JP5936717B2 - 単一基板剥離プロセシングのための逐次的段階混合 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 184
- 238000002156 mixing Methods 0.000 title claims description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 97
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 209
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 171
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 136
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 107
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical group OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 60
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 40
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 38
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 36
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 30
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 claims description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 19
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 15
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 8
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 7
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 101100006584 Mus musculus Clnk gene Proteins 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- -1 hydronium ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000007857 degradation product Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Weting (AREA)
Description
本願は、レジスト除去システムの設計および方法に、より特には、単一基板剥離プロセシングを使用した、剥離速度および窒化ケイ素または二酸化ケイ素のエッチングに対するレジスト剥離の選択性を向上させるためのシステムおよび方法に関する。
レジスト剥離は、半導体製造における共通プロセスであり、歴史的に、25〜100個の基板を、硫酸および過酸化水素の混合物(SPM)中に20分間まで浸漬して、バッチタイププロセシングモードにおいて行われてきた。半導体デバイスのサイズが縮小するにつれ、高い欠陥率が重大な課題となる。前記バッチ剥離プロセシングに関連する、前記高い欠陥率に対処するため、前記剥離プロセスで使用される前記処理液の変数を変化させることにより、焦点が切り替えられた。さらに、所有経費(the cost of ownership)および基板毎のコストが正当化されるところで、単一基板タイププロセスが開発され、使用されている。
(H2SO4+NH4OH = NH4SO4+H2O) 反応1.0
において明らかとなる、欠陥率の課題が創出される。
提供されるのは、単一基板を剥離するように構成されたプロセシングチャンバおよび処理液送達システムを含む、レジスト除去システムのための方法である。第1剥離化学物質を、前記処理液送達システムにおいて第1温度および流速で流通させ;第2剥離化学物質を、第2温度および流速で、第1混合点で注入する。第3剥離化学物質を、第3温度および流速で、第2混合点で注入する。供給ライン中の背圧を増加させて、前記処理液の沸騰を防止する。前記処理液を、前記第1温度、第2温度、第3温度、前記第1流速、前記第2流速、前記第3流速、処理液温度の1つまたは2つ以上が、標的剥離速度および窒化ケイ素または酸化ケイ素のエッチングに対する剥離の選択性に合うように調節される、前記基板の表面の一部上に分注する。
(H2SO4+H2O2 = H2SO5+H2O) 反応2.0
および、分解物から関連するラジカル
H2SO5 = H2SO4+O および 反応3.0
H2O2 = H2O+O 反応4.0
を発生させる。
Si3N4エッチング速度 = k[H2O]×[H3O+] 方程式1。
ERSiN = kSiN[H2O][H3O+] 方程式2
式中、ERは、窒化ケイ素のエッチング速度であり、
kは、窒化ケイ素のエッチング速度定数であり、
H2Oは、モル/m3での濃度であり、
H3O+は、モル/m3での濃度であり;
kは、窒化ケイ素のエッチング速度定数であり、
Aは、窒化ケイ素の頻度因子であり、
Eは、活性化エネルギーであり、
Rは、一般気体定数であり、
Tは、前記SPMの絶対温度である。
Claims (23)
- レジスト除去システムにおいて、処理液で基板上のレジストを剥離するための方法であって、前記レジスト除去システムは、処理液送達システムに連結したプロセスチャンバを含み、前記処理液送達システムは、処理液供給ラインを有し、前記プロセスチャンバは、単一基板を剥離するように構成され、前記基板は、表面および窒化ケイ素、二酸化ケイ素、またはケイ素の1つまたは2つ以上の層を有し、前記方法は、以下:
前記基板上の前記レジストを剥離するための、1つまたは2つ以上の標的剥離目的を選択すること;
前記処理液供給ラインに第1剥離化学物質を流通させ、前記第1剥離化学物質は、第1温度、第1濃度で、および第1流速であり、前記処理液供給ラインは、反応ゾーンおよび温度調節ゾーンを有すること;
前記処理液供給ライン上に第2剥離化学物質を第1注入ラインで注入し、前記第2剥離化学物質は、第2温度、第2濃度で、および第2流速であること;
第3剥離化学物質を前記処理液供給ラインの第2注入ラインで注入し、前記第3剥離化学物質は、第3温度、第3濃度で、および第3流速であること;
前記処理液送達システムにおける背圧を増加させて、前記処理液の沸騰または沸点に近づくことを防止すること;
前記処理液の標的分注温度および標的組成で、ノズルを使用して、前記基板の表面の一部上に前記処理液を分注すること;および
前記標的剥離目的に合わせるために、前記第1温度、第1濃度、第1流速、第2温度、第2濃度、第2流速、第3温度、第3濃度、第3流速、処理液分注温度、および前記処理液供給ラインでの背圧、前記反応ゾーンおよび温度調節ゾーンでの前記処理液の温度の1つまたは2つ以上を、調節すること;
を含み、
ここで、前記第2剥離化学物質を注入して、前記第2剥離化学物質に対する前記第1剥離化学物質の標的第1混合比を達成し;
ここで、前記第2剥離化学物質の注入後に、前記処理液が、標的時間範囲内で前記反応ゾーンに沿って温度プロファイルの最大温度に到達し;
前記標的分注温度が、80〜250℃で;および
前記標的第1混合比が1:1〜20:1である、
方法。 - 前記1つまたは2つ以上の標的剥離目的が、剥離速度および窒化ケイ素、酸化ケイ素、および/またはケイ素のエッチングに対する剥離の選択性を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記剥離速度が、毎分500〜1,000ナノメートルまたは毎分1,000〜1250ナノメートルである、請求項2に記載の方法。
- ケイ素、窒化ケイ素または二酸化ケイ素のエッチング量が、0.07A/minより多く、かつ、1A/minより少ないかまたは0.1A/minより少ない、請求項2に記載の方法。
- 前記第1剥離化学物質が、酸であり、前記第2剥離化学物質が、酸化剤であり、前記第3剥離化学物質が、前記第1剥離化学物質として使用されるものと同一の酸であるかまたは液体の水または蒸気の形態のいずれかである、請求項2に記載の方法。
- 前記酸が、硫酸であり、前記酸化剤が、過酸化水素である、請求項5に記載の方法。
- 前記硫酸が、70〜98重量%の濃度である、請求項6に記載の方法。
- 前記過酸化水素が、1重量%〜35重量%の濃度である、請求項6に記載の方法。
- 前記標的第1混合比が、過酸化水素に対する硫酸の体積で、1:1〜20:1である、請求項6に記載の方法。
- 前記第2混合比が、過酸化水素に対する硫酸の体積で、40:1より小さい、請求項6に記載の方法。
- 前記第1剥離化学物質として使用される前記硫酸が、90℃〜170℃の温度である、請求項6に記載の方法。
- 前記第2剥離化学物質として使用される前記過酸化水素が、実質的に25℃である、請求項6に記載の方法。
- 前記第3剥離化学物質として使用される前記硫酸が、25〜250℃である、請求項6に記載の方法。
- 前記第3剥離化学物質として使用される前記水が、水としての25℃〜蒸気としての100℃を上回る、請求項6に記載の方法。
- 前記標的分注温度が、80〜250℃である、請求項6に記載の方法。
- 前記第1剥離化学物質が、過酸化水素であり、前記第2剥離化学物質が、硫酸であり、前記第3剥離化学物質が、硫酸または水または蒸気である、請求項2に記載の方法。
- 前記第1剥離化学物質が、硫酸であり、前記第2剥離化学物質が、硝酸であり、前記第3剥離化学物質が、過酸化水素である;または
前記第1剥離化学物質が、硫酸であり、前記第2剥離化学物質が、過酸化水素であり、前記第3剥離化学物質が、硫酸または水であり、両方が溶解されたオゾンを含む;または
前記第1剥離化学物質が、硫酸であり、前記第2剥離化学物質が、過酸化水素であり、前記第3剥離化学物質が、溶解されたオゾンを含む水である;または
前記第1剥離化学物質が、塩酸であり、前記第2剥離化学物質が、硝酸である;または
前記第1剥離化学物質が、フッ化水素であり、前記第2剥離化学物質が、硝酸であり、前記第3剥離化学物質が、酢酸である;または
前記第1剥離化学物質が、硫酸であり、前記第2剥離化学物質が、オゾンである、
請求項2に記載の方法。 - 前記処理液供給ラインで圧力を増加させることを、前記処理液を分注する前に、前記処理液供給ラインの規制部で行う、請求項2に記載の方法。
- 前記規制部が、直径の小さなパイプ、配管エルボ、チョーク、オリフィス流量計、または制御バルブである、請求項18に記載の方法。
- 前記レジスト剥離が、高照射量イオン注入レジスト剥離である、請求項2に記載の方法。
- レジスト除去システムにおいて、処理液で基板上のレジストを剥離するための方法であって、前記レジスト除去システムは、処理液送達システムに連結したプロセスチャンバを含み、前記処理液送達システムは、処理液供給ラインを有し、前記プロセスチャンバは、単一基板を剥離するように構成され、前記基板は、表面および窒化ケイ素、二酸化ケイ素またはケイ素の1つまたは2つ以上の層を有し、前記方法は、以下:
レジスト除去システムにおける、標的剥離速度および窒化ケイ素、酸化ケイ素、および/またはケイ素のエッチングに対する剥離の選択性を選択すること;
前記処理液供給ラインに第1剥離化学物質を流通させ、前記第1剥離化学物質は、第1温度、第1濃度で、および第1流速であり、前記処理液供給ラインは、反応ゾーンおよび温度調節ゾーンを有すること;
前記処理液供給ライン上に第2剥離化学物質を第1注入ラインで注入し、前記第2剥離化学物質は、第2温度、第2濃度で、および第2流速であること;
第3剥離化学物質を前記処理液供給ラインの第2注入ラインで注入し、前記第3剥離化学物質は、第3温度、第3濃度で、および第3流速であること;
前記処理液送達システムにおける背圧を増加させて、前記処理液の沸騰または沸点に近づくことを防止すること;
前記処理液の標的分注温度および標的組成で、ノズルを使用して、前記基板の表面の一部上に前記処理液を分注すること;および
前記標的剥離目的に合わせるために、前記第1温度、第1濃度、第1流速、第2温度、第2濃度、第2流速、第3温度、第3濃度、第3流速、処理液分注温度、および前記処理液供給ラインでの背圧、前記反応ゾーンおよび温度調節ゾーンでの前記処理液の温度の1つまたは2つ以上を、調節すること;
を含み、
ここで、前記第2剥離化学物質を注入して、前記第2剥離化学物質に対する前記第1剥離化学物質の標的第1混合比を達成し;
ここで、前記第2剥離化学物質の注入後に、前記処理液が、標的時間範囲内で前記反応ゾーンに沿って温度プロファイルの最大温度に到達し;
前記標的分注温度が、80〜250℃で;および
前記標的第1混合比が1:1〜20:1である、
方法。 - 前記第1剥離化学物質が、硫酸であり、前記第2剥離化学物質が、過酸化水素であり、前記第3剥離化学物質が、水または蒸気である、請求項21に記載の方法。
- 基板上のレジストを剥離するためのシステムであって、以下:
前記基板上の前記レジストを剥離するために、1つまたは2つ以上の標的剥離目的を最適化するように構成された単一基板除去システム、
を含み、前記単一基板除去システムは、以下:
前記単一基板からのレジストの除去をプロセスするように構成されたプロセシングチャンバ;
前記プロセシングチャンバに連結した処理液供給ラインであって、前記処理液供給ラインは、以下:
前記処理液供給ラインに第1剥離化学物質を流通させ、前記第1剥離化学物質は、第1温度、第1濃度で、および第1流速であり、前記処理液供給ラインは、反応ゾーンおよび温度調節ゾーンを有し;
前記処理液供給ライン上に第2剥離化学物質を第1注入ラインで注入し、前記第2剥離化学物質は、第2温度、第2濃度で、および第2流速であり;
第3剥離化学物質を前記処理液供給ラインの第2注入ラインで注入し、前記第3剥離化学物質は、第3温度、第3濃度で、および第3流速であり;
前記処理液送達システムにおける背圧を増加させて、前記処理液の沸騰または沸点に近づくことを防止し;および
前記処理液の標的分注温度および標的組成で、ノズルを使用して、前記基板の表面の一部上に前記処理液を分注する、
ように構成された、処理液供給ライン;
ならびに
前記プロセシングチャンバおよび処理液供給ラインに連結した制御システムであって、前記制御システムは、前記標的剥離目的に合わせるために、前記第1温度、第1濃度、第1流速、第2温度、第2濃度、第2流速、第3温度、第3濃度、第3流速、処理液分注温度、および前記処理液供給ラインでの背圧、前記反応ゾーンおよび温度調節ゾーンでの前記処理液の温度の1つまたは2つ以上を調節するように構成された、制御システム、
を含み、
ここで、前記第2剥離化学物質を注入して、前記第2剥離化学物質に対する前記第1剥離化学物質の標的第1混合比を達成し;
ここで、前記第2剥離化学物質の注入後に、前記処理液が、標的時間範囲内で前記反応ゾーンに沿って温度プロファイルの最大温度に到達し;
前記標的分注温度が、80〜250℃で;および
前記標的第1混合比が1:1〜20:1である、
システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/413,620 | 2012-03-06 | ||
US13/413,620 US8940103B2 (en) | 2012-03-06 | 2012-03-06 | Sequential stage mixing for single substrate strip processing |
PCT/IB2013/001019 WO2013132353A2 (en) | 2012-03-06 | 2013-03-06 | Sequential stage mixing for single substrate strip processing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015511065A JP2015511065A (ja) | 2015-04-13 |
JP5936717B2 true JP5936717B2 (ja) | 2016-06-22 |
Family
ID=48703604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014560466A Active JP5936717B2 (ja) | 2012-03-06 | 2013-03-06 | 単一基板剥離プロセシングのための逐次的段階混合 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8940103B2 (ja) |
JP (1) | JP5936717B2 (ja) |
KR (1) | KR101590745B1 (ja) |
TW (1) | TWI518768B (ja) |
WO (1) | WO2013132353A2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5836906B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2015-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6168271B2 (ja) * | 2012-08-08 | 2017-07-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US10249509B2 (en) | 2012-11-09 | 2019-04-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method and system using atmospheric pressure atomic oxygen |
US9513556B2 (en) * | 2012-11-19 | 2016-12-06 | Tokyo Electron Limited | Method and system of process chemical temperature control using an injection nozzle |
JP6456792B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2019-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
JP6923419B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2021-08-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
TWI665020B (zh) * | 2018-02-26 | 2019-07-11 | 辛耘企業股份有限公司 | 基板處理裝置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6032682A (en) | 1996-06-25 | 2000-03-07 | Cfmt, Inc | Method for sulfuric acid resist stripping |
US5861064A (en) * | 1997-03-17 | 1999-01-19 | Fsi Int Inc | Process for enhanced photoresist removal in conjunction with various methods and chemistries |
US6240933B1 (en) | 1997-05-09 | 2001-06-05 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
US6701941B1 (en) | 1997-05-09 | 2004-03-09 | Semitool, Inc. | Method for treating the surface of a workpiece |
US6286231B1 (en) * | 2000-01-12 | 2001-09-11 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying |
US6943900B2 (en) | 2000-09-15 | 2005-09-13 | Timbre Technologies, Inc. | Generation of a library of periodic grating diffraction signals |
US20040000322A1 (en) | 2002-07-01 | 2004-01-01 | Applied Materials, Inc. | Point-of-use mixing with H2SO4 and H2O2 on top of a horizontally spinning wafer |
TWI377453B (en) * | 2003-07-31 | 2012-11-21 | Akrion Technologies Inc | Process sequence for photoresist stripping and/or cleaning of photomasks for integrated circuit manufacturing |
JP2005183937A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-07-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびレジスト除去用洗浄装置 |
JP2007048983A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Sony Corp | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP4986566B2 (ja) | 2005-10-14 | 2012-07-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US7592264B2 (en) | 2005-11-23 | 2009-09-22 | Fsi International, Inc. | Process for removing material from substrates |
JP4644170B2 (ja) * | 2006-09-06 | 2011-03-02 | 栗田工業株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5199339B2 (ja) | 2007-05-18 | 2013-05-15 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | 水蒸気または蒸気を用いた基板の処理方法 |
JP2011228438A (ja) | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Panasonic Corp | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
-
2012
- 2012-03-06 US US13/413,620 patent/US8940103B2/en active Active
-
2013
- 2013-03-05 TW TW102107724A patent/TWI518768B/zh active
- 2013-03-06 KR KR1020147028114A patent/KR101590745B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-06 JP JP2014560466A patent/JP5936717B2/ja active Active
- 2013-03-06 WO PCT/IB2013/001019 patent/WO2013132353A2/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8940103B2 (en) | 2015-01-27 |
KR20150013121A (ko) | 2015-02-04 |
JP2015511065A (ja) | 2015-04-13 |
KR101590745B1 (ko) | 2016-02-01 |
US20130233343A1 (en) | 2013-09-12 |
TW201349329A (zh) | 2013-12-01 |
WO2013132353A3 (en) | 2014-11-27 |
WO2013132353A2 (en) | 2013-09-12 |
TWI518768B (zh) | 2016-01-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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