (zh) | 2018-02-27 |
KR20150131071A (ko) | 2015-11-24 |
US20140277682A1 (en) | 2014-09-18 |
KR102246213B9 (ko) | 2022-06-24 |
WO2014151862A1 (en) | 2014-09-25 |
TWI591713B (zh) | 2017-07-11 |
CN105339183B (zh) | 2018-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6427166B2 (ja) | 加熱されたエッチング液を提供するためのプロセシングシステムおよび方法 | |
TWI527111B (zh) | 用於單一基板處理的蝕刻系統及方法 | |
US10186436B2 (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
TWI618136B (zh) | 蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體 | |
TW201409558A (zh) | 蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體 | |
JPH0320895B2 (ja) | ||
TWI505350B (zh) | 遮罩層蝕刻速率與選擇性之增強 | |
JPH11226387A (ja) | 流体による処理方法および装置 | |
JP5936717B2 (ja) | 単一基板剥離プロセシングのための逐次的段階混合 | |
KR102134949B1 (ko) | 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법 | |
JP6517564B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102376797B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP7408445B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JP3537302B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008016548A (ja) | 高圧処理方法 | |
CN109300802A (zh) | 用于干燥晶片的装置及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170310 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180123 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180418 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181016 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181026 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6427166 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |